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Transistores (3821)

Imageem Número do Produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade Dispon Svel Peso (kg) Mfr Série Pacote Status do produto Temperatura operacional Tipo de Montagem Pacote / Caso Número do Produto Base Tipo de Entrada Tecnologia Poder - Máx Pacote de Dispositivo de Fornecedor Ficha de Dadas Status do rohs Nível de sensibilidade à Umidade (msl) Status de alcance Nomes de Ulros ECCN Htsus PACOTE PADROO Configuraça TIPO DE FET Condição de teste Escorra para um tensão de origem (VDSS) Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C Tensão de conduça (max rds on, min rds on) Rds em (max) @ id, vgs VGS (th) (max) @ id Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS VGs (Máximoo) CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Recurso FET DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) TIPO IGBT Tensão - Colapso do Emissor de Colecionador (Max) Corrente - Coletor (IC) (Max) Vce (on) (max) @ vge, ic Troca de Energia Carga do Portão TD (Ligado/Desligado) A 25 ° C Corrente - Corte de Colecionador (Max) Tipo de transistor Vce saturação (max) @ ib, ic Ganho ATUAL DE CC (HFE) (min) @ IC, VCE Frequencia - Transmissão
KSH50TF Fairchild Semiconductor Ksh50tf -
RFQ
 ECAD 3176 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 15 w TO-252-3 (DPAK) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) ALCANCE AFETADO Ear99 0000.00.0000 2.000 400 v 1 a 200µA Npn 1V @ 200Ma, 1A 30 @ 300mA, 10V 10MHz
ISL9V5036P3 Fairchild Semiconductor ISL9V5036P3 -
RFQ
 ECAD 2337 0,00000000 Semicondutor Fairchild EcoSmark® Tubo Obsoleto -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 Lógica 250 w To-220-3 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 400 300V, 1KOHM, 5V - 390 v 46 a 1.6V @ 4V, 10A - 32 NC -/10,8µs
SI3457DV Fairchild Semiconductor SI3457DV -
RFQ
 ECAD 9186 0,00000000 Semicondutor Fairchild PowerTrench® Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) SuperSot ™ -6 download Ear99 8541.29.0095 1 Canal P. 30 v 4a (ta) 4.5V, 10V 50mohm @ 4a, 10V 3V A 250µA 8.1 NC @ 5 V ± 25V 470 pf @ 25 V - 1.6W (TA)
FQB8N25TM Fairchild Semiconductor FQB8N25TM 0,5900
RFQ
 ECAD 21 0,00000000 Semicondutor Fairchild QFET® Volume Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab MOSFET (ÓXIDO DE METAL) D2PAK (TO-263) download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 800 N-canal 250 v 8a (TC) 10V 550mohm @ 4a, 10V 5V A 250µA 15 nc @ 10 V ± 30V 530 pf @ 25 V - 3.13W (TA), 87W (TC)
SI3442DV Fairchild Semiconductor SI3442DV 0,1500
RFQ
 ECAD 32 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) SuperSot ™ -6 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.21.0095 3.000 N-canal 20 v 4.1a (ta) 2.7V, 4.5V 60mohm @ 4.1a, 4.5V 1V a 250µA 14 NC a 4,5 V 8V 365 pf @ 10 V - 1.6W (TA)
SFP2955 Fairchild Semiconductor SFP2955 0,3300
RFQ
 ECAD 5 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) To-220-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.29.0095 1 Canal P. 60 v 9.4a (TC) 10V 300mohm @ 4.7a, 10V 4V A 250µA 19 NC @ 10 V ± 20V 600 pf @ 25 V - 49W (TC)
HUF76143P3 Fairchild Semiconductor HUF76143P3 0,7000
RFQ
 ECAD 108 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) To-220-3 download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) ALCANCE AFETADO Ear99 8541.29.0095 1 N-canal 30 v 75a (TC) 4.5V, 10V 5.5mohm @ 75a, 10V 3V A 250µA 114 NC @ 10 V ± 20V 3900 pf @ 25 V - 225W (TC)
RFP40N10LE Fairchild Semiconductor RFP40N10LE -
RFQ
 ECAD 5879 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-220AB download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 1 N-canal 100 v 40A (TC) 5V 40OHM @ 40A, 5V 3V A 250µA 180 nc @ 10 V ± 10V 3000 pf @ 25 V - 150W (TC)
FQB5N60TM Fairchild Semiconductor FQB5N60TM 0,7000
RFQ
 ECAD 910 0,00000000 Semicondutor Fairchild QFET® Volume Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab MOSFET (ÓXIDO DE METAL) D2PAK (TO-263) download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 800 N-canal 600 v 5a (TC) 10V 2OHM @ 2.5A, 10V 5V A 250µA 20 NC A 10 V ± 30V 730 pf @ 25 V - 3.13W (TA), 120W (TC)
FJB3307DTM Fairchild Semiconductor FJB3307DTM -
RFQ
 ECAD 5950 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab FJB3307 1,72 w D²pak download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) ALCANCE AFETADO Ear99 0000.00.0000 1 400 v 8 a - Npn 3V @ 2a, 8a 5 @ 5A, 5V -
FDI9406-F085 Fairchild Semiconductor FDI9406-F085 1.3100
RFQ
 ECAD 5 0,00000000 Semicondutor Fairchild Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® Volume Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco TO-262-3 Leitos Longos, i²pak, TO-262AA MOSFET (ÓXIDO DE METAL) I2pak (to-262) download Fornecedor indefinido Alcançar Não Afetado 2156-FDI9406-F085-600039 1 N-canal 40 v 110A (TC) 10V 2.2mohm @ 80a, 10V 4V A 250µA 138 NC @ 10 V ± 20V 7710 pf @ 25 V - 176W (TJ)
FDS7088N7 Fairchild Semiconductor FDS7088N7 2.0300
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Semicondutor Fairchild PowerTrench® Volume Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 8-so download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 2.500 N-canal 30 v 23a (TA) 4.5V, 10V 3mohm @ 23a, 10V 3V A 250µA 48 nc @ 5 V ± 20V 3845 pf @ 15 V - 3W (TA)
SS8050BBU Fairchild Semiconductor SS8050BBU 1.0000
RFQ
 ECAD 7608 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) 1 w TO-92-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 0000.00.0000 1 25 v 1.5 a 100na (ICBO) Npn 500mv @ 80MA, 800mA 85 @ 100mA, 1V 100MHz
FQPF5N50CFTU Fairchild Semiconductor FQPF5N50CFTU 0,6400
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Semicondutor Fairchild FRFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco Pacote completo parágrafo 220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-220F-3 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 50 N-canal 500 v 5a (TC) 10V 1.55Ohm @ 2.5a, 10V 4V A 250µA 24 nc @ 10 V ± 30V 625 pf @ 25 V - 38W (TC)
2SA608NG-NPA-AT Fairchild Semiconductor 2SA608NG-NPA-AT 0,0500
RFQ
 ECAD 22 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 Corpo Longo (Fios Formados) 500 MW TO-92 (TO-226) download ROHS3 Compatível Ear99 8541.21.0075 1.500 50 v 150 MA 100na (ICBO) Pnp 300mv @ 10ma, 100mA 280 @ 1MA, 6V 200MHz
IRFR210BTF Fairchild Semiconductor IRFR210BTF 0,2400
RFQ
 ECAD 224 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-252, (D-PAK) download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 2.000 N-canal 200 v 2.7a (TC) 10V 1.5OHM @ 1.35A, 10V 4V A 250µA 9,3 nc @ 10 V ± 30V 225 pf @ 25 V - 2.5W (TA), 26W (TC)
SI9936DY Fairchild Semiconductor SI9936DY -
RFQ
 ECAD 1573 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) SI9936 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 900MW 8-SOIC - ROHS3 Compatível Ear99 8541.21.0095 2.500 2 canal n (Duplo) 30V 5a 50mohm @ 5a, 10V 1V a 250µA 35NC @ 10V 525pf @ 15V -
KSC838COBU Fairchild Semiconductor KSC838COBU 0,0300
RFQ
 ECAD 4448 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) 250 MW TO-92-3 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.21.0075 9.745 30 v 30 mA 100na (ICBO) Npn 400mv @ 1Ma, 10MA 70 @ 2MA, 12V 250MHz
FDC658P Fairchild Semiconductor FDC658p -
RFQ
 ECAD 8750 0,00000000 Semicondutor Fairchild PowerTrench® Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) SuperSot ™ -6 download Ear99 8542.39.0001 1 Canal P. 30 v 4a (ta) 10V 50mohm @ 4a, 10V 3V A 250µA 12 nc @ 5 V ± 20V 750 pf @ 15 V - 1.6W (TA)
FDU3N40TU Fairchild Semiconductor FDU3N40TU 1.0000
RFQ
 ECAD 1831 0,00000000 Semicondutor Fairchild Unifet ™ Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-251-3 leva Curtos, Ipak, TO-251AA FDU3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) I-Pak download Ear99 8542.39.0001 1 N-canal 400 v 2a (TC) 10V 3.4OHM @ 1A, 10V 5V A 250µA 6 nc @ 10 V ± 30V 225 pf @ 25 V - 30W (TC)
FQB1P50TM Fairchild Semiconductor FQB1P50TM -
RFQ
 ECAD 1733 0,00000000 Semicondutor Fairchild QFET® Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab MOSFET (ÓXIDO DE METAL) D2PAK (TO-263) download Ear99 8542.39.0001 1 Canal P. 500 v 1.5a (TC) 10V 10.5Ohm @ 750Ma, 10V 5V A 250µA 14 nc @ 10 V ± 30V 350 pf @ 25 V - 3.13W (TA), 63W (TC)
HUFA75344S3S Fairchild Semiconductor HUFA75344S3S 0,9400
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Semicondutor Fairchild Ultrafet ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab MOSFET (ÓXIDO DE METAL) D2PAK (TO-263) download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 400 N-canal 55 v 75a (TC) 10V 8mohm @ 75a, 10V 4V A 250µA 210 NC @ 20 V ± 20V 3200 pf @ 25 V - 285W (TC)
FJA4210OTU Fairchild Semiconductor FJA4210OTU -
RFQ
 ECAD 7629 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-3P-3, SC-65-3 100 w TO-3P download Ear99 8542.39.0001 1 140 v 10 a 10µA (ICBO) Pnp 500mv @ 500Ma, 5a 70 @ 3A, 4V 30MHz
MTD3055VL Fairchild Semiconductor MTD3055VL 1.0000
RFQ
 ECAD 3602 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-252, (D-PAK) download Ear99 8542.39.0001 1 N-canal 60 v 12a (TC) 5V 180mohm @ 6a, 5V 2V A 250µA 10 nc @ 5 V ± 20V 570 pf @ 25 V - 3.9W (TA), 48W (TC)
FDD6670AS Fairchild Semiconductor FDD6670As 1.3500
RFQ
 ECAD 6386 0,00000000 Semicondutor Fairchild PowerTrench® Volume Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-252, (D-PAK) download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 162 N-canal 30 v 76a (TA) 4.5V, 10V 8mohm @ 13.8a, 10V 3V @ 1Ma 40 nc @ 10 V ± 20V 1580 pf @ 15 V - 70W (TA)
TIP31B Fairchild Semiconductor Tip31b 0,1500
RFQ
 ECAD 5 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 Tip31 2 w To-220-3 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 50 80 v 3 a 300µA Npn 1.2V @ 375MA, 3A 10 @ 3A, 4V 3MHz
KSC945GBU Fairchild Semiconductor KSC945GBU 0,0600
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) 250 MW TO-92-3 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.21.0075 1.000 50 v 150 MA 100na (ICBO) Npn 300mv @ 10ma, 100mA 200 @ 1MA, 6V 300MHz
IRFR330BTM Fairchild Semiconductor IRFR330BTM -
RFQ
 ECAD 5841 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) DPAK download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) ALCANCE AFETADO Ear99 8541.29.0095 1 N-canal 400 v 4.5a (TC) 10V 1OHM @ 2.25A, 10V 4V A 250µA 33 nc @ 10 V ± 30V 1000 pf @ 25 V - 2.5W (TA), 48W (TC)
SFP9Z14 Fairchild Semiconductor SFP9Z14 -
RFQ
 ECAD 2360 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) To-220-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.29.0095 1 Canal P. 60 v 6.7a (TC) 10V 500mohm @ 3.4a, 10V 4V A 250µA 11 NC @ 10 V ± 30V 350 pf @ 25 V - 38W (TC)
BC556CTA Fairchild Semiconductor BC556CTA 0,0200
RFQ
 ECAD 617 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) Formou Leads 500 MW TO-92-3 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.21.0075 2.000 65 v 100 ma 15na (ICBO) Pnp 650mv @ 5Ma, 100mA 420 @ 2MA, 5V 150MHz
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