SIC
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Transistores (3821)

Imageem Número do Produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade Dispon Svel Peso (kg) Mfr Série Pacote Status do produto Temperatura operacional Tipo de Montagem Pacote / Caso Número do Produto Base Tipo de Entrada Tecnologia Poder - Máx Pacote de Dispositivo de Fornecedor Ficha de Dadas Status do rohs Nível de sensibilidade à Umidade (msl) Status de alcance Nomes de Ulros ECCN Htsus PACOTE PADROO Configuraça TIPO DE FET Condição de teste Escorra para um tensão de origem (VDSS) Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) @ 25 ° C Tensão de conduça (max rds on, min rds on) Rds em (max) @ id, vgs VGS (th) (max) @ id Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS VGs (Máximoo) CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Recurso FET DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) TIPO IGBT Tensão - Colapso do Emissor de Colecionador (Max) Corrente - Coletor (IC) (Max) Corrente - Coletor Pulsa (ICM) Vce (on) (max) @ vge, ic Troca de Energia Carga do Portão TD (Ligado/Desligado) A 25 ° C Tensão - Quebra (V (BR) GSS) Corrente - DRENO (IDSS) @ VDS (VGS = 0) Tensão - Corte (VGS desligado) @ id Corrente - Corte de Colecionador (Max) Resistência - rds (on) Tipo de transistor Vce saturação (max) @ ib, ic Ganho ATUAL DE CC (HFE) (min) @ IC, VCE Frequencia - Transmissão
FDPF5N50TYDTU Fairchild Semiconductor FDPF5N50TYDTU 0,6000
RFQ
 ECAD 51 0,00000000 Semicondutor Fairchild Unifet ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco Pacote Completo Parágrafo 220-3, FiOS Formados MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-220F (Formado EM LG) download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 50 N-canal 500 v 5a (TC) 10V 1.4OHM @ 2.5a, 10V 5V A 250µA 15 nc @ 10 V ± 30V 640 pf @ 25 V - 28W (TC)
FDMC3020DC Fairchild Semiconductor FDMC3020DC 1.0000
RFQ
 ECAD 7001 0,00000000 Semicondutor Fairchild Dual Cool ™, PowerTrench® Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-PowerTdfn MOSFET (ÓXIDO DE METAL) Power33 download Ear99 8542.39.0001 1 N-canal 30 v 17a (ta), 40a (tc) 4.5V, 10V 6.25mohm @ 12a, 10V 3V A 250µA 23 NC @ 10 V ± 20V 1385 pf @ 15 V - 3W (TA), 50W (TC)
FDU8580 Fairchild Semiconductor FDU8580 0,6000
RFQ
 ECAD 7 0,00000000 Semicondutor Fairchild PowerTrench® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco TO-251-3 leva Curtos, Ipak, TO-251AA MOSFET (ÓXIDO DE METAL) I-Pak download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 75 N-canal 20 v 35a (TC) 4.5V, 10V 9mohm @ 35a, 10V 2,5V a 250µA 27 NC @ 10 V ± 20V 1445 pf @ 10 V - 49.5W (TC)
KSE13003TH1ATU Fairchild Semiconductor KSE13003TH1ATU 0,4100
RFQ
 ECAD 7 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo 150 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 20 w To-220-3 download Ear99 8542.39.0001 1 400 v 1.5 a - Npn 3V @ 500MA, 1.5A 9 @ 500mA, 2V 4MHz
TIP111TU Fairchild Semiconductor Tip111tu 1.0000
RFQ
 ECAD 7369 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo 150 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 2 w To-220-3 download Ear99 8541.29.0095 1 80 v 2 a 2m NPN - Darlington 2.5V @ 8MA, 2A 1000 @ 1A, 4V -
BC547BTF Fairchild Semiconductor BC547BTF -
RFQ
 ECAD 1720 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) Formou Leads 500 MW TO-92-3 download 0000.00.0000 1 45 v 100 ma 15na (ICBO) Npn 600mV @ 5Ma, 100mA 200 @ 2MA, 5V 300MHz
KSA1201OTF Fairchild Semiconductor KSA1201OTF 0,1400
RFQ
 ECAD 10 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-243AA 1 w SOT-89-3 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.21.0075 4.000 120 v 800 mA 100na (ICBO) Pnp 1V @ 50MA, 500mA 80 @ 100mA, 5V 120MHz
FDD8447L Fairchild Semiconductor FDD8447L 0,4300
RFQ
 ECAD 28 0,00000000 Semicondutor Fairchild PowerTrench® Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-252, (D-PAK) download Ear99 8542.39.0001 705 N-canal 40 v 15.2a (ta), 50a (tc) 4.5V, 10V 8.5mohm @ 14a, 10v 3V A 250µA 52 NC @ 10 V ± 20V 1970 pf @ 20 V - 3.1W (TA), 44W (TC)
2N3904RLRAH Fairchild Semiconductor 2n3904rlrah 0,0200
RFQ
 ECAD 140 0,00000000 Semicondutor Fairchild * Volume Ativo download Fornecedor indefinido Alcançar Não Afetado 2156-2N3904RLRAH-600039 1
FDMS0310S Fairchild Semiconductor FDMS0310S -
RFQ
 ECAD 9845 0,00000000 Semicondutor Fairchild PowerTrench®, SyncFET ™ Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-PowerTdfn MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 8-pqfn (5x6) download Ear99 8542.39.0001 1 N-canal 30 v 19a (ta), 42a (tc) 4.5V, 10V 4mohm @ 18a, 10V 3V @ 1Ma 46 nc @ 10 V ± 20V 2820 pf @ 15 V - 2.5W (TA), 46W (TC)
FQD19N10LTF Fairchild Semiconductor FQD19N10LTF 0,3400
RFQ
 ECAD 3288 0,00000000 Semicondutor Fairchild QFET® Volume Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-252, (D-PAK) download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 5 N-canal 100 v 15.6a (TC) 5V, 10V 100mohm @ 7.8a, 10V 2V A 250µA 18 NC @ 5 V ± 20V 870 pf @ 25 V - 2.5W (TA), 50W (TC)
PN5434 Fairchild Semiconductor PN5434 0,1500
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) 350 MW TO-92-3 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.21.0095 2.000 N-canal 30pf @ 10V (VGS) 25 v 30 mA a 15 V 1 V @ 3 NA 10 ohms
SGP6N60UFDTU Fairchild Semiconductor SGP6N60UFDTU 0,5500
RFQ
 ECAD 869 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 SGP6N Padrão 30 w To-220-3 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 1.000 300V, 3A, 80OHM, 15V 52 ns - 600 v 6 a 25 a 2.6V @ 15V, 3A 57µJ (ON), 25µJ (Off) 15 NC 15ns/60ns
FQPF12N60T Fairchild Semiconductor FQPF12N60T 1.0500
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Semicondutor Fairchild QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco Pacote completo parágrafo 220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-220F-3 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 50 N-canal 600 v 5.8a (TC) 10V 700mohm @ 2.9a, 10V 5V A 250µA 54 NC @ 10 V ± 30V 1900 pf @ 25 V - 55W (TC)
NZT660 Fairchild Semiconductor NZT660 0,1900
RFQ
 ECAD 44 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-261-4, TO-261AA 2 w SOT-223-4 download Ear99 8541.29.0075 1.609 60 v 3 a 100na (ICBO) Pnp 550mv @ 300ma, 3a 100 @ 500mA, 2V 75MHz
KSH50TF Fairchild Semiconductor Ksh50tf -
RFQ
 ECAD 3176 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 15 w TO-252-3 (DPAK) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) ALCANCE AFETADO Ear99 0000.00.0000 2.000 400 v 1 a 200µA Npn 1V @ 200Ma, 1A 30 @ 300mA, 10V 10MHz
ISL9V5036P3 Fairchild Semiconductor ISL9V5036P3 -
RFQ
 ECAD 2337 0,00000000 Semicondutor Fairchild EcoSmark® Tubo Obsoleto -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 Lógica 250 w To-220-3 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 400 300V, 1KOHM, 5V - 390 v 46 a 1.6V @ 4V, 10A - 32 NC -/10,8µs
SI3457DV Fairchild Semiconductor SI3457DV -
RFQ
 ECAD 9186 0,00000000 Semicondutor Fairchild PowerTrench® Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) SuperSot ™ -6 download Ear99 8541.29.0095 1 Canal P. 30 v 4a (ta) 4.5V, 10V 50mohm @ 4a, 10V 3V A 250µA 8.1 NC @ 5 V ± 25V 470 pf @ 25 V - 1.6W (TA)
SI3442DV Fairchild Semiconductor SI3442DV 0,1500
RFQ
 ECAD 32 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) SuperSot ™ -6 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.21.0095 3.000 N-canal 20 v 4.1a (ta) 2.7V, 4.5V 60mohm @ 4.1a, 4.5V 1V a 250µA 14 NC a 4,5 V 8V 365 pf @ 10 V - 1.6W (TA)
SFP2955 Fairchild Semiconductor SFP2955 0,3300
RFQ
 ECAD 5 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) To-220-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.29.0095 1 Canal P. 60 v 9.4a (TC) 10V 300mohm @ 4.7a, 10V 4V A 250µA 19 NC @ 10 V ± 20V 600 pf @ 25 V - 49W (TC)
HUF76143P3 Fairchild Semiconductor HUF76143P3 0,7000
RFQ
 ECAD 108 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) To-220-3 download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) ALCANCE AFETADO Ear99 8541.29.0095 1 N-canal 30 v 75a (TC) 4.5V, 10V 5.5mohm @ 75a, 10V 3V A 250µA 114 NC @ 10 V ± 20V 3900 pf @ 25 V - 225W (TC)
RFP40N10LE Fairchild Semiconductor RFP40N10LE -
RFQ
 ECAD 5879 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-220AB download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 1 N-canal 100 v 40A (TC) 5V 40OHM @ 40A, 5V 3V A 250µA 180 nc @ 10 V ± 10V 3000 pf @ 25 V - 150W (TC)
FQB5N60TM Fairchild Semiconductor FQB5N60TM 0,7000
RFQ
 ECAD 910 0,00000000 Semicondutor Fairchild QFET® Volume Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab MOSFET (ÓXIDO DE METAL) D2PAK (TO-263) download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 800 N-canal 600 v 5a (TC) 10V 2OHM @ 2.5A, 10V 5V A 250µA 20 NC A 10 V ± 30V 730 pf @ 25 V - 3.13W (TA), 120W (TC)
FJB3307DTM Fairchild Semiconductor FJB3307DTM -
RFQ
 ECAD 5950 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab FJB3307 1,72 w D²pak download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) ALCANCE AFETADO Ear99 0000.00.0000 1 400 v 8 a - Npn 3V @ 2a, 8a 5 @ 5A, 5V -
FDI9406-F085 Fairchild Semiconductor FDI9406-F085 1.3100
RFQ
 ECAD 5 0,00000000 Semicondutor Fairchild Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® Volume Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco TO-262-3 Leitos Longos, i²pak, TO-262AA MOSFET (ÓXIDO DE METAL) I2pak (to-262) download Fornecedor indefinido Alcançar Não Afetado 2156-FDI9406-F085-600039 1 N-canal 40 v 110A (TC) 10V 2.2mohm @ 80a, 10V 4V A 250µA 138 NC @ 10 V ± 20V 7710 pf @ 25 V - 176W (TJ)
FDS7088N7 Fairchild Semiconductor FDS7088N7 2.0300
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Semicondutor Fairchild PowerTrench® Volume Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 8-so download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 2.500 N-canal 30 v 23a (TA) 4.5V, 10V 3mohm @ 23a, 10V 3V A 250µA 48 nc @ 5 V ± 20V 3845 pf @ 15 V - 3W (TA)
SS8050BBU Fairchild Semiconductor SS8050BBU 1.0000
RFQ
 ECAD 7608 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) 1 w TO-92-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 0000.00.0000 1 25 v 1.5 a 100na (ICBO) Npn 500mv @ 80MA, 800mA 85 @ 100mA, 1V 100MHz
FQPF5N50CFTU Fairchild Semiconductor FQPF5N50CFTU 0,6400
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Semicondutor Fairchild FRFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco Pacote completo parágrafo 220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-220F-3 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 50 N-canal 500 v 5a (TC) 10V 1.55Ohm @ 2.5a, 10V 4V A 250µA 24 nc @ 10 V ± 30V 625 pf @ 25 V - 38W (TC)
IRFR210BTF Fairchild Semiconductor IRFR210BTF 0,2400
RFQ
 ECAD 224 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-252, (D-PAK) download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 2.000 N-canal 200 v 2.7a (TC) 10V 1.5OHM @ 1.35A, 10V 4V A 250µA 9,3 nc @ 10 V ± 30V 225 pf @ 25 V - 2.5W (TA), 26W (TC)
SI9936DY Fairchild Semiconductor SI9936DY -
RFQ
 ECAD 1573 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) SI9936 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 900MW 8-SOIC - ROHS3 Compatível Ear99 8541.21.0095 2.500 2 canal n (Duplo) 30V 5a 50mohm @ 5a, 10V 1V a 250µA 35NC @ 10V 525pf @ 15V -
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    2000+

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  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Unidade de produto padrão

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    2800+

    Fabricantes em todo o mundo

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    15.000 m2

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