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Transistores (3821)

Imageem Número do Produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade Dispon Svel Peso (kg) Mfr Série Pacote Status do produto Temperatura operacional Tipo de Montagem Pacote / Caso Número do Produto Base Tipo de Entrada Tecnologia Poder - Máx Pacote de Dispositivo de Fornecedor Ficha de Dadas Status do rohs Nível de sensibilidade à Umidade (msl) Status de alcance Nomes de Ulros ECCN Htsus PACOTE PADROO Configuraça TIPO DE FET Condição de teste Escorra para um tensão de origem (VDSS) Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C Tensão de conduça (max rds on, min rds on) Rds em (max) @ id, vgs VGS (th) (max) @ id Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS VGs (Máximoo) CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Recurso FET DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) TIPO IGBT Tensão - Colapso do Emissor de Colecionador (Max) Corrente - Coletor (IC) (Max) Corrente - Coletor Pulsa (ICM) Vce (on) (max) @ vge, ic Troca de Energia Carga do Portão TD (Ligado/Desligado) A 25 ° C Corrente - Corte de Colecionador (Max) Tipo de transistor Vce saturação (max) @ ib, ic Ganho ATUAL DE CC (HFE) (min) @ IC, VCE Frequencia - Transmissão Resistor - Base (R1) Resistor - Base de Emissor (R2)
KSC1507YTU Fairchild Semiconductor KSC1507YTU 0,3600
RFQ
 ECAD 30 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 15 w To-220-3 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0075 50 300 v 200 µA 100µA (ICBO) Npn 2V @ 5MA, 50MA 120 @ 10MA, 10V 80MHz
BC338 Fairchild Semiconductor BC338 0,0400
RFQ
 ECAD 8136 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) 625 MW TO-92-3 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.21.0075 258 25 v 800 mA 100na Npn 700mv @ 50Ma, 500mA 100 @ 100mA, 1V 100MHz
HUF75631SK8 Fairchild Semiconductor HUF75631SK8 0,9500
RFQ
 ECAD 4 0,00000000 Semicondutor Fairchild Ultrafet® Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 8-SOIC download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.29.0095 1 N-canal 100 v 5.5a (ta) 10V 39mohm @ 5.5a, 10V 4V A 250µA 79 NC @ 20 V ± 20V 1225 pf @ 25 V - 2.5W (TA)
SGL25N120RUFTU Fairchild Semiconductor SGL25N120ruftU 1.0000
RFQ
 ECAD 6403 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-264-3, TO-264AA SGL25N Padrão 270 w download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 1 600V, 25A, 10OHM, 15V - 1200 v 40 a 75 a 3V @ 15V, 25A 1,6mj (on), 1,63mj (desligado) 165 NC 30ns/70ns
FDB8445-F085 Fairchild Semiconductor FDB8445-F085 1.0000
RFQ
 ECAD 7636 0,00000000 Semicondutor Fairchild Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® Volume Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab MOSFET (ÓXIDO DE METAL) D2PAK (TO-263) download Não Aplicável Ear99 8541.29.0095 800 N-canal 40 v 70A (TC) 10V 9mohm @ 70a, 10V 4V A 250µA 62 NC @ 10 V ± 20V 3805 pf @ 25 V - 92W (TC)
FQU1N50TU Fairchild Semiconductor Fqu1N50tu 0,1700
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Semicondutor Fairchild QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-251-3 leva Curtos, Ipak, TO-251AA MOSFET (ÓXIDO DE METAL) I-Pak download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 5.040 N-canal 500 v 1.1a (TC) 10V 9OHM @ 550MA, 10V 5V A 250µA 5,5 nc @ 10 V ± 30V 150 pf @ 25 V - 2.5W (TA), 25W (TC)
SFM9110TF Fairchild Semiconductor SFM9110TF 0,4800
RFQ
 ECAD 4 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-261-4, TO-261AA MOSFET (ÓXIDO DE METAL) SOT-223-4 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 4.000 Canal P. 100 v 1a (ta) 10V 1.2OHM @ 500MA, 10V 4V A 250µA 10 nc @ 10 V ± 30V 335 pf @ 25 V - 2.52W (TA)
BSS138L Fairchild Semiconductor BSS138L -
RFQ
 ECAD 1985 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) SOT-23-3 download Ear99 8541.21.0095 1 N-canal 50 v 200Ma (TA) 2.75V, 5V 3.5Ohm @ 200Ma, 5V 1.5V @ 1MA 2,4 NC a 10 V ± 20V 50 pf @ 25 V - 350mW (TA)
HUF75545S3ST_NL Fairchild Semiconductor HUF75545S3ST_NL -
RFQ
 ECAD 9240 0,00000000 Semicondutor Fairchild Ultrafet® Volume Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-263AB download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) ALCANCE AFETADO Ear99 8541.29.0095 1 N-canal 80 v 75a (TC) 10V 10mohm @ 75a, 10V 4V A 250µA 235 NC @ 20 V ± 20V 3750 pf @ 25 V - 270W (TC)
FDZ294N Fairchild Semiconductor Fdz294n 0,9600
RFQ
 ECAD 53 0,00000000 Semicondutor Fairchild PowerTrench® Volume Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 9-VFBGA MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 9-BGA (1,5x1,6) download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 3.000 N-canal 20 v 6a (ta) 2.5V, 4.5V 23mohm @ 6a, 4.5V 1,5V a 250µA 10 nc @ 4,5 V ± 12V 670 pf @ 10 V - 1.7W (TA)
SI3454DV Fairchild Semiconductor SI3454DV -
RFQ
 ECAD 9310 0,00000000 Semicondutor Fairchild PowerTrench® Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) SuperSot ™ -6 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.21.0095 671 N-canal 30 v 4.2a (ta) 4.5V, 10V 65mohm @ 4.2a, 10V 2V A 250µA 15 nc @ 10 V ± 20V 460 pf @ 15 V - 800mW (TA)
KST14MTF Fairchild Semiconductor KST14MTF 0,0300
RFQ
 ECAD 287 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo - Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 KST14 350 MW SOT-23-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 0000.00.0000 3.000 30 v 300 mA 100na (ICBO) NPN - Darlington 1,5V a 100µA, 100mA 20000 @ 100mA, 5V 125MHz
FJMA790 Fairchild Semiconductor FJMA790 1.0000
RFQ
 ECAD 2286 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 6-VDFN PAD EXPOSTO FJMA79 1,56 w 6-microfet (2x2) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 0000.00.0000 3.000 35 v 2 a 100na (ICBO) Pnp 450mv @ 50ma, 2a 100 @ 1.5a, 1.5V -
FCP600N60Z Fairchild Semiconductor FCP600N60Z 1.1600
RFQ
 ECAD 781 0,00000000 Semicondutor Fairchild Superfet® II Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) To-220-3 download Ear99 8542.39.0001 258 N-canal 600 v 7.4a (TC) 10V 600mohm @ 3.7a, 10V 3,5V a 250µA 26 NC A 10 V ± 20V 1120 pf @ 25 V - 89W (TC)
FDMS6673BZ Fairchild Semiconductor FDMS6673BZ 1.0000
RFQ
 ECAD 9931 0,00000000 Semicondutor Fairchild PowerTrench® Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-PowerTdfn MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 8-pqfn (5x6) download Ear99 8542.39.0001 1 Canal P. 30 v 15.2a (ta), 28a (tc) 4.5V, 10V 6.8mohm @ 15.2a, 10V 3V A 250µA 130 nc @ 10 V ± 25V 5915 pf @ 15 V - 2.5W (TA), 73W (TC)
KSA614Y Fairchild Semiconductor KSA614Y -
RFQ
 ECAD 5342 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo 150 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 KSA614 25 w To-220-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 0000.00.0000 1 55 v 3 a 50µA (ICBO) Pnp 500mv @ 100ma, 1a 120 @ 500mA, 5V -
NDH832P Fairchild Semiconductor Ndh832p 0,3700
RFQ
 ECAD 73 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-TSOP (0,130 ", 3,30 mm de largura) MOSFET (ÓXIDO DE METAL) SuperSot ™ -8 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.21.0095 3.000 Canal P. 20 v 4.2a (ta) 2.7V, 4.5V 60mohm @ 4.2a, 4.5V 1V a 250µA 30 NC a 4,5 V -8V 1000 pf @ 10 V - 1.8W (TA)
FDS9412 Fairchild Semiconductor FDS9412 0,2700
RFQ
 ECAD 116 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 8-SOIC download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 2.500 N-canal 30 v 7.9a (TA) 4.5V, 10V 22mohm @ 7.9a, 10V 2V A 250µA 22 NC @ 10 V ± 20V 830 pf @ 15 V - 2.5W (TA)
2N6520TA Fairchild Semiconductor 2N6520TA 1.0000
RFQ
 ECAD 5741 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) Formou Leads 2N6520 625 MW TO-92-3 download 0000.00.0000 1 350 v 500 MA 50na (ICBO) Pnp 1V @ 5MA, 50MA 20 @ 50MA, 10V 200MHz
FDW2507N Fairchild Semiconductor FDW2507N 0,5100
RFQ
 ECAD 28 0,00000000 Semicondutor Fairchild PowerTrench® Volume Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm de largura) FDW25 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 1.1W 8-TSSOP download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 2.500 2 canal n (Duplo) 20V 7.5a 19mohm @ 7.5a, 4.5V 1,5V a 250µA 28NC @ 4.5V 2152pf @ 10V Portão de Nível Lógico
FDS6892A Fairchild Semiconductor FDS6892A 0,5600
RFQ
 ECAD 66 0,00000000 Semicondutor Fairchild PowerTrench® Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) FDS68 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 900MW 8-SOIC download Ear99 8541.21.0095 1 2 canal n (Duplo) 20V 7.5a 18mohm @ 7.5a, 4.5V 1,5V a 250µA 17NC @ 4.5V 1333pf @ 10V Portão de Nível Lógico
KSE3055T Fairchild Semiconductor KSE3055T 1.0000
RFQ
 ECAD 8145 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto 150 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 600 MW To-220-3 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.21.0095 200 60 v 10 a 700µA Npn 8V @ 3.3a, 10a 20 @ 4A, 4V 2MHz
FDS7064N Fairchild Semiconductor FDS7064N 1.2700
RFQ
 ECAD 65 0,00000000 Semicondutor Fairchild PowerTrench® Volume Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 8-so download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 2.500 N-canal 30 v 16a (ta) 4.5V 7.5mohm @ 16a, 4.5V 2V A 250µA 48 NC a 4,5 V ± 12V 3355 pf @ 15 V - 3W (TA)
FCH125N60E Fairchild Semiconductor FCH125N60E 1.0000
RFQ
 ECAD 7379 0,00000000 Semicondutor Fairchild Superfet® II Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco To-247-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) To-247 download Ear99 8541.29.0095 1 N-canal 600 v 29a (TC) 10V 125mohm @ 14.5a, 10V 3,5V a 250µA 95 NC @ 10 V ± 20V 2990 PF @ 380 V - 278W (TC)
HUFA76409T3ST Fairchild Semiconductor HUFA76409T3ST 0,5200
RFQ
 ECAD 21 0,00000000 Semicondutor Fairchild * Volume Ativo HUFA76409 - - Não Aplicável 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8542.39.0001 2.500 -
RF1K4915696 Fairchild Semiconductor RF1K4915696 0,8200
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 8-SOIC download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.29.0095 365 N-canal 30 v 6.3a (ta) 5V 30mohm @ 6.3a, 5V 2V A 250µA 65 nc @ 10 V ± 10V 2030 pf @ 25 V - 2W (TA)
KSR1101MTF Fairchild Semiconductor KSR1101MTF 0,0700
RFQ
 ECAD 31 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 KSR1101 200 MW SOT-23 download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.21.0075 3.000 50 v 100 ma 100na (ICBO) Npn - pré -tendencioso 300mv @ 500µA, 10MA 20 @ 10MA, 5V 250 MHz 4.7 Kohms 4.7 Kohms
2N4403TF Fairchild Semiconductor 2N4403TF 0,0400
RFQ
 ECAD 14 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) Formou Leads 625 MW TO-92-3 download Ear99 8541.21.0075 7.991 40 v 600 mA - Pnp 750mv @ 50Ma, 500mA 100 @ 150mA, 2V 200MHz
IRF654B Fairchild Semiconductor IRF654B 0,9600
RFQ
 ECAD 447 0,00000000 Semicondutor Fairchild * Volume Ativo download Fornecedor indefinido ALCANCE AFETADO 2156-IRF654B-600039 1
HUFA76413DK8 Fairchild Semiconductor HUFA76413DK8 0,3100
RFQ
 ECAD 5694 0,00000000 Semicondutor Fairchild Ultrafet® Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) HUFA76413 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 2.5W (TA) 8-SOIC download ROHS3 Compatível 3 (168 Horas) Fornecedor indefinido Ear99 8541.29.0095 291 2 canal n (Duplo) 60V 5.1a (TC) 49mohm @ 5.1a, 10V 3V A 250µA 23NC @ 10V 620pf @ 25V Portão de Nível Lógico
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