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Transistores (3821)

Imageem Número do Produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade Dispon Svel Peso (kg) Mfr Série Pacote Status do produto Temperatura operacional Tipo de Montagem Pacote / Caso Número do Produto Base Tecnologia Poder - Máx Pacote de Dispositivo de Fornecedor Ficha de Dadas Status do rohs Nível de sensibilidade à Umidade (msl) Status de alcance Nomes de Ulros ECCN Htsus PACOTE PADROO TIPO DE FET Escorra para um tensão de origem (VDSS) Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) @ 25 ° C Tensão de conduça (max rds on, min rds on) Rds em (max) @ id, vgs VGS (th) (max) @ id Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS VGs (Máximoo) CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Recurso FET DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) Tensão - Colapso do Emissor de Colecionador (Max) Corrente - Coletor (IC) (Max) Corrente - Corte de Colecionador (Max) Tipo de transistor Vce saturação (max) @ ib, ic Ganho ATUAL DE CC (HFE) (min) @ IC, VCE Frequencia - Transmissão Resistor - Base (R1)
FQB8N60CFTM Fairchild Semiconductor FQB8N60CFTM 1.1600
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Semicondutor Fairchild FRFET® Volume Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab MOSFET (ÓXIDO DE METAL) D2PAK (TO-263) download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 800 N-canal 600 v 6.26a (TC) 10V 1.5Ohm @ 3.13a, 10V 4V A 250µA 36 nc @ 10 V ± 30V 1255 pf @ 25 V - 147W (TC)
IRF740B Fairchild Semiconductor IRF740B 1.0000
RFQ
 ECAD 7799 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) To-220-3 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 50 N-canal 400 v 10a (TC) 10V 540mohm @ 5a, 10V 4V A 250µA 53 nc @ 10 V ± 30V 1800 pf @ 25 V - 134W (TC)
FQB44N10TM Fairchild Semiconductor FQB44N10TM 1.0000
RFQ
 ECAD 8553 0,00000000 Semicondutor Fairchild QFET® Volume Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab MOSFET (ÓXIDO DE METAL) D²PAK (TO-263) download Ear99 8542.39.0001 1 N-canal 100 v 43.5a (TC) 10V 39mohm @ 21.75a, 10V 4V A 250µA 62 NC @ 10 V ± 25V 1800 pf @ 25 V - 3.75W (TA), 146W (TC)
FDBL0210N80 Fairchild Semiconductor FDBL0210N80 -
RFQ
 ECAD 6894 0,00000000 Semicondutor Fairchild PowerTrench® Volume Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-POWERSFN MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 8-hpsof - 0000.00.0000 1 N-canal 80 v 240a (TC) 10V 2mohm @ 80a, 10V 4V A 250µA 169 NC @ 10 V ± 20V 10 pf @ 40 V - 357W (TJ)
SFP9Z34 Fairchild Semiconductor SFP9Z34 -
RFQ
 ECAD 2525 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) To-220-3 - ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 50 Canal P. 60 v 18a (TC) 10V 140mohm @ 7a, 10V 4V A 250µA 38 nc @ 10 V ± 30V 1155 pf @ 25 V - 82W (TC)
FCPF260N65FL1 Fairchild Semiconductor FCPF260N65FL1 1.1400
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Semicondutor Fairchild FRFET®, SuperFet® II Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco Pacote completo parágrafo 220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-220F-3 download Ear99 8542.39.0001 1 N-canal 650 v 15a (TC) 10V 260mohm @ 7.5a, 10V 5V A 1,5mA 60 nc @ 10 V ± 20V 2340 pf @ 100 V - 36W (TC)
FDB52N20TM Fairchild Semiconductor FDB52N20TM -
RFQ
 ECAD 2904 0,00000000 Semicondutor Fairchild Unifet ™ Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab MOSFET (ÓXIDO DE METAL) D2PAK (TO-263) download Ear99 8542.39.0001 1 N-canal 200 v 52a (TC) 10V 49mohm @ 26a, 10V 5V A 250µA 63 nc @ 10 V ± 30V 2900 pf @ 25 V - 357W (TC)
NDS9407 Fairchild Semiconductor NDS9407 -
RFQ
 ECAD 3348 0,00000000 Semicondutor Fairchild PowerTrench® Volume Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 8-SOIC download Ear99 8542.39.0001 1 Canal P. 60 v 3a (ta) 4.5V, 10V 150mohm @ 3a, 10V 3V A 250µA 22 NC @ 10 V ± 20V 732 pf @ 30 V - 1W (TA)
TIP115TU Fairchild Semiconductor Tip115tu 0,4500
RFQ
 ECAD 940 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 2 w To-220-3 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 1.000 60 v 2 a 2m PNP - Darlington 2.5V @ 8MA, 2A 1000 @ 1A, 4V -
FDMA8884 Fairchild Semiconductor FDMA8884 1.0000
RFQ
 ECAD 6776 0,00000000 Semicondutor Fairchild PowerTrench® Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 6 WDFN PAD Exposto MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 6-microfet (2x2) download Ear99 8541.29.0095 1 N-canal 30 v 6.5a (ta), 8a (tc) 4.5V, 10V 23mohm @ 6.5a, 10V 3V A 250µA 7,5 nc @ 10 V ± 20V 450 pf @ 15 V - 1.9W (TA)
FDMS0348 Fairchild Semiconductor FDMS0348 0,2100
RFQ
 ECAD 63 0,00000000 Semicondutor Fairchild PowerTrench® Volume Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-POWERWDFN MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 8 MLP (5x6) download Ear99 8542.39.0001 1 N-canal 30 v 14a (ta), 35a (tc) 4.5V, 10V 7mohm @ 14a, 10v 3V A 250µA 26 NC A 10 V ± 20V 1590 pf @ 15 V - 2.5W (TA), 50W (TC)
FDMC2523P Fairchild Semiconductor FDMC2523P -
RFQ
 ECAD 3416 0,00000000 Semicondutor Fairchild QFET® Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-POWERWDFN MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 8-mlp (3,3x3.3) download Ear99 8542.39.0001 1 Canal P. 150 v 3a (TC) 10V 1.5OHM @ 1.5A, 10V 5V A 250µA 9 nc @ 10 V ± 30V 270 pf @ 25 V - 42W (TC)
IRFR220BTM Fairchild Semiconductor IRFR220BTM 0,1800
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-252, (D-PAK) download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 1.760 N-canal 200 v 4.6a (TC) 10V 800mohm @ 2.3a, 10V 4V A 250µA 16 nc @ 10 V ± 30V 390 pf @ 25 V - 2.5W (TA), 40W (TC)
FJPF13009H2TU Fairchild Semiconductor FJPF13009H2TU -
RFQ
 ECAD 9023 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo 150 ° C (TJ) Através do buraco Pacote completo parágrafo 220-3 50 w TO-220F-3 download Ear99 8542.39.0001 1 400 v 12 a - Npn 3V @ 3A, 12A 8 @ 5A, 5V 4MHz
BC80740MTF Fairchild Semiconductor BC80740MTF -
RFQ
 ECAD 8447 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 310 MW SOT-23-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 0000.00.0000 3.000 45 v 800 mA 100na Pnp 700mv @ 50Ma, 500mA 100 @ 100mA, 1V 100MHz
MMBT5088 Fairchild Semiconductor MMBT5088 -
RFQ
 ECAD 3594 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 350 MW SOT-23-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.21.0095 3.000 30 v 100 ma 50na (ICBO) Npn 500mV @ 1Ma, 10MA 350 @ 1MA, 5V 50MHz
KSD2012GTU Fairchild Semiconductor KSD2012GTU 0,4200
RFQ
 ECAD 67 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo 150 ° C (TJ) Através do buraco Pacote completo parágrafo 220-3 25 w TO-220F-3 - Fornecedor indefinido ALCANCE AFETADO 2156-KSD2012GTU-600039 772 60 v 3 a 100µA (ICBO) Npn 1V @ 200MA, 2A 150 @ 500mA, 5V 3MHz
BCP69 Fairchild Semiconductor BCP69 0,1500
RFQ
 ECAD 4 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-261-4, TO-261AA BCP69 1 w SOT-223-4 download Ear99 8541.29.0075 1 20 v 1.5 a 100na (ICBO) Pnp 500mv @ 100ma, 1a 85 @ 500mA, 1V -
KSA708-YTA Fairchild Semiconductor KSA708-YTA -
RFQ
 ECAD 1080 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) Formou Leads 800 MW TO-92-3 download Ear99 8541.21.0095 1 60 v 700 MA 100na (ICBO) Pnp 700mv @ 50Ma, 500mA 120 @ 50MA, 2V 50MHz
KSD526Y Fairchild Semiconductor KSD526Y 1.0000
RFQ
 ECAD 5008 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo 150 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 30 w To-220-3 download Ear99 8542.39.0001 1 80 v 4 a 30µA (ICBO) Npn 1.5V @ 300Ma, 3a 120 @ 500mA, 5V 8MHz
MJD340 Fairchild Semiconductor MJD340 -
RFQ
 ECAD 9109 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Tubo Obsoleto -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 1,56 w DPAK download Rohs Não Compatível Ear99 8541.29.0095 75 300 v 500 MA 100µA Npn - 30 @ 50MA, 10V -
KSP06TA-FS Fairchild Semiconductor Ksp06ta-fs -
RFQ
 ECAD 1406 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) Formou Leads 625 MW TO-92-3 - ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 0000.00.0000 1 80 v 500 MA 100na Npn 250mv @ 10ma, 100mA 50 @ 100mA, 1V 100MHz
BC548B Fairchild Semiconductor BC548B 0,0500
RFQ
 ECAD 17 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) 500 MW TO-92-3 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.21.0075 2.000 30 v 100 ma 15na (ICBO) Npn 600mV @ 5Ma, 100mA 200 @ 2MA, 5V 300MHz
HUF75329D3 Fairchild Semiconductor HUF75329D3 0,6100
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Semicondutor Fairchild Ultrafet ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco TO-251-3 leva Curtos, Ipak, TO-251AA MOSFET (ÓXIDO DE METAL) I-Pak download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 1.800 N-canal 55 v 20a (TC) 10V 26mohm @ 20a, 10V 4V A 250µA 65 NC @ 20 V ± 20V 1060 pf @ 25 V - 128W (TC)
FCP16N60N Fairchild Semiconductor FCP16N60N 3.2600
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Semicondutor Fairchild Supremos ™ Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) To-220-3 download Ear99 8542.39.0001 93 N-canal 600 v 16a (TC) 10V 199mohm @ 8a, 10V 4V A 250µA 52,3 nc @ 10 V ± 30V 2170 pf @ 100 V - 134.4W (TC)
TIP42 Fairchild Semiconductor Tip42 -
RFQ
 ECAD 6188 0,00000000 Semicondutor Fairchild Tip42 Volume Ativo 150 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 2 w To-220-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 1 40 v 6 a 700µA Pnp 1,5V a 600mA, 6a 30 @ 300mA, 4V 3MHz
SI4425DY Fairchild Semiconductor SI4425DY -
RFQ
 ECAD 9161 0,00000000 Semicondutor Fairchild PowerTrench ™ Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 8-SOIC download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.29.0095 2.500 Canal P. 30 v 11a (ta) 4.5V, 10V 14mohm @ 11a, 10V 3V A 250µA 42 NC @ 5 V ± 20V 3000 pf @ 15 V - 1W (TA)
FJY3010R Fairchild Semiconductor FJY3010R 0,0200
RFQ
 ECAD 1471 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto Montagem na Superfície SC-89, SOT-490 FJY301 200 MW SOT-523F download ROHS3 Compatível Ear99 8541.21.0075 3.000 40 v 100 ma 100na (ICBO) Npn - pré -tendencioso 300mV @ 1Ma, 10MA 100 @ 1MA, 5V 250 MHz 10 Kohms
D45H11 Fairchild Semiconductor D45H11 0,5400
RFQ
 ECAD 9519 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo 150 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 D45H11 50 w TO-220AB download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.29.0075 379 80 v 10 a 10µA Pnp 1V @ 400Ma, 8a 40 @ 4A, 1V -
HUF76445S3S Fairchild Semiconductor HUF76445S3S 0,8400
RFQ
 ECAD 513 0,00000000 Semicondutor Fairchild Ultrafet ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab MOSFET (ÓXIDO DE METAL) D2PAK (TO-263) download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 50 N-canal 60 v 75a (TC) 4.5V, 10V 6.5mohm @ 75a, 10V 3V A 250µA 150 nc @ 10 V ± 16V 4965 pf @ 25 V - 310W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

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  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Unidade de produto padrão

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

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    15.000 m2

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