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Transistores (3821)

Imageem Número do Produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade Dispon Svel Peso (kg) Mfr Série Pacote Status do produto Temperatura operacional Tipo de Montagem Pacote / Caso Número do Produto Base Tipo de Entrada Tecnologia Poder - Máx Entrada Pacote de Dispositivo de Fornecedor Ficha de Dadas Status do rohs ECCN Htsus PACOTE PADROO Configuraça TIPO DE FET Condição de teste Escorra para um tensão de origem (VDSS) Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C Tensão de conduça (max rds on, min rds on) Rds em (max) @ id, vgs VGS (th) (max) @ id Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS VGs (Máximoo) CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Recurso FET DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) TIPO IGBT Tensão - Colapso do Emissor de Colecionador (Max) Corrente - Coletor (IC) (Max) Corrente - Coletor Pulsa (ICM) Vce (on) (max) @ vge, ic Troca de Energia Carga do Portão TD (Ligado/Desligado) A 25 ° C Tensão - Quebra (V (BR) GSS) Corrente - DRENO (IDSS) @ VDS (VGS = 0) Tensão - Corte (VGS desligado) @ id Corrente - Corte de Colecionador (Max) Termistor NTC Tipo de transistor Vce saturação (max) @ ib, ic Ganho ATUAL DE CC (HFE) (min) @ IC, VCE Frequencia - Transmissão Resistor - Base (R1) Resistor - Base de Emissor (R2) Dreno atual (id) - max
KSD1616ALBU Fairchild Semiconductor KSD1616albu 0,0700
RFQ
 ECAD 490 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) 750 MW TO-92-3 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.21.0075 10.000 60 v 1 a 100na (ICBO) Npn 300mv @ 50ma, 1a 300 @ 100mA, 2V 160MHz
ZTX749A Fairchild Semiconductor ZTX749A 0,1400
RFQ
 ECAD 12 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) 1 w To-226 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0075 1.500 35 v 2 a 100na (ICBO) Pnp 500mv @ 200Ma, 2a 100 @ 1A, 2V 100MHz
FDS7060N7 Fairchild Semiconductor FDS7060N7 1.6000
RFQ
 ECAD 4 0,00000000 Semicondutor Fairchild PowerTrench® Volume Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 8-so download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 188 N-canal 30 v 19a (TA) 4.5V, 10V 5mohm @ 19a, 10V 3V A 250µA 56 nc @ 5 V ± 20V 3274 pf @ 15 V - 3W (TA)
FDMS0308CS Fairchild Semiconductor FDMS0308CS 1.5000
RFQ
 ECAD 14 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-PowerTdfn MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 8-pqfn (5x6) download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 3.000 N-canal 30 v 22a (TA) 3mohm @ 21a, 10V 3V @ 1Ma 66 nc @ 10 V 4225 PF @ 15 V - 2.5W (TA), 65W (TC)
FQB2P25TM Fairchild Semiconductor FQB2P25TM -
RFQ
 ECAD 8715 0,00000000 Semicondutor Fairchild QFET® Volume Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab MOSFET (ÓXIDO DE METAL) D2PAK (TO-263) download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 800 Canal P. 250 v 2.3a (TC) 10V 4ohm @ 1.15a, 10V 5V A 250µA 8,5 nc @ 10 V ± 30V 250 pf @ 25 V - 3.13W (TA), 52W (TC)
FJNS3202RTA Fairchild Semiconductor FJNS3202RTA -
RFQ
 ECAD 5508 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 Corpo Curto FJNS32 300 MW Parágrafo 92s - ROHS3 Compatível Ear99 8541.21.0075 3.000 50 v 100 ma 100na (ICBO) Npn - pré -tendencioso 300mv @ 500µA, 10MA 30 @ 5MA, 5V 250 MHz 10 Kohms 10 Kohms
FQAF8N80 Fairchild Semiconductor FQAF8N80 1.6700
RFQ
 ECAD 557 0,00000000 Semicondutor Fairchild QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco Pacote completo para 3p-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-3PF download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 360 N-canal 800 v 5.9a (TC) 10V 1.2OHM @ 2.95A, 10V 5V A 250µA 57 nc @ 10 V ± 30V 2350 pf @ 25 V - 107W (TC)
HGT1N30N60A4D Fairchild Semiconductor HGT1N30N60A4D 18.2300
RFQ
 ECAD 844 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem do chassi SOT-227-4, Minibloc 255 w Padrão SOT-227B download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 60 Solteiro - 600 v 96 a 2.7V @ 15V, 30A 250 µA Não
FGA15N120FTDTU Fairchild Semiconductor FGA15N120FTDTU -
RFQ
 ECAD 3612 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-3P-3, SC-65-3 FGA15N120 Padrão 220 w TO-3P download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 30 - 575 ns Parada de Campo da Trinceira 1200 v 30 a 45 a 2V @ 15V, 15A - 100 nc -
FDI33N25TU Fairchild Semiconductor FDI33N25TU 1.0000
RFQ
 ECAD 7880 0,00000000 Semicondutor Fairchild Unifet ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-262-3 Leitos Longos, i²pak, TO-262AA MOSFET (ÓXIDO DE METAL) I2pak (to-262) download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 50 N-canal 250 v 33a (TC) 10V 94mohm @ 16.5a, 10V 5V A 250µA 48 nc @ 10 V ± 30V 2135 pf @ 25 V - 235W (TC)
FDS7064N7 Fairchild Semiconductor FDS7064N7 1.0000
RFQ
 ECAD 8665 0,00000000 Semicondutor Fairchild PowerTrench® Volume Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 8-so download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 2.500 N-canal 30 v 16.5a (TA) 4.5V 7mohm @ 16.5a, 4.5V 2V A 250µA 48 NC a 4,5 V ± 12V 3355 pf @ 15 V - 3W (TA)
FQPF3N80CYDTU Fairchild Semiconductor FQPF3N80CYDTU 0,6600
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Semicondutor Fairchild QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco Pacote Completo Parágrafo 220-3, FiOS Formados MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-220F-3 (FORMAÇÃO Y) download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 50 N-canal 800 v 3a (TC) 10V 4.8OHM @ 1.5A, 10V 5V A 250µA 16,5 nc @ 10 V ± 30V 705 pf @ 25 V - 39W (TC)
NDC632P Fairchild Semiconductor NDC632P 1.0000
RFQ
 ECAD 2348 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) SuperSot ™ -6 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.21.0095 3.000 Canal P. 20 v 2.7a (ta) 2.7V, 4.5V 140mohm @ 2.7a, 4.5V 1V a 250µA 15 NC a 4,5 V -8V 550 pf @ 10 V - 1.6W (TA)
2N4400TF Fairchild Semiconductor 2N4400TF 0,0200
RFQ
 ECAD 20 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) Formou Leads 625 MW TO-92-3 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.21.0095 2.000 40 v 600 mA - Npn 750mv @ 50Ma, 500mA 50 @ 150mA, 1V -
HUFA75309P3 Fairchild Semiconductor HUFA75309P3 0,2500
RFQ
 ECAD 13 0,00000000 Semicondutor Fairchild Ultrafet ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) To-220-3 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 400 N-canal 55 v 19a (TC) 10V 70mohm @ 19a, 10V 4V A 250µA 24 nc @ 20 V ± 20V 350 pf @ 25 V - 55W (TC)
FQN1N60CBU Fairchild Semiconductor FQN1N60CBU -
RFQ
 ECAD 2920 0,00000000 Semicondutor Fairchild QFET® Volume Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-92-3 - ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 1.000 N-canal 600 v 300mA (TC) 10V 11.5OHM @ 150MA, 10V 4V A 250µA 6,2 nc @ 10 V ± 30V 170 pf @ 25 V - 1W (TA), 3W (TC)
FGH30N6S2 Fairchild Semiconductor FGH30N6S2 0,9500
RFQ
 ECAD 7 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco To-247-3 Padrão 167 w To-247 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 150 390V, 12A, 10OHM, 15V - 600 v 45 a 108 a 2.5V @ 15V, 12A 55µJ (ON), 100µJ (OFF) 23 NC 6ns/40ns
FQPF9N50T Fairchild Semiconductor Fqpf9n50t 0,9600
RFQ
 ECAD 11 0,00000000 Semicondutor Fairchild QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco Pacote completo parágrafo 220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-220F-3 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 1.000 N-canal 500 v 5.3a (TC) 10V 730mohm @ 2.65a, 10V 5V A 250µA 36 nc @ 10 V ± 30V 1450 PF @ 25 V - 50W (TC)
FQD3N40TF Fairchild Semiconductor FQD3N40TF 0,3700
RFQ
 ECAD 26 0,00000000 Semicondutor Fairchild QFET® Volume Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-252, (D-PAK) download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 2.000 N-canal 400 v 2a (TC) 10V 3.4OHM @ 1A, 10V 5V A 250µA 7,5 nc @ 10 V ± 30V 230 PF @ 25 V - 2.5W (TA), 30W (TC)
HUFA75343G3 Fairchild Semiconductor HUFA75343G3 1.0200
RFQ
 ECAD 821 0,00000000 Semicondutor Fairchild Ultrafet ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco To-247-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) To-247 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 150 N-canal 55 v 75a (TC) 10V 9mohm @ 75a, 10V 4V A 250µA 205 NC @ 20 V ± 20V 3000 pf @ 25 V - 270W (TC)
FDS9933 Fairchild Semiconductor FDS9933 0,3600
RFQ
 ECAD 20 0,00000000 Semicondutor Fairchild PowerTrench® Volume Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) FDS99 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 900MW 8-SOIC download ROHS3 Compatível Ear99 8541.21.0095 2.500 2 Canal P (Duplo) 20V 5a 55mohm @ 3.2a, 4.5V 1.2V a 250µA 20NC @ 4.5V 825pf @ 10V Portão de Nível Lógico
HUFA75332S3ST Fairchild Semiconductor HUFA75332S3ST 0,4700
RFQ
 ECAD 44 0,00000000 Semicondutor Fairchild Ultrafet ™ Volume Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab MOSFET (ÓXIDO DE METAL) D2PAK (TO-263) download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 800 N-canal 55 v 60a (TC) 10V 19mohm @ 60a, 10V 4V A 250µA 85 nc @ 20 V ± 20V 1300 pf @ 25 V - 145W (TC)
ISL9V3036P3 Fairchild Semiconductor ISL9V3036P3 1.4100
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Semicondutor Fairchild EcoSmark® Tubo Obsoleto -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 Lógica 150 w To-220-3 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 400 300V, 1KOHM, 5V - 360 v 21 a 1.6V @ 4V, 6a - 17 NC -/4,8µs
KSD227YBU Fairchild Semiconductor KSD227YBU 0,0200
RFQ
 ECAD 69 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) 400 MW TO-92-3 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.21.0095 10.000 25 v 300 mA 100na (ICBO) Npn 400mv @ 30Ma, 300mA 120 @ 50MA, 1V -
FDD6680 Fairchild Semiconductor FDD6680 1.4100
RFQ
 ECAD 199 0,00000000 Semicondutor Fairchild PowerTrench® Volume Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-252, (D-PAK) download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 2.500 N-canal 30 v 12a (ta), 46a (tc) 4.5V, 10V 10mohm @ 12a, 10V 3V A 250µA 18 NC @ 5 V ± 20V 1230 pf @ 15 V - 3.3W (TA), 56W (TC)
FQNL2N50BBU Fairchild Semiconductor Fqnl2n50bbu -
RFQ
 ECAD 4931 0,00000000 Semicondutor Fairchild QFET® Volume Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 Corpo Longo (Fios Formados) MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-92-3 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 6.000 N-canal 500 v 350mA (TC) 10V 5.3OHM @ 175MA, 10V 3.7V @ 250µA 8 nc @ 10 V ± 30V 230 PF @ 25 V - 1.5W (TC)
KSC2330RTA Fairchild Semiconductor KSC2330RTA -
RFQ
 ECAD 1943 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 Corpo Longo (Fios Formados) 1 w TO-92-3 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0075 2.000 300 v 100 ma 100na (ICBO) Npn 500mV @ 1Ma, 10MA 40 @ 20MA, 10V 50MHz
FJZ594JBTF Fairchild Semiconductor Fjz594jbtf 0,0200
RFQ
 ECAD 687 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície SOT-623F 100 mw SOT-623F download ROHS3 Compatível Ear99 8541.21.0095 3.000 N-canal 3.5pf @ 5V 20 v 150 µA @ 5 V 600 mV a 1 µA 1 MA
FQPF10N20 Fairchild Semiconductor FQPF10N20 0,4100
RFQ
 ECAD 3066 0,00000000 Semicondutor Fairchild QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco Pacote completo parágrafo 220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-220F-3 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 16 N-canal 200 v 6.8a (TC) 10V 360mohm @ 3.4a, 10V 5V A 250µA 18 NC @ 10 V ± 30V 670 pf @ 25 V - 40W (TC)
FQA10N80C Fairchild Semiconductor FQA10N80C -
RFQ
 ECAD 6988 0,00000000 Semicondutor Fairchild QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-3P-3, SC-65-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-3P download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 1 N-canal 800 v 10a (TC) 10V 1.1OHM @ 5A, 10V 5V A 250µA 58 nc @ 10 V ± 30V 2800 pf @ 25 V - 240W (TC)
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