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Transistores (3821)

Imageem Número do Produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade Dispon Svel Peso (kg) Mfr Série Pacote Status do produto Temperatura operacional Tipo de Montagem Pacote / Caso Número do Produto Base Tipo de Entrada Tecnologia Poder - Máx Entrada Pacote de Dispositivo de Fornecedor Ficha de Dadas Status do rohs Nível de sensibilidade à Umidade (msl) Status de alcance Nomes de Ulros ECCN Htsus PACOTE PADROO Configuraça TIPO DE FET Condição de teste Escorra para um tensão de origem (VDSS) Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C Tensão de conduça (max rds on, min rds on) Rds em (max) @ id, vgs VGS (th) (max) @ id Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS VGs (Máximoo) CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Recurso FET DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) TIPO IGBT Tensão - Colapso do Emissor de Colecionador (Max) Corrente - Coletor (IC) (Max) Corrente - Coletor Pulsa (ICM) Vce (on) (max) @ vge, ic Troca de Energia Carga do Portão TD (Ligado/Desligado) A 25 ° C Tensão - Quebra (V (BR) GSS) Corrente - DRENO (IDSS) @ VDS (VGS = 0) Corrente - Corte de Colecionador (Max) Termistor NTC Resistência - rds (on) Tipo de transistor Vce saturação (max) @ ib, ic Ganho ATUAL DE CC (HFE) (min) @ IC, VCE Frequencia - Transmissão
FQI11N40TU Fairchild Semiconductor Fqi11n40tu 0,9600
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-262-3 Leitos Longos, i²pak, TO-262AA MOSFET (ÓXIDO DE METAL) I2pak download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 50 N-canal 400 v 11.4a (TC) 10V 480mohm @ 5.7a, 10V 5V A 250µA 35 nc @ 10 V ± 30V 1400 pf @ 25 V - 3.13W (TA), 147W (TC)
FDP5N50 Fairchild Semiconductor FDP5N50 0,5300
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Semicondutor Fairchild Unifet ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) To-220-3 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 50 N-canal 500 v 5a (TC) 10V 1.4OHM @ 2.5a, 10V 5V A 250µA 15 nc @ 10 V ± 30V 640 pf @ 25 V - 85W (TC)
KSC945CYBU Fairchild Semiconductor KSC945CYBU 0,0300
RFQ
 ECAD 5266 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) 250 MW TO-92-3 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.21.0075 9.723 50 v 150 MA 100na (ICBO) Npn 300mv @ 10ma, 100mA 120 @ 1MA, 6V 300MHz
FQI3N30TU Fairchild Semiconductor FQI3N30TU 0,5000
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Semicondutor Fairchild QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-262-3 Leitos Longos, i²pak, TO-262AA MOSFET (ÓXIDO DE METAL) I2pak (to-262) download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 1.000 N-canal 300 v 3.2a (TC) 10V 2.2OHM @ 1.6a, 10V 5V A 250µA 7 nc @ 10 V ± 30V 230 PF @ 25 V - 3.13W (TA), 55W (TC)
SGR15N40LTF Fairchild Semiconductor Sgr15n40ltf -
RFQ
 ECAD 2207 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 Sgr15 Padrão 45 w TO-252, (D-PAK) download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 2.000 - Trincheira 400 v 130 a 8V @ 4.5V, 130A - -
HUFA76633S3ST Fairchild Semiconductor HUFA76633S3ST 1.0100
RFQ
 ECAD 22 0,00000000 Semicondutor Fairchild Ultrafet ™ Volume Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab MOSFET (ÓXIDO DE METAL) D2PAK (TO-263) download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 800 N-canal 100 v 39a (TC) 4.5V, 10V 35mohm @ 39a, 10V 3V A 250µA 67 nc @ 10 V ± 16V 1820 pf @ 25 V - 145W (TC)
TIP30ATU Fairchild Semiconductor Tip30ATU 0,1900
RFQ
 ECAD 3677 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 2 w To-220-3 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 1.247 60 v 1 a 200µA Pnp 700mV A 125mA, 1A 15 @ 1A, 4V 3MHz
HUF76445S3ST Fairchild Semiconductor HUF76445S3ST 1.4000
RFQ
 ECAD 385 0,00000000 Semicondutor Fairchild Ultrafet ™ Volume Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab MOSFET (ÓXIDO DE METAL) D2PAK (TO-263) download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 800 N-canal 60 v 75a (TC) 4.5V, 10V 6.5mohm @ 75a, 10V 3V A 250µA 150 nc @ 10 V ± 16V 4965 pf @ 25 V - 310W (TC)
FGI40N60SFTU Fairchild Semiconductor FGI40N60SFTU 3.3100
RFQ
 ECAD 900 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-262-3 Leitos Longos, i²pak, TO-262AA Padrão 290 w I2pak (to-262) download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 50 400V, 40A, 10OHM, 15V Parada de Campo 600 v 80 a 120 a 2.9V @ 15V, 40A 1.13mj (ON), 310µJ (Desligado) 120 NC 25ns/115ns
FQAF14N30 Fairchild Semiconductor FQAF14N30 1.0400
RFQ
 ECAD 310 0,00000000 Semicondutor Fairchild QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco Pacote completo para 3p-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-3PF download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 310 N-canal 300 v 11.4a (TC) 10V 290mohm @ 5.7a, 10V 5V A 250µA 40 nc @ 10 V ± 30V 1360 pf @ 25 V - 90W (TC)
2N5639 Fairchild Semiconductor 2N5639 0,3200
RFQ
 ECAD 21 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) Formou Leads 310 MW TO-92 (TO-226) download ROHS3 Compatível Ear99 8541.21.0095 2.000 N-canal 30 v 10pf @ 12V (VGS) 35 v 25 mA a 20 V 60 ohms
KSB1116YTA Fairchild Semiconductor KSB1116YTA 0,0500
RFQ
 ECAD 7 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) Formou Leads 750 MW TO-92-3 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.21.0075 2.000 50 v 1 a 100na (ICBO) Pnp 300mv @ 50ma, 1a 135 @ 100mA, 2V 120MHz
FDD2612 Fairchild Semiconductor FDD2612 0,8300
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Semicondutor Fairchild PowerTrench® Volume Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-252, (D-PAK) download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 2.500 N-canal 200 v 4.9a (ta) 10V 720mohm @ 1.5a, 10V 4.5V a 250µA 11 NC @ 10 V ± 20V 234 pf @ 100 V - 42W (TA)
FDW2512NZ Fairchild Semiconductor FDW2512NZ 0,5500
RFQ
 ECAD 213 0,00000000 Semicondutor Fairchild PowerTrench® Volume Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm de largura) FDW25 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 1.6W 8-TSSOP download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 2.500 2 canal n (Duplo) 20V 6a 28mohm @ 6a, 4.5V 1,5V a 250µA 12NC @ 4.5V 670pf @ 10V Portão de Nível Lógico
FDB2670 Fairchild Semiconductor FDB2670 1.5300
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Semicondutor Fairchild PowerTrench® Volume Obsoleto -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab MOSFET (ÓXIDO DE METAL) D2PAK (TO-263) download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 800 N-canal 200 v 19a (TA) 10V 130mohm @ 10a, 10V 4.5V a 250µA 38 nc @ 10 V ± 20V 1320 pf @ 100 V - 93W (TC)
SGP40N60UFTU Fairchild Semiconductor SGP40N60UFTU 3.7800
RFQ
 ECAD 49 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 SGP40 Padrão 160 w To-220-3 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 1.000 300V, 20A, 10OHM, 15V - 600 v 40 a 160 a 2.6V @ 15V, 20A 160µJ (ON), 200µJ (OFF) 97 NC 15ns/65ns
KSA733YBU Fairchild Semiconductor KSA733YBU -
RFQ
 ECAD 2870 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) 250 MW TO-92-3 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.21.0075 1.000 50 v 150 MA 100na (ICBO) Pnp 300mv @ 10ma, 100mA 120 @ 1MA, 6V 180MHz
FQAF16N25 Fairchild Semiconductor FQAF16N25 0,9200
RFQ
 ECAD 682 0,00000000 Semicondutor Fairchild QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco Pacote completo para 3p-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-3PF download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 360 N-canal 250 v 12.4a (TC) 10V 230mohm @ 6.2a, 10V 5V A 250µA 35 nc @ 10 V ± 30V 1200 pf @ 25 V - 85W (TC)
FQI2N30TU Fairchild Semiconductor FQI2N30TU 0,4100
RFQ
 ECAD 7 0,00000000 Semicondutor Fairchild QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-262-3 Leitos Longos, i²pak, TO-262AA MOSFET (ÓXIDO DE METAL) I2pak (to-262) download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 1.000 N-canal 300 v 2.1a (TC) 10V 3.7ohm @ 1.05a, 10V 5V A 250µA 5 nc @ 10 V ± 30V 130 pf @ 25 V - 3.13W (TA), 40W (TC)
FQI6N40CTU Fairchild Semiconductor FQI6N40CTU 0,2900
RFQ
 ECAD 5796 0,00000000 Semicondutor Fairchild QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-262-3 Leitos Longos, i²pak, TO-262AA MOSFET (ÓXIDO DE METAL) I2pak (to-262) download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 140 N-canal 400 v 6a (TC) 10V 1OHM @ 3A, 10V 4V A 250µA 20 NC A 10 V ± 30V 625 pf @ 25 V - 73W (TC)
KSD985OSTU Fairchild Semiconductor KSD985OSTU 0,1700
RFQ
 ECAD 4128 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-225AA, TO-126-3 1 w TO-126-3 - ROHS3 Compatível 2156-KSD985OSTU-FS Ear99 8541.29.0095 60 60 v 1.5 a 10µA (ICBO) NPN - Darlington 1.5V @ 1MA, 1A 4000 @ 1A, 2V -
HGTD3N60A4S Fairchild Semiconductor HGTD3N60A4S 0,4600
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 Padrão 70 w TO-252-3 (DPAK) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) ALCANCE AFETADO Ear99 8541.29.0095 1 390V, 3A, 50OHM, 15V - 600 v 17 a 40 a 2.7V @ 15V, 3A 32 NC 6ns/73ns
FDB6676 Fairchild Semiconductor FDB6676 0,7800
RFQ
 ECAD 25 0,00000000 Semicondutor Fairchild PowerTrench® Volume Ativo -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-263AB download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) ALCANCE AFETADO Ear99 8541.29.0095 800 N-canal 30 v 84a (TA) 4.5V, 10V 6mohm @ 42a, 10V 3V A 250µA 60 nc @ 5 V ± 16V 5324 PF @ 15 V - 93W (TC)
HGTP20N35G3VL Fairchild Semiconductor HGTP20N35G3VL 1.3700
RFQ
 ECAD 326 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 Lógica 150 w TO-220AB download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.29.0095 1 - - 380 v 20 a 2.8V @ 5V, 20A - 28.7 NC -
SFS9614 Fairchild Semiconductor SFS9614 0,3600
RFQ
 ECAD 4 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco Pacote completo parágrafo 220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-220F download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) ALCANCE AFETADO Ear99 8541.29.0095 833 Canal P. 250 v 1.27a (TC) 10V 4ohm @ 600Ma, 10V 4V A 250µA 11 NC @ 10 V ± 30V 295 pf @ 25 V - 13W (TC)
SFR9120TM Fairchild Semiconductor SFR9120TM 0,2500
RFQ
 ECAD 27 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-252-3 (DPAK) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) ALCANCE AFETADO Ear99 8541.29.0095 2.500 Canal P. 100 v 4.9a (TC) 10V 600mohm @ 2.5a, 10V 4V A 250µA 20 NC A 10 V ± 30V 550 pf @ 25 V - 2.5W (TA), 32W (TC)
SFI9630TU Fairchild Semiconductor SFI9630TU 0,4500
RFQ
 ECAD 691 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-262-3 Leitos Longos, i²pak, TO-262AA MOSFET (ÓXIDO DE METAL) I2pak (to-262) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) ALCANCE AFETADO Ear99 8541.29.0095 691 Canal P. 200 v 6.5a (TC) 10V 800mohm @ 3.3a, 10V 4V A 250µA 36 nc @ 10 V ± 30V 956 pf @ 25 V - 3.1W (TA), 70W (TC)
FMG1G300US60H Fairchild Semiconductor FMG1G300US60H 98.2200
RFQ
 ECAD 15 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem do chassi Módlo 892 w Padrão - download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 1 Solteiro - 600 v 300 a 2.7V @ 15V, 300A 250 µA Não
HGT1S14N41G3VLS Fairchild Semiconductor HGT1S14N41G3VLS 2.0000
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab Lógica 136 w TO-263AB download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 1 - - 445 v 25 a - - 26 NC -
FMG1G300US60LE Fairchild Semiconductor FMG1G300US60LE 73.7500
RFQ
 ECAD 6 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem do chassi Módlo 892 w Padrão - download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 1 Solteiro - 600 v 300 a 2.7V @ 15V, 300A 250 µA Não
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