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Transistores (3821)

Imageem Número do Produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade Dispon Svel Peso (kg) Mfr Série Pacote Status do produto Temperatura operacional Tipo de Montagem Pacote / Caso Número do Produto Base Tipo de Entrada Tecnologia Poder - Máx Entrada Pacote de Dispositivo de Fornecedor Ficha de Dadas Status do rohs Nível de sensibilidade à Umidade (msl) Status de alcance Nomes de Ulros ECCN Htsus PACOTE PADROO Configuraça TIPO DE FET Condição de teste Escorra para um tensão de origem (VDSS) Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C Tensão de conduça (max rds on, min rds on) Rds em (max) @ id, vgs VGS (th) (max) @ id Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS VGs (Máximoo) CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Recurso FET DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) TIPO IGBT Tensão - Colapso do Emissor de Colecionador (Max) Corrente - Coletor (IC) (Max) Corrente - Coletor Pulsa (ICM) Vce (on) (max) @ vge, ic Troca de Energia Carga do Portão TD (Ligado/Desligado) A 25 ° C Corrente - Corte de Colecionador (Max) Termistor NTC CapacitânCia de Entrada (CIES) @ VCE Tipo de transistor Vce saturação (max) @ ib, ic Ganho ATUAL DE CC (HFE) (min) @ IC, VCE Frequencia - Transmissão
FDMC2512SDC Fairchild Semiconductor FDMC2512SDC -
RFQ
 ECAD 2558 0,00000000 Semicondutor Fairchild PowerTrench® Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-PowerTdfn MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 8-PQFN (3,3x3.3) download Ear99 8542.39.0001 1 N-canal 25 v 32a (ta), 40a (tc) 4.5V, 10V 2mohm @ 27a, 10V 2.5V @ 1MA 68 nc @ 10 V ± 20V 4410 pf @ 13 V - 3W (TA), 66W (TC)
HGTG20N60B3 Fairchild Semiconductor HGTG20N60B3 -
RFQ
 ECAD 9298 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco To-247-3 Padrão 165 w To-247 - Rohs Não Compatível Fornecedor indefinido 2156-HGTG20N60B3-600039 1 - - 600 v 40 a 160 a 2V @ 15V, 20A - 135 NC -
RFD20N03SM9A Fairchild Semiconductor RFD20N03SM9A -
RFQ
 ECAD 5837 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-252-3 (DPAK) - Rohs Não Compatível Fornecedor indefinido 2156-RFD20N03SM9A-600039 1 N-canal 30 v 20a (TC) 10V 25mohm @ 20a, 10V 4V A 250µA 75 NC @ 20 V ± 20V 1150 pf @ 25 V - 90W (TC)
HUF75639S3 Fairchild Semiconductor HUF75639S3 -
RFQ
 ECAD 3715 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco TO-262-3 Leitos Longos, i²pak, TO-262AA MOSFET (ÓXIDO DE METAL) I2pak (to-262) - Rohs Não Compatível Fornecedor indefinido 2156-HUF75639S3-600039 1 N-canal 100 v 56a (TC) 10V 25mohm @ 56a, 10V 4V A 250µA 130 NC @ 20 V ± 20V 2000 pf @ 25 V - 200W (TC)
MPSA92RLRMG Fairchild Semiconductor Mpsa92rlrmg 0,0400
RFQ
 ECAD 54 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 Corpo Longo (Fios Formados) 625 MW TO-92 (TO-226) download Fornecedor indefinido Fornecedor indefinido 2156-MPSA92RLRMG-600039 Ear99 8541.21.0095 1 300 v 500 MA 250na (ICBO) Pnp 500MV @ 2MA, 20MA 25 @ 30MA, 10V 50MHz
IRFW550ATM Fairchild Semiconductor IRFW550ATM 0,6300
RFQ
 ECAD 847 0,00000000 Semicondutor Fairchild * Volume Ativo download Fornecedor indefinido ALCANCE AFETADO 2156-IRFW550ATM-600039 Ear99 0000.00.0000 1
FDMS5360L-F085 Fairchild Semiconductor FDMS5360L-F085 -
RFQ
 ECAD 3508 0,00000000 Semicondutor Fairchild Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® Volume Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-powervdfn MOSFET (ÓXIDO DE METAL) Power56 download Fornecedor indefinido Alcançar Não Afetado 2156-FDMS5360L-F085-600039 1 N-canal 60 v 60a (TC) 4.5V, 10V 8.5mohm @ 60a, 10V 3V A 250µA 72 NC @ 10 V ± 20V 3695 pf @ 30 V - 150W (TC)
IRFR120 Fairchild Semiconductor IRFR120 0,4200
RFQ
 ECAD 990 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) D-Pak download Fornecedor indefinido ALCANCE AFETADO 2156-IRFR120-600039 1 N-canal 100 v 7.7a (TC) 10V 270mohm @ 4.6a, 10V 4V A 250µA 16 nc @ 10 V ± 20V 360 pf @ 25 V - 2.5W (TA), 42W (TC)
MMBFJ305 Fairchild Semiconductor MMBFJ305 0,1400
RFQ
 ECAD 107 0,00000000 Semicondutor Fairchild * Volume Ativo download Fornecedor indefinido Alcançar Não Afetado 2156-MBFJ305-600039 Ear99 8541.21.0095 1
FGBS3040E1-SN00390 Fairchild Semiconductor FGBS3040E1-SN00390 2.8000
RFQ
 ECAD 399 0,00000000 Semicondutor Fairchild * Volume Ativo - Fornecedor indefinido Alcançar Não Afetado 2156-FGBS3040E1-SN00390-600039 1
HUF75344P3 Fairchild Semiconductor HUF75344P3 -
RFQ
 ECAD 3937 0,00000000 Semicondutor Fairchild Ultrafet ™ Volume Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) To-220-3 download Fornecedor indefinido Alcançar Não Afetado 2156-HUF75344P3-600039 1 N-canal 55 v 75a (TC) 10V 8mohm @ 75a, 10V 4V A 250µA 210 NC @ 20 V ± 20V 3200 pf @ 25 V - 285W (TC)
FDZ663P Fairchild Semiconductor Fdz663p 0,2700
RFQ
 ECAD 60 0,00000000 Semicondutor Fairchild PowerTrench® Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 4-XFBGA, WLCSP MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 4-WLCSP (0,8x0,8) download Fornecedor indefinido Alcançar Não Afetado 2156-FDZ663P-600039 1 Canal P. 20 v 2.7a (ta) 1.5V, 4.5V 134mohm @ 2a, 4.5V 1.2V a 250µA 8,2 nc @ 4,5 V ± 8V 525 pf @ 10 V - 1.3W (TA)
FQB27N25TM-F085 Fairchild Semiconductor FQB27N25TM-F085 1.3000
RFQ
 ECAD 5 0,00000000 Semicondutor Fairchild Automotivo, AEC-Q101 Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab FQB27 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) D²PAK (TO-263) download Fornecedor indefinido Alcançar Não Afetado 2156-FQB27N25TM-F085-600039 1 N-canal 250 v 25.5a (TC) 10V 131mohm @ 25.5a, 10V 5V A 250µA 49 NC @ 10 V ± 30V 1800 pf @ 25 V - 417W (TC)
FDH047AN08AD Fairchild Semiconductor FDH047AN08AD -
RFQ
 ECAD 1545 0,00000000 Semicondutor Fairchild * Volume Ativo download Fornecedor indefinido Alcançar Não Afetado 2156-FDH047AN08AD-600039 1
FDD5N50UTM Fairchild Semiconductor FDD5N50UTM 0,3100
RFQ
 ECAD 1876 0,00000000 Semicondutor Fairchild * Volume Ativo download Fornecedor indefinido Alcançar Não Afetado 2156-FDD5N50UTM-600039 793
BD244BTU Fairchild Semiconductor BD244BTU 0,3600
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Semicondutor Fairchild BD244B Volume Obsoleto -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 65 w To-220 - Rohs Não Compatível Fornecedor indefinido 2156-BD244BTU-600039 Ear99 8541.29.0095 833 80 v 6 a 700µA Pnp 1.5V @ 1A, 6A 30 @ 300mA, 4V 3MHz
FMM7G20US60N Fairchild Semiconductor FMM7G20US60N 28.1700
RFQ
 ECAD 22 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco Módlo 89 w Retificador de Ponte Trifásica - download Rohs Não Compatível Alcançar Não Afetado 2156-FMM7G20US60N Ear99 8541.29.0095 1 Inversor trifásico com freio - 600 v 20 a 2.7V @ 15V, 20A 250 µA Sim 1.277 NF @ 30 V
FMM7G50US60N Fairchild Semiconductor FMM7G50US60N 28.1700
RFQ
 ECAD 39 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco Módlo 139 w Retificador de Ponte Trifásica - download Rohs Não Compatível Alcançar Não Afetado 2156-FMM7G50US60N Ear99 8541.29.0095 11 Inversor trifásico com freio - 600 v 50 a 2.7V @ 15V, 50A 250 µA Sim 3.565 NF @ 30 V
FDB035N10A Fairchild Semiconductor FDB035N10A -
RFQ
 ECAD 3686 0,00000000 Semicondutor Fairchild PowerTrench® Volume Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab MOSFET (ÓXIDO DE METAL) D2PAK (TO-263) - Rohs Não Compatível Fornecedor indefinido 2156-FDB035N10A Ear99 8541.29.0095 1 N-canal 100 v 120A (TC) 10V 3.5mohm @ 75a, 10V 4V A 250µA 116 NC @ 10 V ± 20V 7295 pf @ 25 V - 333W (TC)
FDM2452NZ Fairchild Semiconductor FDM2452NZ -
RFQ
 ECAD 3835 0,00000000 Semicondutor Fairchild PowerTrench® Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 6-WFDFN PAD EXPOSTO FDM2452 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 800mW (TA) 6 MLP (2x5) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.21.0095 196 2-canal n (Duplo) Dreno Comum 30V 8.1a (ta) 21mohm @ 8.1a, 4.5V 1,5V a 250µA 19NC @ 4.5V 980pf @ 15V -
IRFI624BTUFP001 Fairchild Semiconductor IRFI624BTUFP001 0,1400
RFQ
 ECAD 9856 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-262-3 Leitos Longos, i²pak, TO-262AA MOSFET (ÓXIDO DE METAL) I2pak (to-262) download Não Aplicável 1 (ilimito) ALCANCE AFETADO Ear99 8541.29.0095 2.000 N-canal 250 v 4.1a (TC) 10V 1.1OHM @ 2.05a, 10V 4V A 250µA 18 NC @ 10 V ± 30V 450 pf @ 25 V - 3.13W (TA), 49W (TC)
FDW2515NZ Fairchild Semiconductor FDW2515NZ 0,3400
RFQ
 ECAD 165 0,00000000 Semicondutor Fairchild PowerTrench® Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm de largura) FDW25 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 1.1W (TA) 8-TSSOP download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.29.0095 1 2-canal n (Duplo) Dreno Comum 20V 5.8a (ta) 28mohm @ 5.8a, 4.5V 1,5V a 250µA 12NC @ 5V 745pf @ 10V -
FDS3572_NL Fairchild Semiconductor FDS3572_NL 2.9400
RFQ
 ECAD 126 0,00000000 Semicondutor Fairchild PowerTrench® Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 8-SOIC download Não Aplicável 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.29.0095 1 N-canal 80 v 8.9a (ta) 6V, 10V 16mohm @ 8.9a, 10V 4V A 250µA 41 nc @ 10 V ± 20V 1990 pf @ 25 V - 2.5W (TA)
BC847A Fairchild Semiconductor BC847A 0,0800
RFQ
 ECAD 27 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 250 MW SOT-23-3 (TO-236) download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.21.0075 3.000 45 v 100 ma 15na (ICBO) Npn 600mV @ 5Ma, 100mA 110 @ 2MA, 5V 300MHz
FDD6680S Fairchild Semiconductor FDD6680S 1.5300
RFQ
 ECAD 31 0,00000000 Semicondutor Fairchild PowerTrench® Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-252, (D-PAK) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) ALCANCE AFETADO Ear99 8541.29.0095 1 N-canal 30 v 55a (TA) 4.5V, 10V 11mohm @ 12.5a, 10V 3V @ 1Ma 24 nc @ 5 V ± 20V 2010 pf @ 15 V - 1.3W (TA)
FDD6670AL_NL Fairchild Semiconductor Fdd6670al_nl 1.0900
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Semicondutor Fairchild PowerTrench® Volume Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-252, (D-PAK) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) ALCANCE AFETADO Ear99 8541.29.0095 1 N-canal 30 v 84a (TA) 4.5V, 10V 5mohm @ 18a, 10V 3V A 250µA 56 nc @ 5 V ± 20V 3845 pf @ 15 V - 1.6W (TA)
FDP2710_SW82258 Fairchild Semiconductor FDP2710_SW82258 -
RFQ
 ECAD 2120 0,00000000 Semicondutor Fairchild PowerTrench® Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) To-220-3 download Não Aplicável 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.29.0095 1 N-canal 250 v 50a (TC) 10V 42.5mohm @ 25a, 10V 5V A 250µA 101 nc @ 10 V ± 30V 7280 pf @ 25 V - 260W (TC)
SSS6N70A Fairchild Semiconductor SSS6N70A 0,8000
RFQ
 ECAD 950 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco Pacote completo parágrafo 220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-220F download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) ALCANCE AFETADO Ear99 8541.29.0095 1 N-canal 700 v 4a (TC) 10V 1.8OHM @ 2A, 10V 4V A 250µA 67 nc @ 10 V ± 30V 1200 pf @ 25 V - 40W (TC)
HGTG30N60C3D_NL Fairchild Semiconductor HGTG30N60C3D_NL -
RFQ
 ECAD 7652 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco To-247-3 Padrão 208 w To-247 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 13 - 60 ns - 600 v 63 a 252 a 1.8V @ 15V, 30A - 250 NC -
FMG1G300US60H Fairchild Semiconductor FMG1G300US60H 98.2200
RFQ
 ECAD 15 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem do chassi Módlo 892 w Padrão - download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 1 Solteiro - 600 v 300 a 2.7V @ 15V, 300A 250 µA Não
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