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Transistores (3821)

Imageem Número do Produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade Dispon Svel Peso (kg) Mfr Série Pacote Status do produto Temperatura operacional Tipo de Montagem Pacote / Caso Número do Produto Base Tecnologia Poder - Máx Pacote de Dispositivo de Fornecedor Ficha de Dadas Status do rohs Nível de sensibilidade à Umidade (msl) Status de alcance Nomes de Ulros ECCN Htsus PACOTE PADROO Configuraça TIPO DE FET Escorra para um tensão de origem (VDSS) Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C Tensão de conduça (max rds on, min rds on) Rds em (max) @ id, vgs VGS (th) (max) @ id Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS VGs (Máximoo) CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Recurso FET DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) Tensão - Colapso do Emissor de Colecionador (Max) Corrente - Coletor (IC) (Max) Tensão - Quebra (V (BR) GSS) Corrente - DRENO (IDSS) @ VDS (VGS = 0) Tensão - Corte (VGS desligado) @ id Corrente - Corte de Colecionador (Max) Resistência - rds (on) Tipo de transistor Vce saturação (max) @ ib, ic Ganho ATUAL DE CC (HFE) (min) @ IC, VCE Frequencia - Transmissão Resistor - Base (R1) Resistor - Base de Emissor (R2)
KSB834YTU Fairchild Semiconductor KSB834ytu 0,4500
RFQ
 ECAD 57 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 1,5 w To-220-3 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 50 60 v 3 a 100µA (ICBO) Pnp 1V @ 300MA, 3A 100 @ 500mA, 5V 9MHz
IRFW634BTMFP001 Fairchild Semiconductor IRFW634BTMFP001 -
RFQ
 ECAD 8478 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab MOSFET (ÓXIDO DE METAL) D2PAK download Ear99 8541.29.0095 1 N-canal 250 v 8.1a (ta) 10V 450mohm @ 4.05a, 10V 4V A 250µA 38 nc @ 10 V ± 30V 1000 pf @ 25 V - 3.13W (TA), 74W (TC)
FQP4N50 Fairchild Semiconductor FQP4N50 0,2700
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Semicondutor Fairchild QFET® Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) To-220-3 download Não Aplicável Alcançar Não Afetado 2156-FQP4N50-600039 1 N-canal 500 v 3.4a (TC) 10V 2.7ohm @ 1.7a, 10V 5V A 250µA 13 NC @ 10 V ± 30V 460 pf @ 25 V - 70W (TC)
FQU4P25TU Fairchild Semiconductor FQU4P25TU 0,3400
RFQ
 ECAD 4481 0,00000000 Semicondutor Fairchild QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-251-3 leva Curtos, Ipak, TO-251AA MOSFET (ÓXIDO DE METAL) I-Pak download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 23 Canal P. 250 v 3.1a (TC) 10V 2.1ohm @ 1.55a, 10V 5V A 250µA 14 nc @ 10 V ± 30V 420 pf @ 25 V - 2.5W (TA), 45W (TC)
FDD16AN08A0_NL Fairchild Semiconductor Fdd16an08a0_nl -
RFQ
 ECAD 7944 0,00000000 Semicondutor Fairchild Ultrafet ™ Volume Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-252AA download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) ALCANCE AFETADO Ear99 8541.29.0095 1 N-canal 75 v 9a (ta), 50a (tc) 6V, 10V 16mohm @ 50a, 10V 4V A 250µA 47 nc @ 10 V ± 20V 1874 PF @ 25 V - 135W (TC)
FJV4103RMTF Fairchild Semiconductor Fjv4103rmtf -
RFQ
 ECAD 9217 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Fjv410 200 MW SOT-23-3 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.21.0075 4.244 50 v 100 ma 100na (ICBO) PNP - Pré -tendencioso 300mv @ 500µA, 10MA 56 @ 5MA, 5V 200 MHz 22 Kohms 22 Kohms
KSD362R Fairchild Semiconductor KSD362R 0,2000
RFQ
 ECAD 4647 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto 150 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 40 w To-220-3 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 1.170 70 v 5 a 20µA (ICBO) Npn 1V @ 500MA, 5A 40 @ 5A, 5V 10MHz
MMBT2484 Fairchild Semiconductor MMBT2484 -
RFQ
 ECAD 7247 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBT2484 350 MW SOT-23-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 0000.00.0000 3.000 60 v 100 ma 10na (ICBO) Npn 350mv @ 100µA, 1MA 100 @ 10µA, 5V -
FJY4011R Fairchild Semiconductor Fjy4011r 0,0200
RFQ
 ECAD 9581 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto Montagem na Superfície SC-89, SOT-490 FJY401 200 MW SOT-523F download ROHS3 Compatível Ear99 8541.21.0075 3.000 40 v 100 ma 100na (ICBO) PNP - Pré -tendencioso 300mV @ 1Ma, 10MA 100 @ 1MA, 5V 200 MHz 22 Kohms
RF1S50N06SM9A Fairchild Semiconductor RF1S50N06SM9A 0,8700
RFQ
 ECAD 9 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-263AB download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) ALCANCE AFETADO Ear99 8541.29.0095 800 N-canal 60 v 50a (TC) 10V 22mohm @ 50a, 10V 4V A 250µA 150 nc @ 20 V ± 20V 2020 pf @ 25 V - 131W (TC)
FQAF16N50 Fairchild Semiconductor FQAF16N50 2.7900
RFQ
 ECAD 8 0,00000000 Semicondutor Fairchild QFET® Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco Pacote completo para 3p-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-3PF download Ear99 8542.39.0001 108 N-canal 500 v 11.3a (TC) 10V 320mohm @ 5.65a, 10V 5V A 250µA 75 NC @ 10 V ± 30V 3000 pf @ 25 V - 110W (TC)
BC33725 Fairchild Semiconductor BC33725 0,0600
RFQ
 ECAD 22 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) 625 MW TO-92-3 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.21.0075 2.000 45 v 800 mA 100na Npn 700mv @ 50Ma, 500mA 160 @ 100MA, 1V 100MHz
FDD6530A Fairchild Semiconductor FDD6530A 1.0000
RFQ
 ECAD 9011 0,00000000 Semicondutor Fairchild PowerTrench® Volume Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-252, (D-PAK) download Ear99 8542.39.0001 1 N-canal 20 v 21a (TA) 2.5V, 4.5V 32mohm @ 8a, 4.5V 1.2V a 250µA 9 nc @ 4,5 V ± 8V 710 pf @ 10 V - 3.3W (TA), 33W (TC)
MJD117TF Fairchild Semiconductor MJD117TF 0,3000
RFQ
 ECAD 28 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 1,75 w TO-252-3 (DPAK) download Rohs Não Compatível Fornecedor indefinido 2156-MJD117TF-600039 Ear99 8541.29.0095 1 100 v 2 a 20µA PNP - Darlington 3V @ 40MA, 4A 1000 @ 2A, 3V 25MHz
KSC945CGBU Fairchild Semiconductor KSC945CGBU 0,0200
RFQ
 ECAD 257 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) 250 MW TO-92-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 0000.00.0000 1 50 v 150 MA 100na (ICBO) Npn 300mv @ 10ma, 100mA 200 @ 1MA, 6V 300MHz
J112-D27Z Fairchild Semiconductor J112-D27Z -
RFQ
 ECAD 1960 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) Formou Leads 625 MW TO-92-3 download 0000.00.0000 1 N-canal - 35 v 5 mA a 15 V 1 V @ 1 µA 50 ohms
2N4403RP Fairchild Semiconductor 2N4403RP 0,0200
RFQ
 ECAD 349 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) Formou Leads 2N4403 625 MW Parágrafo 92 download Não Aplicável 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.21.0075 1 40 v 600 mA 100na Pnp 750mv @ 50Ma, 500mA 60 @ 1MA, 10V 200MHz
RFD14N05L_NL Fairchild Semiconductor Rfd14n05l_nl 0,5200
RFQ
 ECAD 8832 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco TO-251-3 leva Curtos, Ipak, TO-251AA MOSFET (ÓXIDO DE METAL) I-Pak download Não Aplicável 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.29.0095 408 N-canal 50 v 14a (TC) 5V 100mohm @ 14a, 5v 2V A 250µA 40 nc @ 10 V ± 10V 670 pf @ 25 V - 48W (TC)
BC33725TFR Fairchild Semiconductor BC33725TFR 0,0400
RFQ
 ECAD 59 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) Formou Leads 625 MW TO-92-3 download Ear99 8541.21.0075 7.071 45 v 800 mA 100na Npn 700mv @ 50Ma, 500mA 160 @ 100MA, 1V 100MHz
FJPF5321TU Fairchild Semiconductor FJPF5321TU 0,2000
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) Através do buraco Pacote completo parágrafo 220-3 40 w TO-220F-3 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 1.492 500 v 5 a 100µA (ICBO) Npn 1V @ 600MA, 3A 15 @ 600mA, 5V 14MHz
FDMC6680AZ Fairchild Semiconductor FDMC6680AZ 0,2000
RFQ
 ECAD 18 0,00000000 Semicondutor Fairchild * Volume Ativo FDMC6680 - - Não Aplicável 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8542.39.0001 3.000 -
FDS6688S Fairchild Semiconductor FDS6688S 0,7200
RFQ
 ECAD 288 0,00000000 Semicondutor Fairchild PowerTrench® Volume Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 8-SOIC download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 2.500 N-canal 30 v 16a (ta) 4.5V, 10V 6mohm @ 16a, 10V 3V @ 1Ma 78 NC @ 10 V ± 20V 3290 pf @ 15 V - 2.5W (TA)
HUF76423S3ST Fairchild Semiconductor HUF76423S3ST 0,6700
RFQ
 ECAD 4 0,00000000 Semicondutor Fairchild Ultrafet® Volume Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-263AB download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.29.0095 800 N-canal 60 v 35a (TC) 4.5V, 10V 30mohm @ 35a, 10V 3V A 250µA 34 NC @ 10 V ± 16V 1060 pf @ 25 V - 85W (TC)
BCW68G Fairchild Semiconductor BCW68G 0,0500
RFQ
 ECAD 224 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 350 MW SOT-23-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 0000.00.0000 3.000 45 v 800 mA 20na Pnp 1,5V A 30MA, 300mA 160 @ 100MA, 1V 100MHz
FCD600N60Z Fairchild Semiconductor FCD600N60Z -
RFQ
 ECAD 6401 0,00000000 Semicondutor Fairchild * Volume Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-252, (D-PAK) - Rohs Não Compatível Fornecedor indefinido 2156-FCD600N60Z Ear99 8541.29.0095 1 N-canal 600 v 7.4a (TC) 10V 600mohm @ 3.7a, 10V 3,5V a 250µA 26 NC A 10 V ± 20V 1120 pf @ 25 V - 89W (TC)
BC32840TA Fairchild Semiconductor BC32840TA 0,0200
RFQ
 ECAD 6097 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) Formou Leads 625 MW TO-92-3 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.21.0075 14.000 25 v 800 mA 100na Pnp 700mv @ 50Ma, 500mA 250 @ 100mA, 1V 100MHz
FDS6912 Fairchild Semiconductor FDS6912 0,9000
RFQ
 ECAD 79 0,00000000 Semicondutor Fairchild PowerTrench® Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) FDS69 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 2W (TA) 8-SOIC download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 0000.00.0000 2.500 2 canal n (Duplo) 30V 6a (ta) 28mohm @ 6a, 10V 3V A 250µA 10NC @ 5V 740pf @ 15V Portão de Nível Lógico
IRFI630BTU Fairchild Semiconductor IRFI630BTU 0,2300
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-262-3 Leitos Longos, i²pak, TO-262AA MOSFET (ÓXIDO DE METAL) I2pak (to-262) download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.29.0095 1 N-canal 200 v 9a (TC) 10V 400mohm @ 4.5a, 10V 4V A 250µA 29 NC @ 10 V ± 30V 720 pf @ 25 V - 3.13W (TA), 72W (TC)
TIP116TU Fairchild Semiconductor Tip116tu -
RFQ
 ECAD 7356 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 2 w To-220-3 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 1.000 80 v 2 a 2m PNP - Darlington 2.5V @ 8MA, 2A 1000 @ 1A, 4V -
FDFC3N108 Fairchild Semiconductor FDFC3N108 0,4100
RFQ
 ECAD 98 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) SuperSot ™ -6 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.21.0095 3.000 N-canal 20 v 3a (ta) 2.5V, 4.5V 70mohm @ 3a, 4.5V 1,5V a 250µA 4,9 nc a 4,5 V ± 12V 355 pf @ 10 V Diodo Schottky (Isolado) -
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