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Transistores (3821)

Imageem Número do Produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade Dispon Svel Peso (kg) Mfr Série Pacote Status do produto Temperatura operacional Tipo de Montagem Pacote / Caso Número do Produto Base Tipo de Entrada Tecnologia Poder - Máx Pacote de Dispositivo de Fornecedor Ficha de Dadas Status do rohs Nível de sensibilidade à Umidade (msl) Status de alcance Nomes de Ulros ECCN Htsus PACOTE PADROO Configuraça TIPO DE FET Condição de teste Escorra para um tensão de origem (VDSS) Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C Tensão de conduça (max rds on, min rds on) Rds em (max) @ id, vgs VGS (th) (max) @ id Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS VGs (Máximoo) CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Recurso FET DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) TIPO IGBT Tensão - Colapso do Emissor de Colecionador (Max) Corrente - Coletor (IC) (Max) Corrente - Coletor Pulsa (ICM) Vce (on) (max) @ vge, ic Troca de Energia Carga do Portão TD (Ligado/Desligado) A 25 ° C Corrente - Corte de Colecionador (Max) Tipo de transistor Vce saturação (max) @ ib, ic Ganho ATUAL DE CC (HFE) (min) @ IC, VCE Frequencia - Transmissão
HUFA75645P3 Fairchild Semiconductor HUFA75645P3 1.1800
RFQ
 ECAD 5354 0,00000000 Semicondutor Fairchild Ultrafet ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) To-220-3 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 2 N-canal 100 v 75a (TC) 10V 14mohm @ 75a, 10V 4V A 250µA 238 NC @ 20 V ± 20V 3790 pf @ 25 V - 310W (TC)
MMBT4354 Fairchild Semiconductor MMBT4354 -
RFQ
 ECAD 1905 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 350 MW SOT-23-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 0000.00.0000 375 60 v 800 mA 50na (ICBO) Pnp 500mv @ 50Ma, 500mA 50 @ 10MA, 5V -
HUF76139S3STK Fairchild Semiconductor HUF76139S3STK 0,5000
RFQ
 ECAD 24 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-263AB download Não Aplicável 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.29.0095 800 N-canal 30 v 75a (TC) 4.5V, 10V 7.5mohm @ 75a, 10V 3V A 250µA 78 NC @ 10 V ± 20V 2700 pf @ 25 V - 165W (TC)
FDP15N65 Fairchild Semiconductor FDP15N65 1.4400
RFQ
 ECAD 9042 0,00000000 Semicondutor Fairchild Unifet ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) To-220-3 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 163 N-canal 650 v 15a (TC) 10V 440mohm @ 7.5a, 10V 5V A 250µA 63 nc @ 10 V ± 30V 3095 pf @ 25 V - 250W (TC)
HUF76013P3 Fairchild Semiconductor HUF76013P3 0,2900
RFQ
 ECAD 5 0,00000000 Semicondutor Fairchild Ultrafet ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) To-220-3 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 400 N-canal 20 v 20a (TC) 5V, 10V 22mohm @ 20a, 10V 3V A 250µA 17 NC @ 10 V ± 20V 624 pf @ 20 V - 50W (TC)
IRFW634BTMFP001 Fairchild Semiconductor IRFW634BTMFP001 -
RFQ
 ECAD 8478 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab MOSFET (ÓXIDO DE METAL) D2PAK download Ear99 8541.29.0095 1 N-canal 250 v 8.1a (ta) 10V 450mohm @ 4.05a, 10V 4V A 250µA 38 nc @ 10 V ± 30V 1000 pf @ 25 V - 3.13W (TA), 74W (TC)
BC80840MTF Fairchild Semiconductor BC80840MTF 1.0000
RFQ
 ECAD 9964 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BC808 310 MW SOT-23-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 0000.00.0000 3.000 25 v 800 mA 100na Pnp 700mv @ 50Ma, 500mA 250 @ 100mA, 1V 100MHz
BC636 Fairchild Semiconductor BC636 -
RFQ
 ECAD 8586 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) 1 w TO-92-3 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.21.0075 2.000 45 v 1 a 100na (ICBO) Pnp 500mv @ 50Ma, 500mA 40 @ 150mA, 2V 100MHz
FGP20N6S2D Fairchild Semiconductor FGP20N6S2D -
RFQ
 ECAD 2535 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 Padrão 125 w To-220-3 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 400 390V, 7A, 25OHM, 15V 31 ns - 600 v 28 a 40 a 2.7V @ 15V, 7a 25µJ (ON), 58µJ (Desligado) 30 NC 7.7ns/87ns
FDS4435A Fairchild Semiconductor FDS4435A 1.2100
RFQ
 ECAD 27 0,00000000 Semicondutor Fairchild PowerTrench® Volume Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 8-SOIC download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 2.500 Canal P. 30 v 9a (ta) 4.5V, 10V 17mohm @ 9a, 10V 2V A 250µA 30 NC @ 5 V ± 20V 2010 pf @ 15 V - 2.5W (TA)
FDMC8200 Fairchild Semiconductor FDMC8200 -
RFQ
 ECAD 7271 0,00000000 Semicondutor Fairchild * Volume Ativo download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 2156-FDMC8200-600039 Ear99 8541.29.0095 1
FDB2570 Fairchild Semiconductor FDB2570 1.4400
RFQ
 ECAD 4 0,00000000 Semicondutor Fairchild PowerTrench® Volume Obsoleto -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab MOSFET (ÓXIDO DE METAL) D2PAK (TO-263) download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 800 N-canal 150 v 22a (TA) 6V, 10V 80mohm @ 11a, 10V 4V A 250µA 56 nc @ 10 V ± 20V 1911 pf @ 75 V - 93W (TC)
IRFW620BTM Fairchild Semiconductor IRFW620BTM 0,4000
RFQ
 ECAD 933 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab MOSFET (ÓXIDO DE METAL) D2PAK (TO-263) download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 800 N-canal 200 v 5a (TC) 10V 800mohm @ 2.5a, 10V 4V A 250µA 16 nc @ 10 V ± 30V 390 pf @ 25 V - 3.13W (TA), 47W (TC)
FQPF22N30 Fairchild Semiconductor FQPF22N30 1.9800
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Semicondutor Fairchild QFET® Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco Pacote completo parágrafo 220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-220F-3 download Ear99 8542.39.0001 1 N-canal 300 v 12a (TC) 10V 160mohm @ 6a, 10V 5V A 250µA 60 nc @ 10 V ± 30V 2200 pf @ 25 V - 56W (TC)
SFR9214TF Fairchild Semiconductor SFR9214TF 0,1400
RFQ
 ECAD 56 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-252-3 (DPAK) download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.29.0095 2.000 Canal P. 250 v 1.53a (TC) 10V 4ohm @ 770mA, 10V 4V A 250µA 11 NC @ 10 V ± 30V 295 pf @ 25 V - 2.5W (TA), 19W (TC)
FCD600N60Z Fairchild Semiconductor FCD600N60Z -
RFQ
 ECAD 6401 0,00000000 Semicondutor Fairchild * Volume Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-252, (D-PAK) - Rohs Não Compatível Fornecedor indefinido 2156-FCD600N60Z Ear99 8541.29.0095 1 N-canal 600 v 7.4a (TC) 10V 600mohm @ 3.7a, 10V 3,5V a 250µA 26 NC A 10 V ± 20V 1120 pf @ 25 V - 89W (TC)
FCH041N65EF Fairchild Semiconductor FCH041N65EF 8.3400
RFQ
 ECAD 110 0,00000000 Semicondutor Fairchild * Volume Ativo FCH041 - - Não Aplicável 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.29.0095 1 -
IRFS634B Fairchild Semiconductor IRFS634B 0,1800
RFQ
 ECAD 15 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco Pacote completo parágrafo 220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-220F-3 download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 1 N-canal 250 v 8.1a (TJ) 10V 450mohm @ 4.05a, 10V 4V A 250µA 38 nc @ 10 V ± 30V 1000 pf @ 25 V - 38W (TC)
FDJ127P Fairchild Semiconductor FDJ127P 0,5100
RFQ
 ECAD 43 0,00000000 Semicondutor Fairchild PowerTrench® Volume Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície SC-75-6 FLMP MOSFET (ÓXIDO DE METAL) SC75-6 FLMP download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 3.000 Canal P. 20 v 4.1a (ta) 1.8V, 4.5V 60mohm @ 4.1a, 4.5V 1,5V a 250µA 10 nc @ 4,5 V ± 8V 780 pf @ 10 V - 1.6W (TA)
NDH8521C Fairchild Semiconductor NDH8521C 0,7700
RFQ
 ECAD 39 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-TSOP (0,130 ", 3,30 mm de largura) NDH8521 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 800mW (TA) SuperSot ™ -8 download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) ALCANCE AFETADO Ear99 8541.21.0095 3.000 N E P-Canal 30V 3.8a (ta), 2.7a (ta) 33mohm @ 3.8a, 10v, 70mohm @ 2.7a, 10v 2V A 250µA 25NC @ 10V, 27NC @ 10V 500pf @ 15V, 560pf @ 15V -
FDB12N50FTM Fairchild Semiconductor FDB12N50FTM 0,9500
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Semicondutor Fairchild * Volume Ativo FDB12N - - Não Aplicável 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8542.39.0001 1 -
FGPF4533 Fairchild Semiconductor FGPF4533 0,7800
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo Através do buraco Pacote completo parágrafo 220-3 FGPF4 Padrão 28,4 w TO-220F download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 0000.00.0000 1 - Trincheira 330 v 200 a 1.8V @ 15V, 50A - 44 NC -
FDB8445 Fairchild Semiconductor FDB8445 -
RFQ
 ECAD 5935 0,00000000 Semicondutor Fairchild PowerTrench® Volume Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab MOSFET (ÓXIDO DE METAL) D2PAK (TO-263) - Rohs Não Compatível Fornecedor indefinido 2156-FDB8445 Ear99 8541.29.0095 1 N-canal 40 v 70A (TC) 10V 9mohm @ 70a, 10V 4V A 250µA 62 NC @ 10 V ± 20V 3805 pf @ 25 V - 92W (TC)
FDS6912 Fairchild Semiconductor FDS6912 0,9000
RFQ
 ECAD 79 0,00000000 Semicondutor Fairchild PowerTrench® Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) FDS69 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 2W (TA) 8-SOIC download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 0000.00.0000 2.500 2 canal n (Duplo) 30V 6a (ta) 28mohm @ 6a, 10V 3V A 250µA 10NC @ 5V 740pf @ 15V Portão de Nível Lógico
FDZ208P Fairchild Semiconductor FDZ208P 1.3400
RFQ
 ECAD 5 0,00000000 Semicondutor Fairchild PowerTrench® Volume Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 30-WFBGA MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 30-BGA (4x3.5) download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 3.000 Canal P. 30 v 12.5a (TA) 4.5V, 10V 10.5mohm @ 12.5a, 10V 3V A 250µA 35 nc @ 5 V ± 25V 2409 pf @ 15 V - 2.2W (TA)
2N4401BU Fairchild Semiconductor 2N4401BU -
RFQ
 ECAD 8397 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) 625 MW TO-92-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.21.0095 1 40 v 600 mA - Npn 750mv @ 50Ma, 500mA 100 @ 150mA, 1V 250MHz
FDU6296 Fairchild Semiconductor FDU6296 0,5300
RFQ
 ECAD 7 0,00000000 Semicondutor Fairchild PowerTrench® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco TO-251-3 leva Curtos, Ipak, TO-251AA MOSFET (ÓXIDO DE METAL) I-Pak download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 75 N-canal 30 v 15a (ta), 50a (tc) 4.5V, 10V 8.8mohm @ 15a, 10V 3V A 250µA 31,5 nc @ 10 V ± 20V 1440 pf @ 15 V - 3.8W (TA), 52W (TC)
HUF76633S3S Fairchild Semiconductor HUF76633S3S 0,5900
RFQ
 ECAD 5665 0,00000000 Semicondutor Fairchild Ultrafet ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab MOSFET (ÓXIDO DE METAL) D2PAK (TO-263) download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 358 N-canal 100 v 39a (TC) 4.5V, 10V 35mohm @ 39a, 10V 3V A 250µA 67 nc @ 10 V ± 16V 1820 pf @ 25 V - 145W (TC)
IRFR210BTM Fairchild Semiconductor IRFR210BTM 0,2200
RFQ
 ECAD 17 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-252, (D-PAK) download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 2.500 N-canal 200 v 2.7a (TC) 10V 1.5OHM @ 1.35A, 10V 4V A 250µA 9,3 nc @ 10 V ± 30V 225 pf @ 25 V - 2.5W (TA), 26W (TC)
2N5550BU Fairchild Semiconductor 2N5550BU 0,0200
RFQ
 ECAD 7394 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) 625 MW TO-92-3 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.21.0075 13.374 140 v 600 mA 100na (ICBO) Npn 250mv @ 5Ma, 50Ma 60 @ 10MA, 5V 300MHz
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