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Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Temperatura operacional | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tipo de Entrada | Tecnologia | Poder - Máx | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Configuraça | TIPO DE FET | Condição de teste | Escorra para um tensão de origem (VDSS) | Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C | Tensão de conduça (max rds on, min rds on) | Rds em (max) @ id, vgs | VGS (th) (max) @ id | Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS | VGs (Máximoo) | CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Recurso FET | DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) | TIPO IGBT | Tensão - Colapso do Emissor de Colecionador (Max) | Corrente - Coletor (IC) (Max) | Corrente - Coletor Pulsa (ICM) | Vce (on) (max) @ vge, ic | Troca de Energia | Carga do Portão | TD (Ligado/Desligado) A 25 ° C | Corrente - Corte de Colecionador (Max) | Tipo de transistor | Vce saturação (max) @ ib, ic | Ganho ATUAL DE CC (HFE) (min) @ IC, VCE | Frequencia - Transmissão |
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![]() | TIP121 | - | ![]() | 1846 | 0,00000000 | Semicondutor Fairchild | - | Volume | Ativo | 150 ° C (TJ) | Através do buraco | To-220-3 | TIP121 | 2 w | TO-220AB | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 80 v | 5 a | 500µA | NPN - Darlington | 4V @ 20MA, 5A | 1000 @ 3A, 3V | - | |||||||||||||||||||||||
![]() | FQPF19N20T | 0,6300 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Semicondutor Fairchild | QFET® | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | Pacote completo parágrafo 220-3 | FQPF1 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-220F | - | Não Aplicável | 1 (ilimito) | Fornecedor indefinido | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | N-canal | 100 v | 11.8a (TC) | 10V | 150mohm @ 5.9a, 10V | 5V A 250µA | 40 nc @ 10 V | ± 30V | 1600 pf @ 25 V | - | 50W (TC) | |||||||||||||||||||
![]() | HUF76143S3ST | 0,6600 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Semicondutor Fairchild | - | Volume | Ativo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-263AB | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | ALCANCE AFETADO | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 30 v | 75a (TC) | 4.5V, 10V | 5.5mohm @ 75a, 10V | 3V A 250µA | 114 NC @ 10 V | ± 20V | 3900 pf @ 25 V | - | 225W (TC) | ||||||||||||||||||||
![]() | FJC1386PTF | 0,1100 | ![]() | 4 | 0,00000000 | Semicondutor Fairchild | - | Volume | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-243AA | 500 MW | SOT-89-3 | download | ROHS3 Compatível | Ear99 | 8541.21.0095 | 4.000 | 20 v | 5 a | 500na (ICBO) | Pnp | 1V @ 100MA, 4A | 80 @ 500MA, 2V | - | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | Fdd16an08a0_nl | - | ![]() | 7944 | 0,00000000 | Semicondutor Fairchild | Ultrafet ™ | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-252AA | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | ALCANCE AFETADO | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 75 v | 9a (ta), 50a (tc) | 6V, 10V | 16mohm @ 50a, 10V | 4V A 250µA | 47 nc @ 10 V | ± 20V | 1874 PF @ 25 V | - | 135W (TC) | ||||||||||||||||||||
![]() | SGP15N60ruftU | 3.0300 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Semicondutor Fairchild | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | To-220-3 | SGP15N | Padrão | 160 w | To-220-3 | download | ROHS3 Compatível | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | 300V, 15A, 13OHM, 15V | - | 600 v | 24 a | 45 a | 2.8V @ 15V, 15A | 320µJ (ON), 356µJ (Off) | 42 NC | 17ns/44ns | ||||||||||||||||||||||
![]() | FQB10N20CTM | - | ![]() | 1549 | 0,00000000 | Semicondutor Fairchild | QFET® | Volume | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | D2PAK (TO-263) | download | ROHS3 Compatível | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 200 v | 9.5a (TC) | 10V | 360mohm @ 4.75a, 10V | 4V A 250µA | 26 NC A 10 V | ± 30V | 510 pf @ 25 V | - | 72W (TC) | ||||||||||||||||||||||
![]() | KSA1242ytu | 0,1800 | ![]() | 5 | 0,00000000 | Semicondutor Fairchild | - | Tubo | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-251-3 leva Curtos, Ipak, TO-251AA | 10 w | I-Pak | download | ROHS3 Compatível | Ear99 | 8541.29.0075 | 5.040 | 20 v | 5 a | 100µA (ICBO) | Pnp | 1V @ 100MA, 4A | 160 @ 500MA, 2V | 180MHz | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRF614BFP001 | 1.0000 | ![]() | 7644 | 0,00000000 | Semicondutor Fairchild | - | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | Pacote completo parágrafo 220-3 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-220F-3 | download | Não Aplicável | 1 (ilimito) | Fornecedor indefinido | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | N-canal | 250 v | 2.8a (TC) | 2OHM @ 1.4A, 10V | 4V A 250µA | 10,5 nc @ 10 V | ± 30V | 275 pf @ 25 V | - | 40W (TC) | |||||||||||||||||||||
![]() | BC546ata | 1.0000 | ![]() | 4884 | 0,00000000 | Semicondutor Fairchild | - | Volume | Ativo | 150 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) Formou Leads | 500 MW | TO-92-3 | download | Ear99 | 8541.21.0075 | 1 | 65 v | 100 ma | 15na (ICBO) | Npn | 600mV @ 5Ma, 100mA | 110 @ 2MA, 5V | 300MHz | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | HUF76409D3 | 0,4700 | ![]() | 3 | 0,00000000 | Semicondutor Fairchild | - | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-251-3 leva Curtos, Ipak, TO-251AA | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | I-Pak | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Fornecedor indefinido | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 60 v | 18a (TC) | 4.5V, 10V | 63mohm @ 18a, 10V | 3V A 250µA | 15 nc @ 10 V | ± 16V | 485 pf @ 25 V | - | 49W (TC) | ||||||||||||||||||||
![]() | 2SA1319S-AA | 0,1000 | ![]() | 3 | 0,00000000 | Semicondutor Fairchild | * | Volume | Ativo | download | Fornecedor indefinido | Alcançar Não Afetado | 2156-2SA1319S-AA-600039 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRFU220BTU | 0,8300 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Semicondutor Fairchild | * | Volume | Ativo | download | Fornecedor indefinido | ALCANCE AFETADO | 2156-IRFU220BTU-600039 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQPF3N80 | 0,7800 | ![]() | 3 | 0,00000000 | Semicondutor Fairchild | QFET® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | Pacote completo parágrafo 220-3 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-220F-3 | download | ROHS3 Compatível | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-canal | 800 v | 1.8a (TC) | 10V | 5ohm @ 900Ma, 10V | 5V A 250µA | 19 NC @ 10 V | ± 30V | 690 pf @ 25 V | - | 39W (TC) | ||||||||||||||||||||||
![]() | MMBTA56 | 0,0300 | ![]() | 12 | 0,00000000 | Semicondutor Fairchild | - | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | SC-90, SOD-323F | MMBTA56 | 250 MW | SOD-323 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0095 | 9.616 | 80 v | 500 MA | 100na (ICBO) | Pnp | 250mv @ 10ma, 100mA | 100 @ 100mA, 1V | 50MHz | |||||||||||||||||||||||
![]() | BC559B | - | ![]() | 3228 | 0,00000000 | Semicondutor Fairchild | - | Volume | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) | 500 MW | TO-92-3 | download | ROHS3 Compatível | Ear99 | 8541.21.0075 | 2.000 | 30 v | 100 ma | 15na (ICBO) | Pnp | 650mv @ 5Ma, 100mA | 200 @ 2MA, 5V | 150MHz | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDB4020P | 0,7500 | ![]() | 7 | 0,00000000 | Semicondutor Fairchild | - | Volume | Obsoleto | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | D2PAK (TO-263) | download | ROHS3 Compatível | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | Canal P. | 20 v | 16a (ta) | 2.5V, 4.5V | 80mohm @ 8a, 4.5V | 1V a 250µA | 13 NC @ 4,5 V | ± 8V | 665 pf @ 10 V | - | 37.5W (TC) | ||||||||||||||||||||||
![]() | FDB8896 | 0,9100 | ![]() | 15 | 0,00000000 | Semicondutor Fairchild | PowerTrench® | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | D2PAK (TO-263) | download | Ear99 | 8542.39.0001 | 330 | N-canal | 30 v | 19a (ta), 93a (tc) | 4.5V, 10V | 5.7mohm @ 35a, 10V | 2,5V a 250µA | 67 nc @ 10 V | ± 20V | 2525 pf @ 15 V | - | 80W (TC) | |||||||||||||||||||||||
![]() | FQPF5P10 | 0,3400 | ![]() | 4 | 0,00000000 | Semicondutor Fairchild | QFET® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | Pacote completo parágrafo 220-3 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-220F-3 | download | ROHS3 Compatível | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal P. | 100 v | 2.9a (TC) | 10V | 1.05OHM @ 1.45a, 10V | 4V A 250µA | 8.2 NC @ 10 V | ± 30V | 250 pf @ 25 V | - | 23W (TC) | ||||||||||||||||||||||
![]() | FDB603AL | 1.2200 | ![]() | 39 | 0,00000000 | Semicondutor Fairchild | PowerTrench® | Volume | Ativo | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-263AB | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | ALCANCE AFETADO | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 30 v | 33a (TC) | 4.5V, 10V | 22mohm @ 25a, 10V | 3V A 250µA | 26 NC A 10 V | ± 20V | 670 pf @ 15 V | - | 50W (TC) | ||||||||||||||||||||
![]() | FQD5N20LTM | 0,3300 | ![]() | 4354 | 0,00000000 | Semicondutor Fairchild | QFET® | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-252, (D-PAK) | download | Ear99 | 8542.39.0001 | 358 | N-canal | 200 v | 3.8a (TC) | 5V, 10V | 1.2OHM @ 1.9A, 10V | 2V A 250µA | 6,2 nc @ 5 V | ± 20V | 325 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 37W (TC) | |||||||||||||||||||||||
![]() | NDS9936 | 0,5400 | ![]() | 40 | 0,00000000 | Semicondutor Fairchild | - | Volume | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | NDS993 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 900MW | 8-SOIC | download | ROHS3 Compatível | Ear99 | 8541.21.0095 | 2.500 | 2 canal n (Duplo) | 30V | 5a | 50mohm @ 5a, 10V | 3V A 250µA | 35NC @ 10V | 525pf @ 15V | Portão de Nível Lógico | |||||||||||||||||||||||
![]() | NDS336p | - | ![]() | 8885 | 0,00000000 | Semicondutor Fairchild | - | Volume | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | SOT-23-3 | download | ROHS3 Compatível | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | Canal P. | 20 v | 1.2a (ta) | 2.7V, 4.5V | 200mohm @ 1.3a, 4.5V | 1V a 250µA | 8,5 nc a 4,5 V | ± 8V | 360 pf @ 10 V | - | 500mW (TA) | ||||||||||||||||||||||
![]() | SB29003TF | 0,1500 | ![]() | 124 | 0,00000000 | Semicondutor Fairchild | - | Volume | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-261-4, TO-261AA | 2 w | SOT-223-4 | - | Rohs Não Compatível | Fornecedor indefinido | 2156-SB29003TF | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 400 v | 300 mA | 500na | Npn | 750MV @ 5MA, 50MA | 50 @ 10MA, 10V | - | ||||||||||||||||||||||||
![]() | FDS6688S | 0,7200 | ![]() | 288 | 0,00000000 | Semicondutor Fairchild | PowerTrench® | Volume | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 8-SOIC | download | ROHS3 Compatível | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 30 v | 16a (ta) | 4.5V, 10V | 6mohm @ 16a, 10V | 3V @ 1Ma | 78 NC @ 10 V | ± 20V | 3290 pf @ 15 V | - | 2.5W (TA) | ||||||||||||||||||||||
![]() | BC337 | 1.0000 | ![]() | 6122 | 0,00000000 | Semicondutor Fairchild | - | Volume | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) Formou Leads | 625 MW | TO-92 (TO-226) | download | ROHS3 Compatível | Ear99 | 8541.21.0075 | 2.000 | 45 v | 800 mA | 100na | Npn | 700mv @ 50Ma, 500mA | 100 @ 100mA, 1V | 210MHz | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDMS3672 | - | ![]() | 7179 | 0,00000000 | Semicondutor Fairchild | - | Volume | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-POWERWDFN | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 8-mlp (5x6), Power56 | download | Rohs Não Compatível | Fornecedor indefinido | 2156-FDMS3672 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 100 v | 7.4a (ta), 22a (tc) | 6V, 10V | 23mohm @ 7.4a, 10V | 4V A 250µA | 44 NC @ 10 V | ± 20V | 2680 pf @ 50 V | - | 2.5W (TA), 78W (TC) | ||||||||||||||||||||
![]() | HUF75631SK8 | 0,9500 | ![]() | 4 | 0,00000000 | Semicondutor Fairchild | Ultrafet® | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 8-SOIC | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Fornecedor indefinido | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 100 v | 5.5a (ta) | 10V | 39mohm @ 5.5a, 10V | 4V A 250µA | 79 NC @ 20 V | ± 20V | 1225 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA) | ||||||||||||||||||||
![]() | FDB8445-F085 | 1.0000 | ![]() | 7636 | 0,00000000 | Semicondutor Fairchild | Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® | Volume | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | D2PAK (TO-263) | download | Não Aplicável | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 40 v | 70A (TC) | 10V | 9mohm @ 70a, 10V | 4V A 250µA | 62 NC @ 10 V | ± 20V | 3805 pf @ 25 V | - | 92W (TC) | ||||||||||||||||||||||
![]() | Fqu1N50tu | 0,1700 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Semicondutor Fairchild | QFET® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-251-3 leva Curtos, Ipak, TO-251AA | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | I-Pak | download | ROHS3 Compatível | Ear99 | 8541.29.0095 | 5.040 | N-canal | 500 v | 1.1a (TC) | 10V | 9OHM @ 550MA, 10V | 5V A 250µA | 5,5 nc @ 10 V | ± 30V | 150 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 25W (TC) |
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