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Transistores (3821)

Imageem Número do Produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade Dispon Svel Peso (kg) Mfr Série Pacote Status do produto Temperatura operacional Tipo de Montagem Pacote / Caso Número do Produto Base Tipo de Entrada Tecnologia Poder - Máx Pacote de Dispositivo de Fornecedor Ficha de Dadas Status do rohs Nível de sensibilidade à Umidade (msl) Status de alcance Nomes de Ulros ECCN Htsus PACOTE PADROO Configuraça TIPO DE FET Condição de teste Escorra para um tensão de origem (VDSS) Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C Tensão de conduça (max rds on, min rds on) Rds em (max) @ id, vgs VGS (th) (max) @ id Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS VGs (Máximoo) CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Recurso FET DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) TIPO IGBT Tensão - Colapso do Emissor de Colecionador (Max) Corrente - Coletor (IC) (Max) Corrente - Coletor Pulsa (ICM) Vce (on) (max) @ vge, ic Troca de Energia Carga do Portão TD (Ligado/Desligado) A 25 ° C Tensão - Quebra (V (BR) GSS) Corrente - DRENO (IDSS) @ VDS (VGS = 0) Tensão - Corte (VGS desligado) @ id Corrente - Corte de Colecionador (Max) Resistência - rds (on) Tipo de transistor Vce saturação (max) @ ib, ic Ganho ATUAL DE CC (HFE) (min) @ IC, VCE Frequencia - Transmissão
ISL9N310AP3 Fairchild Semiconductor ISL9N310AP3 0,3900
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Semicondutor Fairchild Ultrafet® Volume Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-220AB download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.29.0095 1 N-canal 30 v 62a (TC) 4.5V, 10V 10ohm @ 62a, 10a 3V A 250µA 48 nc @ 10 V ± 20V 1800 pf @ 15 V - 70W (TA)
2N3904TAR Fairchild Semiconductor 2N3904tar -
RFQ
 ECAD 2085 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) Formou Leads 625 MW TO-92-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.21.0095 1 40 v 200 MA 50na Npn 300mv @ 5MA, 50MA 100 @ 10Ma, 1V 300MHz
KSP8599CTA Fairchild Semiconductor KSP8599CTA 0,0200
RFQ
 ECAD 9617 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) Formou Leads 625 MW TO-92-3 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.21.0075 8.000 80 v 500 MA 100na Pnp 400mv @ 5Ma, 100mA 100 @ 1MA, 5V 150MHz
J106 Fairchild Semiconductor J106 -
RFQ
 ECAD 1489 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) 625 MW TO-92-3 download Ear99 8541.21.0095 1 N-canal - 25 v 200 mA a 15 V 2 V @ 1 µA 6 ohms
KSD1616GTA Fairchild Semiconductor KSD1616GTA -
RFQ
 ECAD 7609 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) Formou Leads 750 MW TO-92-3 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.21.0075 4.000 50 v 1 a 100na (ICBO) Npn 300mv @ 50ma, 1a 200 @ 100mA, 2V 160MHz
MMBT3906SL Fairchild Semiconductor MMBT3906SL 0,0300
RFQ
 ECAD 119 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície SOT-923F 227 MW SOT-923F download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 0000.00.0000 8.000 40 v 200 MA 50na Pnp 400mV @ 5MA, 50MA 100 @ 10Ma, 1V 250MHz
FQB33N10TM Fairchild Semiconductor FQB33N10TM 1.0000
RFQ
 ECAD 9376 0,00000000 Semicondutor Fairchild QFET® Volume Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab MOSFET (ÓXIDO DE METAL) D2PAK (TO-263) download Ear99 8542.39.0001 1 N-canal 100 v 33a (TC) 10V 52mohm @ 16.5a, 10V 4V A 250µA 51 NC @ 10 V ± 25V 1500 pf @ 25 V - 3.75W (TA), 127W (TC)
BC556BBU Fairchild Semiconductor BC556BBU 0,0200
RFQ
 ECAD 6062 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) 500 MW TO-92-3 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.21.0075 12.695 65 v 100 ma 15na (ICBO) Pnp 650mv @ 5Ma, 100mA 200 @ 2MA, 5V 150MHz
2N4124BU Fairchild Semiconductor 2N4124BU 0,0200
RFQ
 ECAD 6544 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) 625 MW TO-92-3 download ROHS3 Compatível 2156-2N4124BU-FS Ear99 8541.21.0075 1.000 25 v 200 MA 50na (ICBO) Npn 300mv @ 5MA, 50MA 120 @ 2MA, 1V 300MHz
FDMC8588DC Fairchild Semiconductor FDMC8588DC 1.0000
RFQ
 ECAD 8146 0,00000000 Semicondutor Fairchild PowerTrench® Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-PowerTdfn MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 8-PQFN (3,3x3.3) download Ear99 8542.39.0001 1 N-canal 25 v 17a (ta), 40a (tc) 4.5V, 10V 5mohm @ 18a, 10V 1.8V a 250µA 12 NC a 4,5 V ± 12V 1695 pf @ 13 V - 3W (TA), 41W (TC)
FGPF90N30 Fairchild Semiconductor FGPF90N30 0,9600
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco Pacote completo parágrafo 220-3 Padrão 56,8 w TO-220F-3 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 1 - - 300 v 220 a 1.55V @ 15V, 30A - 93 NC -
FGA20S140P Fairchild Semiconductor FGA20S140P 1.4800
RFQ
 ECAD 425 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco TO-3P-3, SC-65-3 FGA20S140 Padrão 272 w TO-3PN download Ear99 8542.39.0001 204 - Parada de Campo da Trinceira 1400 v 40 a 60 a 2.4V @ 15V, 20A - 203.5 NC -
KSA916OBU Fairchild Semiconductor KSA916OBU 0,1000
RFQ
 ECAD 53 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 Corpo Longo 900 MW TO-92-3 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.21.0075 6.000 120 v 800 mA 100na (ICBO) Pnp 1V @ 50MA, 500mA 80 @ 100mA, 5V 120MHz
FDFS2P102 Fairchild Semiconductor FDFS2P102 0,4300
RFQ
 ECAD 14 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 8-SOIC download ROHS3 Compatível Ear99 8541.21.0095 2.500 Canal P. 20 v 3.3a ​​(ta) 4.5V, 10V 125mohm @ 3.3a, 10V 2V A 250µA 10 nc @ 10 V ± 20V 270 pf @ 10 V Diodo Schottky (Isolado) 900MW (TA)
FDD4243 Fairchild Semiconductor FDD4243 -
RFQ
 ECAD 4995 0,00000000 Semicondutor Fairchild PowerTrench® Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-252, (D-PAK) download Ear99 8542.39.0001 1 Canal P. 40 v 6.7a (ta), 14a (tc) 4.5V, 10V 44mohm @ 6.7a, 10V 3V A 250µA 29 NC @ 10 V ± 20V 1550 pf @ 20 V - 42W (TC)
FDPF20N50FT Fairchild Semiconductor FDPF20N50FT 1.0000
RFQ
 ECAD 6889 0,00000000 Semicondutor Fairchild Unifet ™ Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco Pacote completo parágrafo 220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-220F-3 download Ear99 8542.39.0001 1 N-canal 500 v 20a (TC) 10V 260mohm @ 10a, 10V 5V A 250µA 65 nc @ 10 V ± 30V 3390 pf @ 25 V - 38.5W (TC)
BC856CMTF Fairchild Semiconductor BC856CMTF -
RFQ
 ECAD 7356 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BC856 310 MW SOT-23-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 0000.00.0000 3.000 65 v 100 ma 15na (ICBO) Pnp 650mv @ 5Ma, 100mA 420 @ 2MA, 5V 150MHz
FDW2521C Fairchild Semiconductor FDW2521C 1.0000
RFQ
 ECAD 6749 0,00000000 Semicondutor Fairchild PowerTrench® Volume Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm de largura) FDW25 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 600mW 8-TSSOP download ROHS3 Compatível Ear99 8541.21.0095 2.500 N E P-Canal 20V 5.5a, 3.8a 21mohm @ 5.5a, 4.5V 1,5V a 250µA 17NC @ 4.5V 1082pf @ 10V Portão de Nível Lógico
KSB798YTF Fairchild Semiconductor KSB798YTF -
RFQ
 ECAD 8252 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-243AA 2 w SOT-89-3 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0075 1.455 25 v 1 a 100na (ICBO) Pnp 400mv @ 100ma, 1a 135 @ 100mA, 1V 110MHz
FJC1963RTF Fairchild Semiconductor Fjc1963rtf -
RFQ
 ECAD 5688 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-243AA 500 MW SOT-89-3 - ROHS3 Compatível Ear99 8541.21.0095 4.000 30 v 3 a 500na Npn 450mv a 150mA, 1.5a 180 @ 500MA, 2V -
KSC2330YH2TA Fairchild Semiconductor KSC2330YH2TA 0,2100
RFQ
 ECAD 10 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 Corpo Longo (Fios Formados) 1 w TO-92-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.29.0075 1 300 v 100 ma 100na (ICBO) Npn 500mV @ 1Ma, 10MA 120 @ 20MA, 10V 50MHz
FQA7N90 Fairchild Semiconductor FQA7N90 1.4900
RFQ
 ECAD 939 0,00000000 Semicondutor Fairchild QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-3P-3, SC-65-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-3P download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 30 N-canal 900 v 7.4a (TC) 10V 1.55Ohm @ 3.7a, 10V 5V A 250µA 59 NC @ 10 V ± 30V 2280 pf @ 25 V - 198W (TC)
FDMS3602S Fairchild Semiconductor FDMS3602S 1.7100
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Semicondutor Fairchild PowerTrench® Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-PowerTdfn FDMS3602 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 1w Power56 download Ear99 8542.39.0001 192 2 canal n (Duplo) 25V 15a, 26a 5.6mohm @ 15a, 10V 3V A 250µA 27NC @ 10V 1680pf @ 13V Portão de Nível Lógico
KSP92BU Fairchild Semiconductor Ksp92bu 0,0500
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) 625 MW TO-92-3 download Ear99 8541.21.0095 6.073 300 v 500 MA 250na (ICBO) Pnp 500MV @ 2MA, 20MA 25 @ 30MA, 10V 50MHz
FDD5N50FTM Fairchild Semiconductor Fdd5n50ftm 0,7500
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Semicondutor Fairchild PowerTrench® Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-252, (D-PAK) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 1 N-canal 500 v 3.5a (TC) 10V 1.55Ohm @ 1.75a, 10V 5V A 250µA 15 nc @ 10 V ± 30V 650 pf @ 25 V - 40W (TC)
MMBT5551 Fairchild Semiconductor MMBT5551 0,0400
RFQ
 ECAD 227 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 350 MW SOT-23-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.21.0095 3.000 160 v 600 mA 50na (ICBO) Npn 200mv @ 5Ma, 50Ma 80 @ 10Ma, 5V 100MHz
FQPF10N20 Fairchild Semiconductor FQPF10N20 0,4100
RFQ
 ECAD 3066 0,00000000 Semicondutor Fairchild QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco Pacote completo parágrafo 220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-220F-3 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 16 N-canal 200 v 6.8a (TC) 10V 360mohm @ 3.4a, 10V 5V A 250µA 18 NC @ 10 V ± 30V 670 pf @ 25 V - 40W (TC)
IRFP460C Fairchild Semiconductor IRFP460C -
RFQ
 ECAD 8134 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-3P-3, SC-65-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-3P download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 30 N-canal 500 v 20a (TC) 10V 240mohm @ 10a, 10V 4V A 250µA 170 nc @ 10 V ± 30V 6000 pf @ 25 V - 235W (TC)
FQAF7N90 Fairchild Semiconductor FQAF7N90 1.4700
RFQ
 ECAD 877 0,00000000 Semicondutor Fairchild QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco Pacote completo para 3p-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-3PF download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 360 N-canal 900 v 5.2a (TC) 10V 1.55Ohm @ 2.6a, 10V 5V A 250µA 59 NC @ 10 V ± 30V 2280 pf @ 25 V - 107W (TC)
HUF75344P3_NL Fairchild Semiconductor Huf75344p3_nl 1.1800
RFQ
 ECAD 312 0,00000000 Semicondutor Fairchild Ultrafet® Volume Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) To-220-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 1 N-canal 55 v 75a (TC) 10V 8mohm @ 75a, 10V 4V A 250µA 210 NC @ 20 V ± 20V 3200 pf @ 25 V - 285W (TC)
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