SIC
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Transistores (3821)

Imageem Número do Produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade Dispon Svel Peso (kg) Mfr Série Pacote Status do produto Temperatura operacional Tipo de Montagem Pacote / Caso Número do Produto Base Tipo de Entrada Tecnologia Poder - Máx Pacote de Dispositivo de Fornecedor Ficha de Dadas Status do rohs Nível de sensibilidade à Umidade (msl) Status de alcance ECCN Htsus PACOTE PADROO Configuraça TIPO DE FET Condição de teste Ganho Escorra para um tensão de origem (VDSS) Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C Tensão de conduça (max rds on, min rds on) Rds em (max) @ id, vgs VGS (th) (max) @ id Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS VGs (Máximoo) CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Recurso FET DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) TIPO IGBT Tensão - Colapso do Emissor de Colecionador (Max) Corrente - Coletor (IC) (Max) Corrente - Coletor Pulsa (ICM) Vce (on) (max) @ vge, ic Troca de Energia Carga do Portão TD (Ligado/Desligado) A 25 ° C Corrente - Corte de Colecionador (Max) Tipo de transistor Vce saturação (max) @ ib, ic Ganho ATUAL DE CC (HFE) (min) @ IC, VCE Frequencia - Transmissão Resistor - Base (R1) Resistor - Base de Emissor (R2) Figura de Ruído (dB typ @ f)
MPS5179 Fairchild Semiconductor MPS5179 -
RFQ
 ECAD 9849 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto - Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) Formou Leads 200mw TO-92 (TO-226) download ROHS3 Compatível Ear99 8541.21.0075 774 - 12V 50mA Npn 25 @ 3MA, 1V 2GHz -
FDP8880 Fairchild Semiconductor FDP8880 0,5200
RFQ
 ECAD 62 0,00000000 Semicondutor Fairchild PowerTrench® Volume Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) To-220-3 download Ear99 8542.39.0001 573 N-canal 30 v 11a (ta), 54a (tc) 4.5V, 10V 11.6mohm @ 40a, 10V 2,5V a 250µA 29 NC @ 10 V ± 20V 1240 pf @ 15 V - 55W (TC)
FGA90N30DTU Fairchild Semiconductor FGA90N30DTU 2.5200
RFQ
 ECAD 70 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-3P-3, SC-65-3 Padrão 219 w TO-3P download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 30 - 21 ns - 300 v 90 a 220 a 1.4V @ 15V, 20A - 87 NC -
FDD6780 Fairchild Semiconductor FDD6780 0,2500
RFQ
 ECAD 12 0,00000000 Semicondutor Fairchild PowerTrench® Volume Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-252, (D-PAK) download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 2.500 N-canal 25 v 16.5a (ta), 30a (tc) 4.5V, 10V 8.5mohm @ 16.5a, 10V 3V A 250µA 29 NC @ 10 V ± 20V 1590 pf @ 13 V - 3.7W (TA), 32,6W (TC)
FDS6685 Fairchild Semiconductor FDS6685 1.3900
RFQ
 ECAD 19 0,00000000 Semicondutor Fairchild PowerTrench® Volume Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 8-SOIC download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 2.500 Canal P. 30 v 8.8a (ta) 4.5V, 10V 20mohm @ 8.8a, 10V 3V A 250µA 24 nc @ 5 V ± 25V 1604 pf @ 15 V - 2.5W (TA)
KSC1730YBU Fairchild Semiconductor KSC1730YBU 0,0200
RFQ
 ECAD 584 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) 250mw TO-92-3 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.21.0075 1.000 - 15V 50mA Npn 120 @ 5MA, 10V 1,1 GHz -
FDD8882 Fairchild Semiconductor FDD8882 0,5100
RFQ
 ECAD 11 0,00000000 Semicondutor Fairchild PowerTrench® Volume Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-252, (D-PAK) download Ear99 8542.39.0001 588 N-canal 30 v 12.6a (ta), 55a (tc) 4.5V, 10V 11.5mohm @ 35a, 10V 2,5V a 250µA 33 nc @ 10 V ± 20V 1260 pf @ 15 V - 55W (TC)
FDS8926 Fairchild Semiconductor FDS8926 0,9400
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Semicondutor Fairchild * Volume Ativo FDS89 - - Não Aplicável 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8542.39.0001 1 -
FJY4007R Fairchild Semiconductor FJY4007R 0,0200
RFQ
 ECAD 4058 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto Montagem na Superfície SC-89, SOT-490 FJY400 200 MW SOT-523F download ROHS3 Compatível Ear99 8541.21.0075 3.000 50 v 100 ma 100na (ICBO) PNP - Pré -tendencioso 300mv @ 500µA, 10MA 68 @ 5MA, 5V 200 MHz 22 Kohms 47 Kohms
FQAF8N80 Fairchild Semiconductor FQAF8N80 1.6700
RFQ
 ECAD 557 0,00000000 Semicondutor Fairchild QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco Pacote completo para 3p-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-3PF download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 360 N-canal 800 v 5.9a (TC) 10V 1.2OHM @ 2.95A, 10V 5V A 250µA 57 nc @ 10 V ± 30V 2350 pf @ 25 V - 107W (TC)
FQU10N20LTU Fairchild Semiconductor Fqu10N20LTU 0,4300
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Semicondutor Fairchild QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-251-3 leva Curtos, Ipak, TO-251AA MOSFET (ÓXIDO DE METAL) I-Pak download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 70 N-canal 200 v 7.6a (TC) 5V, 10V 360mohm @ 3.8a, 10V 2V A 250µA 17 NC @ 5 V ± 20V 830 pf @ 25 V - 2.5W (TA), 51W (TC)
ISL9N306AD3 Fairchild Semiconductor ISL9N306AD3 0,8700
RFQ
 ECAD 8 0,00000000 Semicondutor Fairchild Ultrafet® Volume Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco TO-251-3 leva Curtos, Ipak, TO-251AA MOSFET (ÓXIDO DE METAL) I-Pak download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) ALCANCE AFETADO Ear99 8541.29.0095 1 N-canal 30 v 50a (TC) 4.5V, 10V 6mohm @ 50a, 10V 3V A 250µA 90 nc @ 10 V ± 20V 3400 pf @ 15 V - 125W (TA)
BUT12A Fairchild Semiconductor But12a 0,9400
RFQ
 ECAD 820 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto 150 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 100 w To-220-3 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 200 450 v 8 a 1Ma Npn 1.5V @ 1.2a, 6a - -
FQD5N40TM Fairchild Semiconductor FQD5N40TM 0,4400
RFQ
 ECAD 157 0,00000000 Semicondutor Fairchild QFET® Volume Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-252, (D-PAK) download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 2.500 N-canal 400 v 3.4a (TC) 10V 1.6OHM @ 1.7A, 10V 5V A 250µA 13 NC @ 10 V ± 30V 460 pf @ 25 V - 2.5W (TA), 45W (TC)
FQI10N20CTU Fairchild Semiconductor FQI10N20CTU 0,4100
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Semicondutor Fairchild QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-262-3 Leitos Longos, i²pak, TO-262AA MOSFET (ÓXIDO DE METAL) I2pak (to-262) download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 1.000 N-canal 200 v 9.5a (TC) 10V 360mohm @ 4.75a, 10V 4V A 250µA 26 NC A 10 V ± 30V 510 pf @ 25 V - 72W (TC)
FDB8442 Fairchild Semiconductor FDB8442 1.6700
RFQ
 ECAD 10 0,00000000 Semicondutor Fairchild PowerTrench® Volume Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab MOSFET (ÓXIDO DE METAL) D2PAK (TO-263) download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 800 N-canal 40 v 28a (TA), 80A (TC) 10V 2.9mohm @ 80a, 10V 4V A 250µA 235 NC @ 10 V ± 20V 12200 pf @ 25 V - 254W (TC)
MMBT2484 Fairchild Semiconductor MMBT2484 -
RFQ
 ECAD 7247 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBT2484 350 MW SOT-23-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 0000.00.0000 3.000 60 v 100 ma 10na (ICBO) Npn 350mv @ 100µA, 1MA 100 @ 10µA, 5V -
FQB8N90CTM Fairchild Semiconductor FQB8N90CTM 1.0000
RFQ
 ECAD 2139 0,00000000 Semicondutor Fairchild QFET® Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab MOSFET (ÓXIDO DE METAL) D2PAK (TO-263) download Ear99 8542.39.0001 1 N-canal 900 v 6.3a (TC) 10V 1.9OHM @ 3.15A, 10V 5V A 250µA 45 nc @ 10 V ± 30V 2080 pf @ 25 V - 171W (TC)
IRF630A Fairchild Semiconductor IRF630A -
RFQ
 ECAD 4655 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) To-220 download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.29.0095 1 N-canal 200 v 9a (TC) 10V 400mohm @ 4.5a, 10V 4V A 250µA 29 NC @ 10 V ± 30V 650 pf @ 25 V - 72W (TC)
FDP13AN06A0_NL Fairchild Semiconductor FDP13AN06A0_NL -
RFQ
 ECAD 4876 0,00000000 Semicondutor Fairchild PowerTrench® Volume Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) To-220-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 1 N-canal 60 v 10.9a (ta), 62a (tc) 6V, 10V 13.5mohm @ 62a, 10V 4V A 250µA 29 NC @ 10 V ± 20V 1350 pf @ 25 V - 115W (TC)
FDS7766S Fairchild Semiconductor FDS7766S 2.3900
RFQ
 ECAD 5 0,00000000 Semicondutor Fairchild PowerTrench® Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 8-SOIC download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 2.500 N-canal 30 v 17a (TA) 4.5V, 10V 5.5mohm @ 17a, 10V 3V @ 1Ma 58 nc @ 5 V ± 16V 4785 pf @ 15 V - 1W (TA)
FDS7764A Fairchild Semiconductor FDS7764A 0,9900
RFQ
 ECAD 75 0,00000000 Semicondutor Fairchild PowerTrench® Volume Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 8-SOIC download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 2.500 N-canal 30 v 15a (ta) 7.5mohm @ 15a, 4.5V 2V A 250µA 40 NC a 4,5 V 3451 pf @ 15 V - -
FPF1C2P5BF07A Fairchild Semiconductor FPF1C2P5BF07A 71.4300
RFQ
 ECAD 433 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem do chassi Módulo F1 FPF1C2 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 250W F1 download Ear99 8542.39.0001 1 5 CANais N (Inversor Solar) 650V 36a 90mohm @ 27a, 10V 3,8V a 250µA - - -
KSH45H11TF Fairchild Semiconductor KSH45H11TF 1.0000
RFQ
 ECAD 4431 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 Ksh45 1,75 w D-Pak download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) ALCANCE AFETADO Ear99 0000.00.0000 2.000 80 v 8 a 10µA Pnp 1V @ 400Ma, 8a 40 @ 4A, 1V 40MHz
FJX4002RTF Fairchild Semiconductor Fjx4002rtf 0,0200
RFQ
 ECAD 16 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto Montagem na Superfície SC-70, SOT-323 FJX400 200 MW SC-70-3 (SOT323) download ROHS3 Compatível Ear99 8541.21.0075 3.000 50 v 100 ma 100na (ICBO) PNP - Pré -tendencioso 300mv @ 500µA, 10MA 30 @ 5MA, 5V 200 MHz 10 Kohms 10 Kohms
HUFA75329S3ST Fairchild Semiconductor HUFA75329S3ST 0,4400
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 ECAD 5 0,00000000 Semicondutor Fairchild Ultrafet ™ Volume Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab MOSFET (ÓXIDO DE METAL) D2PAK (TO-263) download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 800 N-canal 55 v 49a (TC) 10V 24mohm @ 49a, 10V 4V A 250µA 75 NC @ 20 V ± 20V 1060 pf @ 25 V - 128W (TC)
FDM2509NZ Fairchild Semiconductor FDM2509NZ 0,3700
RFQ
 ECAD 4 0,00000000 Semicondutor Fairchild PowerTrench® Volume Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 6-AUDFN PAD EXPOSTO FDM2509 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 800mw Microfet 2x2 Thin download ROHS3 Compatível Ear99 8541.21.0095 3.000 2 canal n (Duplo) 20V 8.7a 18mohm @ 8.7a, 4.5V 1,5V a 250µA 17NC @ 4.5V 1200pf @ 10V Portão de Nível Lógico
IRFM220BTF Fairchild Semiconductor IRFM220BTF 0,2900
RFQ
 ECAD 70 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-261-4, TO-261AA MOSFET (ÓXIDO DE METAL) SOT-223-4 download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 4.000 N-canal 200 v 1.13a (TC) 10V 800mohm @ 570mA, 10V 4V A 250µA 16 nc @ 10 V ± 30V 390 pf @ 25 V - 2.4W (TC)
FDMC0222 Fairchild Semiconductor FDMC0222 0,1400
RFQ
 ECAD 60 0,00000000 Semicondutor Fairchild * Volume Ativo FDMC02 - - Não Aplicável 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8542.39.0001 3.000 -
HUFA76445S3S Fairchild Semiconductor HUFA76445S3S 1.0600
RFQ
 ECAD 500 0,00000000 Semicondutor Fairchild Ultrafet ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab MOSFET (ÓXIDO DE METAL) D2PAK (TO-263) download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 50 N-canal 60 v 75a (TC) 4.5V, 10V 6.5mohm @ 75a, 10V 3V A 250µA 150 nc @ 10 V ± 16V 4965 pf @ 25 V - 310W (TC)
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