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Transistores (3821)

Imageem Número do Produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade Dispon Svel Peso (kg) Mfr Série Pacote Status do produto Temperatura operacional Tipo de Montagem Pacote / Caso Número do Produto Base Tipo de Entrada Tecnologia Poder - Máx Pacote de Dispositivo de Fornecedor Ficha de Dadas Status do rohs ECCN Htsus PACOTE PADROO Configuraça TIPO DE FET Condição de teste Escorra para um tensão de origem (VDSS) Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C Tensão de conduça (max rds on, min rds on) Rds em (max) @ id, vgs VGS (th) (max) @ id Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS VGs (Máximoo) CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Recurso FET DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) TIPO IGBT Tensão - Colapso do Emissor de Colecionador (Max) Corrente - Coletor (IC) (Max) Corrente - Coletor Pulsa (ICM) Vce (on) (max) @ vge, ic Troca de Energia Carga do Portão TD (Ligado/Desligado) A 25 ° C Corrente - Corte de Colecionador (Max) Tipo de transistor Vce saturação (max) @ ib, ic Ganho ATUAL DE CC (HFE) (min) @ IC, VCE Frequencia - Transmissão
FQP32N12V2 Fairchild Semiconductor FQP32N12V2 0,5900
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Semicondutor Fairchild QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) To-220-3 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 1.000 N-canal 120 v 32a (TC) 10V 50mohm @ 16a, 10V 4V A 250µA 53 nc @ 10 V ± 30V 1860 pf @ 25 V - 150W (TC)
NDH8304P Fairchild Semiconductor NDH8304P 0,7000
RFQ
 ECAD 78 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-TSOP (0,130 ", 3,30 mm de largura) NDH8304 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 800mw SuperSot ™ -8 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.21.0095 3.000 2 Canal P (Duplo) 20V 2.7a 70mohm @ 2.7a, 4.5V 1V a 250µA 23NC @ 4.5V 865pf @ 10V Portão de Nível Lógico
FDB3672 Fairchild Semiconductor FDB3672 1.9100
RFQ
 ECAD 160 0,00000000 Semicondutor Fairchild PowerTrench® Volume Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab MOSFET (ÓXIDO DE METAL) D2PAK (TO-263) download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 800 N-canal 100 v 7.2a (ta), 44a (tc) 6V, 10V 28mohm @ 44a, 10V 4V A 250µA 31 NC @ 10 V ± 20V 1710 pf @ 25 V - 120W (TC)
HUF75329D3S Fairchild Semiconductor HUF75329D3S 0,9600
RFQ
 ECAD 4 0,00000000 Semicondutor Fairchild Ultrafet ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-252, (D-PAK) download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 1.800 N-canal 55 v 20a (TC) 10V 26mohm @ 20a, 10V 4V A 250µA 65 NC @ 20 V ± 20V 1060 pf @ 25 V - 128W (TC)
FJN3303BU Fairchild Semiconductor FJN3303BU -
RFQ
 ECAD 6963 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) 1.1 w TO-92-3 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 1.000 400 v 1.5 a 10µA (ICBO) Npn 3V @ 500MA, 1.5A 14 @ 500mA, 2V 4MHz
FDJ1028N Fairchild Semiconductor FDJ1028N 0,2900
RFQ
 ECAD 14 0,00000000 Semicondutor Fairchild PowerTrench® Volume Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície SC-75-6 FLMP FDJ1028 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 1.5W SC75-6 FLMP download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 3.000 2 canal n (Duplo) 20V 3.2a 90mohm @ 3.2a, 4.5V 1,5V a 250µA 3NC @ 4.5V 200pf @ 10V Portão de Nível Lógico
HUFA76409D3S Fairchild Semiconductor HUFA76409D3S 0,2500
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Semicondutor Fairchild Ultrafet ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-252, (D-PAK) download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 1.224 N-canal 60 v 18a (TC) 4.5V, 10V 63mohm @ 18a, 10V 3V A 250µA 15 nc @ 10 V ± 16V 485 pf @ 25 V - 49W (TC)
KSD1616ALBU Fairchild Semiconductor KSD1616albu 0,0700
RFQ
 ECAD 490 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) 750 MW TO-92-3 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.21.0075 10.000 60 v 1 a 100na (ICBO) Npn 300mv @ 50ma, 1a 300 @ 100mA, 2V 160MHz
NDC632P Fairchild Semiconductor NDC632P 1.0000
RFQ
 ECAD 2348 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) SuperSot ™ -6 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.21.0095 3.000 Canal P. 20 v 2.7a (ta) 2.7V, 4.5V 140mohm @ 2.7a, 4.5V 1V a 250µA 15 NC a 4,5 V -8V 550 pf @ 10 V - 1.6W (TA)
2N4400TF Fairchild Semiconductor 2N4400TF 0,0200
RFQ
 ECAD 20 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) Formou Leads 625 MW TO-92-3 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.21.0095 2.000 40 v 600 mA - Npn 750mv @ 50Ma, 500mA 50 @ 150mA, 1V -
NDH832P Fairchild Semiconductor Ndh832p 0,3700
RFQ
 ECAD 73 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-TSOP (0,130 ", 3,30 mm de largura) MOSFET (ÓXIDO DE METAL) SuperSot ™ -8 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.21.0095 3.000 Canal P. 20 v 4.2a (ta) 2.7V, 4.5V 60mohm @ 4.2a, 4.5V 1V a 250µA 30 NC a 4,5 V -8V 1000 pf @ 10 V - 1.8W (TA)
FDW2501NZ Fairchild Semiconductor FDW2501NZ -
RFQ
 ECAD 8759 0,00000000 Semicondutor Fairchild PowerTrench® Volume Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm de largura) FDW25 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 600mW 8-TSSOP download ROHS3 Compatível Ear99 8541.21.0095 3 2 canal n (Duplo) 20V 5.5a 18mohm @ 5.5a, 4.5V 1,5V a 250µA 17NC @ 4.5V 1286pf @ 10V Portão de Nível Lógico
FDS7296N3 Fairchild Semiconductor FDS7296N3 1.0700
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Semicondutor Fairchild PowerTrench® Volume Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 8-so download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 2.500 N-canal 30 v 15a (ta) 4.5V, 10V 8mohm @ 15a, 10V 3V A 250µA 32 NC @ 10 V ± 20V 1540 pf @ 15 V - 3W (TA)
FDB8442 Fairchild Semiconductor FDB8442 1.6700
RFQ
 ECAD 10 0,00000000 Semicondutor Fairchild PowerTrench® Volume Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab MOSFET (ÓXIDO DE METAL) D2PAK (TO-263) download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 800 N-canal 40 v 28a (TA), 80A (TC) 10V 2.9mohm @ 80a, 10V 4V A 250µA 235 NC @ 10 V ± 20V 12200 pf @ 25 V - 254W (TC)
FQB9N08TM Fairchild Semiconductor Fqb9n08tm 0,3100
RFQ
 ECAD 7 0,00000000 Semicondutor Fairchild QFET® Volume Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab MOSFET (ÓXIDO DE METAL) D2PAK (TO-263) download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 800 N-canal 80 v 9.3a (TC) 10V 210mohm @ 4.65a, 10V 4V A 250µA 7,7 nc @ 10 V ± 25V 250 pf @ 25 V - 3.75W (TA), 40W (TC)
ZTX749A Fairchild Semiconductor ZTX749A 0,1400
RFQ
 ECAD 12 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) 1 w To-226 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0075 1.500 35 v 2 a 100na (ICBO) Pnp 500mv @ 200Ma, 2a 100 @ 1A, 2V 100MHz
FGP20N6S2D Fairchild Semiconductor FGP20N6S2D -
RFQ
 ECAD 2535 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 Padrão 125 w To-220-3 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 400 390V, 7A, 25OHM, 15V 31 ns - 600 v 28 a 40 a 2.7V @ 15V, 7a 25µJ (ON), 58µJ (Desligado) 30 NC 7.7ns/87ns
FDP6030L Fairchild Semiconductor FDP6030L 0,5700
RFQ
 ECAD 61 0,00000000 Semicondutor Fairchild PowerTrench® Tubo Obsoleto -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) To-220-3 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 50 N-canal 30 v 48a (TA) 4.5V, 10V 13mohm @ 26a, 10V 3V A 250µA 18 NC @ 5 V ± 20V 1250 pf @ 15 V - 52W (TC)
FQN1N50CBU Fairchild Semiconductor FQN1N50CBU -
RFQ
 ECAD 8745 0,00000000 Semicondutor Fairchild QFET® Volume Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-92-3 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.21.0095 1.447 N-canal 500 v 380mA (TC) 10V 6ohm @ 190ma, 10V 4V A 250µA 6,4 nc @ 10 V ± 30V 195 pf @ 25 V - 890MW (TA), 2,08W (TC)
FQI4N25TU Fairchild Semiconductor Fqi4n25tu 0,1900
RFQ
 ECAD 8002 0,00000000 Semicondutor Fairchild QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-262-3 Leitos Longos, i²pak, TO-262AA MOSFET (ÓXIDO DE METAL) I2pak (to-262) download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 1.175 N-canal 250 v 3.6a (TC) 10V 1.75Ohm @ 1.8a, 10V 5V A 250µA 5,6 nc @ 10 V ± 30V 200 pf @ 25 V - 3.13W (TA), 52W (TC)
HUF75623P3 Fairchild Semiconductor HUF75623P3 0,5200
RFQ
 ECAD 4 0,00000000 Semicondutor Fairchild Ultrafet ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) To-220-3 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 400 N-canal 100 v 22a (TC) 10V 64mohm @ 22a, 10V 4V A 250µA 52 NC @ 20 V ± 20V 790 pf @ 25 V - 85W (TC)
HUF75337P3 Fairchild Semiconductor HUF75337P3 -
RFQ
 ECAD 2357 0,00000000 Semicondutor Fairchild Ultrafet ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) To-220-3 download Rohs Não Compatível Ear99 8541.29.0095 400 N-canal 55 v 75a (TC) 10V 14mohm @ 75a, 10V 4V A 250µA 109 NC @ 20 V ± 20V 1775 pf @ 25 V - 175W (TC)
RFP45N06 Fairchild Semiconductor RFP45N06 0,7300
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) To-220-3 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 400 N-canal 60 v 45a (TC) 10V 28mohm @ 45a, 10V 4V A 250µA 150 nc @ 20 V ± 20V 2050 PF @ 25 V - 131W (TC)
HUF75531SK8T Fairchild Semiconductor HUF75531SK8T -
RFQ
 ECAD 5192 0,00000000 Semicondutor Fairchild Ultrafet ™ Volume Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 8-SOIC download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 2.500 N-canal 80 v 6a (ta) 10V 30mohm @ 6a, 10V 4V A 250µA 82 NC @ 20 V ± 20V 1210 pf @ 25 V - 2.5W (TA)
MPS651 Fairchild Semiconductor MPS651 -
RFQ
 ECAD 8489 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) 625 MW TO-92-3 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.21.0095 2.000 60 v 800 mA 100na (ICBO) Npn 500mv @ 200Ma, 2a 75 @ 1A, 2V 75MHz
FDM2509NZ Fairchild Semiconductor FDM2509NZ 0,3700
RFQ
 ECAD 4 0,00000000 Semicondutor Fairchild PowerTrench® Volume Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 6-AUDFN PAD EXPOSTO FDM2509 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 800mw Microfet 2x2 Thin download ROHS3 Compatível Ear99 8541.21.0095 3.000 2 canal n (Duplo) 20V 8.7a 18mohm @ 8.7a, 4.5V 1,5V a 250µA 17NC @ 4.5V 1200pf @ 10V Portão de Nível Lógico
FQP6P25 Fairchild Semiconductor FQP6P25 0,8300
RFQ
 ECAD 127 0,00000000 Semicondutor Fairchild QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) To-220-3 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 1.000 Canal P. 250 v 6a (TC) 10V 1.1OHM @ 3A, 10V 5V A 250µA 27 NC @ 10 V ± 30V 780 pf @ 25 V - 90W (TC)
BC32716BU Fairchild Semiconductor BC32716BU 0,0400
RFQ
 ECAD 44 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) 625 MW TO-92-3 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.21.0075 10.000 45 v 800 mA 100na Pnp 700mv @ 50Ma, 500mA 100 @ 100mA, 1V 100MHz
FDU6296 Fairchild Semiconductor FDU6296 0,5300
RFQ
 ECAD 7 0,00000000 Semicondutor Fairchild PowerTrench® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco TO-251-3 leva Curtos, Ipak, TO-251AA MOSFET (ÓXIDO DE METAL) I-Pak download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 75 N-canal 30 v 15a (ta), 50a (tc) 4.5V, 10V 8.8mohm @ 15a, 10V 3V A 250µA 31,5 nc @ 10 V ± 20V 1440 pf @ 15 V - 3.8W (TA), 52W (TC)
FDS4895C Fairchild Semiconductor FDS4895C 1.0000
RFQ
 ECAD 5000 0,00000000 Semicondutor Fairchild PowerTrench® Volume Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) FDS48 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 900MW 8-SOIC download ROHS3 Compatível Ear99 8541.21.0095 2.500 N E P-Canal 40V 5.5a, 4.4a 39mohm @ 5.5a, 10V 5V A 250µA 10NC @ 10V 410pf @ 20V -
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