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Transistores (3821)

Imageem Número do Produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade Dispon Svel Peso (kg) Mfr Série Pacote Status do produto Temperatura operacional Tipo de Montagem Pacote / Caso Número do Produto Base Tipo de Entrada Tecnologia Poder - Máx Entrada Pacote de Dispositivo de Fornecedor Ficha de Dadas Status do rohs Nível de sensibilidade à Umidade (msl) Status de alcance Nomes de Ulros ECCN Htsus PACOTE PADROO Configuraça TIPO DE FET Condição de teste Escorra para um tensão de origem (VDSS) Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C Tensão de conduça (max rds on, min rds on) Rds em (max) @ id, vgs VGS (th) (max) @ id Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS VGs (Máximoo) CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Recurso FET DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) TIPO IGBT Tensão - Colapso do Emissor de Colecionador (Max) Corrente - Coletor (IC) (Max) Corrente - Coletor Pulsa (ICM) Vce (on) (max) @ vge, ic Troca de Energia Carga do Portão TD (Ligado/Desligado) A 25 ° C Tensão - Quebra (V (BR) GSS) Corrente - DRENO (IDSS) @ VDS (VGS = 0) Tensão - Corte (VGS desligado) @ id Corrente - Corte de Colecionador (Max) Termistor NTC CapacitânCia de Entrada (CIES) @ VCE Resistência - rds (on) Tipo de transistor Vce saturação (max) @ ib, ic Ganho ATUAL DE CC (HFE) (min) @ IC, VCE Frequencia - Transmissão
HRF3205 Fairchild Semiconductor HRF3205 1.5800
RFQ
 ECAD 82 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) To-220-3 download Rohs Não Compatível Ear99 8541.29.0095 400 N-canal 55 v 100a (TC) 8mohm @ 59a, 10V 4V A 250µA 170 nc @ 10 V ± 20V 4000 pf @ 25 V - 175W (TC)
FMM7G50US60I Fairchild Semiconductor FMM7G50US60i 28.1700
RFQ
 ECAD 31 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco Módlo 139 w Retificador de Ponte Trifásica - download Rohs Não Compatível Alcançar Não Afetado 2156-FMM7G50US60I Ear99 8541.29.0095 1 Inversor trifásico com freio - 600 v 50 a 2.7V @ 15V, 50A 250 µA Sim 3.565 NF @ 30 V
FCPF11N60NT Fairchild Semiconductor Fcpf11n60nt 2.2300
RFQ
 ECAD 14 0,00000000 Semicondutor Fairchild Supermos ™ Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco Pacote completo parágrafo 220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-220F-3 download Ear99 8542.39.0001 135 N-canal 600 v 10.8a (TC) 10V 299mohm @ 5.4a, 10V 4V A 250µA 35,6 nc @ 10 V ± 30V 1505 pf @ 100 V - 32.1W (TC)
HUF75321P3 Fairchild Semiconductor HUF75321P3 0,6400
RFQ
 ECAD 13 0,00000000 Semicondutor Fairchild Ultrafet ™ Volume Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) To-220-3 download Ear99 8542.39.0001 468 N-canal 55 v 35a (TC) 10V 34mohm @ 35a, 10V 4V A 250µA 44 NC @ 20 V ± 20V 680 pf @ 25 V - 93W (TC)
BC857AMTF Fairchild Semiconductor BC857Amtf 0,0300
RFQ
 ECAD 195 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BC857 310 MW SOT-23-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 0000.00.0000 3.000 45 v 100 ma 15na (ICBO) Pnp 650mv @ 5Ma, 100mA 110 @ 2MA, 5V 150MHz
FDS4672A Fairchild Semiconductor FDS4672A -
RFQ
 ECAD 6057 0,00000000 Semicondutor Fairchild PowerTrench® Volume Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) FDS4672 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 8-SOIC download Ear99 8542.39.0001 1 N-canal 40 v 11a (ta) 4.5V 13mohm @ 11a, 4.5V 2V A 250µA 49 NC @ 4,5 V ± 12V 4766 PF @ 20 V - 2.5W (TA)
NDS8858H Fairchild Semiconductor NDS8858H 0,5300
RFQ
 ECAD 11 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) NDS885 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 1w 8-SOIC download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 2.500 N E P-Canal 30V 6.3a, 4.8a 35mohm @ 4.8a, 10V 2,8V a 250µA 30NC @ 10V 720pf @ 15V Portão de Nível Lógico
FQD12N20TF Fairchild Semiconductor FQD12N20TF 0,5300
RFQ
 ECAD 6346 0,00000000 Semicondutor Fairchild QFET® Volume Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-252, (D-PAK) download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 5 N-canal 200 v 9a (TC) 10V 280mohm @ 4.5a, 10V 5V A 250µA 23 NC @ 10 V ± 30V 910 pf @ 25 V - 2.5W (TA), 55W (TC)
FCH060N80-F155 Fairchild Semiconductor FCH060N80-F155 1.0000
RFQ
 ECAD 3001 0,00000000 Semicondutor Fairchild Superfet® II Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco To-247-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) To-247-3 download 0000.00.0000 1 N-canal 800 v 56a (TC) 10V 60mohm @ 29a, 10V 4.5V @ 5.8MA 350 nc @ 10 V ± 20V 14685 pf @ 100 V - 500W (TC)
KSC2330YBU Fairchild Semiconductor KSC2330YBU 0,0700
RFQ
 ECAD 270 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 Corpo Longo 1 w TO-92-3 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0075 500 300 v 100 ma 100na (ICBO) Npn 500mV @ 1Ma, 10MA 120 @ 20MA, 10V 50MHz
U1898 Fairchild Semiconductor U1898 0,0600
RFQ
 ECAD 9606 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) 625 MW TO-92-3 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.21.0095 3.841 N-canal 16pf @ 20V 40 v 15 mA a 20 V 2 V @ 1 NA 50 ohms
FDS6930A Fairchild Semiconductor FDS6930A 0,3400
RFQ
 ECAD 6 0,00000000 Semicondutor Fairchild PowerTrench® Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) FDS6930 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 900MW 8-SOIC download Ear99 8542.39.0001 946 2 canal n (Duplo) 30V 5.5a 40mohm @ 5.5a, 10V 3V A 250µA 7NC @ 5V 460pf @ 15V Portão de Nível Lógico
KSA928AYBU Fairchild Semiconductor KSA928AYBU -
RFQ
 ECAD 7501 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 Corpo Longo 1 w TO-92-3 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0075 500 30 v 2 a 100na (ICBO) Pnp 2V @ 30MA, 1.5A 160 @ 500MA, 2V 120MHz
BC560CTA Fairchild Semiconductor BC560CTA 1.0000
RFQ
 ECAD 1751 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) Formou Leads BC560 500 MW TO-92-3 - ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 0000.00.0000 1 45 v 100 ma 15na (ICBO) Pnp 650mv @ 5Ma, 100mA 420 @ 2MA, 5V 150MHz
KST3906MTF Fairchild Semiconductor KST3906MTF 1.0000
RFQ
 ECAD 5074 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo - Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 KST39 350 MW SOT-23-3 - ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 0000.00.0000 3.000 40 v 200 MA - Pnp 400mV @ 5MA, 50MA 100 @ 10Ma, 1V 250MHz
KSB1151YSTU Fairchild Semiconductor KSB1151YSTU 0,3900
RFQ
 ECAD 35 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-225AA, TO-126-3 1.3 w TO-126-3 download Ear99 8542.39.0001 831 60 v 5 a 10µA (ICBO) Pnp 300mv @ 200Ma, 2a 160 @ 2A, 1V -
FDN352AP Fairchild Semiconductor FDN352AP 1.0000
RFQ
 ECAD 6950 0,00000000 Semicondutor Fairchild PowerTrench® Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 FDN352 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) SOT-23-3 download Ear99 8541.21.0095 1 Canal P. 30 v 1.3a (ta) 4.5V, 10V 180mohm @ 1.3a, 10V 2,5V a 250µA 1,9 nc @ 4,5 V ± 25V 150 pf @ 15 V - 500mW (TA)
FPF1C2P5MF07AM Fairchild Semiconductor Fpf1c2p5mf07am 1.0000
RFQ
 ECAD 6901 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem do chassi Módulo F1 231 w Retificador de Ponte Monofásica F1 download 0000.00.0000 1 Inversor de Ponte Conclua - 620 v 39 a 1.6V @ 15V, 30A 25 µA Não
SGH30N60RUFTU Fairchild Semiconductor SGH30N60RUFTU -
RFQ
 ECAD 2893 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-3P-3, SC-65-3 SGH30N60 Padrão 235 w TO-3PN download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 450 300V, 30A, 7ohm, 15V - 600 v 48 a 90 a 2.8V @ 15V, 30A 919µJ (ON), 814µJ (Off) 85 NC 30ns/54ns
KSC1815GRTA Fairchild Semiconductor KSC1815GRTA 0,0500
RFQ
 ECAD 6 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) Formou Leads 400 MW TO-92-3 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.21.0095 2.000 50 v 150 MA 100na (ICBO) Npn 250mv @ 10ma, 100mA 200 @ 2MA, 6V 80MHz
FQP11N50CF Fairchild Semiconductor FQP11N50CF 1.7700
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Semicondutor Fairchild FRFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) To-220-3 download Rohs Não Compatível Ear99 8541.29.0095 50 N-canal 500 v 11a (TC) 10V 550mohm @ 5.5a, 10V 4V A 250µA 55 nc @ 10 V ± 30V 2055 pf @ 25 V - 195W (TC)
FDB110N15A Fairchild Semiconductor FDB110N15A 1.0000
RFQ
 ECAD 4610 0,00000000 Semicondutor Fairchild PowerTrench® Volume Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab MOSFET (ÓXIDO DE METAL) D²PAK (TO-263) download Ear99 8542.39.0001 1 N-canal 150 v 92A (TC) 10V 11mohm @ 92a, 10V 4V A 250µA 61 nc @ 10 V ± 20V 4510 pf @ 75 V - 234W (TC)
SGS6N60UFDTU Fairchild Semiconductor SGS6N60UFDTU 1.0000
RFQ
 ECAD 9771 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco Pacote completo parágrafo 220-3 Sgs6n Padrão 22 w TO-220F-3 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 50 300V, 3A, 80OHM, 15V 52 ns - 600 v 6 a 25 a 2.6V @ 15V, 3A 57µJ (ON), 25µJ (Off) 15 NC 15ns/60ns
HUF76121P3 Fairchild Semiconductor HUF76121P3 0,4000
RFQ
 ECAD 26 0,00000000 Semicondutor Fairchild Ultrafet ™ Volume Ativo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-220AB download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) ALCANCE AFETADO Ear99 8541.29.0095 1 N-canal 30 v 47a (TC) 4.5V, 10V 21mohm @ 47a, 10V 3V A 250µA 30 NC a 10 V ± 20V 850 pf @ 25 V - 75W (TC)
SI3441DV Fairchild Semiconductor SI3441DV -
RFQ
 ECAD 2419 0,00000000 Semicondutor Fairchild PowerTrench® Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) SuperSot ™ -6 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.21.0095 3.000 Canal P. 20 v 3.5a (ta) 2.5V, 4.5V 80mohm @ 3.5a, 4.5V 1,5V a 250µA 10 nc @ 4,5 V ± 8V 779 pf @ 10 V - 800mW (TA)
FDFM2N111 Fairchild Semiconductor FDFM2N111 1.0000
RFQ
 ECAD 2243 0,00000000 Semicondutor Fairchild PowerTrench® Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 6 WDFN PAD Exposto MOSFET (ÓXIDO DE METAL) Microfet 3x3mm download Ear99 8542.39.0001 1 N-canal 20 v 4a (ta) 2.5V, 4.5V 100mohm @ 4a, 4.5V 1,5V a 250µA 3,8 nc @ 4,5 V ± 12V 273 pf @ 10 V Diodo Schottky (Isolado) 1.7W (TA)
FQI5N20TU Fairchild Semiconductor FQI5N20TU 0,3100
RFQ
 ECAD 4 0,00000000 Semicondutor Fairchild QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-262-3 Leitos Longos, i²pak, TO-262AA MOSFET (ÓXIDO DE METAL) I2pak (to-262) download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 1.000 N-canal 200 v 4.5a (TC) 10V 1.2OHM @ 2.25A, 10V 5V A 250µA 7,5 nc @ 10 V ± 30V 270 pf @ 25 V - 3.13W (TA), 52W (TC)
MPSA43 Fairchild Semiconductor MPSA43 0,0700
RFQ
 ECAD 19 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) Formou Leads 625 MW TO-92 (TO-226) download ROHS3 Compatível Ear99 8541.21.0095 2.000 200 v 500 MA 100na (ICBO) Npn 500MV @ 2MA, 20MA 25 @ 1MA, 10V 50MHz
KSC2258ASTU Fairchild Semiconductor KSC2258ASTU 0,1200
RFQ
 ECAD 33 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-225AA, TO-126-3 4 w TO-126-3 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0075 60 300 v 100 ma - Npn 1.2V @ 5MA, 50MA 40 @ 40mA, 20V 100MHz
NDS355AN-F169 Fairchild Semiconductor NDS355AN-F169 -
RFQ
 ECAD 4005 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) SOT-23-3 download Fornecedor indefinido Alcançar Não Afetado 2156S355AN-F169-600039 1 N-canal 30 v 1.7a (ta) 4.5V, 10V 85mohm @ 1.9a, 10V 2V A 250µA 5 nc @ 5 V ± 20V 195 pf @ 15 V - 500mW (TA)
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