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Transistores (3821)

Imageem Número do Produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade Dispon Svel Peso (kg) Mfr Série Pacote Status do produto Temperatura operacional Tipo de Montagem Pacote / Caso Número do Produto Base Tecnologia Poder - Máx Pacote de Dispositivo de Fornecedor Ficha de Dadas Status do rohs Nível de sensibilidade à Umidade (msl) Status de alcance Nomes de Ulros ECCN Htsus PACOTE PADROO Configuraça TIPO DE FET Escorra para um tensão de origem (VDSS) Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C Tensão de conduça (max rds on, min rds on) Rds em (max) @ id, vgs VGS (th) (max) @ id Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS VGs (Máximoo) CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Recurso FET DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) Tensão - Colapso do Emissor de Colecionador (Max) Corrente - Coletor (IC) (Max) Tensão - Quebra (V (BR) GSS) Corrente - DRENO (IDSS) @ VDS (VGS = 0) Tensão - Corte (VGS desligado) @ id Corrente - Corte de Colecionador (Max) Resistência - rds (on) Tipo de transistor Vce saturação (max) @ ib, ic Ganho ATUAL DE CC (HFE) (min) @ IC, VCE Frequencia - Transmissão
SFW9Z34TM Fairchild Semiconductor SFW9Z34TM 0,6400
RFQ
 ECAD 36 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab MOSFET (ÓXIDO DE METAL) D2PAK (TO-263) download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 800 Canal P. 60 v 18a (TC) 10V 140mohm @ 9a, 10V 4V A 250µA 38 nc @ 10 V ± 30V 1155 pf @ 25 V - 3.8W (TA), 82W (TC)
IRFS840B Fairchild Semiconductor IRFS840B -
RFQ
 ECAD 3949 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco Pacote completo parágrafo 220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-220F download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) ALCANCE AFETADO Ear99 8541.29.0095 536 N-canal 500 v 8a (TC) 10V 800MOHM @ 4A, 10V 4V A 250µA 53 nc @ 10 V ± 30V 1800 pf @ 25 V - 44W (TC)
IRFR430BTM Fairchild Semiconductor IRFR430BTM 0,2700
RFQ
 ECAD 264 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-252-3 (DPAK) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) ALCANCE AFETADO Ear99 8541.29.0095 2.500 N-canal 500 v 3.5a (TC) 10V 1.5OHM @ 1.75A, 10V 4V A 250µA 33 nc @ 10 V ± 30V 1050 pf @ 25 V - 2.5W (TA)
HUF75345S3ST_NL Fairchild Semiconductor HUF75345S3ST_NL 1.0000
RFQ
 ECAD 4487 0,00000000 Semicondutor Fairchild Ultrafet® Volume Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab MOSFET (ÓXIDO DE METAL) D2PAK (TO-263) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) ALCANCE AFETADO Ear99 8541.29.0095 1 N-canal 55 v 75a (TC) 10V 7mohm @ 75a, 10V 4V A 250µA 275 NC @ 20 V ± 20V 4000 pf @ 25 V - 325W (TC)
FQPF7N20 Fairchild Semiconductor FQPF7N20 0,3100
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Semicondutor Fairchild QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco Pacote completo parágrafo 220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-220F-3 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 1.000 N-canal 200 v 4.8a (TC) 10V 690mohm @ 2.4a, 10V 5V A 250µA 10 nc @ 10 V ± 30V 400 pf @ 25 V - 37W (TC)
FDC5661N Fairchild Semiconductor FDC5661N -
RFQ
 ECAD 2482 0,00000000 Semicondutor Fairchild PowerTrench® Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TSOT-23-6 download Ear99 8542.29.0095 1 N-canal 60 v 4.3a (ta) 4.5V, 10V 47mohm @ 4.3a, 10V 3V A 250µA 19 NC @ 10 V ± 20V 763 pf @ 25 V - 1.6W (TA)
HUF75545S3 Fairchild Semiconductor HUF75545S3 0,8500
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Semicondutor Fairchild Ultrafet ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco TO-262-3 Leitos Longos, i²pak, TO-262AA MOSFET (ÓXIDO DE METAL) I2pak (to-262) download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 400 N-canal 80 v 75a (TC) 10V 10mohm @ 75a, 10V 4V A 250µA 235 NC @ 20 V ± 20V 3750 pf @ 25 V - 270W (TC)
FDC6302P Fairchild Semiconductor FDC6302P 0,2800
RFQ
 ECAD 151 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 FDC6302 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 700mW SuperSot ™ -6 download Ear99 8541.21.0095 1 2 Canal P (Duplo) 25V 120mA 10ohm @ 200Ma, 4.5V 1,5V a 250µA 0,31NC @ 4.5V 11pf @ 10V Portão de Nível Lógico
NDT3055 Fairchild Semiconductor NDT3055 -
RFQ
 ECAD 1770 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-261-4, TO-261AA MOSFET (ÓXIDO DE METAL) SOT-223-4 download Ear99 8542.39.0001 1 N-canal 60 v 4a (ta) 10V 100mohm @ 4a, 10V 4V A 250µA 15 nc @ 10 V ± 20V 250 pf @ 30 V - 1.1W (TA)
2N7000 Fairchild Semiconductor 2N7000 -
RFQ
 ECAD 9204 0,00000000 Semicondutor Fairchild Stripfet ™ Volume Ativo 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) 2N70 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-92-3 download Ear99 8541.21.0095 1 N-canal 60 v 350mA (TC) 4.5V, 10V 5ohm @ 500mA, 10V 3V A 250µA 2 nc @ 5 V ± 18V 43 pf @ 25 V - 350mW (TA)
FCH47N60 Fairchild Semiconductor FCH47N60 -
RFQ
 ECAD 4826 0,00000000 Semicondutor Fairchild Superfet ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco To-247-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) To-247 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 30 N-canal 600 v 47a (TC) 10V 70mohm @ 23.5a, 10V 5V A 250µA 270 nc @ 10 V ± 30V 8000 pf @ 25 V - 417W (TC)
FDS3682 Fairchild Semiconductor FDS3682 1.0000
RFQ
 ECAD 3224 0,00000000 Semicondutor Fairchild PowerTrench® Volume Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 8-SOIC download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 2.500 N-canal 100 v 6a (ta) 6V, 10V 35mohm @ 6a, 10V 4V A 250µA 25 nc @ 10 V ± 20V 1300 pf @ 25 V - 2.5W (TA)
FQP6N50C Fairchild Semiconductor FQP6N50C 0,7500
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Semicondutor Fairchild QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) To-220-3 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 50 N-canal 500 v 5.5a (TC) 10V 1.2OHM @ 2.8A, 10V 4V A 250µA 25 nc @ 10 V ± 30V 700 pf @ 25 V - 98W (TC)
NJVMJB44H11T4G Fairchild Semiconductor Njvmjb44h11t4g 0,6700
RFQ
 ECAD 81 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab 2 w D²pak download Ear99 8541.29.0075 484 80 v 10 a 10µA Npn 1V @ 400Ma, 8a 40 @ 4A, 1V 50MHz
KSD1273QYDTU Fairchild Semiconductor KSD1273QYDTU 0,2800
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) Através do buraco Pacote Completo Parágrafo 220-3, FiOS Formados 2 w TO-220F-3 (FORMAÇÃO Y) download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0075 50 60 v 3 a 100µA Npn 1V @ 50MA, 2A 500 @ 500mA, 4V 30MHz
2SJ633-E Fairchild Semiconductor 2SJ633-E -
RFQ
 ECAD 4413 0,00000000 Semicondutor Fairchild * Volume Ativo 2SJ633 - - Não Aplicável 1 (ilimito) Fornecedor indefinido 1 -
FQP5N60C Fairchild Semiconductor FQP5N60C 0,7200
RFQ
 ECAD 74 0,00000000 Semicondutor Fairchild QFET® Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) To-220-3 download Ear99 8541.29.0095 417 N-canal 600 v 4.5a (TC) 10V 2.5OHM @ 2.25A, 10V 4V A 250µA 19 NC @ 10 V ± 30V 670 pf @ 25 V - 100w (TC)
FDS6993 Fairchild Semiconductor FDS6993 1.0100
RFQ
 ECAD 10 0,00000000 Semicondutor Fairchild PowerTrench® Volume Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) FDS69 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 900MW 8-SOIC download ROHS3 Compatível Ear99 8541.21.0095 2.500 2 Canal P (Duplo) 30V, 12V 4.3a, 6.8a 55mohm @ 4.3a, 10V 3V A 250µA 7.7NC @ 5V 530pf @ 15V Portão de Nível Lógico
FDMS2508SDC Fairchild Semiconductor FDMS2508SDC 1.4300
RFQ
 ECAD 31 0,00000000 Semicondutor Fairchild Dual Cool ™, PowerTrench®, Syncfet ™ Volume Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-PowerTdfn MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 8-pqfn (5x6) download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 3.000 N-canal 25 v 34A (TA), 49A (TC) 4.5V, 10V 1,95mohm @ 28a, 10V 3V @ 1Ma 69 NC @ 10 V ± 20V 4515 pf @ 13 V - 3.3W (TA), 78W (TC)
FDZ299P Fairchild Semiconductor FDZ299p 0,3200
RFQ
 ECAD 14 0,00000000 Semicondutor Fairchild PowerTrench® Volume Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 9-WFBGA MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 9-BGA (2x2.1) download Rohs Não Compatível Ear99 8541.29.0095 3.000 Canal P. 20 v 4.6a (ta) 2.5V, 4.5V 55mohm @ 4.6a, 4.5V 1,5V a 250µA 9 nc @ 4,5 V ± 12V 742 pf @ 10 V - 1.7W (TA)
FDZ451PZ Fairchild Semiconductor Fdz451pz 0,0500
RFQ
 ECAD 9 0,00000000 Semicondutor Fairchild PowerTrench® Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 4-XFBGA, WLCSP MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 4-WLCSP (0,8x0,8) download Ear99 8542.29.0095 1 Canal P. 20 v 2.6a (ta) 1.5V, 4.5V 140mohm @ 2a, 4.5V 1.2V a 250µA 8,8 nc @ 4,5 V ± 8V 555 pf @ 10 V - 400mW (TA)
2N3702 Fairchild Semiconductor 2N3702 0,0700
RFQ
 ECAD 20 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) 625 MW TO-92-3 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.21.0075 2.000 25 v 500 MA 100na (ICBO) Pnp 250mv @ 5Ma, 50Ma 60 @ 50MA, 5V 100MHz
2SK4085LS-1E Fairchild Semiconductor 2SK4085LS-1E 1.3000
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Tubo Obsoleto 150 ° C. Através do buraco Pacote completo parágrafo 220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-220F-3FS download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 50 N-canal 500 v 11a (TC) 430mohm @ 8a, 10V 5V @ 1MA 46,6 nc @ 10 V ± 30V 1200 pf @ 30 V - 2W (TA), 40W (TC)
PN4093 Fairchild Semiconductor PN4093 0,3200
RFQ
 ECAD 6 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) 625 MW TO-92-3 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.21.0095 2.000 N-canal 16pf @ 20V 40 v 8 mA a 20 V 1 V @ 1 NA 80 ohms
FQD2N50TF Fairchild Semiconductor FQD2N50TF 0,3400
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Semicondutor Fairchild QFET® Volume Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-252, (D-PAK) download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 2.000 N-canal 500 v 1.6a (TC) 10V 5.3OHM @ 800MA, 10V 5V A 250µA 8 nc @ 10 V ± 30V 230 PF @ 25 V - 2.5W (TA), 30W (TC)
BC640TF Fairchild Semiconductor BC640TF 0,0200
RFQ
 ECAD 7591 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) Formou Leads 1 w TO-92-3 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0075 2.000 80 v 1 a 100na (ICBO) Pnp 500mv @ 50Ma, 500mA 40 @ 150mA, 2V 100MHz
FDD6680A Fairchild Semiconductor FDD6680A 1.5300
RFQ
 ECAD 204 0,00000000 Semicondutor Fairchild PowerTrench® Volume Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-252, (D-PAK) download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 2.500 N-canal 30 v 14a (ta), 56a (tc) 4.5V, 10V 9.5mohm @ 14a, 10v 3V A 250µA 20 NC @ 5 V ± 20V 1425 pf @ 15 V - 2.8W (TA), 60W (TC)
KST06MTF-FS Fairchild Semiconductor KST06MTF-FS -
RFQ
 ECAD 4273 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo - Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 350 MW SOT-23-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 0000.00.0000 3.000 80 v 500 MA 100na Npn 250mv @ 10ma, 100mA 50 @ 100mA, 1V 100MHz
FDT86106LZ Fairchild Semiconductor FDT86106LZ -
RFQ
 ECAD 2362 0,00000000 Semicondutor Fairchild PowerTrench® Volume Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-261-4, TO-261AA MOSFET (ÓXIDO DE METAL) SOT-223-4 - Rohs Não Compatível Fornecedor indefinido 2156-FDT86106LZ Ear99 8541.29.0095 1 N-canal 100 v 3.2a (ta) 4.5V, 10V 108mohm @ 3.2a, 10V 2.2V A 250µA 7 nc @ 10 V ± 20V 315 pf @ 50 V - 1W (TA)
FDFMA3P029Z Fairchild Semiconductor FDFMA3P029Z 0,2500
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Semicondutor Fairchild PowerTrench® Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 6 WDFN PAD Exposto MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 6 MLP (2x2) download Ear99 8542.39.0001 1 Canal P. 30 v 3.3a (ta) 87mohm @ 3.3a, 10V 3V A 250µA 10 nc @ 10 V 435 pf @ 15 V Diodo Schottky (Isolado) 1.4W (TA)
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