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Transistores (3821)

Imageem Número do Produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade Dispon Svel Peso (kg) Mfr Série Pacote Status do produto Temperatura operacional Tipo de Montagem Pacote / Caso Número do Produto Base Tipo de Entrada Tecnologia Poder - Máx Pacote de Dispositivo de Fornecedor Ficha de Dadas Status do rohs Nível de sensibilidade à Umidade (msl) Status de alcance Nomes de Ulros ECCN Htsus PACOTE PADROO Configuraça TIPO DE FET Condição de teste Ganho Escorra para um tensão de origem (VDSS) Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C Tensão de conduça (max rds on, min rds on) Rds em (max) @ id, vgs VGS (th) (max) @ id Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS VGs (Máximoo) CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Recurso FET DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) TIPO IGBT Tensão - Colapso do Emissor de Colecionador (Max) Corrente - Coletor (IC) (Max) Vce (on) (max) @ vge, ic Troca de Energia TD (Ligado/Desligado) A 25 ° C Corrente - Corte de Colecionador (Max) Tipo de transistor Vce saturação (max) @ ib, ic Ganho ATUAL DE CC (HFE) (min) @ IC, VCE Frequencia - Transmissão Resistor - Base (R1) Resistor - Base de Emissor (R2) Figura de Ruído (dB typ @ f)
FQU4N25TU Fairchild Semiconductor Fqu4n25tu 0,4600
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Semicondutor Fairchild QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-251-3 leva Curtos, Ipak, TO-251AA MOSFET (ÓXIDO DE METAL) I-Pak download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 70 N-canal 250 v 3a (TC) 10V 1.75OHM @ 1.5A, 10V 5V A 250µA 5,6 nc @ 10 V ± 30V 200 pf @ 25 V - 2.5W (TA), 37W (TC)
FDAF69N25 Fairchild Semiconductor FDAF69N25 2.4400
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Semicondutor Fairchild Unifet ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco Pacote completo para 3p-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-3PF download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 30 N-canal 250 v 34a (TC) 10V 41mohm @ 17a, 10V 5V A 250µA 100 nc @ 10 V ± 30V 4640 pf @ 25 V - 115W (TC)
FQPF7N10L Fairchild Semiconductor FQPF7N10L 0,2700
RFQ
 ECAD 5 0,00000000 Semicondutor Fairchild QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco Pacote completo parágrafo 220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-220F-3 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 1.000 N-canal 100 v 5.5a (TC) 5V, 10V 350mohm @ 2.75a, 10V 2V A 250µA 6 nc @ 5 V ± 20V 290 pf @ 25 V - 23W (TC)
FJY3008R Fairchild Semiconductor Fjy3008r -
RFQ
 ECAD 3421 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto Montagem na Superfície SC-89, SOT-490 FJY300 200 MW SOT-523F download ROHS3 Compatível Ear99 8541.21.0075 3.000 50 v 100 ma 100na (ICBO) Npn - pré -tendencioso 300mv @ 500µA, 10MA 56 @ 5MA, 5V 250 MHz 47 Kohms 22 Kohms
BC549CBU Fairchild Semiconductor BC549CBU 0,0200
RFQ
 ECAD 4528 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) 500 MW TO-92-3 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.21.0075 10.000 30 v 100 ma 15na (ICBO) Npn 600mV @ 5Ma, 100mA 420 @ 2MA, 5V 300MHz
FDS6986AS Fairchild Semiconductor FDS6986As 0,4100
RFQ
 ECAD 5 0,00000000 Semicondutor Fairchild PowerTrench®, SyncFET ™ Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) FDS69 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 900MW 8-SOIC download Ear99 8542.39.0001 728 2 canal n (Duplo) 30V 6.5a, 7.9a 29mohm @ 6.5a, 10V 3V A 250µA 17NC @ 10V 720pf @ 10V Portão de Nível Lógico
TIP102TU Fairchild Semiconductor Tip102tu -
RFQ
 ECAD 3767 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo 150 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 Tip102 2 w To-220-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 1 100 v 8 a 50µA NPN - Darlington 2,5V a 80mA, 8a 1000 @ 3A, 4V -
MPSW01 Fairchild Semiconductor MPSW01 0,1200
RFQ
 ECAD 6 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto - Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 Corpo Longo 1 w TO-92 (TO-226) download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0075 1.500 30 v 1 a - Npn 500mv @ 100ma, 1a 50 @ 1A, 1V 50MHz
KSB811YTA Fairchild Semiconductor KSB811YTA 0,0200
RFQ
 ECAD 4868 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 Corpo Curto 350 MW Parágrafo 92s download ROHS3 Compatível Ear99 8541.21.0075 2.978 25 v 1 a 100na (ICBO) Pnp 500mv @ 100ma, 1a 120 @ 100mA, 1V 110MHz
HUFA76504DK8T Fairchild Semiconductor HUFA76504DK8T 0,4300
RFQ
 ECAD 5 0,00000000 Semicondutor Fairchild Ultrafet ™ Volume Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) HUFA76504 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 2.5W 8-SOIC download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 2.500 2 canal n (Duplo) 80V - 200mohm @ 2.5a, 10V 3V A 250µA 10NC @ 10V 270pf @ 25V Portão de Nível Lógico
KSH127TF-FS Fairchild Semiconductor KSH127TF-FS 1.0000
RFQ
 ECAD 3250 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 1,75 w DPAK download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) ALCANCE AFETADO Ear99 0000.00.0000 2.000 100 v 8 a 10µA PNP - Darlington 4V @ 80MA, 8A 1000 @ 4A, 4V -
FDD8444L Fairchild Semiconductor FDD8444L 1.1200
RFQ
 ECAD 337 0,00000000 Semicondutor Fairchild PowerTrench® Volume Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-252, (D-PAK) download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 2.500 N-canal 40 v 16a (ta), 50a (tc) 4.5V, 10V 5.2mohm @ 50a, 10V 3V A 250µA 60 nc @ 5 V ± 20V 5530 pf @ 25 V - 153W (TC)
FDU7030BL Fairchild Semiconductor FDU7030BL 0,6400
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Semicondutor Fairchild PowerTrench® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco TO-251-3 leva Curtos, Ipak, TO-251AA MOSFET (ÓXIDO DE METAL) I-Pak download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 1.800 N-canal 30 v 14a (ta), 56a (tc) 4.5V, 10V 9.5mohm @ 14a, 10v 3V A 250µA 20 NC @ 5 V ± 20V 1425 pf @ 15 V - 2.8W (TA), 60W (TC)
FJY3005R Fairchild Semiconductor FJY3005R 0,0200
RFQ
 ECAD 18 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto Montagem na Superfície SC-89, SOT-490 FJY300 200 MW SOT-523F download ROHS3 Compatível Ear99 8541.21.0075 3.000 50 v 100 ma 100na (ICBO) Npn - pré -tendencioso 300mv @ 500µA, 10MA 30 @ 5MA, 5V 250 MHz 4.7 Kohms 10 Kohms
SI9424DY Fairchild Semiconductor SI9424DY 0,4400
RFQ
 ECAD 2179 0,00000000 Semicondutor Fairchild PowerTrench® Volume Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 8-SOIC download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 140 Canal P. 20 v 8a (ta) 2.5V, 4.5V 24mohm @ 8a, 4.5V 1,5V a 250µA 33 NC @ 5 V ± 10V 2260 pf @ 10 V - 2.5W (TA)
IRLR130ATF Fairchild Semiconductor IRLR130ATF 0,6200
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Semicondutor Fairchild * Volume Ativo download Fornecedor indefinido ALCANCE AFETADO 2156-RIRR130ATF-600039 1
HGTP14N44G3VL Fairchild Semiconductor HGTP14N44G3VL 1.0000
RFQ
 ECAD 9388 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 Lógica 231 w TO-220AB download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.29.0095 1 300V, 7.5A, 1KOHM, 5V - 490 v 27 a 1.9V @ 4.5V, 8a - -/18µs
BC548ATA Fairchild Semiconductor BC548ATA 0,0200
RFQ
 ECAD 4991 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) Formou Leads 500 MW TO-92-3 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.21.0075 2.432 30 v 100 ma 15na (ICBO) Npn 600mV @ 5Ma, 100mA 110 @ 2MA, 5V 300MHz
KSC1393YBU Fairchild Semiconductor KSC1393YBU 0,0200
RFQ
 ECAD 879 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) 250mw TO-92-3 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.21.0075 1.000 20dB ~ 24dB 30V 20mA Npn 90 @ 2MA, 10V 700MHz 2db ~ 3db @ 200MHz
HUFA76413D3ST Fairchild Semiconductor HUFA76413D3ST 0,2800
RFQ
 ECAD 12 0,00000000 Semicondutor Fairchild Ultrafet ™ Volume Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-252, (D-PAK) download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 2.500 N-canal 60 v 20a (TC) 4.5V, 10V 49mohm @ 20a, 10V 3V A 250µA 20 NC A 10 V ± 16V 645 pf @ 25 V - 60W (TC)
KSE800STU Fairchild Semiconductor KSE800STU 0,4400
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-225AA, TO-126-3 40 w TO-126-3 download Fornecedor indefinido Alcançar Não Afetado 2156-KSE800STU-600039 747 60 v 4 a 100µA NPN - Darlington 2.5V @ 30MA, 1.5A 750 @ 1.5A, 3V -
FDMS7580 Fairchild Semiconductor FDMS7580 0,7400
RFQ
 ECAD 12 0,00000000 Semicondutor Fairchild PowerTrench® Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-PowerTdfn MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 8-pqfn (5x6) download Ear99 8542.39.0001 404 N-canal 25 v 15a (ta), 29a (tc) 4.5V, 10V 7.5mohm @ 15a, 10V 3V A 250µA 20 NC A 10 V ± 20V 1190 pf @ 13 V - 2.5W (TA), 27W (TC)
FDMS2508SDC Fairchild Semiconductor FDMS2508SDC 1.4300
RFQ
 ECAD 31 0,00000000 Semicondutor Fairchild Dual Cool ™, PowerTrench®, Syncfet ™ Volume Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-PowerTdfn MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 8-pqfn (5x6) download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 3.000 N-canal 25 v 34A (TA), 49A (TC) 4.5V, 10V 1,95mohm @ 28a, 10V 3V @ 1Ma 69 NC @ 10 V ± 20V 4515 pf @ 13 V - 3.3W (TA), 78W (TC)
FCI11N60 Fairchild Semiconductor Fci11n60 1.2100
RFQ
 ECAD 64 0,00000000 Semicondutor Fairchild Superfet ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-262-3 Leitos Longos, i²pak, TO-262AA MOSFET (ÓXIDO DE METAL) I2pak (to-262) download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 50 N-canal 600 v 11a (TC) 10V 380mohm @ 5.5a, 10V 5V A 250µA 52 NC @ 10 V ± 30V 1490 pf @ 25 V - 125W (TC)
FDME0106NZT Fairchild Semiconductor FDME0106NZT 0,1600
RFQ
 ECAD 21 0,00000000 Semicondutor Fairchild PowerTrench® Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 6-PowerUfdfn MOSFET (ÓXIDO DE METAL) Microfet 1.6x1.6 Thin download Não Aplicável 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.21.0095 5.000 N-canal 20 v 9a (ta) 1.8V, 4.5V 18mohm @ 9a, 4.5V 1V a 250µA 8,5 nc a 4,5 V ± 12V 865 pf @ 10 V - 700mW (TA)
KSC5042TU Fairchild Semiconductor KSC5042TU -
RFQ
 ECAD 3172 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo 150 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 KSC5042 To-220-3 download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.29.0095 2.000 10µA (ICBO) Npn 5V @ 4MA, 20MA 30 @ 10MA, 5V -
ISL9N322AP3 Fairchild Semiconductor ISL9N322AP3 0,2400
RFQ
 ECAD 156 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) To-220-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.29.0095 1 N-canal 30 v 35a (TC) 4.5V, 10V 22mohm @ 35a, 10V 3V A 250µA 27 NC @ 10 V ± 20V 970 pf @ 15 V - 50W (TA)
FQB4N80TM Fairchild Semiconductor FQB4N80TM 1.0000
RFQ
 ECAD 1932 0,00000000 Semicondutor Fairchild QFET® Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab MOSFET (ÓXIDO DE METAL) D2PAK (TO-263) download Ear99 8542.39.0001 1 N-canal 800 v 3.9a (TC) 10V 3.6ohm @ 1.95a, 10V 5V A 250µA 25 nc @ 10 V ± 30V 880 pf @ 25 V - 3.13W (TA), 130W (TC)
HUF75339S3ST Fairchild Semiconductor HUF75339S3ST 0,8800
RFQ
 ECAD 650 0,00000000 Semicondutor Fairchild Ultrafet® Volume Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab MOSFET (ÓXIDO DE METAL) D2PAK (TO-263) download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.29.0095 800 N-canal 55 v 75a (TC) 10V 12mohm @ 75a, 10V 4V A 250µA 130 NC @ 20 V ± 20V 2000 pf @ 25 V - 200W (TC)
2N3904RM Fairchild Semiconductor 2N3904RM 0,0200
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 ECAD 5286 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) Formou Leads 2N3904 625 MW Parágrafo 92 download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.21.0075 11.000 40 v 200 MA 50na Npn 300mv @ 5MA, 50MA 100 @ 10Ma, 1V 300MHz
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