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Transistores (3821)

Imageem Número do Produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade Dispon Svel Peso (kg) Mfr Série Pacote Status do produto Temperatura operacional Tipo de Montagem Pacote / Caso Número do Produto Base Tipo de Entrada Tecnologia Poder - Máx Pacote de Dispositivo de Fornecedor Ficha de Dadas Status do rohs Nível de sensibilidade à Umidade (msl) Status de alcance Nomes de Ulros ECCN Htsus PACOTE PADROO TIPO DE FET Condição de teste Ganho Escorra para um tensão de origem (VDSS) Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C Tensão de conduça (max rds on, min rds on) Rds em (max) @ id, vgs VGS (th) (max) @ id Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS VGs (Máximoo) CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Recurso FET DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) TIPO IGBT Tensão - Colapso do Emissor de Colecionador (Max) Corrente - Coletor (IC) (Max) Corrente - Coletor Pulsa (ICM) Vce (on) (max) @ vge, ic Troca de Energia Carga do Portão TD (Ligado/Desligado) A 25 ° C Corrente - Corte de Colecionador (Max) Tipo de transistor Vce saturação (max) @ ib, ic Ganho ATUAL DE CC (HFE) (min) @ IC, VCE Frequencia - Transmissão Resistor - Base (R1) Figura de Ruído (dB typ @ f)
KSC2756OMTF Fairchild Semiconductor KSC2756OMTF 0,0200
RFQ
 ECAD 6579 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 150mW SOT-23-3 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.21.0075 2.632 15dB ~ 23dB 20V 30Ma Npn 90 @ 5MA, 10V 850MHz 6.5db @ 200MHz
2N3904RM Fairchild Semiconductor 2N3904RM 0,0200
RFQ
 ECAD 5286 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) Formou Leads 2N3904 625 MW Parágrafo 92 download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.21.0075 11.000 40 v 200 MA 50na Npn 300mv @ 5MA, 50MA 100 @ 10Ma, 1V 300MHz
BC33740BU Fairchild Semiconductor BC33740BU -
RFQ
 ECAD 7351 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) 625 MW TO-92-3 - 0000.00.0000 1 45 v 800 mA 100na Npn 700mv @ 50Ma, 500mA 250 @ 100mA, 1V 100MHz
SI6466DQ Fairchild Semiconductor SI6466DQ 0,2300
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Semicondutor Fairchild PowerTrench® Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm de largura) MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 8-TSSOP download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.29.0095 1 N-canal 20 v 7.8a (ta) 2.5V, 4.5V 15mohm @ 7.8a, 4.5V 1,5V a 250µA 20 NC a 4,5 V ± 12V 1320 pf @ 10 V - 1.1W (TA)
NDP7061 Fairchild Semiconductor NDP7061 2.3200
RFQ
 ECAD 5 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Tubo Obsoleto -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) To-220-3 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 50 N-canal 60 v 64a (TC) 10V 16mohm @ 35a, 10V 4V A 250µA 100 nc @ 10 V ± 20V 1930 pf @ 25 V - 130W (TC)
BC237 Fairchild Semiconductor BC237 0,0500
RFQ
 ECAD 16 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) Formou Leads 350 MW TO-92 (TO-226) download ROHS3 Compatível Ear99 8541.21.0075 2.000 45 v 100 ma 15Na Npn 600mV @ 5Ma, 100mA 120 @ 2MA, 5V 200MHz
FDD6030L Fairchild Semiconductor FDD6030L 0,8900
RFQ
 ECAD 637 0,00000000 Semicondutor Fairchild PowerTrench® Volume Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-252, (D-PAK) download Ear99 8542.39.0001 339 N-canal 30 v 12a (ta), 50a (tc) 4.5V, 10V 14.5mohm @ 12a, 10V 3V A 250µA 28 NC @ 5 V ± 20V 1230 pf @ 15 V - 3.2W (TA), 56W (TC)
FDP8030L Fairchild Semiconductor FDP8030L 4.7200
RFQ
 ECAD 7 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) To-220-3 download Ear99 8542.39.0001 1 N-canal 30 v 80a (TA) 4.5V, 10V 3.5mohm @ 80a, 10V 2V A 250µA 170 NC @ 5 V ± 20V 10500 pf @ 15 V - 187W (TC)
MPSW01 Fairchild Semiconductor MPSW01 0,1200
RFQ
 ECAD 6 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto - Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 Corpo Longo 1 w TO-92 (TO-226) download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0075 1.500 30 v 1 a - Npn 500mv @ 100ma, 1a 50 @ 1A, 1V 50MHz
KSC838YBU Fairchild Semiconductor KSC838YBU 0,0300
RFQ
 ECAD 1327 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) 250 MW TO-92-3 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.21.0075 9.744 30 v 30 mA 100na (ICBO) Npn 400mv @ 1Ma, 10MA 120 @ 2MA, 12V 250MHz
FDS8876 Fairchild Semiconductor FDS8876 0,5000
RFQ
 ECAD 562 0,00000000 Semicondutor Fairchild PowerTrench® Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 8-SOIC download Ear99 8542.39.0001 1 N-canal 30 v 12.5a (TA) 4.5V, 10V 8.2mohm @ 12.5a, 10V 2,5V a 250µA 36 nc @ 10 V ± 20V 1650 PF @ 15 V - 2.5W (TA)
BC546BTA Fairchild Semiconductor BC546BTA -
RFQ
 ECAD 4256 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) Formou Leads 500 MW TO-92-3 download 0000.00.0000 1 65 v 100 ma 15na (ICBO) Npn 600mV @ 5Ma, 100mA 200 @ 2MA, 5V 300MHz
SSR4N60BTM Fairchild Semiconductor SSR4N60BTM 1.0000
RFQ
 ECAD 6413 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-252-3 (DPAK) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) ALCANCE AFETADO Ear99 8541.29.0095 2.500 N-canal 600 v 2.8a (TC) 10V 2.5OHM @ 1.4a, 10V 4V A 250µA 29 NC @ 10 V ± 30V 920 pf @ 25 V - 2.5W (TA), 49W (TC)
TIP42B Fairchild Semiconductor Tip42b 0,4100
RFQ
 ECAD 5 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Tubo Obsoleto -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 2 w To-220-3 download Rohs Não Compatível Ear99 8541.29.0095 50 80 v 6 a 700µA Pnp 1,5V a 600mA, 6a 15 @ 3A, 4V 3MHz
FQPF7N20 Fairchild Semiconductor FQPF7N20 0,3100
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Semicondutor Fairchild QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco Pacote completo parágrafo 220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-220F-3 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 1.000 N-canal 200 v 4.8a (TC) 10V 690mohm @ 2.4a, 10V 5V A 250µA 10 nc @ 10 V ± 30V 400 pf @ 25 V - 37W (TC)
FDC5661N Fairchild Semiconductor FDC5661N -
RFQ
 ECAD 2482 0,00000000 Semicondutor Fairchild PowerTrench® Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TSOT-23-6 download Ear99 8542.29.0095 1 N-canal 60 v 4.3a (ta) 4.5V, 10V 47mohm @ 4.3a, 10V 3V A 250µA 19 NC @ 10 V ± 20V 763 pf @ 25 V - 1.6W (TA)
FDMS8350LET40 Fairchild Semiconductor FDMS8350LET40 1.0000
RFQ
 ECAD 8612 0,00000000 Semicondutor Fairchild PowerTrench® Volume Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-PowerTdfn MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 8-pqfn (5x6) - Rohs Não Compatível Fornecedor indefinido 2156-FDMS8350LET40 Ear99 8541.29.0095 1 N-canal 40 v 49A (TA), 300A (TC) 4.5V, 10V 0,85mohm @ 47a, 10V 3V A 250µA 219 NC @ 10 V ± 20V 16590 PF @ 20 V - 3.33W (TA), 125W (TC)
MPSL51 Fairchild Semiconductor MPSL51 0,0400
RFQ
 ECAD 6686 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) 625 MW TO-92-3 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.21.0095 446 100 v 200 MA 1µA (ICBO) Pnp 300mv @ 5MA, 50MA 40 @ 50MA, 5V 60MHz
FDS3682 Fairchild Semiconductor FDS3682 1.0000
RFQ
 ECAD 3224 0,00000000 Semicondutor Fairchild PowerTrench® Volume Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 8-SOIC download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 2.500 N-canal 100 v 6a (ta) 6V, 10V 35mohm @ 6a, 10V 4V A 250µA 25 nc @ 10 V ± 20V 1300 pf @ 25 V - 2.5W (TA)
SI9424DY Fairchild Semiconductor SI9424DY 0,4400
RFQ
 ECAD 2179 0,00000000 Semicondutor Fairchild PowerTrench® Volume Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 8-SOIC download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 140 Canal P. 20 v 8a (ta) 2.5V, 4.5V 24mohm @ 8a, 4.5V 1,5V a 250µA 33 NC @ 5 V ± 10V 2260 pf @ 10 V - 2.5W (TA)
FGB20N6S2D Fairchild Semiconductor FGB20N6S2D 1.0000
RFQ
 ECAD 3420 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab Padrão 125 w D2PAK (TO-263) download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 50 390V, 7A, 25OHM, 15V 31 ns - 600 v 28 a 40 a 2.7V @ 15V, 7a 25µJ (ON), 58µJ (Desligado) 30 NC 7.7ns/87ns
FJAF6810ATU Fairchild Semiconductor FJAF6810ATU -
RFQ
 ECAD 4768 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) Através do buraco Pacote completo para 3p-3 60 w TO-3PF download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 30 750 v 10 a 1Ma Npn 3V @ 1.5a, 6a 5 @ 6a, 5V -
SFW9510TM Fairchild Semiconductor SFW9510TM 0,3400
RFQ
 ECAD 8 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-252-3 (DPAK) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) ALCANCE AFETADO Ear99 8541.29.0095 1 Canal P. 100 v 3.6a (TC) 10V 1.2OHM @ 1.8A, 10V 4V A 250µA 10 nc @ 10 V ± 30V 335 pf @ 25 V - 3.8W (TA), 32W (TC)
BCW69 Fairchild Semiconductor BCW69 1.0000
RFQ
 ECAD 8640 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 350 MW SOT-23-3 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.21.0075 3.000 45 v 100 ma 100na (ICBO) Pnp 300mv @ 500µA, 10MA 120 @ 2MA, 5V -
FCD620N60ZF Fairchild Semiconductor FCD620N60ZF -
RFQ
 ECAD 4587 0,00000000 Semicondutor Fairchild HiperFet ™, Polar ™ Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-252, (D-PAK) download 0000.00.0000 1 N-canal 600 v 7.3a (TC) 10V 620mohm @ 3.6a, 10V 5V A 250µA 36 nc @ 10 V ± 20V 1135 pf @ 25 V - 89W (TC)
FJN4309RTA Fairchild Semiconductor FJN4309RTA 0,0200
RFQ
 ECAD 131 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) Formou Leads FJN430 300 MW TO-92-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 0000.00.0000 1 40 v 100 ma 100na (ICBO) PNP - Pré -tendencioso 300mV @ 1Ma, 10MA 100 @ 1MA, 5V 200 MHz 4.7 Kohms
HUF75229P3_NL Fairchild Semiconductor Huf75229p3_nl 0,7000
RFQ
 ECAD 1655 0,00000000 Semicondutor Fairchild Ultrafet® Volume Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) To-220-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 319 N-canal 50 v 44a (TC) 10V 22mohm @ 44a, 10V 4V A 250µA 75 NC @ 20 V ± 20V 1060 pf @ 25 V - 90W (TC)
NDP4060 Fairchild Semiconductor NDP4060 0,4800
RFQ
 ECAD 134 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Tubo Obsoleto -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) To-220-3 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 50 N-canal 60 v 15a (TC) 10V 100mohm @ 7.5a, 10V 4V A 250µA 17 NC @ 10 V ± 20V 450 pf @ 25 V - 50W (TC)
FCPF380N60E-F152 Fairchild Semiconductor FCPF380N60E-F152 -
RFQ
 ECAD 5776 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco Pacote completo parágrafo 220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-220F-3 - 2156-FCPF380N60E-F152 1 N-canal 600 v 10.2a (TC) 10V 380mohm @ 5a, 10V 3,5V a 250µA 45 nc @ 10 V ± 20V 1770 pf @ 25 V - 31W (TC)
FQB7N80TM Fairchild Semiconductor FQB7N80TM -
RFQ
 ECAD 6350 0,00000000 Semicondutor Fairchild QFET® Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab MOSFET (ÓXIDO DE METAL) D2PAK (TO-263) download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 188 N-canal 800 v 6.6a (TC) 10V 1.5OHM @ 3.3a, 10V 5V A 250µA 52 NC @ 10 V ± 30V 1850 pf @ 25 V - 3.13W (TA), 167W (TC)
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