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Transistores (3821)

Imageem Número do Produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade Dispon Svel Peso (kg) Mfr Série Pacote Status do produto Temperatura operacional Tipo de Montagem Pacote / Caso Número do Produto Base Tecnologia Poder - Máx Entrada Pacote de Dispositivo de Fornecedor Ficha de Dadas Status do rohs Nível de sensibilidade à Umidade (msl) Status de alcance Nomes de Ulros ECCN Htsus PACOTE PADROO Configuraça TIPO DE FET Escorra para um tensão de origem (VDSS) Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C Tensão de conduça (max rds on, min rds on) Rds em (max) @ id, vgs VGS (th) (max) @ id Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS VGs (Máximoo) CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Recurso FET DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) TIPO IGBT Tensão - Colapso do Emissor de Colecionador (Max) Corrente - Coletor (IC) (Max) Vce (on) (max) @ vge, ic Tensão - Quebra (V (BR) GSS) Corrente - DRENO (IDSS) @ VDS (VGS = 0) Tensão - Corte (VGS desligado) @ id Corrente - Corte de Colecionador (Max) Termistor NTC Resistência - rds (on) Tipo de transistor Vce saturação (max) @ ib, ic Ganho ATUAL DE CC (HFE) (min) @ IC, VCE Frequencia - Transmissão Resistor - Base (R1) Resistor - Base de Emissor (R2)
FMG1G200US60L Fairchild Semiconductor FMG1G200US60L 55.6300
RFQ
 ECAD 12 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem do chassi Módlo 695 w Padrão - download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 1 Solteiro - 600 v 200 a 2.7V @ 15V, 200a 250 µA Não
FDMS8560S Fairchild Semiconductor FDMS8560S -
RFQ
 ECAD 2883 0,00000000 Semicondutor Fairchild PowerTrench®, SyncFET ™ Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-PowerTdfn FDMS85 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 8-pqfn (5x6) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) ALCANCE AFETADO Ear99 0000.00.0000 3.000 N-canal 25 v 30A (TA), 70A (TC) 4.5V, 10V 1.8mohm @ 30a, 10V 2.2V @ 1Ma 68 nc @ 10 V ± 12V 4350 PF @ 13 V - 2.5W (TA), 65W (TC)
KST55MTF Fairchild Semiconductor Kst55mtf -
RFQ
 ECAD 9303 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo - Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 KST55 350 MW SOT-23-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 0000.00.0000 3.000 60 v 500 MA 100na Pnp 250mv @ 10ma, 100mA 50 @ 100mA, 1V 50MHz
FQB16N25CTM Fairchild Semiconductor FQB16N25CTM 0,8100
RFQ
 ECAD 845 0,00000000 Semicondutor Fairchild QFET® Volume Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab MOSFET (ÓXIDO DE METAL) D2PAK (TO-263) download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 800 N-canal 250 v 15.6a (TC) 10V 270mohm @ 7.8a, 10V 4V A 250µA 53,5 nc @ 10 V ± 30V 1080 pf @ 25 V - 3.13W (TA), 139W (TC)
KSA812YMTF Fairchild Semiconductor KSA812YMTF -
RFQ
 ECAD 7403 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 150 MW SOT-23-3 - Rohs Não Compatível Fornecedor indefinido 2156-KSA812YMTF-600039 1 50 v 100 ma 100na (ICBO) Pnp 300mv @ 10ma, 100mA 135 @ 1MA, 6V 180MHz
FDP8870-F085 Fairchild Semiconductor FDP8870-F085 1.1200
RFQ
 ECAD 291 0,00000000 Semicondutor Fairchild PowerTrench® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) To-220-3 download Não Aplicável Ear99 8541.29.0095 291 N-canal 30 v 19a (ta), 156a (tc) 4.5V, 10V 4.1mohm @ 35a, 10V 2,5V a 250µA 132 NC @ 10 V ± 20V 5200 pf @ 15 V - 160W (TC)
FDW2502PZ Fairchild Semiconductor FDW2502PZ -
RFQ
 ECAD 8406 0,00000000 Semicondutor Fairchild PowerTrench® Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm de largura) FDW25 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 600mW (TA) 8-TSSOP download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.21.0095 1 2 Canal P (Duplo) 20V 4.4a (ta) 35mohm @ 4.4a, 4.5V 1,5V a 250µA 21NC @ 5V 1465pf @ 10V -
HRFZ44N Fairchild Semiconductor Hrfz44n 0,4200
RFQ
 ECAD 12 0,00000000 Semicondutor Fairchild Ultrafet ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) To-220-3 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 400 N-canal 55 v 49a (TC) 10V 22mohm @ 25a, 10V 4V A 250µA 75 NC @ 20 V ± 20V 1060 pf @ 25 V - 120W (TC)
2N5550TFR Fairchild Semiconductor 2N5550TFR 0,0400
RFQ
 ECAD 76 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) Formou Leads 625 MW TO-92-3 download Ear99 8541.21.0075 7.416 140 v 600 mA 100na (ICBO) Npn 250mv @ 5Ma, 50Ma 60 @ 10MA, 5V 300MHz
SSR1N60BTM Fairchild Semiconductor SSR1N60BTM 0,1800
RFQ
 ECAD 33 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-252, (D-PAK) download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 2.500 N-canal 600 v 900mA (TC) 10V 12OHM @ 450MA, 10V 4V A 250µA 7,7 nc @ 10 V ± 30V 215 pf @ 25 V - 2.5W (TA), 28W (TC)
PN4091 Fairchild Semiconductor PN4091 0,0600
RFQ
 ECAD 26 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) 625 MW TO-92-3 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.21.0095 2.000 N-canal 16pf @ 20V 40 v 30 mA a 20 V 5 V @ 1 NA 30 ohms
FJX3013RTF Fairchild Semiconductor FJX3013RTF 1.0000
RFQ
 ECAD 6190 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto Montagem na Superfície SC-70, SOT-323 FJX301 200 MW SC-70-3 (SOT323) download ROHS3 Compatível Ear99 8541.21.0075 3.000 50 v 100 ma 100na (ICBO) Npn - pré -tendencioso 300mv @ 500µA, 10MA 68 @ 5MA, 5V 250 MHz 2.2 Kohms 47 Kohms
FDP6030BL Fairchild Semiconductor FDP6030BL 0,6300
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Semicondutor Fairchild PowerTrench® Volume Ativo -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 FDP60 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) To-220-3 download Ear99 8542.39.0001 1 N-canal 30 v 40A (TC) 4.5V, 10V 18mohm @ 20a, 10V 3V A 250µA 17 NC @ 5 V ± 20V 1160 pf @ 15 V - 60W (TC)
FDS9431A Fairchild Semiconductor FDS9431A -
RFQ
 ECAD 5307 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 8-SOIC download Ear99 8542.39.0001 1 Canal P. 20 v 3.5a (ta) 2.5V, 4.5V 130mohm @ 3.5a, 4.5V 1V a 250µA 8,5 nc a 4,5 V ± 8V 405 pf @ 10 V - 2.5W (TA)
FDS4070N3 Fairchild Semiconductor FDS4070N3 1.6200
RFQ
 ECAD 9 0,00000000 Semicondutor Fairchild PowerTrench® Volume Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 8-so download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 2.500 N-canal 40 v 15.3a (TA) 10V 7.5mohm @ 15.3a, 10V 5V A 250µA 67 nc @ 10 V ± 20V 2819 pf @ 20 V - 3W (TA)
MMBTA55 Fairchild Semiconductor MMBTA55 -
RFQ
 ECAD 4591 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBTA55 350 MW SOT-23-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.21.0095 3.000 60 v 500 MA 100na Pnp 250mv @ 10ma, 100mA 100 @ 100mA, 1V 50MHz
FQI50N06LTU Fairchild Semiconductor FQI50N06LTU 1.3100
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Semicondutor Fairchild QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco TO-262-3 Leitos Longos, i²pak, TO-262AA MOSFET (ÓXIDO DE METAL) I2pak (to-262) download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 50 N-canal 60 v 52.4a (TC) 5V, 10V 21mohm @ 26.2a, 10V 2,5V a 250µA 32 NC @ 5 V ± 20V 1630 PF @ 25 V - 3.75W (TA), 121W (TC)
FQB7N80TM Fairchild Semiconductor FQB7N80TM -
RFQ
 ECAD 6350 0,00000000 Semicondutor Fairchild QFET® Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab MOSFET (ÓXIDO DE METAL) D2PAK (TO-263) download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 188 N-canal 800 v 6.6a (TC) 10V 1.5OHM @ 3.3a, 10V 5V A 250µA 52 NC @ 10 V ± 30V 1850 pf @ 25 V - 3.13W (TA), 167W (TC)
KSC1008RBU Fairchild Semiconductor KSC1008RBU 0,0300
RFQ
 ECAD 6328 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) 800 MW TO-92-3 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.21.0095 9.000 60 v 700 MA 100na (ICBO) Npn 400mv @ 50Ma, 500mA 40 @ 50MA, 2V 50MHz
KSH127TF-FS Fairchild Semiconductor KSH127TF-FS 1.0000
RFQ
 ECAD 3250 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 1,75 w DPAK download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) ALCANCE AFETADO Ear99 0000.00.0000 2.000 100 v 8 a 10µA PNP - Darlington 4V @ 80MA, 8A 1000 @ 4A, 4V -
MMBT5401-FS Fairchild Semiconductor MMBT5401-FS 0,0300
RFQ
 ECAD 37 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 350 MW SOT-23-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 0000.00.0000 10.000 150 v 600 mA 50na (ICBO) Pnp 500mv @ 5Ma, 50Ma 60 @ 10MA, 5V 300MHz
FDU7030BL Fairchild Semiconductor FDU7030BL 0,6400
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Semicondutor Fairchild PowerTrench® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco TO-251-3 leva Curtos, Ipak, TO-251AA MOSFET (ÓXIDO DE METAL) I-Pak download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 1.800 N-canal 30 v 14a (ta), 56a (tc) 4.5V, 10V 9.5mohm @ 14a, 10v 3V A 250µA 20 NC @ 5 V ± 20V 1425 pf @ 15 V - 2.8W (TA), 60W (TC)
SS9014BBU Fairchild Semiconductor SS9014BBU -
RFQ
 ECAD 2021 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) 450 MW TO-92-3 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.21.0075 1.000 45 v 100 ma 50na (ICBO) Npn 300mv @ 5Ma, 100mA 100 @ 1MA, 5V 270MHz
FJY3005R Fairchild Semiconductor FJY3005R 0,0200
RFQ
 ECAD 18 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto Montagem na Superfície SC-89, SOT-490 FJY300 200 MW SOT-523F download ROHS3 Compatível Ear99 8541.21.0075 3.000 50 v 100 ma 100na (ICBO) Npn - pré -tendencioso 300mv @ 500µA, 10MA 30 @ 5MA, 5V 250 MHz 4.7 Kohms 10 Kohms
FDD6030L Fairchild Semiconductor FDD6030L 0,8900
RFQ
 ECAD 637 0,00000000 Semicondutor Fairchild PowerTrench® Volume Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-252, (D-PAK) download Ear99 8542.39.0001 339 N-canal 30 v 12a (ta), 50a (tc) 4.5V, 10V 14.5mohm @ 12a, 10V 3V A 250µA 28 NC @ 5 V ± 20V 1230 pf @ 15 V - 3.2W (TA), 56W (TC)
FJY3008R Fairchild Semiconductor Fjy3008r -
RFQ
 ECAD 3421 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto Montagem na Superfície SC-89, SOT-490 FJY300 200 MW SOT-523F download ROHS3 Compatível Ear99 8541.21.0075 3.000 50 v 100 ma 100na (ICBO) Npn - pré -tendencioso 300mv @ 500µA, 10MA 56 @ 5MA, 5V 250 MHz 47 Kohms 22 Kohms
FDP2552_NL Fairchild Semiconductor FDP2552_NL 1.0000
RFQ
 ECAD 2939 0,00000000 Semicondutor Fairchild PowerTrench® Volume Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) To-220-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 1 N-canal 150 v 5a (ta), 37a (tc) 10V 36mohm @ 16a, 10V 4V A 250µA 51 NC @ 10 V ± 20V 2800 pf @ 25 V - 150W (TC)
SI9424DY Fairchild Semiconductor SI9424DY 0,4400
RFQ
 ECAD 2179 0,00000000 Semicondutor Fairchild PowerTrench® Volume Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 8-SOIC download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 140 Canal P. 20 v 8a (ta) 2.5V, 4.5V 24mohm @ 8a, 4.5V 1,5V a 250µA 33 NC @ 5 V ± 10V 2260 pf @ 10 V - 2.5W (TA)
FDD8444L Fairchild Semiconductor FDD8444L 1.1200
RFQ
 ECAD 337 0,00000000 Semicondutor Fairchild PowerTrench® Volume Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-252, (D-PAK) download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 2.500 N-canal 40 v 16a (ta), 50a (tc) 4.5V, 10V 5.2mohm @ 50a, 10V 3V A 250µA 60 nc @ 5 V ± 20V 5530 pf @ 25 V - 153W (TC)
BC640TF Fairchild Semiconductor BC640TF 0,0200
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 ECAD 7591 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) Formou Leads 1 w TO-92-3 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0075 2.000 80 v 1 a 100na (ICBO) Pnp 500mv @ 50Ma, 500mA 40 @ 150mA, 2V 100MHz
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