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Transistores (3821)

Imageem Número do Produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade Dispon Svel Peso (kg) Mfr Série Pacote Status do produto Temperatura operacional Tipo de Montagem Pacote / Caso Número do Produto Base Tipo de Entrada Tecnologia Poder - Máx Pacote de Dispositivo de Fornecedor Ficha de Dadas Status do rohs Nível de sensibilidade à Umidade (msl) Status de alcance Nomes de Ulros ECCN Htsus PACOTE PADROO TIPO DE FET Condição de teste Escorra para um tensão de origem (VDSS) Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C Tensão de conduça (max rds on, min rds on) Rds em (max) @ id, vgs VGS (th) (max) @ id Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS VGs (Máximoo) CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Recurso FET DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) TIPO IGBT Tensão - Colapso do Emissor de Colecionador (Max) Corrente - Coletor (IC) (Max) Corrente - Coletor Pulsa (ICM) Vce (on) (max) @ vge, ic Troca de Energia Carga do Portão TD (Ligado/Desligado) A 25 ° C Corrente - Corte de Colecionador (Max) Tipo de transistor Vce saturação (max) @ ib, ic Ganho ATUAL DE CC (HFE) (min) @ IC, VCE Frequencia - Transmissão Resistor - Base (R1)
FJP5555TU Fairchild Semiconductor FJP5555TU 0,4600
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo 150 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 75 w To-220-3 download Ear99 8542.39.0001 701 400 v 5 a - Npn 1.5V @ 1A, 3.5A 20 @ 800mA, 3V -
FJN4309RTA Fairchild Semiconductor FJN4309RTA 0,0200
RFQ
 ECAD 131 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) Formou Leads FJN430 300 MW TO-92-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 0000.00.0000 1 40 v 100 ma 100na (ICBO) PNP - Pré -tendencioso 300mV @ 1Ma, 10MA 100 @ 1MA, 5V 200 MHz 4.7 Kohms
FDFS2P103A Fairchild Semiconductor FDFS2P103A 0,4300
RFQ
 ECAD 11 0,00000000 Semicondutor Fairchild PowerTrench® Volume Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 8-SOIC download ROHS3 Compatível Ear99 8541.21.0095 2.500 Canal P. 30 v 5.3a (ta) 4.5V, 10V 59mohm @ 5.3a, 10V 3V A 250µA 8 nc @ 5 V ± 25V 535 pf @ 15 V Diodo Schottky (Isolado) 900MW (TA)
RFD14N05SM Fairchild Semiconductor RFD14N05SM -
RFQ
 ECAD 3408 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-252, (D-PAK) download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 75 N-canal 50 v 14a (TC) 10V 100mohm @ 14a, 10v 4V A 250µA 40 NC @ 20 V ± 20V 570 pf @ 25 V - 48W (TC)
ISL9N306AD3ST Fairchild Semiconductor ISL9N306AD3ST 0,3400
RFQ
 ECAD 8 0,00000000 Semicondutor Fairchild Ultrafet® Volume Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-252-3 (DPAK) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) ALCANCE AFETADO Ear99 8541.29.0095 1 N-canal 30 v 50a (TC) 4.5V, 10V 6mohm @ 50a, 10V 3V A 250µA 90 nc @ 10 V ± 20V 3400 pf @ 15 V - 125W (TA)
TIP30C Fairchild Semiconductor TIP30C 0,1700
RFQ
 ECAD 4759 0,00000000 Semicondutor Fairchild TIP30C Volume Ativo -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 2 w To-220-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 1 100 v 1 a 300µA Pnp 700mV A 125mA, 1A 40 @ 200Ma, 4V 3MHz
FQB27P06TM Fairchild Semiconductor FQB27P06TM -
RFQ
 ECAD 5292 0,00000000 Semicondutor Fairchild QFET® Volume Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab FQB27 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) D2PAK (TO-263) download Ear99 8542.39.0001 1 Canal P. 60 v 27a (TC) 10V 70mohm @ 13.5a, 10V 4V A 250µA 43 nc @ 10 V ± 25V 1400 pf @ 25 V - 3,75W (TA), 120W (TC)
FDFMA2P853T Fairchild Semiconductor Fdfma2p853t 0,2700
RFQ
 ECAD 23 0,00000000 Semicondutor Fairchild PowerTrench® Volume Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 6-VDFN PAD EXPOSTO MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 6-microfet (2x2) download ROHS3 Compatível Ear99 8541.21.0095 3.000 Canal P. 20 v 3a (ta) 1.8V, 4.5V 120mohm @ 3a, 4.5V 1.3V a 250µA 6 nc @ 4,5 V ± 8V 435 pf @ 10 V Diodo Schottky (Isolado) 1.4W (TA)
SI4416DY Fairchild Semiconductor SI4416DY -
RFQ
 ECAD 8178 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 8-SOIC download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.29.0095 1.353 N-canal 30 v 9a (ta) - 18mohm @ 9a, 10V 1V a 250µA 20 NC @ 5 V ± 20V 1340 pf @ 15 V - 1W (TA)
KSA1242OTU Fairchild Semiconductor KSA1242OTU 0,1800
RFQ
 ECAD 4 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-251-3 leva Curtos, Ipak, TO-251AA 10 w I-Pak download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0075 5.040 20 v 5 a 100µA (ICBO) Pnp 1V @ 100MA, 4A 100 @ 500mA, 2V 180MHz
FQB9N50TM Fairchild Semiconductor FQB9N50TM 0,9000
RFQ
 ECAD 485 0,00000000 Semicondutor Fairchild QFET® Volume Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab MOSFET (ÓXIDO DE METAL) D2PAK (TO-263) download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 800 N-canal 500 v 9a (TC) 10V 730mohm @ 4.5a, 10V 5V A 250µA 36 nc @ 10 V ± 30V 1450 PF @ 25 V - 3.13W (TA), 147W (TC)
HUF75332S3ST Fairchild Semiconductor HUF75332S3ST 0,7800
RFQ
 ECAD 23 0,00000000 Semicondutor Fairchild Ultrafet ™ Volume Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab MOSFET (ÓXIDO DE METAL) D2PAK (TO-263) download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 800 N-canal 55 v 52a (TC) 19mohm @ 52a, 10V 4V A 250µA 85 nc @ 20 V ± 20V 1300 pf @ 25 V - 110W (TC)
FDP86363-F085 Fairchild Semiconductor FDP86363-F085 1.6600
RFQ
 ECAD 8862 0,00000000 Semicondutor Fairchild Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® Volume Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) To-220-3 download Ear99 8542.39.0001 1 N-canal 80 v 110A (TC) 10V 2.8mohm @ 80a, 10V 4V A 250µA 150 nc @ 10 V ± 20V 10 pf @ 40 V - 300W (TC)
FGPF70N30TTU Fairchild Semiconductor FGPF70N30TTU 1.2100
RFQ
 ECAD 11 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco Pacote completo parágrafo 220-3 Padrão 49,2 w TO-220F-3 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 50 - Trincheira 300 v 160 a 1.5V @ 15V, 20A - 125 NC -
FQP10N20CTSTU Fairchild Semiconductor FQP10N20CTSTU 0,3100
RFQ
 ECAD 9282 0,00000000 Semicondutor Fairchild QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) To-220-3 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 797 N-canal 200 v 9.5a (TC) 10V 360mohm @ 4.75a, 10V 4V A 250µA 26 NC A 10 V ± 30V 510 pf @ 25 V - 72W (TC)
FQP12N60C Fairchild Semiconductor FQP12N60C 1.8100
RFQ
 ECAD 4 0,00000000 Semicondutor Fairchild QFET® Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) To-220-3 download Ear99 8542.39.0001 166 N-canal 600 v 12a (TC) 10V 650mohm @ 6a, 10V 4V A 250µA 63 nc @ 10 V ± 30V 2290 pf @ 25 V - 225W (TC)
NDS356P Fairchild Semiconductor NDS356p 1.0000
RFQ
 ECAD 1157 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) SOT-23-3 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.21.0095 3.000 Canal P. 20 v 1.1a (ta) 4.5V, 10V 210mohm @ 1.3a, 10V 2,5V a 250µA 5 nc @ 5 V ± 12V 180 pf @ 10 V - 500mW (TA)
FQD5N50TF Fairchild Semiconductor FQD5N50TF 0,5100
RFQ
 ECAD 28 0,00000000 Semicondutor Fairchild QFET® Volume Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-252, (D-PAK) download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 2.000 N-canal 500 v 3.5a (TC) 10V 1.8OHM @ 1.75A, 10V 5V A 250µA 17 NC @ 10 V ± 30V 610 pf @ 25 V - 2.5W (TA), 50W (TC)
BC307BBU Fairchild Semiconductor BC307BBU -
RFQ
 ECAD 6045 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) 500 MW TO-92-3 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.21.0075 1.000 45 v 100 ma 15Na Pnp 500mv @ 5Ma, 100mA 180 @ 2MA, 5V 130MHz
KSA992FTA Fairchild Semiconductor KSA992FTA 0,0500
RFQ
 ECAD 6133 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) Formou Leads 500 MW TO-92-3 download Ear99 8542.39.0001 2.000 120 v 50 MA 1µA Pnp 300mV @ 1Ma, 10MA 300 @ 1MA, 6V 100MHz
MJD340TF Fairchild Semiconductor MJD340TF -
RFQ
 ECAD 9301 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 MJD34 1,56 w D-Pak download Não Aplicável 1 (ilimito) ALCANCE AFETADO Ear99 0000.00.0000 1 300 v 500 MA 100µA Npn - 30 @ 50MA, 10V -
HUFA76609D3ST Fairchild Semiconductor HUFA76609D3ST 0,4300
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Semicondutor Fairchild Ultrafet ™ Volume Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-252, (D-PAK) download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 2.500 N-canal 100 v 10a (TC) 4.5V, 10V 160mohm @ 10a, 10V 3V A 250µA 16 nc @ 10 V ± 16V 425 pf @ 25 V - 49W (TC)
SFR9210TF Fairchild Semiconductor SFR9210TF -
RFQ
 ECAD 7818 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-252-3 (DPAK) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) ALCANCE AFETADO Ear99 8541.29.0095 2.000 Canal P. 200 v 1.6a (TC) 10V 3ohm @ 800Ma, 10V 4V A 250µA 11 NC @ 10 V ± 30V 285 pf @ 25 V - 2.5W (TA), 19W (TC)
SFP9640L Fairchild Semiconductor SFP9640L 0,7200
RFQ
 ECAD 760 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) To-220-3 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 50 Canal P. 200 v 11a (TC) 5V 500mohm @ 5.5a, 5V 2V A 250µA 59 NC @ 5 V ± 20V 1585 pf @ 25 V - 98W (TC)
MMBT3702 Fairchild Semiconductor MMBT3702 0,0200
RFQ
 ECAD 8641 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 350 MW SOT-23-3 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.21.0075 14.690 25 v 800 mA 100na (ICBO) Pnp 250mv @ 5Ma, 50Ma 60 @ 50MA, 5V 100MHz
FDME820NZT Fairchild Semiconductor Fdme820nzt 0,3900
RFQ
 ECAD 9 0,00000000 Semicondutor Fairchild PowerTrench® Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 6-PowerUfdfn MOSFET (ÓXIDO DE METAL) Microfet 1.6x1.6 Thin download Ear99 8542.39.0001 760 N-canal 20 v 9a (ta) 1.8V, 4.5V 18mohm @ 9a, 4.5V 1V a 250µA 8,5 nc a 4,5 V ± 12V 865 pf @ 10 V - 2.1W (TA)
FDMS8670 Fairchild Semiconductor FDMS8670 0,8700
RFQ
 ECAD 74 0,00000000 Semicondutor Fairchild PowerTrench® Volume Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-PowerTdfn MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 8-pqfn (5x6) download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 3.000 N-canal 30 v 24a (ta), 42a (tc) 4.5V, 10V 2.6mohm @ 24a, 10V 3V A 250µA 63 nc @ 10 V ± 20V 3940 pf @ 15 V - 2.5W (TA), 78W (TC)
KSB834Y Fairchild Semiconductor KSB834Y -
RFQ
 ECAD 8849 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto 150 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 1,5 w To-220-3 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 200 60 v 3 a 100µA (ICBO) Pnp 1V @ 300MA, 3A 100 @ 500mA, 5V 9MHz
SFR2955TF Fairchild Semiconductor SFR2955TF 0,2500
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-252-3 (DPAK) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) ALCANCE AFETADO Ear99 8541.29.0095 2.000 Canal P. 60 v 7.6a (TC) 10V 300mohm @ 3.8a, 10V 4V A 250µA 19 NC @ 10 V ± 20V 600 pf @ 25 V - 2.5W (TA), 32W (TC)
FDB8832-F085 Fairchild Semiconductor FDB8832-F085 -
RFQ
 ECAD 5141 0,00000000 Semicondutor Fairchild Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® Volume Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab MOSFET (ÓXIDO DE METAL) D²PAK (TO-263) download Fornecedor indefinido Alcançar Não Afetado 2156-FDB8832-F085-600039 1 N-canal 30 v 34A (TA) 4.5V, 10V 1.9mohm @ 80a, 10V 3V A 250µA 265 NC @ 10 V ± 20V 11400 pf @ 15 V - 300W (TC)
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