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Transistores (3821)

Imageem Número do Produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade Dispon Svel Peso (kg) Mfr Série Pacote Status do produto Temperatura operacional Tipo de Montagem Pacote / Caso Número do Produto Base Tipo de Entrada Tecnologia Poder - Máx Pacote de Dispositivo de Fornecedor Ficha de Dadas Status do rohs Nível de sensibilidade à Umidade (msl) Status de alcance Nomes de Ulros ECCN Htsus PACOTE PADROO TIPO DE FET Condição de teste Escorra para um tensão de origem (VDSS) Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C Tensão de conduça (max rds on, min rds on) Rds em (max) @ id, vgs VGS (th) (max) @ id Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS VGs (Máximoo) CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Recurso FET DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) TIPO IGBT Tensão - Colapso do Emissor de Colecionador (Max) Corrente - Coletor (IC) (Max) Corrente - Coletor Pulsa (ICM) Vce (on) (max) @ vge, ic Troca de Energia Carga do Portão TD (Ligado/Desligado) A 25 ° C Corrente - Corte de Colecionador (Max) Tipo de transistor Vce saturação (max) @ ib, ic Ganho ATUAL DE CC (HFE) (min) @ IC, VCE Frequencia - Transmissão Resistor - Base (R1) Resistor - Base de Emissor (R2)
FQD8N25TF Fairchild Semiconductor Fqd8n25tf 0,4600
RFQ
 ECAD 33 0,00000000 Semicondutor Fairchild QFET® Volume Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-252, (D-PAK) download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 2.000 N-canal 250 v 6.2a (TC) 10V 550mohm @ 3.1a, 10V 5V A 250µA 15 nc @ 10 V ± 30V 530 pf @ 25 V - 2.5W (TA), 50W (TC)
PN2907ATAR Fairchild Semiconductor PN2907ATAR 1.0000
RFQ
 ECAD 4109 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) Formou Leads 625 MW TO-92-3 download Ear99 8541.21.0075 1 60 v 800 mA 20na (ICBO) Pnp 1.6V @ 50Ma, 500mA 100 @ 150mA, 10V 200MHz
PN2222ATF Fairchild Semiconductor PN222222ATF 0,0400
RFQ
 ECAD 2756 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) Formou Leads 625 MW TO-92-3 download Ear99 8541.21.0075 50 40 v 1 a 10na (ICBO) Npn 1V @ 50MA, 500mA 100 @ 150mA, 10V 300MHz
FGA6065ADF Fairchild Semiconductor FGA6065ADF -
RFQ
 ECAD 6417 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco TO-3P-3, SC-65-3 Padrão 306 w TO-3PN download Ear99 8542.39.0001 1 400V, 60A, 6OHM, 15V 110 ns Parada de Campo da Trinceira 650 v 120 a 180 a 2.3V @ 15V, 60a 2,46MJ (ON), 520µJ (Desligado) 84 NC 25,6ns/71ns
MJD350TF Fairchild Semiconductor MJD350TF -
RFQ
 ECAD 9699 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 1,56 w DPAK-3 - Rohs Não Compatível Fornecedor indefinido 2156-MJD350TF-600039 1 300 v 500 MA 100µA Pnp 1V @ 10Ma, 100mA 30 @ 50MA, 10V 10MHz
BC546BTA Fairchild Semiconductor BC546BTA -
RFQ
 ECAD 4256 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) Formou Leads 500 MW TO-92-3 download 0000.00.0000 1 65 v 100 ma 15na (ICBO) Npn 600mV @ 5Ma, 100mA 200 @ 2MA, 5V 300MHz
TIP42B Fairchild Semiconductor Tip42b 0,4100
RFQ
 ECAD 5 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Tubo Obsoleto -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 2 w To-220-3 download Rohs Não Compatível Ear99 8541.29.0095 50 80 v 6 a 700µA Pnp 1,5V a 600mA, 6a 15 @ 3A, 4V 3MHz
FDMS8350LET40 Fairchild Semiconductor FDMS8350LET40 1.0000
RFQ
 ECAD 8612 0,00000000 Semicondutor Fairchild PowerTrench® Volume Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-PowerTdfn MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 8-pqfn (5x6) - Rohs Não Compatível Fornecedor indefinido 2156-FDMS8350LET40 Ear99 8541.29.0095 1 N-canal 40 v 49A (TA), 300A (TC) 4.5V, 10V 0,85mohm @ 47a, 10V 3V A 250µA 219 NC @ 10 V ± 20V 16590 PF @ 20 V - 3.33W (TA), 125W (TC)
BSR14 Fairchild Semiconductor BSR14 1.0000
RFQ
 ECAD 1929 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 350 MW SOT-23-3 download Ear99 8541.21.0075 1 40 v 800 mA 10na (ICBO) Npn 1V @ 50MA, 500mA 100 @ 150mA, 10V 300MHz
HUF75823D3S Fairchild Semiconductor HUF75823D3S 0,8700
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Semicondutor Fairchild Ultrafet® Volume Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-252, (D-PAK) download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.29.0095 1 N-canal 150 v 14a (TC) 10V 150mohm @ 14a, 10v 4V A 250µA 54 NC @ 20 V ± 20V 800 pf @ 25 V - 85W (TC)
FDB0260N1007L Fairchild Semiconductor FDB0260N1007L -
RFQ
 ECAD 8700 0,00000000 Semicondutor Fairchild PowerTrench® Volume Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-7, D²PAK (6 leads + guia) MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-263-7 download Ear99 8542.39.0001 1 N-canal 100 v 200a (TC) 10V 2.6mohm @ 27a, 10V 4V A 250µA 118 nc @ 10 V ± 20V 8545 pf @ 50 V - 3.8W (TA), 250W (TC)
TIP31ATU Fairchild Semiconductor Tip31ATU 0,2400
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 2 w To-220-3 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 1.000 60 v 3 a 300µA Npn 1.2V @ 375MA, 3A 10 @ 3A, 4V 3MHz
FQB7N80TM Fairchild Semiconductor FQB7N80TM -
RFQ
 ECAD 6350 0,00000000 Semicondutor Fairchild QFET® Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab MOSFET (ÓXIDO DE METAL) D2PAK (TO-263) download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 188 N-canal 800 v 6.6a (TC) 10V 1.5OHM @ 3.3a, 10V 5V A 250µA 52 NC @ 10 V ± 30V 1850 pf @ 25 V - 3.13W (TA), 167W (TC)
RFD16N05SM_NL Fairchild Semiconductor RFD16N05SM_NL -
RFQ
 ECAD 2706 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-252, (D-PAK) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) ALCANCE AFETADO Ear99 8541.29.0095 387 N-canal 50 v 16a (TC) 10V 47mohm @ 16a, 10v 4V A 250µA 80 nc @ 20 V ± 20V 900 pf @ 25 V - 72W (TC)
FDD2570 Fairchild Semiconductor FDD2570 1.4600
RFQ
 ECAD 84 0,00000000 Semicondutor Fairchild PowerTrench® Volume Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-252, (D-PAK) download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 2.500 N-canal 150 v 4.7a (ta) 6V, 10V 80mohm @ 4.7a, 10V 4V A 250µA 62 NC @ 10 V ± 20V 1907 PF @ 75 V - 3.2W (TA), 70W (TC)
BCP51 Fairchild Semiconductor BCP51 0,1600
RFQ
 ECAD 9 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-261-4, TO-261AA BCP51 1 w SOT-223-4 download Ear99 8541.29.0095 1 45 v 1.5 a 100na (ICBO) Pnp 500mv @ 50Ma, 500mA 40 @ 150mA, 2V -
2N5551YTA Fairchild Semiconductor 2N5551YTA -
RFQ
 ECAD 5782 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) Formou Leads 625 MW TO-92-3 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.21.0075 2.000 160 v 600 mA - Npn 200mv @ 5Ma, 50Ma 180 @ 10MA, 5V 100MHz
FDC697P Fairchild Semiconductor FDC697P 0,7200
RFQ
 ECAD 69 0,00000000 Semicondutor Fairchild PowerTrench® Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 6 -Ssot Lead Plana, SuperSot ™ -6 FLMP MOSFET (ÓXIDO DE METAL) SuperSot ™ -6 FLMP download Fornecedor indefinido Fornecedor indefinido 2156-FDC697P-600039 1 Canal P. 20 v 8a (ta) 1.8V, 4.5V 20mohm @ 8a, 4.5V 1,5V a 250µA 55 nc @ 4,5 V ± 8V 3524 pf @ 10 V - 2W (TA)
FDP14AN06LA0 Fairchild Semiconductor FDP14AN06LA0 3.0100
RFQ
 ECAD 14 0,00000000 Semicondutor Fairchild PowerTrench® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) To-220-3 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 400 N-canal 60 v 10a (ta), 67a (tc) 5V, 10V 11.6mohm @ 67a, 10V 3V A 250µA 31 NC @ 5 V ± 20V 2900 pf @ 25 V - 125W (TC)
KST2222AMTF Fairchild Semiconductor KST2222Amtf -
RFQ
 ECAD 3847 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo - Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 350 MW SOT-23-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 0000.00.0000 3.000 40 v 600 mA 10na (ICBO) Npn 1V @ 50MA, 500mA 100 @ 150mA, 10V 300MHz
FQPF18N20V2 Fairchild Semiconductor FQPF18N20V2 1.0800
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Semicondutor Fairchild QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco Pacote completo parágrafo 220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-220F-3 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 1.000 N-canal 200 v 18a (TC) 10V 140mohm @ 9a, 10V 5V A 250µA 26 NC A 10 V ± 30V 1080 pf @ 25 V - 40W (TC)
BCX70G Fairchild Semiconductor BCX70G -
RFQ
 ECAD 4855 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo - Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BCX70 350 MW SOT-23-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 0000.00.0000 3.000 45 v 200 MA 20na Npn 550mv a 1,25mA, 50mA 120 @ 2MA, 5V 125MHz
NDS8435A Fairchild Semiconductor NDS8435A 0,8300
RFQ
 ECAD 129 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 8-SOIC download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 2.500 Canal P. 30 v 7.9a (TA) 4.5V, 10V 23mohm @ 7.9a, 10V 3V A 250µA 67 nc @ 10 V ± 20V 1800 pf @ 15 V - 2.5W (TA)
KSC2682YS Fairchild Semiconductor KSC2682YS 0,1000
RFQ
 ECAD 7 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-225AA, TO-126-3 1.2 w TO-126-3 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0075 250 180 v 100 ma 1µA (ICBO) Npn 500mv @ 5Ma, 50Ma 160 @ 10MA, 5V 200MHz
FJY3003R Fairchild Semiconductor FJY3003R 0,0200
RFQ
 ECAD 24 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto Montagem na Superfície SC-89, SOT-490 FJY300 200 MW SOT-523F download ROHS3 Compatível Ear99 8541.21.0075 3.000 50 v 100 ma 100na (ICBO) Npn - pré -tendencioso 300mv @ 500µA, 10MA 56 @ 5MA, 5V 250 MHz 22 Kohms 22 Kohms
FDS6064N3 Fairchild Semiconductor FDS6064N3 1.6200
RFQ
 ECAD 30 0,00000000 Semicondutor Fairchild PowerTrench® Volume Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 8-so download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 2.500 N-canal 20 v 23a (TA) 1.8V, 4.5V 4mohm @ 23a, 4.5V 1,5V a 250µA 98 NC @ 4,5 V ± 8V 7191 pf @ 10 V - 3W (TA)
KSA812YMTF-FS Fairchild Semiconductor KSA812YMTF-FS 0,0200
RFQ
 ECAD 974 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 150 MW SOT-23-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 0000.00.0000 3.000 50 v 100 ma 100na (ICBO) Pnp 300mv @ 10ma, 100mA 135 @ 1MA, 6V 180MHz
MPSA06 Fairchild Semiconductor MPSA06 0,0800
RFQ
 ECAD 26 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) MPSA06 625 MW Parágrafo 92 download Ear99 8541.21.0075 3.842 80 v 500 MA 100na (ICBO) Npn 250mv @ 10ma, 100mA 100 @ 100mA, 1V 100MHz
KSC5338DTU Fairchild Semiconductor KSC5338DTU -
RFQ
 ECAD 8971 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo 150 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 75 w To-220-3 download Ear99 8542.39.0001 1 450 v 5 a 100µA Npn 500MV @ 200Ma, 1A 6 @ 2A, 1V 11MHz
FQI5N30TU Fairchild Semiconductor FQI5N30TU 0,5700
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Semicondutor Fairchild QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-262-3 Leitos Longos, i²pak, TO-262AA MOSFET (ÓXIDO DE METAL) I2pak (to-262) download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 1.000 N-canal 300 v 5.4a (TC) 10V 900mohm @ 2.7a, 10V 5V A 250µA 13 NC @ 10 V ± 30V 430 pf @ 25 V - 3.13W (TA), 70W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume médio diário de RFQ

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Unidade de produto padrão

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes em todo o mundo

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Armazém em estoque

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