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Transistores (3821)

Imageem Número do Produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade Dispon Svel Peso (kg) Mfr Série Pacote Status do produto Temperatura operacional Tipo de Montagem Pacote / Caso Número do Produto Base Tecnologia Poder - Máx Entrada Pacote de Dispositivo de Fornecedor Ficha de Dadas Status do rohs Nível de sensibilidade à Umidade (msl) Status de alcance Nomes de Ulros ECCN Htsus PACOTE PADROO Configuraça TIPO DE FET Escorra para um tensão de origem (VDSS) Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C Tensão de conduça (max rds on, min rds on) Rds em (max) @ id, vgs VGS (th) (max) @ id Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS VGs (Máximoo) CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Recurso FET DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) TIPO IGBT Tensão - Colapso do Emissor de Colecionador (Max) Corrente - Coletor (IC) (Max) Vce (on) (max) @ vge, ic Corrente - Corte de Colecionador (Max) Termistor NTC Tipo de transistor Vce saturação (max) @ ib, ic Ganho ATUAL DE CC (HFE) (min) @ IC, VCE Frequencia - Transmissão Resistor - Base (R1)
SFW2955TM Fairchild Semiconductor SFW2955TM 0,4000
RFQ
 ECAD 5792 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-252-3 (DPAK) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) ALCANCE AFETADO Ear99 8541.29.0095 540 Canal P. 60 v 9.4a (TC) 10V 300mohm @ 4.7a, 10V 4V A 250µA 19 NC @ 10 V ± 20V 600 pf @ 25 V - 3.8W (TA), 49W (TC)
FQI2P25TU Fairchild Semiconductor Fqi2p25tu 0,7500
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Semicondutor Fairchild QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-262-3 Leitos Longos, i²pak, TO-262AA MOSFET (ÓXIDO DE METAL) I2pak (to-262) download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 1.000 Canal P. 250 v 2.3a (TC) 10V 4ohm @ 1.15a, 10V 5V A 250µA 8,5 nc @ 10 V ± 30V 250 pf @ 25 V - 3.13W (TA), 52W (TC)
FDU7030BL Fairchild Semiconductor FDU7030BL 0,6400
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Semicondutor Fairchild PowerTrench® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco TO-251-3 leva Curtos, Ipak, TO-251AA MOSFET (ÓXIDO DE METAL) I-Pak download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 1.800 N-canal 30 v 14a (ta), 56a (tc) 4.5V, 10V 9.5mohm @ 14a, 10v 3V A 250µA 20 NC @ 5 V ± 20V 1425 pf @ 15 V - 2.8W (TA), 60W (TC)
KST56MTF Fairchild Semiconductor KST56MTF 0,0200
RFQ
 ECAD 86 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo - Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 350 MW SOT-23-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 0000.00.0000 3.000 80 v 500 MA 100na Pnp 250mv @ 10ma, 100mA 50 @ 100mA, 1V 50MHz
FDP8N50NZ Fairchild Semiconductor FDP8N50NZ -
RFQ
 ECAD 5475 0,00000000 Semicondutor Fairchild Unifet ™ Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) To-220-3 download 0000.00.0000 1 N-canal 500 v 8a (TC) 10V 850mohm @ 4a, 10V 5V A 250µA 18 NC @ 10 V ± 25V 735 pf @ 25 V - 130W (TC)
FQPF4N60 Fairchild Semiconductor FQPF4N60 0,7000
RFQ
 ECAD 4 0,00000000 Semicondutor Fairchild QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco Pacote completo parágrafo 220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-220F-3 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 1.000 N-canal 600 v 2.6a (TC) 10V 2.2OHM @ 1.3A, 10V 5V A 250µA 20 NC A 10 V ± 30V 670 pf @ 25 V - 36W (TC)
FDS7096N3 Fairchild Semiconductor FDS7096N3 0,9900
RFQ
 ECAD 183 0,00000000 Semicondutor Fairchild PowerTrench® Volume Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 8-SOIC download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 2.500 N-canal 30 v 14a (ta) 4.5V, 10V 9mohm @ 14a, 10V 3V A 250µA 22 NC @ 5 V ± 20V 1587 pf @ 15 V - 3W (TA)
FDZ206P Fairchild Semiconductor FDZ206P 0,5100
RFQ
 ECAD 369 0,00000000 Semicondutor Fairchild PowerTrench® Volume Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 30-WFBGA MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 30-BGA (4x3.5) download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 4.000 Canal P. 20 v 13A (TA) 2.5V, 4.5V 9.5mohm @ 13a, 4.5V 1,5V a 250µA 53 NC a 4,5 V ± 12V 4280 PF @ 10 V - 2.2W (TA)
HUF75545P3_NL Fairchild Semiconductor Huf75545p3_nl 2.1100
RFQ
 ECAD 9855 0,00000000 Semicondutor Fairchild Ultrafet® Volume Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) To-220-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 100 N-canal 80 v 75a (TC) 10V 10mohm @ 75a, 10V 4V A 250µA 235 NC @ 20 V ± 20V 3750 pf @ 25 V - 270W (TC)
2N5088BU Fairchild Semiconductor 2N5088BU 1.0000
RFQ
 ECAD 5264 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) 2N5088 625 MW TO-92-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.21.0095 1 30 v 100 ma 50na (ICBO) Npn 500mV @ 1Ma, 10MA 300 @ 100µA, 5V 50MHz
FDPF041N06BL1 Fairchild Semiconductor FDPF041N06BL1 1.1500
RFQ
 ECAD 755 0,00000000 Semicondutor Fairchild PowerTrench® Volume Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco Pacote completo parágrafo 220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-220F-3 download Ear99 8542.39.0001 283 N-canal 60 v 77a (TC) 10V 4.1mohm @ 77a, 10V 4V A 250µA 69 NC @ 10 V ± 20V 5690 pf @ 30 V - 44.1W (TC)
BC546CTA Fairchild Semiconductor BC546CTA -
RFQ
 ECAD 4144 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) Formou Leads 500 MW TO-92-3 download Não Aplicável Alcançar Não Afetado 2156-BC546CTA-600039 1 65 v 100 ma 15na (ICBO) Npn 600mV @ 5Ma, 100mA 420 @ 2MA, 5V 300MHz
KSC5042TU Fairchild Semiconductor KSC5042TU -
RFQ
 ECAD 3172 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo 150 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 KSC5042 To-220-3 download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.29.0095 2.000 10µA (ICBO) Npn 5V @ 4MA, 20MA 30 @ 10MA, 5V -
FDC638P Fairchild Semiconductor FDC638P -
RFQ
 ECAD 5721 0,00000000 Semicondutor Fairchild PowerTrench® Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) SuperSot ™ -6 download Ear99 8542.39.0001 1 Canal P. 20 v 4.5a (ta) 2.5V, 4.5V 48mohm @ 4.5a, 4.5V 1,5V a 250µA 14 NC a 4,5 V ± 8V 1160 pf @ 10 V - 1.6W (TA)
FDD8880_NL Fairchild Semiconductor FDD8880_NL 0,4400
RFQ
 ECAD 777 0,00000000 Semicondutor Fairchild PowerTrench® Volume Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-252, (D-PAK) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) ALCANCE AFETADO Ear99 8541.29.0095 777 N-canal 30 v 13a (ta), 58a (tc) 4.5V, 10V 9mohm @ 35a, 10V 2,5V a 250µA 31 NC @ 10 V ± 20V 1260 pf @ 15 V - 55W (TC)
FJN3310RBU Fairchild Semiconductor FJN3310RBU 1.0000
RFQ
 ECAD 2532 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) FJN331 300 MW TO-92-3 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.21.0075 1.000 40 v 100 ma 100na (ICBO) Npn - pré -tendencioso 300mV @ 1Ma, 10MA 100 @ 1MA, 5V 250 MHz 10 Kohms
BD675AS Fairchild Semiconductor BD675As 0,3400
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-225AA, TO-126-3 BD675 40 w TO-126-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 0000.00.0000 1 45 v 4 a 500µA NPN - Darlington 2.8V @ 40MA, 2A 750 @ 2A, 3V -
KSA708YBU Fairchild Semiconductor KSA708YBU 0,0500
RFQ
 ECAD 80 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) 800 MW TO-92-3 download Ear99 8542.39.0001 5.495 60 v 700 MA 100na (ICBO) Pnp 700mv @ 50Ma, 500mA 120 @ 50MA, 2V 50MHz
FJV1845EMTF Fairchild Semiconductor Fjv1845emtf 0,0300
RFQ
 ECAD 151 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Fjv184 300 MW SOT-23 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 0000.00.0000 3.000 120 v 50 MA 50na (ICBO) Npn 300mV @ 1Ma, 10MA 400 @ 1MA, 6V 110MHz
FQI17N08LTU Fairchild Semiconductor FQI17N08LTU 0,3700
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Semicondutor Fairchild QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco TO-262-3 Leitos Longos, i²pak, TO-262AA MOSFET (ÓXIDO DE METAL) I2pak (to-262) download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 50 N-canal 80 v 16.5a (TC) 5V, 10V 100mohm @ 8.25a, 10V 2V A 250µA 11,5 nc @ 5 V ± 20V 520 pf @ 25 V - 3.75W (TA), 65W (TC)
KSA1201YTF Fairchild Semiconductor KSA1201YTF -
RFQ
 ECAD 8558 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-243AA 1 w SOT-89-3 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.21.0075 4.000 120 v 800 mA 100na (ICBO) Pnp 1V @ 50MA, 500mA 120 @ 100mA, 5V 120MHz
FDMS3600S Fairchild Semiconductor FDMS3600S -
RFQ
 ECAD 6104 0,00000000 Semicondutor Fairchild PowerTrench® Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-PowerTdfn FDMS3600 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 2.2w (ta), 2,5w (ta) 8-pqfn (5x6) download Ear99 8542.39.0001 1 2 canal n (Duplo) Assimético 25V 15a (ta), 30a (tc), 30a (ta), 40a (tc) 5.6mohm @ 15a, 10v, 1.6mohm @ 30a, 10V 2.7V @ 250µA, 3V @ 1MA 27NC @ 10V, 82NC @ 10V 1680pf @ 13V, 5375pf @ 13V -
FMG2G300LS60E Fairchild Semiconductor FMG2G300LS60E -
RFQ
 ECAD 7762 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem do chassi 19H-ha FMG2 892 w Padrão 19H-ha download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 3 Meia Ponte - 600 v 300 a 1.8V @ 15V, 300A 250 µA Não
HUFA76423D3ST Fairchild Semiconductor HUFA76423D3ST 0,3300
RFQ
 ECAD 8 0,00000000 Semicondutor Fairchild Ultrafet ™ Volume Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-252, (D-PAK) download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 2.500 N-canal 60 v 20a (TC) 4.5V, 10V 32mohm @ 20a, 10V 3V A 250µA 34 NC @ 10 V ± 16V 1060 pf @ 25 V - 85W (TC)
KSH112TM Fairchild Semiconductor KSH112TM -
RFQ
 ECAD 3267 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 Ksh11 1,75 w D-Pak download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) ALCANCE AFETADO Ear99 0000.00.0000 2.500 100 v 2 a 20µA NPN - Darlington 3V @ 40MA, 4A 1000 @ 2A, 3V 25MHz
MJD47TF-FS Fairchild Semiconductor MJD47TF-FS 0,3400
RFQ
 ECAD 86 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 MJD47 1,56 w TO-252-3 (DPAK) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) ALCANCE AFETADO Ear99 0000.00.0000 2.000 200µA Npn 1V @ 200Ma, 1A 30 @ 300mA, 10V 10MHz
FDS6984AS Fairchild Semiconductor FDS6984As 0,4200
RFQ
 ECAD 15 0,00000000 Semicondutor Fairchild PowerTrench®, SyncFET ™ Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) FDS69 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 900MW 8-SOIC download Ear99 8542.39.0001 1 2 canal n (Duplo) 30V 5.5a, 8.5a 31mohm @ 5.5a, 10V 3V A 250µA 11NC @ 10V 420pf @ 15V Portão de Nível Lógico
SSD2025TF Fairchild Semiconductor SSD2025TF -
RFQ
 ECAD 4169 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) SSD2025 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 2W 8-SOIC download Rohs Não Compatível Ear99 8541.29.0095 3.000 2 canal n (Duplo) 60V 3.3a 100mohm @ 3.3a, 10V 1V a 250µA 30NC @ 10V - Portão de Nível Lógico
HUF75925P3 Fairchild Semiconductor HUF75925P3 0,7700
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Semicondutor Fairchild Ultrafet® Volume Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) To-220-3 download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 1 N-canal 200 v 11a (TC) 10V 275mohm @ 11a, 10V 4V A 250µA 78 NC @ 20 V ± 20V 1030 pf @ 25 V - 100w (TC)
TN6705A Fairchild Semiconductor TN6705A 0,1200
RFQ
 ECAD 8 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) 1 w TO-226-3 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.21.0095 1.500 45 v 1.5 a 100na (ICBO) Npn 1V @ 100MA, 1A 40 @ 250mA, 2V -
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