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Transistores (3821)

Imageem Número do Produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade Dispon Svel Peso (kg) Mfr Série Pacote Status do produto Temperatura operacional Tipo de Montagem Pacote / Caso Número do Produto Base Tipo de Entrada Tecnologia Poder - Máx Entrada Pacote de Dispositivo de Fornecedor Ficha de Dadas Status do rohs Nível de sensibilidade à Umidade (msl) Status de alcance Nomes de Ulros ECCN Htsus PACOTE PADROO Configuraça TIPO DE FET Condição de teste Escorra para um tensão de origem (VDSS) Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C Tensão de conduça (max rds on, min rds on) Rds em (max) @ id, vgs VGS (th) (max) @ id Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS VGs (Máximoo) CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Recurso FET DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) TIPO IGBT Tensão - Colapso do Emissor de Colecionador (Max) Corrente - Coletor (IC) (Max) Corrente - Coletor Pulsa (ICM) Vce (on) (max) @ vge, ic Troca de Energia Carga do Portão TD (Ligado/Desligado) A 25 ° C Corrente - Corte de Colecionador (Max) Termistor NTC CapacitânCia de Entrada (CIES) @ VCE Tipo de transistor Vce saturação (max) @ ib, ic Ganho ATUAL DE CC (HFE) (min) @ IC, VCE Frequencia - Transmissão
KSC945YTA Fairchild Semiconductor KSC945YTA 0,0400
RFQ
 ECAD 7851 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) Formou Leads 250 MW TO-92-3 download Ear99 8542.39.0001 7.397 50 v 150 MA 100na (ICBO) Npn 300mv @ 10ma, 100mA 120 @ 1MA, 6V 300MHz
FDS7096N3 Fairchild Semiconductor FDS7096N3 0,9900
RFQ
 ECAD 183 0,00000000 Semicondutor Fairchild PowerTrench® Volume Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 8-SOIC download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 2.500 N-canal 30 v 14a (ta) 4.5V, 10V 9mohm @ 14a, 10V 3V A 250µA 22 NC @ 5 V ± 20V 1587 pf @ 15 V - 3W (TA)
FDPF5N50NZ Fairchild Semiconductor FDPF5N50NZ 0,8500
RFQ
 ECAD 414 0,00000000 Semicondutor Fairchild * Volume Ativo download Ear99 8542.39.0001 353
HUF76121D3ST Fairchild Semiconductor HUF76121D3ST 0,4100
RFQ
 ECAD 76 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-252-3 (DPAK) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) ALCANCE AFETADO Ear99 8541.29.0095 1 N-canal 30 v 20a (TC) 4.5V, 10V 23mohm @ 20a, 10V 3V A 250µA 30 NC a 10 V ± 20V 850 pf @ 25 V - 75W (TC)
FDMS3600AS Fairchild Semiconductor FDMS3600As 1.0100
RFQ
 ECAD 15 0,00000000 Semicondutor Fairchild PowerTrench® Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-PowerTdfn FDMS3600 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 2.2W, 2,5W 8-pqfn (5x6) download Ear99 8542.39.0001 1 2 canal n (Duplo) Assimético 25V 15a, 30a 5.6mohm @ 15a, 10V 2.7V @ 250µA 27NC @ 10V 1770pf @ 13V Portão de Nível Lógico
FJV992PMTF Fairchild Semiconductor Fjv992pmtf -
RFQ
 ECAD 5408 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 300 MW SOT-23-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 0000.00.0000 3.000 120 v 50 MA - Pnp 300mV @ 1Ma, 10MA 200 @ 1MA, 6V 50MHz
FDU068AN03L Fairchild Semiconductor FDU068AN03L 0,6600
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Semicondutor Fairchild PowerTrench® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco TO-251-3 leva Curtos, Ipak, TO-251AA MOSFET (ÓXIDO DE METAL) I-Pak download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 75 N-canal 30 v 17a (ta), 35a (tc) 4.5V, 10V 5.7mohm @ 35a, 10V 2,5V a 250µA 60 nc @ 10 V ± 20V 2525 pf @ 15 V - 80W (TC)
FDS6982S Fairchild Semiconductor FDS6982S -
RFQ
 ECAD 7763 0,00000000 Semicondutor Fairchild PowerTrench®, SyncFET ™ Volume Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) FDS69 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 900MW 8-SOIC download ROHS3 Compatível Ear99 8541.21.0095 1 2 canal n (Duplo) 30V 6.3a, 8.6a 28mohm @ 6.3a, 10V 3V A 250µA 12NC @ 5V 2040pf @ 10V Portão de Nível Lógico
FDFS6N303 Fairchild Semiconductor FDFS6N303 0,2900
RFQ
 ECAD 86 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 8-SOIC download ROHS3 Compatível Ear99 8541.21.0095 2.500 N-canal 30 v 6a (ta) 4.5V, 10V 35mohm @ 6a, 10V 3V A 250µA 17 NC @ 10 V ± 20V 350 pf @ 15 V Diodo Schottky (Isolado) 900MW (TA)
KSA1015OBU Fairchild Semiconductor KSA1015OBU 0,0900
RFQ
 ECAD 9 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) Formou Leads 400 MW TO-92-3 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.21.0095 1.000 50 v 150 MA 100na (ICBO) Pnp 300mv @ 10ma, 100mA 70 @ 2MA, 6V 80MHz
FCP13N60N Fairchild Semiconductor FCP13N60N 2.5900
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Semicondutor Fairchild Supremos ™ Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) To-220-3 download Ear99 8542.39.0001 116 N-canal 600 v 13a (TC) 10V 258mohm @ 6.5a, 10V 4V A 250µA 39,5 nc @ 10 V ± 30V 1765 pf @ 100 V - 116W (TC)
FMG2G50US60 Fairchild Semiconductor FMG2G50US60 31.7500
RFQ
 ECAD 148 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem do chassi 19: 00-ga 250 w Padrão 19: 00-ga download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 15 Meia Ponte - 600 v 50 a 2.8V @ 15V, 50A 250 µA Não 3.46 NF @ 30 V
HGT1S12N60A4DS Fairchild Semiconductor HGT1S12N60A4DS 3.7100
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab Padrão 167 w TO-263AB download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) ALCANCE AFETADO Ear99 0000.00.0000 1 390V, 12A, 10OHM, 15V 30 ns - 600 v 54 a 96 a 2.7V @ 15V, 12a 55µJ (ON), 50µJ (Off) 120 NC 17ns/96ns
FDMS8670S Fairchild Semiconductor FDMS8670S -
RFQ
 ECAD 8830 0,00000000 Semicondutor Fairchild PowerTrench®, SyncFET ™ Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-PowerTdfn MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 8-pqfn (5x6) download Ear99 8541.29.0095 1 N-canal 30 v 20a (ta), 42a (tc) 4.5V, 10V 3.5mohm @ 20a, 10V 3V @ 1Ma 73 NC @ 10 V ± 20V 4000 pf @ 15 V - 2.5W (TA), 78W (TC)
HUF75639G3 Fairchild Semiconductor HUF75639G3 1.0000
RFQ
 ECAD 5930 0,00000000 Semicondutor Fairchild Ultrafet ™ Volume Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco To-247-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) To-247 download Ear99 8541.29.0095 1 N-canal 100 v 56a (TC) 10V 25mohm @ 56a, 10V 4V A 250µA 130 NC @ 20 V ± 20V 2000 pf @ 25 V - 200W (TC)
FQB4N20TM Fairchild Semiconductor FQB4N20TM 0,6600
RFQ
 ECAD 10 0,00000000 Semicondutor Fairchild QFET® Volume Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab MOSFET (ÓXIDO DE METAL) D2PAK (TO-263) download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 800 N-canal 200 v 3.6a (TC) 10V 1.4OHM @ 1.8a, 10V 5V A 250µA 6,5 nc @ 10 V ± 30V 220 pf @ 25 V - 3.13W (TA), 45W (TC)
IRFS750A Fairchild Semiconductor IRFS750A 2.0400
RFQ
 ECAD 269 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco Pacote completo parágrafo 220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-220F-3 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 1.000 N-canal 400 v 8.4a (TC) 10V 300mohm @ 4.2a, 10V 4V A 250µA 131 nc @ 10 V ± 30V 2780 pf @ 25 V - 49W (TC)
KSA1013YTA Fairchild Semiconductor KSA1013YTA -
RFQ
 ECAD 6121 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 Corpo Longo (Fios Formados) 900 MW TO-92-3 - Rohs Não Compatível Fornecedor indefinido 2156-KSA1013YTA-600039 1 160 v 1 a 1µA (ICBO) Pnp 1,5V a 50mA, 500mA 60 @ 200Ma, 5V 50MHz
NDS8961 Fairchild Semiconductor NDS8961 -
RFQ
 ECAD 4953 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) NDS896 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 900MW 8-SOIC download ROHS3 Compatível Ear99 8541.21.0095 551 2 canal n (Duplo) 30V 3.1a 100mohm @ 3.1a, 10V 3V A 250µA 10NC @ 10V 190pf @ 15V Portão de Nível Lógico
FDB20AN06A0 Fairchild Semiconductor FDB20AN06A0 0,5500
RFQ
 ECAD 5 0,00000000 Semicondutor Fairchild PowerTrench® Volume Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab MOSFET (ÓXIDO DE METAL) D2PAK (TO-263) download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 800 N-canal 60 v 9a (ta), 45a (tc) 10V 20mohm @ 45a, 10V 4V A 250µA 19 NC @ 10 V ± 20V 950 pf @ 25 V - 90W (TC)
SSR2N60BTF Fairchild Semiconductor SSR2N60BTF 0,1900
RFQ
 ECAD 196 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-252-3 (DPAK) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) ALCANCE AFETADO Ear99 8541.29.0095 2.000 N-canal 600 v 1.8a (TC) 10V 5ohm @ 900Ma, 10V 4V A 250µA 17 NC @ 10 V ± 30V 490 pf @ 25 V - 2.5W (TA), 44W (TC)
HUF76619D3S Fairchild Semiconductor HUF76619D3S 0,3200
RFQ
 ECAD 5 0,00000000 Semicondutor Fairchild Ultrafet ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-252, (D-PAK) download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 75 N-canal 100 v 18a (TC) 4.5V, 10V 85mohm @ 18a, 10V 3V A 250µA 29 NC @ 10 V ± 16V 767 pf @ 25 V - 75W (TC)
FGY75N60SMD Fairchild Semiconductor FGY75N60SMD -
RFQ
 ECAD 5735 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco TO-247-3 Variante Padrão 750 w PowerTO-247-3 download Ear99 8542.39.0001 1 400V, 75A, 3OHM, 15V 55 ns Parada de Campo 600 v 150 a 225 a 2.5V @ 15V, 75A 2,3MJ (ON), 770µJ (Desligado) 248 NC 24ns/136ns
FCH47N60 Fairchild Semiconductor FCH47N60 -
RFQ
 ECAD 4826 0,00000000 Semicondutor Fairchild Superfet ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco To-247-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) To-247 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 30 N-canal 600 v 47a (TC) 10V 70mohm @ 23.5a, 10V 5V A 250µA 270 nc @ 10 V ± 30V 8000 pf @ 25 V - 417W (TC)
FDD8451 Fairchild Semiconductor FDD8451 0,3600
RFQ
 ECAD 7 0,00000000 Semicondutor Fairchild PowerTrench® Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-252, (D-PAK) download Ear99 8542.39.0001 830 N-canal 40 v 9A (TA), 28A (TC) 4.5V, 10V 24mohm @ 9a, 10V 3V A 250µA 20 NC A 10 V ± 20V 990 PF @ 20 V - 30W (TC)
FDH50N50_F133 Fairchild Semiconductor FDH50N50_F133 -
RFQ
 ECAD 7819 0,00000000 Semicondutor Fairchild Unifet ™ Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco To-247-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) To-247 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 1 N-canal 500 v 48a (TC) 105mohm @ 24a, 10V 5V A 250µA 137 NC @ 10 V ± 20V 6460 pf @ 25 V - 625W (TC)
2N4124TF Fairchild Semiconductor 2N4124TF 0,0200
RFQ
 ECAD 9714 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) Formou Leads 625 MW TO-92-3 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.21.0075 2.318 25 v 200 MA 50na (ICBO) Npn 300mv @ 5MA, 50MA 120 @ 2MA, 1V 300MHz
HGTP7N60A4_NL Fairchild Semiconductor Hgtp7n60a4_nl 0,6000
RFQ
 ECAD 511 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 Padrão 125 w To-220-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 511 390V, 7A, 25OHM, 15V - 600 v 34 a 56 a 2.7V @ 15V, 7a 55µJ (ON), 60µJ (Desligado) 37 NC 11ns/100ns
HUF76629DS3 Fairchild Semiconductor HUF76629DS3 1.0000
RFQ
 ECAD 5109 0,00000000 Semicondutor Fairchild * Volume Ativo HUF76629 - - Não Aplicável 1 (ilimito) Fornecedor indefinido 1 -
FGH40N6S2 Fairchild Semiconductor FGH40N6S2 -
RFQ
 ECAD 3853 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco To-247-3 Padrão 290 w To-247 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 3 390V, 20A, 3OHM, 15V - 600 v 75 a 180 a 2.7V @ 15V, 20A 115µJ (ON), 195µJ (Off) 35 NC 8ns/35ns
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