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Transistores (3821)

Imageem Número do Produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade Dispon Svel Peso (kg) Mfr Série Pacote Status do produto Temperatura operacional Tipo de Montagem Pacote / Caso Número do Produto Base Tecnologia Poder - Máx Entrada Pacote de Dispositivo de Fornecedor Ficha de Dadas Status do rohs Nível de sensibilidade à Umidade (msl) Status de alcance ECCN Htsus PACOTE PADROO Configuraça TIPO DE FET Ganho Escorra para um tensão de origem (VDSS) Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C Tensão de conduça (max rds on, min rds on) Rds em (max) @ id, vgs VGS (th) (max) @ id Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS VGs (Máximoo) CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Recurso FET DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) TIPO IGBT Tensão - Colapso do Emissor de Colecionador (Max) Corrente - Coletor (IC) (Max) Vce (on) (max) @ vge, ic Corrente - Corte de Colecionador (Max) Termistor NTC CapacitânCia de Entrada (CIES) @ VCE Tipo de transistor Vce saturação (max) @ ib, ic Ganho ATUAL DE CC (HFE) (min) @ IC, VCE Frequencia - Transmissão Resistor - Base (R1) Resistor - Base de Emissor (R2) Figura de Ruído (dB typ @ f)
SFU9210TU Fairchild Semiconductor SFU9210TU 0,3200
RFQ
 ECAD 4 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-251-3 leva Curtos, Ipak, TO-251AA MOSFET (ÓXIDO DE METAL) I-Pak download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) ALCANCE AFETADO Ear99 8541.29.0095 1 Canal P. 200 v 1.6a (TC) 10V 3ohm @ 800Ma, 10V 4V A 250µA 11 NC @ 10 V ± 30V 285 pf @ 25 V - 2.5W (TA), 19W (TC)
SFP9620 Fairchild Semiconductor SFP9620 0,4300
RFQ
 ECAD 12 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) To-220-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.29.0095 1 Canal P. 200 v 3.5a (TC) 10V 1.5OHM @ 1.8a, 10V 4V A 250µA 19 NC @ 10 V ± 30V 540 pf @ 25 V - 38W (TC)
MMBT918 Fairchild Semiconductor MMBT918 -
RFQ
 ECAD 9946 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBT918 225mW SOT-23-3 (TO-236) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.21.0075 3.000 15dB 15V 50mA Npn 20 @ 3MA, 1V 600MHz 6db @ 60MHz
FQPF30N06 Fairchild Semiconductor FQPF30N06 0,5300
RFQ
 ECAD 85 0,00000000 Semicondutor Fairchild QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco Pacote completo parágrafo 220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-220F-3 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 1.000 N-canal 60 v 21a (TC) 10V 40mohm @ 10.5a, 10V 4V A 250µA 25 nc @ 10 V ± 25V 945 pf @ 25 V - 39W (TC)
MMBT2222A Fairchild Semiconductor MMBT2222A -
RFQ
 ECAD 8163 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBT2222 350 MW SOT-23-3 (TO-236) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 0000.00.0000 3.000 40 v 500 MA 10na (ICBO) Npn 1V @ 50MA, 500mA 100 @ 150mA, 10V 300MHz
FQP32N12V2 Fairchild Semiconductor FQP32N12V2 0,5900
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Semicondutor Fairchild QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) To-220-3 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 1.000 N-canal 120 v 32a (TC) 10V 50mohm @ 16a, 10V 4V A 250µA 53 nc @ 10 V ± 30V 1860 pf @ 25 V - 150W (TC)
FJP3307DH2TU Fairchild Semiconductor FJP3307DH2TU 0,1700
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto 150 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 80 w To-220-3 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 200 400 v 8 a - Npn 3V @ 2a, 8a 26 @ 2A, 5V -
HUF76113SK8 Fairchild Semiconductor HUF76113SK8 0,5500
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Semicondutor Fairchild Ultrafet ™ Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-VFSOP (0,091 ", Largura de 2,30 mm) MOSFET (ÓXIDO DE METAL) US8 download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.29.0095 1 N-canal 30 v 6.5a (ta) 4.5V, 10V 30mohm @ 6.5a, 10V 3V A 250µA 21 NC @ 10 V ± 20V 585 pf @ 25 V - 2.5W (TA)
2N4401BU Fairchild Semiconductor 2N4401BU -
RFQ
 ECAD 8397 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) 625 MW TO-92-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.21.0095 1 40 v 600 mA - Npn 750mv @ 50Ma, 500mA 100 @ 150mA, 1V 250MHz
HUF76633S3S Fairchild Semiconductor HUF76633S3S 0,5900
RFQ
 ECAD 5665 0,00000000 Semicondutor Fairchild Ultrafet ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab MOSFET (ÓXIDO DE METAL) D2PAK (TO-263) download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 358 N-canal 100 v 39a (TC) 4.5V, 10V 35mohm @ 39a, 10V 3V A 250µA 67 nc @ 10 V ± 16V 1820 pf @ 25 V - 145W (TC)
IRFR210BTM Fairchild Semiconductor IRFR210BTM 0,2200
RFQ
 ECAD 17 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-252, (D-PAK) download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 2.500 N-canal 200 v 2.7a (TC) 10V 1.5OHM @ 1.35A, 10V 4V A 250µA 9,3 nc @ 10 V ± 30V 225 pf @ 25 V - 2.5W (TA), 26W (TC)
FQD7N20LTM Fairchild Semiconductor FQD7N20LTM -
RFQ
 ECAD 2891 0,00000000 Semicondutor Fairchild QFET® Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-252, (D-PAK) download Ear99 8542.39.0001 1 N-canal 200 v 5.5a (TC) 5V, 10V 750mohm @ 2.75a, 10V 2V A 250µA 9 nc @ 5 V ± 20V 500 pf @ 25 V - 2.5W (TA), 45W (TC)
BD436S Fairchild Semiconductor BD436S -
RFQ
 ECAD 8546 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-225AA, TO-126-3 36 w TO-126-3 download Ear99 8541.29.0095 344 32 v 4 a 100µA Pnp 500mv @ 200Ma, 2a 40 @ 10MA, 5V 3MHz
FDD050N03B Fairchild Semiconductor FDD050N03B 1.0000
RFQ
 ECAD 7543 0,00000000 Semicondutor Fairchild PowerTrench® Volume Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-252, (D-PAK) download Ear99 8542.39.0001 1 N-canal 30 v 50a (TC) 4.5V, 10V 5mohm @ 25a, 10V 3V A 250µA 43 nc @ 10 V ± 16V 2875 pf @ 15 V - 65W (TC)
ISL9N310AS3ST Fairchild Semiconductor ISL9N310AS3ST 0,3300
RFQ
 ECAD 70 0,00000000 Semicondutor Fairchild Ultrafet® Volume Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-263AB download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) ALCANCE AFETADO Ear99 8541.29.0095 800 N-canal 30 v 62a (TC) 4.5V, 10V 10ohm @ 62a, 10a 3V A 250µA 48 nc @ 10 V ± 20V 1800 pf @ 15 V - 70W (TA)
KSB834YTU Fairchild Semiconductor KSB834ytu 0,4500
RFQ
 ECAD 57 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 1,5 w To-220-3 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 50 60 v 3 a 100µA (ICBO) Pnp 1V @ 300MA, 3A 100 @ 500mA, 5V 9MHz
FJNS3201RTA Fairchild Semiconductor FJNS3201RTA 0,0200
RFQ
 ECAD 301 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 Corpo Curto FJNS32 300 MW Parágrafo 92s download ROHS3 Compatível Ear99 8541.21.0075 3.000 50 v 100 ma 100na (ICBO) Npn - pré -tendencioso 300mv @ 500µA, 10MA 20 @ 10MA, 5V 250 MHz 4.7 Kohms 4.7 Kohms
HUFA76445S3S Fairchild Semiconductor HUFA76445S3S 1.0600
RFQ
 ECAD 500 0,00000000 Semicondutor Fairchild Ultrafet ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab MOSFET (ÓXIDO DE METAL) D2PAK (TO-263) download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 50 N-canal 60 v 75a (TC) 4.5V, 10V 6.5mohm @ 75a, 10V 3V A 250µA 150 nc @ 10 V ± 16V 4965 pf @ 25 V - 310W (TC)
KSE13007H2SMTU Fairchild Semiconductor KSE13007H2SMTU -
RFQ
 ECAD 3760 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo 150 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 KSE13007 To-220-3 download Não Aplicável 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.29.0095 1 - Npn 3V @ 2a, 8a 8 @ 2A, 5V 4MHz
FQA32N20C Fairchild Semiconductor FQA32N20C 1.3100
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Semicondutor Fairchild QFET® Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-3P-3, SC-65-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-3PN download Ear99 8542.39.0001 1 N-canal 200 v 32a (TC) 10V 82mohm @ 16a, 10V 4V A 250µA 110 nc @ 10 V ± 30V 2220 pf @ 25 V - 204W (TC)
FDS6682 Fairchild Semiconductor FDS6682 -
RFQ
 ECAD 4662 0,00000000 Semicondutor Fairchild PowerTrench® Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 8-SOIC download Ear99 8542.39.0001 1 N-canal 30 v 14a (ta) 4.5V, 10V 7.5mohm @ 14a, 10v 3V A 250µA 31 NC @ 5 V ± 20V 2310 pf @ 15 V - 1W (TA)
FDMS2504SDC Fairchild Semiconductor FDMS2504SDC 2.1900
RFQ
 ECAD 7 0,00000000 Semicondutor Fairchild Dual Cool ™, PowerTrench®, Syncfet ™ Volume Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-PowerTdfn MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 8-pqfn (5x6) download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 3.000 N-canal 25 v 42a (ta), 49a (tc) 4.5V, 10V 1.25mohm @ 32a, 10V 3V @ 1Ma 119 NC @ 10 V ± 20V 7770 PF @ 13 V - 3.3W (TA), 104W (TC)
KSC1008CYTA Fairchild Semiconductor KSC1008CYTA 0,0600
RFQ
 ECAD 26 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) Formou Leads 800 MW TO-92-3 download 0000.00.0000 5.207 60 v 700 MA 100na (ICBO) Npn 400mv @ 50Ma, 500mA 120 @ 50MA, 2V 50MHz
2SA1943RTU Fairchild Semiconductor 2SA1943RTU 2.7700
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-264-3, TO-264AA 150 w HPM F2 download Ear99 8541.29.0075 109 250 v 17 a 5µA (ICBO) Pnp 3V @ 800Ma, 8a 55 @ 1A, 5V 30MHz
FQAF90N08 Fairchild Semiconductor FQAF90N08 2.3700
RFQ
 ECAD 340 0,00000000 Semicondutor Fairchild QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco Pacote completo para 3p-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-3PF download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 360 N-canal 80 v 56a (TC) 10V 16mohm @ 28a, 10V 4V A 250µA 110 nc @ 10 V ± 25V 3250 PF @ 25 V - 100w (TC)
FMS7G20US60S Fairchild Semiconductor FMS7G20US60S 17.3100
RFQ
 ECAD 28 0,00000000 Semicondutor Fairchild - CAIXA Obsoleto -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem do chassi 25 pm-aa 89 w Retificador de Ponte Monofásica 25 pm-aa download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 30 Inversor trifásico com freio - 600 v 20 a 2.7V @ 15V, 20A 250 µA Sim 1.277 NF @ 30 V
IRFS254BFP001 Fairchild Semiconductor IRFS254BFP001 0,2700
RFQ
 ECAD 7 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco Pacote completo parágrafo 220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-220F download Não Aplicável 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 1 N-canal 250 v 16a (TC) 10V 140mohm @ 8a, 10V 4V A 250µA 123 nc @ 10 V ± 30V 3400 pf @ 25 V - 90W (TC)
ZTX749A Fairchild Semiconductor ZTX749A 0,1400
RFQ
 ECAD 12 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) 1 w To-226 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0075 1.500 35 v 2 a 100na (ICBO) Pnp 500mv @ 200Ma, 2a 100 @ 1A, 2V 100MHz
SS8550CTA Fairchild Semiconductor SS8550CTA 0,0600
RFQ
 ECAD 14 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) Formou Leads 1 w TO-92-3 download Ear99 8541.29.0075 4.948 25 v 1.5 a 100na (ICBO) Pnp 500mv @ 80MA, 800mA 120 @ 100mA, 1V 200MHz
SI3455DV Fairchild Semiconductor SI3455DV -
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 ECAD 5620 0,00000000 Semicondutor Fairchild PowerTrench® Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) SuperSot ™ -6 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.21.0095 3.000 Canal P. 30 v 3.6a (ta) 4.5V, 10V 75mohm @ 3.6a, 10V 3V A 250µA 5 nc @ 5 V ± 20V 298 pf @ 15 V - 800mW (TA)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume médio diário de RFQ

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Unidade de produto padrão

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes em todo o mundo

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