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Transistores (3821)
| Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Temperatura operacional | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tecnologia | Poder - Máx | Entrada | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Configuraça | TIPO DE FET | Escorra para um tensão de origem (VDSS) | Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C | Tensão de conduça (max rds on, min rds on) | Rds em (max) @ id, vgs | VGS (th) (max) @ id | Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS | VGs (Máximoo) | CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Recurso FET | DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) | TIPO IGBT | Tensão - Colapso do Emissor de Colecionador (Max) | Corrente - Coletor (IC) (Max) | Vce (on) (max) @ vge, ic | Corrente - Corte de Colecionador (Max) | Termistor NTC | Tipo de transistor | Vce saturação (max) @ ib, ic | Ganho ATUAL DE CC (HFE) (min) @ IC, VCE | Frequencia - Transmissão |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | Ksh45H11ITU | - |  | 9624 | 0,00000000 | Semicondutor Fairchild | - | Volume | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-251-3 leva Curtos, Ipak, TO-251AA | 1,75 w | I-Pak | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 80 v | 8 a | 10µA | Pnp | 1V @ 400Ma, 8a | 60 @ 2A, 1V | 40MHz | ||||||||||||||||||||
 | FMG1G150US60H | 55.2800 | | 18 | 0,00000000 | Semicondutor Fairchild | - | Volume | Ativo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem do chassi | Módlo | 595 w | Padrão | - | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | Solteiro | - | 600 v | 150 a | 2.7V @ 15V, 150a | 250 µA | Não | |||||||||||||||||||
 | HUF75339S3ST | 0,8800 | | 650 | 0,00000000 | Semicondutor Fairchild | Ultrafet® | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | D2PAK (TO-263) | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Fornecedor indefinido | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 55 v | 75a (TC) | 10V | 12mohm @ 75a, 10V | 4V A 250µA | 130 NC @ 20 V | ± 20V | 2000 pf @ 25 V | - | 200W (TC) | ||||||||||||||||
 | ISL9N306AP3 | 0,7500 | | 55 | 0,00000000 | Semicondutor Fairchild | Ultrafet® | Volume | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | To-220-3 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-220AB | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Fornecedor indefinido | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 30 v | 75a (TC) | 4.5V, 10V | 6mohm @ 75a, 10V | 3V A 250µA | 90 nc @ 10 V | ± 20V | 3400 pf @ 15 V | - | 125W (TA) | ||||||||||||||||
 | Ksp44tf | 1.0000 | | 6560 | 0,00000000 | Semicondutor Fairchild | - | Volume | Ativo | 150 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) Formou Leads | 625 MW | TO-92-3 | download | 0000.00.0000 | 1 | 400 v | 300 mA | 500na | Npn | 750MV @ 5MA, 50MA | 50 @ 10MA, 10V | - | ||||||||||||||||||||||||
| FDU6670As | 0,7200 | | 3 | 0,00000000 | Semicondutor Fairchild | * | Volume | Ativo | FDU6670 | - | - | Não Aplicável | 1 (ilimito) | Fornecedor indefinido | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | - | |||||||||||||||||||||||||||||
 | KSD1417TU | - | | 3788 | 0,00000000 | Semicondutor Fairchild | - | Tubo | Obsoleto | - | Através do buraco | Pacote completo parágrafo 220-3 | 2 w | TO-220F-3 | download | ROHS3 Compatível | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | 60 v | 7 a | 100µA (ICBO) | NPN - Darlington | 2V @ 14MA, 7A | 2000 @ 3a, 3V | - | ||||||||||||||||||||||
 | FQD13N10TM | 1.0000 | | 8426 | 0,00000000 | Semicondutor Fairchild | QFET® | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-252AA | download | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | N-canal | 100 v | 10a (TC) | 10V | 180mohm @ 5a, 10V | 4V A 250µA | 16 nc @ 10 V | ± 25V | 450 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 40W (TC) | |||||||||||||||||||
 | FDP46N30 | - | | 6188 | 0,00000000 | Semicondutor Fairchild | * | Volume | Ativo | download | Fornecedor indefinido | Alcançar Não Afetado | 2156-FDP46N30-600039 | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | HUF76013D3S | 0,2300 | | 2254 | 0,00000000 | Semicondutor Fairchild | Ultrafet ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-252, (D-PAK) | download | ROHS3 Compatível | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.212 | N-canal | 20 v | 20a (TC) | 5V, 10V | 22mohm @ 20a, 10V | 3V A 250µA | 17 NC @ 10 V | ± 20V | 624 pf @ 20 V | - | 50W (TC) | ||||||||||||||||||
 | Fdy1002pz | - | | 1950 | 0,00000000 | Semicondutor Fairchild | PowerTrench® | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | SOT-563, SOT-666 | FDY1002 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 446MW | SOT-563F | download | Ear99 | 8542.39.0001 | 20 | 2 Canal P (Duplo) | 20V | 830mA | 500mohm @ 830mA, 4,5V | 1V a 250µA | 3.1NC @ 4.5V | 135pf @ 10V | Portão de Nível Lógico | ||||||||||||||||||||
 | FCH20N60 | 2.6500 | | 838 | 0,00000000 | Semicondutor Fairchild | Superfet ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | To-247-3 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | To-247 | download | ROHS3 Compatível | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | N-canal | 600 v | 20a (TC) | 10V | 190mohm @ 10a, 10V | 5V A 250µA | 98 nc @ 10 V | ± 30V | 3080 pf @ 25 V | - | 208W (TC) | ||||||||||||||||||
 | HUF75637P3 | 0,5200 | | 5 | 0,00000000 | Semicondutor Fairchild | Ultrafet ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | To-220-3 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | To-220-3 | download | ROHS3 Compatível | Ear99 | 8541.29.0095 | 400 | N-canal | 100 v | 44a (TC) | 10V | 30mohm @ 44a, 10V | 4V A 250µA | 108 NC @ 20 V | ± 20V | 1700 pf @ 25 V | - | 155W (TC) | ||||||||||||||||||
 | FDMC8298 | 1.0000 | | 4977 | 0,00000000 | Semicondutor Fairchild | - | Volume | Ativo | - | Montagem na Superfície | Morrer | FDMC82 | - | - | Morrer | - | Não Aplicável | 1 (ilimito) | Fornecedor indefinido | Ear99 | 8542.39.0001 | 3.000 | - | - | - | - | - | - | - | - | |||||||||||||||||
| FQB2N50TM | 1.0000 | | 3880 | 0,00000000 | Semicondutor Fairchild | QFET® | Volume | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | D2PAK (TO-263) | download | ROHS3 Compatível | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 500 v | 2.1a (TC) | 10V | 5.3OHM @ 1.05A, 10V | 5V A 250µA | 8 nc @ 10 V | ± 30V | 230 PF @ 25 V | - | 3.13W (TA), 55W (TC) | ||||||||||||||||||
 | FDS8936A | 1.3500 | | 75 | 0,00000000 | Semicondutor Fairchild | PowerTrench® | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | FDS89 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 900MW (TA) | 8-SOIC | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Fornecedor indefinido | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 2 canal n (Duplo) | 30V | 6a (ta) | 28mohm @ 6a, 10V | 3V A 250µA | 27NC @ 10V | 650pf @ 15V | - | |||||||||||||||||
 | FDD8880_F054 | 0,4200 | | 501 | 0,00000000 | Semicondutor Fairchild | * | Volume | Ativo | - | Não Aplicável | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| FDZ595pz | - | | 2593 | 0,00000000 | Semicondutor Fairchild | * | Volume | Ativo | - | Não Aplicável | 3 (168 Horas) | Fornecedor indefinido | 250 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | FDMS2572 | - | | 8742 | 0,00000000 | Semicondutor Fairchild | Ultrafet ™ | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-POWERWDFN | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 8-mlp (5x6), Power56 | download | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | N-canal | 150 v | 4.5a (ta), 27a (tc) | 6V, 10V | 47mohm @ 4.5a, 10V | 4V A 250µA | 43 nc @ 10 V | ± 20V | 2610 pf @ 75 V | - | 2.5W (TA), 78W (TC) | |||||||||||||||||||
 | SS9013FBU | 0,0200 | | 32 | 0,00000000 | Semicondutor Fairchild | - | Volume | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) | 625 MW | TO-92-3 | download | ROHS3 Compatível | Ear99 | 8541.21.0095 | 15.000 | 20 v | 500 MA | 100na (ICBO) | Npn | 600mv @ 50Ma, 500mA | 78 @ 50MA, 1V | - | ||||||||||||||||||||||
 | KST5551MTF | 1.0000 | | 4546 | 0,00000000 | Semicondutor Fairchild | - | Volume | Ativo | 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | KST55 | 350 MW | SOT-23-3 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 0000.00.0000 | 3.000 | 160 v | 600 mA | 50na (ICBO) | Npn | 200mv @ 5Ma, 50Ma | 80 @ 10Ma, 5V | 300MHz | |||||||||||||||||||
| SS9012GBU | 0,0200 | | 318 | 0,00000000 | Semicondutor Fairchild | - | Volume | Ativo | 150 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) | 625 MW | TO-92-3 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 20 v | 500 MA | 100na (ICBO) | Pnp | 600mv @ 50Ma, 500mA | 64 @ 50MA, 1V | - | ||||||||||||||||||||
 | FJX2222ATF | - | | 8007 | 0,00000000 | Semicondutor Fairchild | - | Volume | Ativo | 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | SC-70, SOT-323 | 325 MW | SOT-323 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 0000.00.0000 | 3.000 | 40 v | 600 mA | 10na (ICBO) | Npn | 1V @ 50MA, 500mA | 100 @ 150mA, 10V | 300MHz | ||||||||||||||||||||
 | KSC1008OBU | - | | 2345 | 0,00000000 | Semicondutor Fairchild | - | Volume | Ativo | 150 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) | 800 MW | TO-92-3 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 0000.00.0000 | 1 | 60 v | 700 MA | 100na (ICBO) | Npn | 400mv @ 50Ma, 500mA | 70 @ 50MA, 2V | 50MHz | ||||||||||||||||||||
| Ksh31tf | 0,2300 | | 3 | 0,00000000 | Semicondutor Fairchild | - | Volume | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | 1,56 w | TO-252, (D-PAK) | - | Rohs Não Compatível | Fornecedor indefinido | 2156-KSH31TF | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 40 v | 3 a | 50µA | Npn | 1.2V @ 375MA, 3A | 25 @ 1A, 4V | 3MHz | ||||||||||||||||||||
| BC557CTA | 0,0500 | | 762 | 0,00000000 | Semicondutor Fairchild | - | Volume | Ativo | 150 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) Formou Leads | BC557 | 500 MW | TO-92-3 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Fornecedor indefinido | Ear99 | 8541.21.0075 | 1 | 15na (ICBO) | Pnp | 650mv @ 5Ma, 100mA | 420 @ 2MA, 5V | 150MHz | |||||||||||||||||||||
| Mas11tu | 0,4000 | | 16 | 0,00000000 | Semicondutor Fairchild | - | Volume | Ativo | 150 ° C (TJ) | Através do buraco | To-220-3 | 100 w | To-220-3 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 0000.00.0000 | 1 | 400 v | 5 a | 1Ma | Npn | 1,5V a 600mA, 3a | - | - | ||||||||||||||||||||
 | 2SA1699E-PM-AA | 0,5300 | | 2 | 0,00000000 | Semicondutor Fairchild | * | Volume | Ativo | download | Fornecedor indefinido | Fornecedor indefinido | 2156-2SA1699E-PM-AA-600039 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | MMBT3640 | - | | 6693 | 0,00000000 | Semicondutor Fairchild | - | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 225 MW | SOT-23-3 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 0000.00.0000 | 1 | 12 v | 200 MA | 10Na | Pnp | 600mV @ 5MA, 50MA | 30 @ 10MA, 300mV | 500MHz | ||||||||||||||||||||
 | KSE182STU | - | | 7975 | 0,00000000 | Semicondutor Fairchild | - | Tubo | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-225AA, TO-126-3 | 1,5 w | TO-126-3 | download | ROHS3 Compatível | Ear99 | 8541.29.0075 | 1.745 | 80 v | 3 a | 100na (ICBO) | Npn | 1.7V @ 600MA, 3A | 50 @ 100mA, 1V | 50MHz |
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