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Transistores (3821)

Imageem Número do Produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade Dispon Svel Peso (kg) Mfr Série Pacote Status do produto Temperatura operacional Tipo de Montagem Pacote / Caso Número do Produto Base Tecnologia Poder - Máx Pacote de Dispositivo de Fornecedor Ficha de Dadas Status do rohs Nível de sensibilidade à Umidade (msl) Status de alcance Nomes de Ulros ECCN Htsus PACOTE PADROO Configuraça TIPO DE FET Ganho Escorra para um tensão de origem (VDSS) Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C Tensão de conduça (max rds on, min rds on) Rds em (max) @ id, vgs VGS (th) (max) @ id Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS VGs (Máximoo) CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Recurso FET DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) Tensão - Colapso do Emissor de Colecionador (Max) Corrente - Coletor (IC) (Max) Corrente - Corte de Colecionador (Max) Tipo de transistor Vce saturação (max) @ ib, ic Ganho ATUAL DE CC (HFE) (min) @ IC, VCE Frequencia - Transmissão Figura de Ruído (dB typ @ f)
FDD6030BL Fairchild Semiconductor FDD6030BL 1.1300
RFQ
 ECAD 71 0,00000000 Semicondutor Fairchild PowerTrench® Volume Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-252, (D-PAK) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) ALCANCE AFETADO Ear99 8541.29.0095 2.500 N-canal 30 v 10a (ta), 42a (tc) 4.5V, 10V 16mohm @ 10a, 10V 3V A 250µA 31 NC @ 10 V ± 20V 1143 pf @ 15 V - 1.6W (TA), 50W (TC)
FDB7030BLS Fairchild Semiconductor FDB7030BLS 1.8700
RFQ
 ECAD 34 0,00000000 Semicondutor Fairchild PowerTrench® Volume Ativo -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab MOSFET (ÓXIDO DE METAL) D2PAK (TO-263) download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) ALCANCE AFETADO Ear99 8541.29.0095 800 N-canal 30 v 60a (ta) 4.5V, 10V 9mohm @ 30a, 10V 3V A 250µA 24 nc @ 5 V ± 20V 1760 pf @ 15 V - 60W (TC)
FQP3N50C Fairchild Semiconductor Fqp3n50c 0,4100
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) To-220-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.29.0095 740 N-canal 500 v 3a (TC) 10V 2.5OHM @ 1.5A, 10V 4V A 250µA 13 NC @ 10 V ± 30V 365 pf @ 25 V - 62W (TC)
FDS6670S Fairchild Semiconductor FDS6670S 0,9600
RFQ
 ECAD 28 0,00000000 Semicondutor Fairchild PowerTrench® Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 8-SOIC download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.29.0095 2.500 N-canal 30 v 13.5a (TA) 4.5V, 10V 9mohm @ 13.5a, 10V 3V @ 1Ma 34 NC @ 5 V ± 20V 2674 pf @ 15 V - 1W (TA)
BC846A Fairchild Semiconductor BC846A 0,0700
RFQ
 ECAD 96 0,00000000 Semicondutor Fairchild SOT-23 Volume Ativo -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 200 MW SOT-23 download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.21.0075 3.000 65 v 100 ma 100na (ICBO) Npn 500mv @ 5Ma, 100mA 110 @ 2MA, 5V 100MHz
FQI17P10TU Fairchild Semiconductor FQI17P10TU 0,5500
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Semicondutor Fairchild QFET ™ Volume Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco TO-262-3 Leitos Longos, i²pak, TO-262AA MOSFET (ÓXIDO DE METAL) I2pak (to-262) download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.29.0095 1 Canal P. 100 v 16.5a (TC) 10V 190mohm @ 8.25a, 10V 4V A 250µA 39 NC @ 10 V ± 30V 1100 pf @ 25 V - 3.75W (TA), 100W (TC)
FQD5P20TM Fairchild Semiconductor FQD5P20TM -
RFQ
 ECAD 1774 0,00000000 Semicondutor Fairchild QFET® Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-252, (D-PAK) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 1 Canal P. 200 v 3.7a (TC) 1.4OHM @ 1.85A, 10V 5V A 250µA 13 NC @ 10 V ± 30V 430 pf @ 25 V - 2.5W (TA), 45W (TC)
KSA1013YTA Fairchild Semiconductor KSA1013YTA -
RFQ
 ECAD 6121 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 Corpo Longo (Fios Formados) 900 MW TO-92-3 - Rohs Não Compatível Fornecedor indefinido 2156-KSA1013YTA-600039 1 160 v 1 a 1µA (ICBO) Pnp 1,5V a 50mA, 500mA 60 @ 200Ma, 5V 50MHz
KST5179MTF Fairchild Semiconductor KST5179MTF 0,0200
RFQ
 ECAD 47 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 350mw SOT-23-3 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.21.0075 3.000 15dB 12V 50mA Npn 25 @ 3MA, 1V 900MHz 4.5DB @ 200MHz
PN2222TF Fairchild Semiconductor PN2222TF 0,0500
RFQ
 ECAD 80 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) Formou Leads 625 MW TO-92-3 download Ear99 8541.21.0075 5.805 30 v 600 mA 10na (ICBO) Npn 1V @ 50MA, 500mA 100 @ 150mA, 10MV 300MHz
FQD24N08TF Fairchild Semiconductor FQD24N08TF -
RFQ
 ECAD 5283 0,00000000 Semicondutor Fairchild QFET® Volume Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-252, (D-PAK) download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 798 N-canal 80 v 19.6a (TC) 10V 60mohm @ 9.8a, 10V 4V A 250µA 25 nc @ 10 V ± 25V 750 pf @ 25 V - 2.5W (TA), 50W (TC)
KSC1674CYTA Fairchild Semiconductor KSC1674CYTA 0,0200
RFQ
 ECAD 322 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) Formou Leads 250mw TO-92-3 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.21.0075 2.000 - 20V 20mA Npn 120 @ 1MA, 6V 600MHz 3db ~ 5db @ 100MHz
FDP5N60NZ Fairchild Semiconductor FDP5N60NZ 1.0000
RFQ
 ECAD 7880 0,00000000 Semicondutor Fairchild Unifet-ii ™ Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) To-220-3 download Ear99 8542.39.0001 1 N-canal 600 v 4.5a (TC) 10V 2OHM @ 2.25A, 10V 5V A 250µA 13 NC @ 10 V ± 25V 600 pf @ 25 V - 100w (TC)
FDMS8570S Fairchild Semiconductor FDMS8570S 0,5100
RFQ
 ECAD 9 0,00000000 Semicondutor Fairchild PowerTrench®, SyncFET ™ Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-PowerTdfn FDMS85 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 8-pqfn (5x6) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) ALCANCE AFETADO Ear99 0000.00.0000 3.000 N-canal 25 v 24a (TA), 60A (TC) 4.5V, 10V 2.8mohm @ 24a, 10v 2.2V @ 1Ma 425 nc @ 10 V ± 12V 2825 pf @ 13 V - 2.5W (TA), 48W (TC)
FDP2552_NL Fairchild Semiconductor FDP2552_NL 1.0000
RFQ
 ECAD 2939 0,00000000 Semicondutor Fairchild PowerTrench® Volume Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) To-220-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 1 N-canal 150 v 5a (ta), 37a (tc) 10V 36mohm @ 16a, 10V 4V A 250µA 51 NC @ 10 V ± 20V 2800 pf @ 25 V - 150W (TC)
KSC1009YTA Fairchild Semiconductor KSC1009YTA -
RFQ
 ECAD 1818 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) Formou Leads KSC1009 800 MW TO-92-3 - ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 0000.00.0000 1 140 v 700 MA 100na (ICBO) Npn 700mv @ 20Ma, 200Ma 120 @ 50MA, 2V 50MHz
FDMS5362L Fairchild Semiconductor FDMS5362L 0,2900
RFQ
 ECAD 45 0,00000000 Semicondutor Fairchild * Volume Ativo FDMS5362 - - Não Aplicável 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8542.39.0001 3.000 -
HP4936DY Fairchild Semiconductor HP4936DY 0,4600
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) HP4936 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 2W (TA) 8-SOIC download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.29.0095 1 2 canal n (Duplo) 30V 5.8a (ta) 37mohm @ 5.8a, 10V 1V a 250µA 25NC @ 10V 625pf @ 25V Portão de Nível Lógico
KSD560YTU Fairchild Semiconductor KSD560ytu -
RFQ
 ECAD 5589 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo 150 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 KSD560 1,5 w To-220-3 download Ear99 8542.39.0001 1 100 v 5 a 1µA (ICBO) NPN - Darlington 1.5V @ 3MA, 3A 5000 @ 3A, 2V -
BD681S Fairchild Semiconductor BD681S 0,3000
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-225AA, TO-126-3 BD681 40 w TO-126-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 0000.00.0000 1 100 v 4 a 500µA NPN - Darlington 2.5V @ 30MA, 1.5A 750 @ 1.5A, 3V -
FDPF9N50NZ Fairchild Semiconductor FDPF9N50NZ -
RFQ
 ECAD 2422 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco Pacote completo parágrafo 220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-220-3 FULLPACK/TO-220F-3SG - Rohs Não Compatível Fornecedor indefinido 2156-FDPF9N50NZ-600039 1 N-canal 500 v 9a (TC) 10V 800mohm @ 4.5a, 10V 4V A 250µA 35 nc @ 10 V ± 30V 1030 pf @ 25 V - 44W (TC)
FDMS3610S Fairchild Semiconductor FDMS3610S -
RFQ
 ECAD 3566 0,00000000 Semicondutor Fairchild PowerTrench® Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-PowerTdfn FDMS3610 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 1w Power56 download Ear99 8542.39.0001 1 2 canal n (Duplo) Assimético 25V 17.5a, 30a 5mohm @ 17.5a, 10V 2V A 250µA 26NC @ 10V 1570pf @ 13V Portão de Nível Lógico
HUFA76419D3S Fairchild Semiconductor HUFA76419D3S 1.0000
RFQ
 ECAD 6133 0,00000000 Semicondutor Fairchild Ultrafet ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-252, (D-PAK) download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 75 N-canal 60 v 20a (TC) 4.5V, 10V 37mohm @ 20a, 10V 3V A 250µA 27,5 nc @ 10 V ± 16V 900 pf @ 25 V - 75W (TC)
FDPF041N06BL1 Fairchild Semiconductor FDPF041N06BL1 1.1500
RFQ
 ECAD 755 0,00000000 Semicondutor Fairchild PowerTrench® Volume Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco Pacote completo parágrafo 220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-220F-3 download Ear99 8542.39.0001 283 N-canal 60 v 77a (TC) 10V 4.1mohm @ 77a, 10V 4V A 250µA 69 NC @ 10 V ± 20V 5690 pf @ 30 V - 44.1W (TC)
FQPF4N60 Fairchild Semiconductor FQPF4N60 0,7000
RFQ
 ECAD 4 0,00000000 Semicondutor Fairchild QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco Pacote completo parágrafo 220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-220F-3 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 1.000 N-canal 600 v 2.6a (TC) 10V 2.2OHM @ 1.3A, 10V 5V A 250µA 20 NC A 10 V ± 30V 670 pf @ 25 V - 36W (TC)
2N5088BU Fairchild Semiconductor 2N5088BU 1.0000
RFQ
 ECAD 5264 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) 2N5088 625 MW TO-92-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.21.0095 1 30 v 100 ma 50na (ICBO) Npn 500mV @ 1Ma, 10MA 300 @ 100µA, 5V 50MHz
ISL9V3040D3ST-R4940 Fairchild Semiconductor ISL9V3040D3ST-R4940 1.0000
RFQ
 ECAD 5008 0,00000000 Semicondutor Fairchild * Volume Ativo - Não Aplicável 1 (ilimito) Fornecedor indefinido 5.000
IRFW730BTM Fairchild Semiconductor IRFW730BTM 0,6400
RFQ
 ECAD 12 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab MOSFET (ÓXIDO DE METAL) D2PAK download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) ALCANCE AFETADO Ear99 8541.29.0095 800 N-canal 400 v 5.5a (TC) 10V 1OHM @ 2.75A, 10V 4V A 250µA 33 nc @ 10 V ± 30V 1000 pf @ 25 V - 3.13W (TA), 73W (TC)
FDS3570 Fairchild Semiconductor FDS3570 2.3700
RFQ
 ECAD 79 0,00000000 Semicondutor Fairchild PowerTrench® Volume Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 8-SOIC download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 2.500 N-canal 80 v 9a (ta) 6V, 10V 20mohm @ 9a, 10V 4V A 250µA 76 nc @ 10 V ± 20V 2750 pf @ 25 V - 2.5W (TA)
KSB811YTA Fairchild Semiconductor KSB811YTA 0,0200
RFQ
 ECAD 4868 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 Corpo Curto 350 MW Parágrafo 92s download ROHS3 Compatível Ear99 8541.21.0075 2.978 25 v 1 a 100na (ICBO) Pnp 500mv @ 100ma, 1a 120 @ 100mA, 1V 110MHz
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