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Transistores (3821)

Imageem Número do Produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade Dispon Svel Peso (kg) Mfr Série Pacote Status do produto Temperatura operacional Tipo de Montagem Pacote / Caso Número do Produto Base Tipo de Entrada Tecnologia Poder - Máx Pacote de Dispositivo de Fornecedor Ficha de Dadas Status do rohs Nível de sensibilidade à Umidade (msl) Status de alcance Nomes de Ulros ECCN Htsus PACOTE PADROO Configuraça TIPO DE FET Condição de teste Ganho Escorra para um tensão de origem (VDSS) Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C Tensão de conduça (max rds on, min rds on) Rds em (max) @ id, vgs VGS (th) (max) @ id Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS VGs (Máximoo) CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Recurso FET DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) TIPO IGBT Tensão - Colapso do Emissor de Colecionador (Max) Corrente - Coletor (IC) (Max) Corrente - Coletor Pulsa (ICM) Vce (on) (max) @ vge, ic Troca de Energia Carga do Portão TD (Ligado/Desligado) A 25 ° C Corrente - Corte de Colecionador (Max) Tipo de transistor Vce saturação (max) @ ib, ic Ganho ATUAL DE CC (HFE) (min) @ IC, VCE Frequencia - Transmissão Resistor - Base (R1) Resistor - Base de Emissor (R2) Figura de Ruído (dB typ @ f)
FGB30N6S2 Fairchild Semiconductor FGB30N6S2 0,9300
RFQ
 ECAD 5843 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab Padrão 167 w D2PAK (TO-263) download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 225 390V, 12A, 10OHM, 15V - 600 v 45 a 108 a 2.5V @ 15V, 12A 55µJ (ON), 100µJ (OFF) 23 NC 6ns/40ns
PN2222TA Fairchild Semiconductor PN222222TA -
RFQ
 ECAD 3577 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) Formou Leads 625 MW TO-92-3 download Ear99 8541.21.0075 1 30 v 600 mA 10na (ICBO) Npn 1V @ 50MA, 500mA 100 @ 150mA, 10MV 300MHz
FGP20N6S2 Fairchild Semiconductor FGP20N6S2 0,4800
RFQ
 ECAD 6 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 Padrão 125 w To-220-3 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 400 390V, 7A, 25OHM, 15V - 600 v 28 a 40 a 2.7V @ 15V, 7a 25µJ (ON), 58µJ (Desligado) 30 NC 7.7ns/87ns
BD159STU Fairchild Semiconductor BD159STU -
RFQ
 ECAD 7295 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo - Através do buraco TO-225AA, TO-126-3 BD159 20 w TO-126-3 - ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 0000.00.0000 1 350 v 500 MA 100µA (ICBO) Npn - 30 @ 50MA, 10V -
FJX4002RTF Fairchild Semiconductor Fjx4002rtf 0,0200
RFQ
 ECAD 16 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto Montagem na Superfície SC-70, SOT-323 FJX400 200 MW SC-70-3 (SOT323) download ROHS3 Compatível Ear99 8541.21.0075 3.000 50 v 100 ma 100na (ICBO) PNP - Pré -tendencioso 300mv @ 500µA, 10MA 30 @ 5MA, 5V 200 MHz 10 Kohms 10 Kohms
BC556ABU Fairchild Semiconductor BC556ABU 0,0400
RFQ
 ECAD 14 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) 500 MW TO-92-3 download Ear99 8541.21.0075 8.435 65 v 100 ma 15na (ICBO) Pnp 650mv @ 5Ma, 100mA 110 @ 2MA, 5V 150MHz
FQPF6N80T Fairchild Semiconductor Fqpf6n80t 1.1600
RFQ
 ECAD 5 0,00000000 Semicondutor Fairchild QFET® Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco Pacote completo parágrafo 220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-220F-3 download Ear99 8542.39.0001 1 N-canal 800 v 3.3a ​​(TC) 10V 1.95OHM @ 1.65a, 10V 5V A 250µA 31 NC @ 10 V ± 30V 1500 pf @ 25 V - 51W (TC)
KSC2756YMTF Fairchild Semiconductor Ksc2756ymtf 0,0200
RFQ
 ECAD 6280 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 150mW SOT-23-3 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.21.0075 2.295 15dB ~ 23dB 20V 30Ma Npn 120 @ 5MA, 10V 850MHz 6.5db @ 200MHz
IRFU130ATU Fairchild Semiconductor IRFU130ATU 0,4100
RFQ
 ECAD 8 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-251-3 leva Curtos, Ipak, TO-251AA MOSFET (ÓXIDO DE METAL) I-Pak download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) ALCANCE AFETADO Ear99 8541.29.0095 1 N-canal 100 v 13a (TC) 10V 110mohm @ 6.5a, 10V 4V A 250µA 36 nc @ 10 V ± 20V 790 pf @ 25 V - 2.5W (TA), 41W (TC)
BSR15 Fairchild Semiconductor BSR15 -
RFQ
 ECAD 1370 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BSR15 350 MW SOT-23-3 - ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 0000.00.0000 3.000 40 v 800 mA 20na (ICBO) Pnp 1.6V @ 50Ma, 500mA 100 @ 150mA, 10V 200MHz
FDU6682 Fairchild Semiconductor FDU6682 0,6100
RFQ
 ECAD 188 0,00000000 Semicondutor Fairchild PowerTrench® Volume Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco TO-251-3 Leads de Stub, Ipak MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-251 (IPAK) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) ALCANCE AFETADO Ear99 8541.29.0095 1 N-canal 30 v 75A (TA) 4.5V, 10V 6.2mohm @ 17a, 10V 3V A 250µA 31 NC @ 5 V ± 20V 2400 pf @ 15 V - 1.6W (TA)
FDS7779Z Fairchild Semiconductor FDS7779Z -
RFQ
 ECAD 2035 0,00000000 Semicondutor Fairchild PowerTrench® Volume Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 8-SOIC download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 2.500 Canal P. 30 v 16a (ta) 4.5V, 10V 7.2mohm @ 16a, 10V 3V A 250µA 98 nc @ 10 V ± 25V 3800 pf @ 15 V - 2.5W (TA)
SGS13N60UFDTU Fairchild Semiconductor SGS13N60UFDTU 0,5100
RFQ
 ECAD 118 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco Pacote completo parágrafo 220-3 SGS13 Padrão 45 w TO-220F-3 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 1.000 300V, 6.5A, 50OHM, 15V 55 ns - 600 v 13 a 52 a 2.6V @ 15V, 6.5a 85µJ (ON), 95µJ (Desligado) 25 NC 20ns/70ns
FQD3N50CTM Fairchild Semiconductor FQD3N50CTM 1.0000
RFQ
 ECAD 6715 0,00000000 Semicondutor Fairchild QFET® Volume Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-252, (D-PAK) download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 2.500 N-canal 500 v 2.5a (TC) 10V 2.5OHM @ 1.25a, ​​10V 4V A 250µA 13 NC @ 10 V ± 30V 365 pf @ 25 V - 35W (TC)
FQA13N50C Fairchild Semiconductor FQA13N50C 2.0800
RFQ
 ECAD 9 0,00000000 Semicondutor Fairchild QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-3P-3, SC-65-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-3P download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 450 N-canal 500 v 13.5a (TC) 10V 480mohm @ 6.75a, 10V 4V A 250µA 56 nc @ 10 V ± 30V 2055 pf @ 25 V - 218W (TC)
RFP14N05L Fairchild Semiconductor RFP14N05L 0,4000
RFQ
 ECAD 19 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) To-220-3 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 400 N-canal 50 v 14a (TC) 5V 100mohm @ 14a, 5v 2V A 250µA 40 nc @ 10 V ± 10V 670 pf @ 25 V - 48W (TC)
FQB34N20LTM Fairchild Semiconductor FQB34N20LTM 1.0000
RFQ
 ECAD 5650 0,00000000 Semicondutor Fairchild QFET® Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab MOSFET (ÓXIDO DE METAL) D2PAK (TO-263) download Ear99 8542.39.0001 1 N-canal 200 v 31a (TC) 5V, 10V 75mohm @ 15.5a, 10V 2V A 250µA 72 NC @ 5 V ± 20V 3900 pf @ 25 V - 3.13W (TA), 180W (TC)
FDD14AN06LA0 Fairchild Semiconductor Fdd14an06la0 2.1500
RFQ
 ECAD 85 0,00000000 Semicondutor Fairchild PowerTrench® Volume Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-252, (D-PAK) download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 2.500 N-canal 60 v 9.5a (ta), 50a (tc) 5V, 10V 11.6mohm @ 50a, 10V 3V A 250µA 32 NC @ 5 V ± 20V 2810 pf @ 25 V - 125W (TC)
FDS8449-G Fairchild Semiconductor FDS8449-G 0,5100
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Semicondutor Fairchild PowerTrench® Volume Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 8-SOIC - Rohs Não Compatível Alcançar Não Afetado 2156-FDS8449-G Ear99 8541.29.0095 1 N-canal 40 v 7.6a (ta) 4.5V, 10V 29mohm @ 7.6a, 10V 3V A 250µA 11 NC @ 5 V ± 20V 760 pf @ 20 V - 1W (TA)
FDP3652 Fairchild Semiconductor FDP3652 1.0000
RFQ
 ECAD 6194 0,00000000 Semicondutor Fairchild PowerTrench® Volume Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) To-220-3 download Ear99 8542.39.0001 1 N-canal 100 v 9A (TA), 61A (TC) 6V, 10V 16mohm @ 61a, 10V 4V A 250µA 53 nc @ 10 V ± 20V 2880 pf @ 25 V - 150W (TC)
FDS6812A Fairchild Semiconductor FDS6812A 1.0000
RFQ
 ECAD 3538 0,00000000 Semicondutor Fairchild PowerTrench® Volume Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) FDS68 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 900MW 8-SOIC download ROHS3 Compatível Ear99 8541.21.0095 1 2 canal n (Duplo) 20V 6.7a 22mohm @ 6.7a, 4.5V 1,5V a 250µA 19NC @ 4.5V 1082pf @ 10V Portão de Nível Lógico
HUF76629D3STR4885 Fairchild Semiconductor HUF76629D3STR4885 0,3400
RFQ
 ECAD 6775 0,00000000 Semicondutor Fairchild Ultrafet® Volume Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-252, (D-PAK) download Ear99 8541.29.0095 225 N-canal 100 v 20a (TC) 4.5V, 10V 52mohm @ 20a, 10V 3V A 250µA 43 nc @ 10 V ± 16V 1285 pf @ 25 V - 150W (TJ)
FJC790TF Fairchild Semiconductor FJC790TF 0,1900
RFQ
 ECAD 49 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-243AA 500 MW SOT-89-3 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.21.0095 4.000 40 v 2 a 100na Pnp 450mv @ 50ma, 2a 300 @ 10MA, 2V -
FDA16N50LDTU Fairchild Semiconductor FDA16N50LDTU 1.5800
RFQ
 ECAD 26 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-3P-3, SC-65-3 (FiOS Formados) MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-3PN (FormAção L) download Ear99 8542.39.0001 190 N-canal 500 v 16.5a (TC) 10V 380mohm @ 8.3a, 10V 5V A 250µA 45 nc @ 10 V ± 30V 1945 pf @ 25 V - 205W (TC)
FDBL9406 Fairchild Semiconductor FDBL9406 -
RFQ
 ECAD 8611 0,00000000 Semicondutor Fairchild * Volume Ativo Fdbl940 - - Não Aplicável 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8542.39.0001 2.000 -
FDZ208P Fairchild Semiconductor FDZ208P 1.3400
RFQ
 ECAD 5 0,00000000 Semicondutor Fairchild PowerTrench® Volume Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 30-WFBGA MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 30-BGA (4x3.5) download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 3.000 Canal P. 30 v 12.5a (TA) 4.5V, 10V 10.5mohm @ 12.5a, 10V 3V A 250µA 35 nc @ 5 V ± 25V 2409 pf @ 15 V - 2.2W (TA)
FDU6296 Fairchild Semiconductor FDU6296 0,5300
RFQ
 ECAD 7 0,00000000 Semicondutor Fairchild PowerTrench® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco TO-251-3 leva Curtos, Ipak, TO-251AA MOSFET (ÓXIDO DE METAL) I-Pak download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 75 N-canal 30 v 15a (ta), 50a (tc) 4.5V, 10V 8.8mohm @ 15a, 10V 3V A 250µA 31,5 nc @ 10 V ± 20V 1440 pf @ 15 V - 3.8W (TA), 52W (TC)
KSA992PTA Fairchild Semiconductor KSA992PTA -
RFQ
 ECAD 7772 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) Formou Leads 500 MW TO-92-3 - ROHS3 Compatível Ear99 8541.21.0075 2.000 120 v 50 MA 1µA Pnp 300mV @ 1Ma, 10MA 200 @ 1MA, 6V 100MHz
MMBTA63 Fairchild Semiconductor MMBTA63 0,0300
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBTA63 350 MW SOT-23-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.21.0075 3.000 30 v 1.2 a 100na (ICBO) PNP - Darlington 1,5V a 100µA, 100mA 10000 @ 100mA, 5V 125MHz
NDS8410A Fairchild Semiconductor NDS8410A 0,6000
RFQ
 ECAD 214 0,00000000 Semicondutor Fairchild PowerTrench® Volume Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 8-SOIC download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 2.500 N-canal 30 v 10.8a (ta) 4.5V, 10V 12mohm @ 10.8a, 10V 3V A 250µA 22 NC @ 5 V ± 20V 1620 pf @ 15 V - 2.5W (TA)
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