SIC
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Imagem Número do produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade disponível Peso (Kg) Fabricante Série Pacote Estado do produto Temperatura operacional Tipo de montagem Pacote/Caso Número básico do produto Tipo de entrada Tecnologia Potência - Máx. Pacote de dispositivos do fornecedor Estado RoHS Estado do REACH Outros nomes ECCN HTSU Pacote Padrão Tipo FET Condição de teste Ganho Dreno para Tensão de Fonte (Vdss) Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado) Rds ativadas (máx.) @ ID, Vgs Vgs(th) (máx.) @ ID Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs Vgs (máx.) Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds Recurso FET Dissipação de energia (máx.) Tempo de recuperação reversa (trr) Tipo IGBT Tensão - Quebra do Emissor do Coletor (Máx.) Atual - Coletor (Ic) (Máx.) Vce(ligado) (Máx.) @ Vge, Ic Trocando Energia Taxa de portão Td (ligado/desligado) @ 25°C Atual - Corte do Coletor (Máx.) Tipo de transistor Saturação Vce (Máx.) @ Ib, Ic Ganho de corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce Frequência - Transição Resistor - Base (R1) Figura de ruído (dB Typ @ f)
2SD571-AZ Renesas 2SD571-AZ -
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ECAD 5114 0,00000000 Renesas - Volume Obsoleto 150°C (TJ) Através do furo 3-SSIP - 2156-2SD571-AZ 1 100nA (ICBO) NPN 600mV @ 2mA, 20mA - 110MHz
HAT2196C-EL-E Renesas HAT2196C-EL-E 0,2600
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ECAD 18 0,00000000 Renesas - Volume Obsoleto 150ºC Montagem em superfície 6-SMD, cabos planos MOSFET (óxido metálico) 6-CMFPAK RoHS não compatível Fornecedor indefinido 2156-HAT2196C-EL-E EAR99 8541.29.0095 1 Canal N 20 V 2,5A (Ta) 2,5 V, 4,5 V 58mOhm @ 1,3A, 4,5V 1,4V a 1mA 2,8 nC a 4,5 V ±12V 270 pF a 10 V - 850 mW (Ta)
RJH60D1DPP-E0#T2 Renesas RJH60D1DPP-E0#T2 1.5200
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ECAD 1 0,00000000 Renesas - Volume Obsoleto 150°C (TJ) Através do furo Pacote completo TO-220-3 padrão 30W TO-220FP RoHS não compatível REACH não afetado 2156-RJH60D1DPP-E0#T2 EAR99 8541.29.0095 1 300V, 10A, 5Ohm, 15V 70 ns Trincheira 600V 20 A 2,5V a 15V, 10A 100 µJ (ligado), 130 µJ (desligado) 13nC 30ns/42ns
RJK6013DPP-E0#T2 Renesas RJK6013DPP-E0#T2 4.4900
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ECAD 2 0,00000000 Renesas - Volume Obsoleto 150ºC Através do furo Pacote completo TO-220-3 MOSFET (óxido metálico) TO-220FP RoHS não compatível REACH não afetado 2156-RJK6013DPP-E0#T2 EAR99 8541.29.0095 1 Canal N 600V 11A (Ta) 10V 700 mOhm a 5,5 A, 10 V 4,5V a 1mA 37,5 nC a 10 V ±30V 1450 pF a 25 V - 30W (Tc)
UPA1722G-E2-A Renesas UPA1722G-E2-A -
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ECAD 6348 0,00000000 Renesas - Volume Obsoleto 150ºC Montagem em superfície 8-SOIC (0,173", 4,40 mm de largura) MOSFET (óxido metálico) 8-POP 2156-UPA1722G-E2-A 1 Canal N 30 V 9A (Ta) 4V, 10V 21mOhm @ 4,5A, 10V 2,5V a 1mA 20 nC @ 10 V ±20V 980 pF a 10 V - 2W (Ta)
2SA1871-T1-AZ Renesas 2SA1871-T1-AZ 0,8100
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ECAD 5 0,00000000 Renesas - Volume Obsoleto 150°C (TJ) Montagem em superfície TO-243AA 2W MP-2 RoHS não compatível REACH não afetado 2156-2SA1871-T1-AZ EAR99 8541.29.0095 1 600V 1A 10µA (ICBO) PNP 1V a 60mA, 300mA 30 @ 100mA, 5V 30MHz
GA1A4Z-T1-A Renesas GA1A4Z-T1-A 0,1100
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ECAD 11 0,00000000 Renesas - Volume Obsoleto Montagem em superfície SC-70, SOT-323 GA1A4Z 150 mW SC-70 RoHS não compatível Fornecedor indefinido 2156-GA1A4Z-T1-A EAR99 8541.29.0095 2.719 50 V 100 mA 100nA NPN - Pré-tendencioso 200mV @ 250µA, 5mA 135 @ 5mA, 5V 10 kOhms
2SD1694(1)-AZ Renesas 2SD1694(1)-AZ -
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ECAD 1562 0,00000000 Renesas - Volume Obsoleto 2156-2SD1694(1)-AZ 1
2SJ604-Z-AZ Renesas 2SJ604-Z-AZ 1.8100
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ECAD 4755 0,00000000 Renesas - Volume Obsoleto 150ºC Montagem em superfície TO-263-3, D²Pak (2 derivações + guia), TO-263AB MOSFET (óxido metálico) TO-263, TO-220SMD RoHS não compatível REACH não afetado 2156-2SJ604-Z-AZ EAR99 8541.29.0095 1 Canal P 60 V 45A (Tc) 4V, 10V 30mOhm @ 23A, 10V 2,5V a 1mA 63 nC @ 10 V ±20V 3300 pF a 10 V - 1,5 W (Ta), 70 W (Tc)
2SD1581-T-AZ Renesas 2SD1581-T-AZ -
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ECAD 6400 0,00000000 Renesas - Volume Obsoleto -55°C ~ 150°C (TJ) Através do furo 3-SSIP - 2156-2SD1581-T-AZ 1 100nA (ICBO) NPN 300mV a 10mA, 1A 800 @ 500mA, 5V 350MHz
2SC2721-AZ Renesas 2SC2721-AZ -
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ECAD 9912 0,00000000 Renesas - Volume Obsoleto 150°C (TJ) Através do furo 3-SSIP 1W - 2156-2SC2721-AZ 1 - 60V 700mA NPN 90 @ 100mA, 1V 110MHz -
RJK5013DPP-E0#T2 Renesas RJK5013DPP-E0#T2 4.9400
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ECAD 17 0,00000000 Renesas - Volume Obsoleto 150ºC Através do furo Pacote completo TO-220-3 MOSFET (óxido metálico) TO-220FP RoHS não compatível REACH não afetado 2156-RJK5013DPP-E0#T2 EAR99 8541.29.0095 61 Canal N 500 V 14A (Ta) 10V 465mOhm @ 7A, 10V 4,5V a 1mA 38 nC @ 10 V ±30V 1450 pF a 25 V - 30W (Tc)
N0302P-T1-AT Renesas N0302P-T1-AT -
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ECAD 9693 0,00000000 Renesas - Volume Obsoleto 150ºC Montagem em superfície Cabos planos SOT-23-3 MOSFET (óxido metálico) SOT-23F RoHS não compatível Fornecedor indefinido 2156-N0302P-T1-AT EAR99 8541.21.0095 1 Canal P 30 V 4A (Ta) 4V, 10V 54mOhm @ 2,2A, 10V 2,5V a 1mA 14 nC @ 10 V ±20V 620 pF a 10 V - 200mW (Ta)
UPA2706GR-E2-AT Renesas UPA2706GR-E2-AT 1.1600
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ECAD 19 0,00000000 Renesas - Volume Obsoleto 150ºC Montagem em superfície 8-SOIC (0,173", 4,40 mm de largura) MOSFET (óxido metálico) 8-POP RoHS não compatível Fornecedor indefinido 2156-UPA2706GR-E2-AT EAR99 8541.21.0095 1 Canal N 30 V 11A (Ta), 20A (Tc) 4V, 10V 15mOhm @ 5,5A, 10V 2,5V a 1mA 7,1 nC a 5 V ±20V 660 pF a 10 V - 3W (Ta), 15W (Tc)
2SK2858(0)-T1-AT Renesas 2SK2858(0)-T1-AT -
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ECAD 4525 0,00000000 Renesas - Volume Obsoleto 2156-2SK2858(0)-T1-AT 1
2SC5293(0)-T-AZ Renesas 2SC5293(0)-T-AZ -
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ECAD 1101 0,00000000 Renesas - Volume Obsoleto 2156-2SC5293(0)-T-AZ 1
  • Daily average RFQ Volume

    2.000+

    Volume médio diário de RFQ

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Unidade de produto padrão

  • Worldwide Manufacturers

    2.800+

    Fabricantes mundiais

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Armazém em estoque