Solicitação de cotação
BOM
Contate-nos

Tel: +86-0755-83501315

E-mail:sales@sic-components.com

Entrar

Português

Transistores(226)

Número do produto	Preço (USD)	Quantidade	Quantidade disponível	Fabricante	Série	Pacote	Estado do produto	Temperatura operacional	Tipo de montagem	Pacote/Caso	Número básico do produto	Tecnologia	Potência - Máx.	Pacote de dispositivos do fornecedor	Ficha de dados	Estado RoHS	Nível de sensibilidade à umidade (MSL)	Estado do REACH	Outros nomes	ECCN	HTSU	Pacote Padrão	Configuração	Tipo FET	Ganho	Dreno para Tensão de Fonte (Vdss)	Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C	Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado)	Rds ativadas (máx.) @ ID, Vgs	Vgs(th) (máx.) @ ID	Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs	Vgs (máx.)	Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	Recurso FET	Dissipação de energia (máx.)	Tensão - Quebra do Emissor do Coletor (Máx.)	Atual - Coletor (Ic) (Máx.)	Atual - Corte do Coletor (Máx.)	Tipo de transistor	Saturação Vce (Máx.) @ Ib, Ic	Ganho de corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	Frequência - Transição	Resistor - Base (R1)	Resistor - Emissor Base (R2)	Figura de ruído (dB Typ @ f)
UPA1770G-E1-A	1.6800	Solicitação de cotação	2	Renesas	-	Volume	Obsoleto	150ºC	Montagem em superfície	8-SOIC (0,173", 4,40 mm de largura)	UPA1770	MOSFET (óxido metálico)	750 mW (Ta)	8-POP	-	RoHS não compatível		Fornecedor indefinido	2156-UPA1770G-E1-A	EAR99	8541.29.0095	1	2 canais N (duplo)			20V	6A (Ta)		37mOhm @ 3A, 4,5V	1,5V a 1mA	11nC a 4,5V		1300pF a 10V	-
2SK3902-ZK-E1-AY	1.2100	Solicitação de cotação	2	Renesas	-	Volume	Obsoleto	150ºC	Montagem em superfície	TO-263-3, D²Pak (2 derivações + guia), TO-263AB		MOSFET (óxido metálico)		PARA-263-3	-	RoHS não compatível		REACH não afetado	2156-2SK3902-ZK-E1-AY	EAR99	8541.29.0075	1		Canal N		60 V	30A (Tc)	4,5V, 10V	21mOhm @ 15A, 10V	2,5V a 1mA	25 nC @ 10 V	±20V	1200 pF a 10 V	-	1,5W (Ta), 45W (Tc)
NP80N055KLE-E1-AY	2.2400	Solicitação de cotação	1	Renesas	-	Volume	Obsoleto	175°C	Montagem em superfície	TO-263-3, D²Pak (2 derivações + guia), TO-263AB		MOSFET (óxido metálico)		PARA-263-3	download	RoHS não compatível		REACH não afetado	2156-NP80N055KLE-E1-AY	EAR99	8541.29.0075	135		Canal N		55V	80A (Tc)	4,5V, 10V	11mOhm a 40A, 10V	2,5 V a 250 µA	75 nC @ 10 V	±20V	4400 pF a 25 V	-	1,8 W (Ta), 120 W (Tc)
HR1F3P(0)-T1-AZ	0,4600	Solicitação de cotação	25	Renesas	-	Volume	Obsoleto		Montagem em superfície	TO-243AA	HR1F3P		2W	SC-62	-	RoHS não compatível		REACH não afetado	2156-HR1F3P(0)-T1-AZ	EAR99	8541.29.0095	1														60 V	1A	100nA	PNP - Pré-tendencioso	350mV a 10mA, 500mA	100 @ 500mA, 2V		2 kOhms	10 kOhms
2SK3455B-S17-AY	3.3600	Solicitação de cotação	1	Renesas	-	Volume	Obsoleto	150ºC	Através do furo	Pacote completo TO-220-3		MOSFET (óxido metálico)		ITO-220 (MP-45F)	-	RoHS não compatível		REACH não afetado	2156-2SK3455B-S17-AY	EAR99	8541.29.0095	1		Canal N		500 V	12A (Tc)	10V	600mOhm @ 6A, 10V	3,5V a 1mA	30 nC @ 10 V	±30V	1800 pF a 10 V	-	2W (Ta), 50W (Tc)
RJK6035DPP-E3#T2	-	Solicitação de cotação	5414	Renesas	-	Volume	Obsoleto								-				2156-RJK6035DPP-E3#T2			1
2SJ179-T2-AZ	-	Solicitação de cotação	5513	Renesas	-	Volume	Obsoleto								-				2156-2SJ179-T2-AZ			1
2SK1954-Z-E1-AZ	-	Solicitação de cotação	3177	Renesas	-	Volume	Obsoleto	150ºC	Montagem em superfície	TO-252-3, DPak (2 derivações + guia), SC-63		MOSFET (óxido metálico)		MP-3Z	-				2156-2SK1954-Z-E1-AZ			1		Canal N		180 V	4A (Ta)	10V	650mOhm @ 2A, 10V	4V @ 1mA	10 nC @ 10 V	±20V	300 pF a 10 V	-	1W (Ta), 20W (Tc)
RJK5026DPP-E0#T2	2.9500	Solicitação de cotação	4	Renesas	-	Volume	Obsoleto	150ºC	Através do furo	Pacote completo TO-220-3		MOSFET (óxido metálico)		TO-220FP	-	RoHS não compatível		REACH não afetado	2156-RJK5026DPP-E0#T2	EAR99	8541.29.0095	1		Canal N		500 V	6A (Ta)	10V	1,7Ohm a 3A, 10V	4,5V a 1mA	14 nC @ 10 V	±30V	440 pF a 25 V	-	28,5W (Tc)
UPA1774G-E1-A	-	Solicitação de cotação	5916	Renesas	-	Volume	Obsoleto	-55°C ~ 150°C	Montagem em superfície	8-PowerSOIC (0,173", 4,40 mm de largura)		MOSFET (óxido metálico)	800mW	8-PowerSOP	-				2156-UPA1774G-E1-A			1	2 canais P			60V	2,8A		250mOhm @ 2A, 10V	2,5V a 1mA	10nC @ 10V		420pF a 10V	-
2SC5292(0)-T-AZ	-	Solicitação de cotação	8914	Renesas	-	Volume	Obsoleto								-				2156-2SC5292(0)-T-AZ			1
2SK4150TZ-E	0,6300	Solicitação de cotação	19	Renesas	-	Volume	Obsoleto	150ºC	Através do furo	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)		MOSFET (óxido metálico)		TO-92	-	RoHS não compatível		Fornecedor indefinido	2156-2SK4150TZ-E	EAR99	8541.29.0095	1		Canal N		250 V	400mA (Ta)	2,5V, 4V	5,7Ohm a 200mA, 4V	1,5V a 1mA	3,7 nC a 4 V	±10V	80 pF a 25 V	-	750 mW (Ta)
2SK1958-T1-A	0,0700	Solicitação de cotação	69	Renesas	-	Volume	Obsoleto	150ºC	Montagem em superfície	8-TSSOP, 8-MSOP (0,110", 2,80 mm de largura)		MOSFET (óxido metálico)		8-MMPAK	-	RoHS não compatível		Fornecedor indefinido	2156-2SK1958-T1-A	EAR99	8541.21.0095	1		Canal N		16V	100mA (Ta)	1,5V, 4V	12Ohm @ 10mA, 4V	1,1 V a 10 µA		±7V	10 pF a 3 V	-	150mW (Ta)
RQA0008RXDQS#H1	0,5900	Solicitação de cotação	40	Renesas	-	Volume	Obsoleto	150ºC	Montagem em superfície	TO-243AA		MOSFET (óxido metálico)		UPAK	-	RoHS não compatível		Fornecedor indefinido	2156-RQA0008RXDQS#H1	EAR99	8541.29.0095	1		Canal N		16V	2,4A (Ta)	-	-	800mV @ 1mA		±5V	44 pF a 0 V	-	10W (Tc)
2SJ604-ZJ-E1-AZ	2.1600	Solicitação de cotação	662	Renesas	-	Volume	Obsoleto	150ºC	Montagem em superfície	TO-263-3, D²Pak (2 derivações + guia), TO-263AB		MOSFET (óxido metálico)		PARA-263	-	RoHS não compatível		REACH não afetado	2156-2SJ604-ZJ-E1-AZ	EAR99	8541.29.0095	1		Canal P		60 V	45A (Tc)	4V, 10V	30mOhm @ 23A, 10V	2,5V a 1mA	63 nC @ 10 V	±20V	3300 pF a 10 V	-	1,5 W (Ta), 70 W (Tc)
HAT2292C-EL-E	0,3400	Solicitação de cotação	9	Renesas	-	Volume	Obsoleto	-	Montagem em superfície	6-SMD, cabos planos	CHAPÉU2292	MOSFET (óxido metálico)	-	6-CMFPAK	-	RoHS não compatível		Fornecedor indefinido	2156-HAT2292C-EL-E	EAR99	8541.29.0095	1	2 canais N (duplo)			20V	1,5A		205mOhm @ 1,5A, 4,5V	-	-		-	-
HAT1096C-EL-E	0,2100	Solicitação de cotação	9	Renesas	-	Volume	Obsoleto	150ºC	Montagem em superfície	6-SMD, cabos planos		MOSFET (óxido metálico)		6-CMFPAK	download	RoHS não compatível		Fornecedor indefinido	2156-HAT1096C-EL-E	EAR99	8541.29.0095	1		Canal P		20 V	1A (Ta)	2,5 V, 4,5 V	293 mOhm a 500 µA, 4,5 V	1,4V a 1mA	2 nC @ 4,5 V	±12V	155 pF a 10 V	-	790 mW (Ta)
NP82N10PUF-E1-AY	2.4900	Solicitação de cotação	6	Renesas	-	Volume	Obsoleto	175°C	Montagem em superfície	TO-263-3, D²Pak (2 derivações + guia), TO-263AB		MOSFET (óxido metálico)		PARA-263-3	-	RoHS não compatível		REACH não afetado	2156-NP82N10PUF-E1-AY	EAR99	8541.29.0095	1		Canal N		100V	82A (Tc)	5,8 V, 10 V	15mOhm a 41A, 10V	3,3 V a 250 µA	96 nC @ 10 V	±20V	4350 pF a 25 V	-	1,8 W (Ta), 150 W (Tc)
NP69N03ZHGW-U	-	Solicitação de cotação	7422	Renesas	-	Volume	Ativo								-				2156-NP69N03ZHGW-U			1
HAT3043C-EL-E	0,3100	Solicitação de cotação	2	Renesas	-	Volume	Obsoleto	-	Montagem em superfície	6-SMD, cabos planos	CAPÉU3043	MOSFET (óxido metálico)	-	6-CMFPAK	-	RoHS não compatível		Fornecedor indefinido	2156-HAT3043C-EL-E	EAR99	8541.29.0075	1	Canal N e P			20V	1,5A		205mOhm @ 1,5A, 4,5V	-	-		-	-
2SC4901YK-TL-E	-	Solicitação de cotação	5033	Renesas	2SC4901	Volume	Obsoleto	150°C (TJ)	Montagem em superfície	SC-70, SOT-323			100mW	3-CMPAK	-				2156-2SC4901YK-TL-E			1			-											9V	50mA		NPN		50 @ 20mA, 5V	9GHz			1,2 dB a 900 MHz
NP32N055SLE-E1-AZ	1.6400	Solicitação de cotação	60	Renesas	-	Volume	Obsoleto	175°C	Montagem em superfície	TO-252-3, DPak (2 derivações + guia), SC-63		MOSFET (óxido metálico)		TO-252 (MP-3ZK)	-	RoHS não compatível		REACH não afetado	2156-NP32N055SLE-E1-AZ	EAR99	8541.29.0075	1		Canal N		55V	32A (Ta)	4,5V, 10V	24mOhm @ 16A, 10V	2,5 V a 250 µA	41 nC @ 10 V	±20V	2.000 pF a 25 V	-	1,2 W (Ta), 66 W (Tc)
2SC4942-T1-AZ	1.2500	Solicitação de cotação	6	Renesas	-	Volume	Obsoleto	150°C (TJ)	Montagem em superfície	TO-243AA			2W	MP-2	download	RoHS não compatível		REACH não afetado	2156-2SC4942-T1-AZ	EAR99	8541.29.0095	1														600 V	1A	10µA (ICBO)	NPN	1V a 80mA, 400mA	30 @ 100mA, 5V	30MHz
RJK6012DPP-E0#T2	2.6600	Solicitação de cotação	3	Renesas	-	Volume	Obsoleto	150ºC	Através do furo	Pacote completo TO-220-3		MOSFET (óxido metálico)		TO-220FP	-	RoHS não compatível		REACH não afetado	2156-RJK6012DPP-E0#T2	EAR99	8541.29.0095	1		Canal N		600 V	10A (Ta)	10V	920mOhm @ 5A, 10V	4,5V a 1mA	30 nC @ 10 V	±30V	1100 pF a 25 V	-	30W (Ta)
2SK3354-AZ	3.7400	Solicitação de cotação	946	Renesas	-	Volume	Obsoleto	150ºC	Através do furo	PARA-220-3		MOSFET (óxido metálico)		PARA-220AB	download	RoHS não compatível		REACH não afetado	2156-2SK3354-AZ	EAR99	8541.29.0075	1		Canal N		60 V	83A (Tc)	4V, 10V	8mOhm @ 42A, 10V	2,5V a 1mA	106 nC @ 10 V	±20V	6300 pF a 10 V	-	1,5 W (Ta), 100 W (Tc)
2SK3482-Z-E2-AZ	-	Solicitação de cotação	7930	Renesas	-	Volume	Obsoleto	150ºC	Montagem em superfície	TO-252-3, DPak (2 derivações + guia), SC-63		MOSFET (óxido metálico)		TO-252 (MP-3Z)	-				2156-2SK3482-Z-E2-AZ			1		Canal N		100V	36A	4,5V, 10V	33mOhm @ 18A, 10V	2,5V a 1mA	72 nC @ 10 V	±20V	3600 pF a 10 V	-	1W
2SK3377-Z-AZ	0,8300	Solicitação de cotação	771	Renesas	-	Volume	Obsoleto	150ºC	Montagem em superfície	TO-252-3, DPak (2 derivações + guia), SC-63		MOSFET (óxido metálico)		TO-252 (MP-3Z)	-	RoHS não compatível		REACH não afetado	2156-2SK3377-Z-AZ	EAR99	8541.29.0075	1		Canal N		60 V	20A (Ta)	4V, 10V	44mOhm @ 10A, 10V	2,5V a 1mA	17 nC @ 10 V	±20V	760 pF a 10 V	-	1W (Ta), 30W (Tc)
RJK1003DPP-E0#T2	2.4000	Solicitação de cotação	3	Renesas	-	Volume	Obsoleto	150ºC	Através do furo	Pacote completo TO-220-3		MOSFET (óxido metálico)		TO-220FP	download	RoHS não compatível		REACH não afetado	2156-RJK1003DPP-E0#T2	EAR99	8541.29.0095	1		Canal N		100V	50A (Ta)	10V	11mOhm a 25A, 10V	4V @ 1mA	59 nC @ 10 V	±20V	4150 pF a 10 V	-	25W (Tc)
UPA2718GR-E1-AT	1.0200	Solicitação de cotação	2	Renesas	*	Volume	Ativo								download		Fornecedor indefinido	REACH não afetado	2156-UPA2718GR-E1-AT-1833			1
RJL5014DPP-E0#T2	5.7400	Solicitação de cotação	2	Renesas	-	Volume	Obsoleto	150ºC	Através do furo	Pacote completo TO-220-3		MOSFET (óxido metálico)		TO-220FP	-	RoHS não compatível		Fornecedor indefinido	2156-RJL5014DPP-E0#T2	EAR99	8541.29.0095	1		Canal N		500 V	19A (Ta)	10V	400mOhm @ 9,5A, 10V	4V @ 1mA	43 nC @ 10 V	±30V	1700 pF a 25 V	-	35W (Tc)

Mais de 2.000
Volume médio diário de RFQ
30.000.000
Unidade de produto padrão
2.800+
Fabricantes mundiais
15.000 m²
Armazém em estoque

Transistores(226)

Mais de 2.000

30.000.000

2.800+

15.000 m2

15.000 m²