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Transistores (226)

Imageem Número do Produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade Dispon Svel Peso (kg) Mfr Série Pacote Status do produto Temperatura operacional Tipo de Montagem Pacote / Caso Número do Produto Base Tipo de Entrada Tecnologia Poder - Máx Pacote de Dispositivo de Fornecedor Ficha de Dadas Status do rohs Status de alcance Nomes de Ulros ECCN Htsus PACOTE PADROO Configuraça TIPO DE FET Condição de teste Ganho Escorra para um tensão de origem (VDSS) Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C Tensão de conduça (max rds on, min rds on) Rds em (max) @ id, vgs VGS (th) (max) @ id Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS VGs (Máximoo) CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Recurso FET DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) TIPO IGBT Tensão - Colapso do Emissor de Colecionador (Max) Corrente - Coletor (IC) (Max) Corrente - Coletor Pulsa (ICM) Vce (on) (max) @ vge, ic Troca de Energia Carga do Portão TD (Ligado/Desligado) A 25 ° C Corrente - Corte de Colecionador (Max) Tipo de transistor Vce saturação (max) @ ib, ic Ganho ATUAL DE CC (HFE) (min) @ IC, VCE Frequencia - Transmissão Resistor - Base (R1) Resistor - Base de Emissor (R2) Figura de Ruído (dB typ @ f)
2SC945A-T-A Renesas 2SC945A-TA -
RFQ
 ECAD 2159 0,00000000 Renesas * Volume Obsoleto - Rohs Não Compatível Fornecedor indefinido 2156-2SC945A-TA-1833 1
2SB605-T-AZ Renesas 2SB605-T-AZ -
RFQ
 ECAD 5729 0,00000000 Renesas - Volume Obsoleto 150 ° C (TJ) Através do buraco 3-ssip - - 2156-2SB605-T-AZ 1 100na (ICBO) Pnp 350mv @ 50Ma, 500mA 90 @ 100MA, 1V 120MHz
KA4L4M(0)-T1-A Renesas Ka4l4m (0) -t1 -a -
RFQ
 ECAD 2905 0,00000000 Renesas - Volume Obsoleto Montagem na Superfície SC-75, SOT-416 200 MW SC-75 - 2156-KA4L4M (0) -T1-A 1 50 v 100 ma 100na (ICBO) Npn - pré -tendencioso 200mv @ 250µA, 5MA 85 @ 50MA, 5V 47 Kohms 47 Kohms
NP60N04ILF-E1-AZ Renesas NP60N04ILF-E1-AZ 1.9300
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Renesas - Volume Obsoleto 175 ° C. Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-252 (MP-3Z) download Rohs Não Compatível Alcançar Não Afetado 2156-NP60N04ILF-E1-AZ Ear99 8541.29.0095 1 N-canal 40 v 60a (TC) 4.5V, 10V 6.5mohm @ 30a, 10V 2,5V a 250µA 75 NC @ 10 V ± 20V 3900 pf @ 25 V - 1.2W (TA), 100W (TC)
NP80N06MLG-S18-AY Renesas NP80N06MLG-S18-AY 2.0000
RFQ
 ECAD 22 0,00000000 Renesas - Volume Obsoleto 175 ° C. Através do buraco To-220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) MP-25K download Rohs Não Compatível Alcançar Não Afetado 2156-NP80N06MLG-S18-AY Ear99 8541.29.0095 1 N-canal 60 v 80a (TC) 4.5V, 10V 8.6mohm @ 40a, 10V 2,5V a 250µA 128 nc @ 10 V ± 20V 6900 pf @ 25 V - 1.8W (TA), 115W (TC)
RJH1BF7DPQ-E0#T2 Renesas RJH1BF7DPQ-E0#T2 7.7000
RFQ
 ECAD 217 0,00000000 Renesas - Volume Obsoleto - Rohs Não Compatível Alcançar Não Afetado 2156-RJH1BF7DPQ-E0#T2 Ear99 8541.29.0095 1
2SK3575-AZ Renesas 2SK3575-AZ 2.3800
RFQ
 ECAD 824 0,00000000 Renesas - Volume Obsoleto 150 ° C. Através do buraco To-220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-220AB - Rohs Não Compatível Alcançar Não Afetado 2156-2SK3575-AZ Ear99 8541.29.0075 1 N-canal 30 v 83a (TC) 4.5V, 10V 4.5mohm @ 42a, 10V 2.5V @ 1MA 70 nc @ 10 V ± 20V 3700 pf @ 10 V - 1.5W (TA), 105W (TC)
2SK2109-T1-AZ Renesas 2SK2109-T1-AZ 0,3800
RFQ
 ECAD 6 0,00000000 Renesas - Volume Obsoleto 150 ° C. Montagem na Superfície TO-243AA MOSFET (ÓXIDO DE METAL) SC-62 - Rohs Não Compatível Alcançar Não Afetado 2156-2SK2109-T1-AZ Ear99 8541.29.0095 1 N-canal 60 v 500mA (TA) 4V, 10V 800MOHM @ 300MA, 10V 2V @ 1MA ± 20V 111 pf @ 10 V - 2W (TA)
2SK3481-AZ Renesas 2SK3481-AZ -
RFQ
 ECAD 5665 0,00000000 Renesas - Volume Obsoleto 150 ° C. Através do buraco To-220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-220AB - Rohs Não Compatível Alcançar Não Afetado 2156-2SK3481-AZ Ear99 8541.29.0095 1 N-canal 100 v 30a (TC) 4.5V, 10V 50mohm @ 15a, 10V 2.5V @ 1MA 48 nc @ 10 V ± 20V 2300 pf @ 10 V - 1.5W (TA), 56W (TC)
UPA2752GR-E1-A Renesas UPA2752GR-E1-A 1.3000
RFQ
 ECAD 32 0,00000000 Renesas - Volume Obsoleto 150 ° C. Montagem na Superfície 8-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de largura) UPA2752 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 1.7W (TA) 8-SOP - Rohs Não Compatível Fornecedor indefinido 2156-UPA2752GR-E1-A Ear99 8541.29.0095 1 2 canal n (Duplo) 30V 8a (TC) 23mohm @ 4a, 10V 2.5V @ 1MA 10NC @ 10V 480pf @ 10V -
2SK2112W-T1-AZ Renesas 2SK2112W-T1-AZ -
RFQ
 ECAD 5869 0,00000000 Renesas - Volume Obsoleto - 2156-2SK2112W-T1-AZ 1
2SA673BTZ-E Renesas 2SA673BTZ-E -
RFQ
 ECAD 2996 0,00000000 Renesas - Volume Obsoleto 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) Parágrafo 92 - 2156-2SA673BTZ-E 1 500na (ICBO) Pnp 600mV a 15mA, 150mA 60 @ 10Ma, 3V -
HAT1146C-EL-E Renesas HAT1146C-EL-E -
RFQ
 ECAD 6451 0,00000000 Renesas - Volume Obsoleto - 2156-HAT1146C-EL-E 1
RJK5035DPP-E0#T2 Renesas RJK5035DPP-E0#T2 -
RFQ
 ECAD 5014 0,00000000 Renesas - Volume Obsoleto 150 ° C. Através do buraco Pacote completo parágrafo 220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-220FP - 2156-RJK5035DPP-E0#T2 1 N-canal 500 v 10a (ta) 10V 850mohm @ 5a, 10V 5V @ 1MA 23 NC @ 10 V ± 30V 765 pf @ 25 V - 29.5W (TA)
2SK3434(0)-Z-E1-AZ Renesas 2SK3434 (0) -Z-E1-AZ -
RFQ
 ECAD 7024 0,00000000 Renesas - Volume Obsoleto 150 ° C. Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-263, TO-220SMD - 2156-2SK3434 (0) -Z-E1-AZ 1 N-canal 60 v 48a (TC) 4V, 10V 20mohm @ 24a, 10V 2.5V @ 1MA 40 nc @ 10 V ± 20V 2100 pf @ 10 V - 1.5W (TA), 56W (TC)
2SC3380AS04UR-E Renesas 2SC3380AS04UR-E 1.0000
RFQ
 ECAD 5490 0,00000000 Renesas - Volume Obsoleto - 2156-2SC3380AS04UR-E 1
2SC4901YK-TR-E Renesas 2SC4901YK-TR-E 0,5400
RFQ
 ECAD 213 0,00000000 Renesas - Volume Obsoleto 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície SC-70, SOT-323 100mW 3 cmpak - Rohs Não Compatível Fornecedor indefinido 2156-2SC4901YK-TR-E Ear99 8541.29.0095 1 - 9V 50mA Npn 50 @ 20MA, 5V 9GHz 1.2dB @ 900MHz
2SK3357-A Renesas 2SK3357-A 4.0400
RFQ
 ECAD 294 0,00000000 Renesas - Volume Obsoleto 150 ° C. Através do buraco TO-3P-3, SC-65-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-3P (MP-88) - Rohs Não Compatível Fornecedor indefinido 2156-2SK3357-A Ear99 8541.29.0075 1 N-canal 60 v 75A (TA) 4V, 10V 5.8mohm @ 38a, 10V 2.5V @ 1MA 170 nc @ 10 V ± 20V 9800 pf @ 10 V - 3W (TA), 150W (TC)
HR1A3M(0)-T1-AZ Renesas HR1A3M (0) -T1 -AZ -
RFQ
 ECAD 6926 0,00000000 Renesas - Volume Obsoleto Montagem na Superfície TO-243AA 2 w SC-62 - 2156-HR1A3M (0) -T1-AZ 1 60 v 1 a 100na (ICBO) PNP - Pré -tendencioso 350mv @ 10ma, 500mA 100 @ 500mA, 2V 1 Kohms 1 Kohms
RJP60D0DPK-01#T0 Renesas RJP60D0DPK-01#T0 2.0700
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Renesas - Volume Obsoleto 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-3P-3, SC-65-3 Padrão 140 w TO-3P - Rohs Não Compatível Alcançar Não Afetado 2156-RJP60D0DPK-01#T0 Ear99 8541.29.0095 1 300V, 22A, 5OHM, 15V - 600 v 45 a 90 a 2.2V @ 15V, 22a - 45 NC 35ns/90ns
RJK5012DPP-MG#T2 Renesas RJK5012DPP-MG#T2 2.3100
RFQ
 ECAD 478 0,00000000 Renesas - Volume Obsoleto 150 ° C. Através do buraco Pacote completo parágrafo 220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-220FN download Rohs Não Compatível Alcançar Não Afetado 2156-RJK5012DPP-MG#T2 Ear99 8541.29.0095 1 N-canal 500 v 12a (ta) 10V 620mohm @ 6a, 10V 4.5V @ 1MA 29 NC @ 10 V ± 30V 1100 pf @ 25 V - 30W (TC)
2SK3431-AZ Renesas 2SK3431-AZ 2.8600
RFQ
 ECAD 554 0,00000000 Renesas - Volume Obsoleto 150 ° C. Através do buraco To-220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-220AB - Rohs Não Compatível Alcançar Não Afetado 2156-2SK3431-AZ Ear99 8541.29.0095 105 N-canal 40 v 83a (TC) 4V, 10V 5.6mohm @ 42a, 10V 2.5V @ 1MA 110 nc @ 10 V ± 20V 6100 pf @ 10 V - 1.5W (TA), 100W (TC)
2SK3447TZ-E Renesas 2SK3447TZ-E 0,4100
RFQ
 ECAD 10 0,00000000 Renesas - Volume Obsoleto 150 ° C. Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 Corpo Longo MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-92MOD - Rohs Não Compatível Fornecedor indefinido 2156-2SK3447TZ-E Ear99 8541.21.0095 728 N-canal 150 v 1a (ta) 4V, 10V 1.95OHM @ 500MA, 10V 2.5V @ 1MA 4,5 nc @ 10 V ± 20V 85 pf @ 10 V - 900MW (TA)
RJH1BF7RDPQ-80#T2 Renesas RJH1BF7RDPQ-80#T2 6.2300
RFQ
 ECAD 6 0,00000000 Renesas - Volume Obsoleto 150 ° C (TJ) Através do buraco To-247-3 Padrão 250 w To-247 - Rohs Não Compatível Alcançar Não Afetado 2156-RJH1BF7RDPQ-80#T2 Ear99 8541.29.0095 1 - - 1100 v 60 a 100 a 2.35V @ 15V, 60a - -
2SK3483-Z-AZ Renesas 2SK3483-Z-AZ 1.2100
RFQ
 ECAD 635 0,00000000 Renesas - Volume Obsoleto 150 ° C. Através do buraco TO-251-3 leva Curtos, Ipak, TO-251AA MOSFET (ÓXIDO DE METAL) MP-3 - Rohs Não Compatível Alcançar Não Afetado 2156-2SK3483-Z-AZ Ear99 8541.29.0095 1 N-canal 100 v 28a (TA) 4.5V, 10V 52mohm @ 14a, 10v 2.5V @ 1MA 49 NC @ 10 V ± 20V 2300 pf @ 10 V - 1W (TA), 40W (TC)
2SB804-D-T1-AZ Renesas 2SB804-D-T1-AZ -
RFQ
 ECAD 6963 0,00000000 Renesas - Volume Obsoleto - 2156-2SB804-D-T1-AZ 1
UPA2782GR-E1-A Renesas UPA2782GR-E1-A 1.7700
RFQ
 ECAD 7 0,00000000 Renesas - Volume Obsoleto 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de largura) MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 8-SOP download Rohs Não Compatível Fornecedor indefinido 2156-UPA2782GR-E1-A Ear99 8541.29.0075 1 N-canal 30 v 11a (ta) 4V, 10V 15mohm @ 5.5a, 10V 2.5V @ 1MA 7.1 NC @ 5 V ± 20V 660 pf @ 10 V - 2W (TA)
2SK2055-T1-AZ Renesas 2SK2055-T1-AZ -
RFQ
 ECAD 5339 0,00000000 Renesas - Volume Obsoleto 150 ° C. Montagem na Superfície TO-243AA MOSFET (ÓXIDO DE METAL) MP-2 - 2156-2SK2055-T1-AZ 1 N-canal 100 v 2a (ta) 4V, 10V 350mohm @ 1a, 10v 2V @ 1MA ± 20V 650 pf @ 10 V - 2W (TA)
2SA1611(0)-T1-A Renesas 2SA1611 (0) -T1 -A -
RFQ
 ECAD 1026 0,00000000 Renesas - Volume Obsoleto 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície SC-70, SOT-323 SC-70 - 2156-2SA1611 (0) -T1-A 1 100na (ICBO) Pnp 300mv @ 10ma, 100mA 90 @ 1MA, 6V 180MHz
UPA2701TP-E1-AZ Renesas UPA2701TP-E1-AZ -
RFQ
 ECAD 1268 0,00000000 Renesas - Volume Obsoleto 150 ° C. Montagem na Superfície Pad de 8-soic (0,173 ", 4,40mm de largura) MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 8-HSOP - 2156-UPA2701TP-E1-AZ 1 N-canal 30 v 16a (ta), 35a (tc) 4V, 10V 7.5mohm @ 7a, 10V 2.5V @ 1MA 12 nc @ 5 V ± 20V 1200 pf @ 10 V - 3W (TA), 28W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume médio diário de RFQ

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Unidade de produto padrão

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes em todo o mundo

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

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