SIC
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Imagem Número do produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade disponível Peso (Kg) Fabricante Série Pacote Estado do produto Temperatura operacional Tipo de montagem Pacote/Caso Número básico do produto Tipo de entrada Tecnologia Potência - Máx. Pacote de dispositivos do fornecedor Ficha de dados Estado RoHS Estado do REACH Outros nomes ECCN HTSU Pacote Padrão Configuração Tipo FET Condição de teste Dreno para Tensão de Fonte (Vdss) Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado) Rds ativadas (máx.) @ ID, Vgs Vgs(th) (máx.) @ ID Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs Vgs (máx.) Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds Recurso FET Dissipação de energia (máx.) Tempo de recuperação reversa (trr) Tipo IGBT Tensão - Quebra do Emissor do Coletor (Máx.) Atual - Coletor (Ic) (Máx.) Corrente - Coletor Pulsado (Icm) Vce(ligado) (Máx.) @ Vge, Ic Trocando Energia Taxa de portão Td (ligado/desligado) @ 25°C Atual - Corte do Coletor (Máx.) Tipo de transistor Saturação Vce (Máx.) @ Ib, Ic Ganho de corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce Frequência - Transição
HAT1108C-EL-E Renesas HAT1108C-EL-E -
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ECAD 8371 0,00000000 Renesas - Volume Obsoleto 150ºC Montagem em superfície 6-SMD, cabos planos MOSFET (óxido metálico) 6-CMFPAK - 2156-HAT1108C-EL-E 1 Canal P 30 V 1,5A (Ta) 4,5V 194mOhm @ 750mA, 10V 2V @ 1mA 3 nC @ 10 V ±20V 160 pF a 10 V - 830 mW (Ta)
UPA1770G-E1-AT Renesas UPA1770G-E1-AT -
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ECAD 3730 0,00000000 Renesas - Volume Obsoleto 150ºC Montagem em superfície 8-PowerSOIC (0,173", 4,40 mm de largura) MOSFET (óxido metálico) 750 mW (Ta) 8-PowerSOP - 2156-UPA1770G-E1-AT 1 2 canaisN 20V 6A (Ta) 37mOhm @ 3A, 4,5V 1,5V a 1mA 11nC a 4,5V 1300pF a 10V padrão
HAT2218R0T-EL-E Renesas HAT2218R0T-EL-E 0,7600
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ECAD 15 0,00000000 Renesas - Volume Obsoleto - RoHS não compatível REACH não afetado 2156-HAT2218R0T-EL-E EAR99 8541.29.0075 1
2SK3430-Z-E2-AZ Renesas 2SK3430-Z-E2-AZ -
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ECAD 2663 0,00000000 Renesas - Volume Obsoleto 150ºC Montagem em superfície TO-263-3, D²Pak (2 derivações + guia), TO-263AB MOSFET (óxido metálico) TO-263, TO-220SMD - 2156-2SK3430-Z-E2-AZ 1 Canal N 40 V 80A (Tc) 4V, 10V 7,3mOhm a 40A, 10V 2,5V a 1mA 50 nC @ 10 V ±20V 2.800 pF a 10 V - 1,5 W (Ta), 84 W (Tc)
RJH65D27BDPQ-A0#T2 Renesas RJH65D27BDPQ-A0#T2 -
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ECAD 7829 0,00000000 Renesas - Volume Obsoleto 175°C (TJ) Através do furo PARA-247-3 padrão 375 W TO-247A - 2156-RJH65D27BDPQ-A0#T2 1 400V, 50A, 10Ohm, 15V 80 ns Trincheira 650 V 100A 200A 1,65V a 15V, 50A 1mJ (ligado), 1,5mJ (desligado) 175nC 20ns/165ns
UPA1981TE-T1-A Renesas UPA1981TE-T1-A 0,2400
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ECAD 27 0,00000000 Renesas - Volume Obsoleto 150ºC Montagem em superfície SC-95 UPA1981 MOSFET (óxido metálico) 1W (Ta) SC-95 - RoHS não compatível Fornecedor indefinido 2156-UPA1981TE-T1-A EAR99 8542.39.0001 1 Canal N e P 8V 2,8A (Ta) 70mOhm a 2,8A, 5V, 105mOhm a 1,9A, 2,5V 200mV a 2,8A, 200mV a 1,9A - - -
RJK5030DPD-03#J2 Renesas RJK5030DPD-03#J2 0,9900
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ECAD 6 0,00000000 Renesas - Volume Obsoleto 150ºC Montagem em superfície TO-252-3, DPak (2 derivações + guia), SC-63 MOSFET (óxido metálico) MP-3A - RoHS não compatível REACH não afetado 2156-RJK5030DPD-03#J2 EAR99 8541.29.0095 1 Canal N 500 V 5A (Ta) 10V 1,6Ohm a 2A, 10V 4,5V a 1mA ±30V 550 pF a 25 V - 41,7W (Tc)
NP88N04NUG-S18-AY Renesas NP88N04NUG-S18-AY 2.6800
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ECAD 1 0,00000000 Renesas - Volume Obsoleto 175°C Através do furo TO-262-3 Cabos Longos, I²Pak, TO-262AA MOSFET (óxido metálico) PARA-262 download RoHS não compatível REACH não afetado 2156-NP88N04NUG-S18-AY EAR99 8541.21.0095 1 Canal N 40 V 88A (Tc) 10V 3,4mOhm a 44A, 10V 4 V a 250 µA 250 nC @ 10 V ±20V 15.000 pF a 25 V - 1,8 W (Ta), 200 W (Tc)
2SK3813-AZ Renesas 2SK3813-AZ -
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ECAD 4491 0,00000000 Renesas - Volume Obsoleto 150ºC Através do furo TO-251-3 Cabos Curtos, IPak, TO-251AA MOSFET (óxido metálico) MP-3 - 2156-2SK3813-AZ 1 Canal N 40 V 60A (Tc) 4,5V, 10V 5,3mOhm a 30A, 10V 2,5V a 1mA 96 nC @ 10 V ±20V 5500 pF a 10 V - 1W (Ta), 84W (Tc)
NP34N055SLE-E1-AY Renesas NP34N055SLE-E1-AY 1.8500
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ECAD 5 0,00000000 Renesas - Volume Obsoleto 175°C Montagem em superfície TO-252-3, DPak (2 derivações + guia), SC-63 MOSFET (óxido metálico) TO-252 (MP-3ZK) - RoHS não compatível REACH não afetado 2156-NP34N055SLE-E1-AY EAR99 8541.29.0095 1 Canal N 55V 34A (Ta) 4,5V, 10V 18mOhm @ 17A, 10V 2,5 V a 250 µA 72 nC @ 10 V ±20V 3000 pF a 25 V - 1,2 W (Ta), 88 W (Tc)
2SJ358-T1-AZ Renesas 2SJ358-T1-AZ 0,8400
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ECAD 5 0,00000000 Renesas - Volume Obsoleto 150ºC Montagem em superfície TO-243AA MOSFET (óxido metálico) MP-2 - RoHS não compatível REACH não afetado 2156-2SJ358-T1-AZ EAR99 8541.29.0095 1 Canal P 60 V 3A (Ta) 4V, 10V 300mOhm a 1,5A, 10V 2V @ 1mA 23,9 nC a 10 V +10V, -20V 600 pF a 10 V - 2W (Ta)
HAT1089C-EL-E Renesas HAT1089C-EL-E -
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ECAD 9103 0,00000000 Renesas - Volume Obsoleto 150ºC Montagem em superfície 6-SMD, cabos planos MOSFET (óxido metálico) 6-CMFPAK - 2156-HAT1089C-EL-E 1 Canal P 20 V 2A (Ta) 2,5 V, 4,5 V 103mOhm @ 1A, 4,5V 1,4V a 1mA 4,5 nC @ 4,5 V ±12V 365 pF a 10 V - 850 mW (Ta)
2SK3353-AZ Renesas 2SK3353-AZ 3.4500
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ECAD 3 0,00000000 Renesas - Volume Obsoleto 150ºC Através do furo PARA-220-3 MOSFET (óxido metálico) PARA-220AB - RoHS não compatível REACH não afetado 2156-2SK3353-AZ EAR99 8541.29.0095 1 Canal N 60 V 82A (Tc) 4V, 10V 9,5mOhm a 41A, 10V 2,5V a 1mA 90 nC @ 10 V ±20V 4650 pF a 10 V - 1,5 W (Ta), 95 W (Tc)
UPA2700TP-E2-AZ Renesas UPA2700TP-E2-AZ -
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ECAD 7014 0,00000000 Renesas - Volume Obsoleto 150ºC Montagem em superfície Almofada exposta 8-SOIC (0,173", 4,40 mm de largura) MOSFET (óxido metálico) 8-HSOP - 2156-UPA2700TP-E2-AZ 1 Canal N 30 V 17A (Ta) 4V, 10V 5,3mOhm a 9A, 10V 2,5V a 1mA 26 nC @ 5 V ±20V 2600 pF a 10 V - 2W (Ta)
RQM2201DNS#P0 Renesas RQM2201DNS#P0 1.1800
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ECAD 32 0,00000000 Renesas - Volume Obsoleto 150ºC Montagem em superfície Almofada exposta 6-WDFN RQM2201 MOSFET (óxido metálico) 1,5W (Ta) 6-HWSON (3x3) - RoHS não compatível REACH não afetado 2156-RQM2201DNS#P0 EAR99 8541.29.0095 1 2 canais N (duplo) 60V 2A (Ta) 225mOhm @ 1A, 4,5V 1,4V a 1mA 2,4nC a 4,5V 200pF a 10V -
HAT1093C-EL-E Renesas HAT1093C-EL-E 0,2500
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ECAD 30 0,00000000 Renesas - Volume Obsoleto 150ºC Montagem em superfície 6-SMD, cabos planos MOSFET (óxido metálico) 6-CMFPAK download RoHS não compatível Fornecedor indefinido 2156-HAT1093C-EL-E EAR99 8541.29.0095 1 Canal P 12V 3A (Ta) 1,8 V, 4,5 V 54mOhm @ 1,5A, 4,5V 1,2V a 1mA 11 nC @ 4,5 V ±8V 940 pF a 10 V - 900 mW (Ta)
2SK1168-E Renesas 2SK1168-E -
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ECAD 9196 0,00000000 Renesas - Volume Obsoleto - 2156-2SK1168-E 1
RQA0005AQS#H1 Renesas RQA0005AQS#H1 0,5300
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ECAD 6 0,00000000 Renesas - Volume Obsoleto - RoHS não compatível REACH não afetado 2156-RQA0005AQS#H1 EAR99 8541.29.0095 1
2SA1843(0)-T-AZ Renesas 2SA1843(0)-T-AZ -
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ECAD 1831 0,00000000 Renesas - Volume Obsoleto -55°C ~ 150°C (TJ) Através do furo 3-SIP - - 2156-2SA1843(0)-T-AZ 1 10µA (ICBO) PNP 500mV a 200mA, 4A 100 @ 1A, 2V 80MHz
2SD1694(4)-S2-AZ Renesas 2SD1694(4)-S2-AZ -
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ECAD 4175 0,00000000 Renesas - Volume Obsoleto - 2156-2SD1694(4)-S2-AZ 1
HS54095TZ-E Renesas HS54095TZ-E 0,7900
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ECAD 7 0,00000000 Renesas - Volume Obsoleto 150ºC Através do furo TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) MOSFET (óxido metálico) TO-92 - RoHS não compatível Fornecedor indefinido 2156-HS54095TZ-E EAR99 8541.29.0095 1 Canal N 600 V 200mA (Ta) 10V 16,5Ohm a 100mA, 10V 5V @ 1mA 4,8 nC a 10 V ±30V 66 pF a 25 V - 750 mW (Ta)
2SK3755-AZ Renesas 2SK3755-AZ -
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ECAD 1934 0,00000000 Renesas - Volume Obsoleto 150ºC Através do furo Guia Isolada TO-220-3 MOSFET (óxido metálico) MP-45F - RoHS não compatível REACH não afetado 2156-2SK3755-AZ EAR99 8541.29.0095 1 Canal N 40 V 45A (Tc) 4,5V, 10V 12mOhm @ 23A, 10V 2,5V a 1mA 25,5 nC a 10 V ±20V 1200 pF a 10 V - 2W (Ta), 24W (Tc)
2SK2054-T1-AZ Renesas 2SK2054-T1-AZ 0,8300
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ECAD 14 0,00000000 Renesas - Volume Obsoleto 150ºC Montagem em superfície TO-243AA MOSFET (óxido metálico) MP-2 - RoHS não compatível REACH não afetado 2156-2SK2054-T1-AZ EAR99 8541.29.0075 1 Canal N 60 V 3A (Ta) 4V, 10V 200mOhm a 1,5A, 10V 2V @ 1mA ±20V 530 pF a 10 V - 2W (Ta)
HAT1091C-EL-E Renesas HAT1091C-EL-E 0,2500
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ECAD 21 0,00000000 Renesas - Volume Obsoleto 150ºC Montagem em superfície 6-SMD, cabos planos MOSFET (óxido metálico) 6-CMFPAK - RoHS não compatível Fornecedor indefinido 2156-HAT1091C-EL-E EAR99 8541.29.0095 1 Canal P 20 V 1,5A (Ta) 2,5V, 4V 175mOhm @ 800mA, 4,5V 1,4V a 1mA 2,6 nC a 4,5 V ±12V 200 pF a 10 V - 830 mW (Ta)
2SA1836-T1-A Renesas 2SA1836-T1-A 0,0900
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ECAD 42 0,00000000 Renesas - Volume Obsoleto 150°C (TJ) Montagem em superfície SC-75, SOT-416 200 mW SC-75 - RoHS não compatível Fornecedor indefinido 2156-2SA1836-T1-A EAR99 8541.29.0095 1 50 V 100 mA 100nA (ICBO) PNP 300mV @ 10mA, 100mA 90 @ 1mA, 6V 180MHz
UPA1601GS-E1-A Renesas UPA1601GS-E1-A 1.8400
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ECAD 40 0,00000000 Renesas - Volume Obsoleto -40°C ~ 85°C (TA) Montagem em superfície 16-SOIC (0,220", 5,59 mm de largura) UPA1601 MOSFET (óxido metálico) 1W (Ta) 16-POP - RoHS não compatível REACH não afetado 2156-UPA1601GS-E1-A EAR99 8542.39.0001 163 7 Canal N 30V 270mA (Ta) 5,3Ohm a 150mA, 4V 800mV a 150mA - 15pF a 10V -
NP160N055TUJ-E1-AY Renesas NP160N055TUJ-E1-AY 2.8300
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ECAD 1 0,00000000 Renesas - Volume Obsoleto 175°C Montagem em superfície TO-263-7, D²Pak (6 derivações + guia) MOSFET (óxido metálico) PARA-263-7 - RoHS não compatível REACH não afetado 2156-NP160N055TUJ-E1-AY EAR99 8541.29.0095 1 Canal N 55V 160A (Tc) 10V 3mOhm @ 80A, 10V 4 V a 250 µA 180 nC @ 10 V ±20V 10350 pF a 25 V - 1,8 W (Ta), 250 W (Tc)
2SK1591W-T1B-A Renesas 2SK1591W-T1B-A -
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ECAD 3764 0,00000000 Renesas - Volume Obsoleto - 2156-2SK1591W-T1B-A 1
2SK3402-AZ Renesas 2SK3402-AZ 1.3800
Solicitação de cotação
ECAD 2 0,00000000 Renesas - Volume Obsoleto 150ºC Montagem em superfície TO-252-3, DPak (2 derivações + guia), SC-63 MOSFET (óxido metálico) TO-252 (MP-3Z) download RoHS não compatível REACH não afetado 2156-2SK3402-AZ EAR99 8541.29.0075 1 Canal N 60 V 36A (Tc) 4V, 10V 15mOhm @ 18A, 10V 2,5V a 1mA 61 nC @ 10 V ±20V 3200 pF a 10 V - 1W (Ta), 40W (Tc)
2SK3435-Z-AZ Renesas 2SK3435-Z-AZ -
Solicitação de cotação
ECAD 6748 0,00000000 Renesas - Volume Obsoleto 150ºC Montagem em superfície TO-263-3, D²Pak (2 derivações + guia), TO-263AB MOSFET (óxido metálico) TO-263, TO-220SMD - RoHS não compatível REACH não afetado 2156-2SK3435-Z-AZ EAR99 8541.29.0075 75 Canal N 60 V 80A (Tc) 10V 14mOhm a 40A, 10V 2,5V a 1mA 60 nC @ 10 V ±20V 3200 pF a 10 V - 1,5 W (Ta), 84 W (Tc)
  • Daily average RFQ Volume

    Mais de 2.000

    Volume médio diário de RFQ

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Unidade de produto padrão

  • Worldwide Manufacturers

    2.800+

    Fabricantes mundiais

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Armazém em estoque