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Transistores (13833)
| Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Tensão - Classificada | Temperatura operacional | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tipo de Entrada | Freqüência | Tecnologia | Poder - Máx | Entrada | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Configuraça | TIPO DE FET | Classificação ATUAL (Amplificadorores) | Condição de teste | POTÊNCIA - SAÍDA | Ganho | Escorra para um tensão de origem (VDSS) | Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C | Tensão de conduça (max rds on, min rds on) | Rds em (max) @ id, vgs | VGS (th) (max) @ id | Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS | VGs (Máximoo) | CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Recurso FET | DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) | Figura de Ruído | Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) | TIPO IGBT | Tensão - Colapso do Emissor de Colecionador (Max) | Corrente - Coletor (IC) (Max) | Corrente - Coletor Pulsa (ICM) | Vce (on) (max) @ vge, ic | Troca de Energia | Carga do Portão | TD (Ligado/Desligado) A 25 ° C | Tensão - Teste | Corrente - Corte de Colecionador (Max) | Termistor NTC | CapacitânCia de Entrada (CIES) @ VCE | Tipo de transistor | Vce saturação (max) @ ib, ic | Ganho ATUAL DE CC (HFE) (min) @ IC, VCE | Frequencia - Transmissão |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | IRFIB41N15DPBF | - |  | 2698 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | HEXFET® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | Pacote completo parágrafo 220-3 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | To-220ab pak cheio | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | N-canal | 150 v | 41a (TC) | 10V | 45mohm @ 25a, 10V | 5,5V A 250µA | 110 nc @ 10 V | ± 20V | 2520 pf @ 25 V | - | 48W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | IRFML8244TRPBF | 0,4400 | | 65 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | HEXFET® | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | IRFML8244 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | SOT-23 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 25 v | 5.8a (ta) | 4.5V, 10V | 24mohm @ 5.8a, 10V | 2,35V a 10µA | 5,4 nc @ 10 V | ± 20V | 430 pf @ 10 V | - | 1.25W (TA) | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | IPP410N30NAKSA1 | 10.0800 | | 250 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | Optimos ™ | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | To-220-3 | IPP410 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PG-PARA220-3 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 300 v | 44a (TC) | 10V | 41mohm @ 44a, 10V | 4V @ 270µA | 87 nc @ 10 V | ± 20V | 7180 pf @ 100 V | - | 300W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | BC857AE6327 | 0,0400 | | 36 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | - | Volume | Ativo | 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BC857 | 330 MW | PG-SOT23 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0075 | 8.460 | 45 v | 100 ma | 15na (ICBO) | Pnp | 650mv @ 5Ma, 100mA | 125 @ 2MA, 5V | 250MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BF1005SE6433XT | - | | 6694 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado no sic | 8 v | Montagem na Superfície | TO-253-4, TO-253AA | BF1005 | 800MHz | MOSFET | PG-SOT-143-3D | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0095 | 20.000 | N-canal | 25Ma | - | 22dB | 1.6dB | 5 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IPP120N06S402AKSA1 | - | | 9961 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | Optimos ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | To-220-3 | IPP120N | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PG-PARA220-3-1 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 60 v | 120A (TC) | 10V | 2.8mohm @ 100a, 10V | 4V @ 140µA | 195 NC @ 10 V | ± 20V | 15750 pf @ 25 V | - | 188W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
| IPP13N03LB g | - | | 8640 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | Optimos ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | To-220-3 | IPP13N | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PG-PARA220-3-1 | download | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 30 v | 30a (TC) | 4.5V, 10V | 12.8mohm @ 30a, 10V | 2V @ 20µA | 10 nc @ 5 V | ± 20V | 1355 pf @ 15 V | - | 52W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | BC857AE6327HTSA1 | 0,3600 | | 1 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | - | Tape & Reel (TR) | Última Vez compra | 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BC857 | 330 MW | PG-SOT23 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 45 v | 100 ma | 15na (ICBO) | Pnp | 650mv @ 5Ma, 100mA | 125 @ 2MA, 5V | 250MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IRL6372pbf | - | | 5176 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | HEXFET® | Tubo | Descontinuado no sic | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | IRL6372 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 2W | 8-so | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | SP001568406 | Ear99 | 8541.29.0095 | 95 | 2 canal n (Duplo) | 30V | 8.1a | 17.9mohm @ 8.1a, 4.5V | 1.1V @ 10µA | 11nc @ 4.5V | 1020pf @ 25V | Portão de Nível Lógico | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | IRF6616TR1PBF | - | | 9293 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | HEXFET® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | DirectFET ™ isométrico MX | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | DirectFET ™ MX | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-canal | 40 v | 19a (ta), 106a (tc) | 4.5V, 10V | 5mohm @ 19a, 10V | 2,25V a 250µA | 44 NC a 4,5 V | ± 20V | 3765 pf @ 20 V | - | 2.8W (TA), 89W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IRFP460PBF | - | | 3579 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | HEXFET® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | To-247-3 | IRFP460 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-247AC | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 400 | N-canal | 500 v | 20a (TC) | 10V | 270mohm @ 12a, 10V | 4V A 250µA | 210 nc @ 10 V | ± 20V | 4200 pf @ 25 V | - | 280W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | IMBG65R039M1HXTMA1 | 15.6600 | | 2599 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | Coolsic ™ | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-263-8, D²PAK (7 leads + guia), TO-263CA | IMBG65 | Sicfet (Carboneto de Silício) | PG-PARA263-7-12 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-canal | 650 v | 54a (TC) | 18V | 51mohm @ 25a, 18V | 5.7V @ 7.5Ma | 41 nc @ 18 V | +23V, -5V | 1393 pf @ 400 V | - | 211W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | FF300R12ME4PB11BPSA1 | 214.0950 | | 8993 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | Econodual ™ 3 | Bandeja | Ativo | -40 ° C ~ 150 ° C. | Montagem do chassi | Módlo | FF300R12 | 20 mw | Padrão | Módlo | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 6 | Meia Ponte | Parada de Campo da Trinceira | 1200 v | 600 a | 2.1V @ 15V, 300A | 3 MA | Sim | 18.5 NF @ 25 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| IMBG120R017M2HXTMA1 | 23.2180 | | 5363 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | * | Tape & Reel (TR) | Ativo | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 448-IMBG120R017M2HXTMA1TR | 1.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IPAW60R280CEXKSA1 | - | | 7407 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | Coolmos ™ | Tubo | Obsoleto | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-220-3 PACOTE CONCLUTO, Variante | IPAW60 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | Pacote PG-220 Conclito, Cicatriz AmpLA | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 450 | N-canal | 600 v | 19.3a (TC) | 10V | 280mohm @ 6.5a, 10V | 3,5V a 430µA | 43 nc @ 10 V | ± 20V | 950 pf @ 100 V | - | 32W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | BDP953H6327XTSA1 | 0,5094 | | 5006 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | - | Tape & Reel (TR) | Última Vez compra | 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-261-4, TO-261AA | BDP953 | 5 w | PG-SOT223-4-10 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0075 | 1.000 | 100 v | 3 a | 100na (ICBO) | Npn | 500mv @ 200Ma, 2a | 100 @ 500mA, 1V | 100MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | AUIRFU4104 | - | | 9512 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | HEXFET® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-251-3 leva Curtos, Ipak, TO-251AA | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | I-Pak | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | SP001518784 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 40 v | 42a (TC) | 10V | 5.5mohm @ 42a, 10V | 4V A 250µA | 89 NC @ 10 V | ± 20V | 2950 PF @ 25 V | - | 140W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | BSZ028N04LSATMA1 | 1.5700 | | 7 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-PowerTdfn | BSZ028 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PG-TSDSON-8-FL | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 5.000 | N-canal | 40 v | 21a (ta), 40a (tc) | 4.5V, 10V | 2.8mohm @ 20a, 10V | - | 32 NC @ 10 V | ± 20V | 2300 pf @ 20 V | - | 2.1W (TA), 63W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||
| SN7002WH6433XTMA1 | 0,0551 | | 5203 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | * | Tape & Reel (TR) | Não é para desenhos para Novos | SN7002 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0095 | 10.000 | 4.5V, 10V | ± 20V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IPA80R1K4CEXKSA2 | 1.6600 | | 490 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | Coolmos ™ | Tubo | Ativo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | Pacote completo parágrafo 220-3 | IPA80R1 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PG-A220-FP | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 800 v | 3.9a (TC) | 10V | 1.4OHM @ 2.3a, 10V | 3.9V @ 240µA | 23 NC @ 10 V | ± 20V | 570 pf @ 100 V | - | 31W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | SMBTA56E6433 | 0,0400 | | 125 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | - | Volume | Ativo | 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 330 MW | PG-SOT23 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0075 | 6.709 | 80 v | 500 MA | 100na | Pnp | 250mv @ 10ma, 100mA | 100 @ 100mA, 1V | 100MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | AUIRGS4062D1trl | - | | 6005 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | AUIRGS4062 | Padrão | 246 w | D²pak | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | 400V, 24A, 10OHM, 15V | 102 ns | Trincheira | 600 v | 59 a | 72 a | 1.77V @ 15V, 24A | 532µJ (ON), 311µJ (Off) | 77 NC | 19ns/90ns | ||||||||||||||||||||||||||||||
| BC858BE6327 | 0,0400 | | 121 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | - | Volume | Ativo | 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 330 MW | PG-SOT23 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0075 | 8.460 | 30 v | 100 ma | 15na (ICBO) | Pnp | 650mv @ 5Ma, 100mA | 220 @ 2MA, 5V | 250MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BSO303PhXuma1 | - | | 4185 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | BSO303 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 2W | PG-DSO-8 | download | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 Canal P (Duplo) | 30V | 7a | 21mohm @ 8.2a, 10V | 2V @ 100µA | 49NC @ 10V | 2678pf @ 25V | Portão de Nível Lógico | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRFC2604B | - | | 9136 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | - | Obsoleto | Montagem na Superfície | - | - | - | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | - | - | - | - | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRF7460TR | - | | 8381 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | HEXFET® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 8-so | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 4.000 | N-canal | 20 v | 12a (ta) | 4.5V, 10V | 10mohm @ 12a, 10V | 3V A 250µA | 19 NC @ 4,5 V | ± 20V | 2050 PF @ 10 V | - | 2.5W (TA) | |||||||||||||||||||||||||||||||
| IRF7901D1 | - | | 7749 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | Fetky ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | IRF7901 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 2W | 8-so | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | *IRF7901D1 | Ear99 | 8541.29.0095 | 95 | 2 canal n (Duplo) | 30V | 6.2a | 38mohm @ 5a, 4.5V | 1V a 250µA | 10.5NC @ 5V | 780pf @ 16V | Portão de Nível Lógico | |||||||||||||||||||||||||||||||
| IRF8010STRLPBF | 2.8400 | | 3 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | HEXFET® | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | IRF8010 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | D2PAK | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 100 v | 80a (TC) | 10V | 15mohm @ 45a, 10V | 4V A 250µA | 120 nc @ 10 V | ± 20V | 3830 pf @ 25 V | - | 260W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | BSC085N025S g | - | | 6621 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-PowerTdfn | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | Pg-tdson-8-1 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 5.000 | N-canal | 25 v | 14a (ta), 35a (tc) | 4.5V, 10V | 8.5mohm @ 35a, 10V | 2V @ 25µA | 14 NC @ 5 V | ± 20V | 1800 pf @ 15 V | - | 2.8W (TA), 52W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRF7306pbf | - | | 9086 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | HEXFET® | Tubo | Descontinuado no sic | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | IRF73 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 2W | 8-so | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | SP001564984 | Ear99 | 8541.29.0095 | 95 | 2 Canal P (Duplo) | 30V | 3.6a | 100mohm @ 1.8a, 10V | 1V a 250µA | 25NC @ 10V | 440pf @ 25V | Portão de Nível Lógico |
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