SIC
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Transistores (13833)

Imageem Número do Produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade Dispon Svel Peso (kg) Mfr Série Pacote Status do produto Temperatura operacional Tipo de Montagem Pacote / Caso Número do Produto Base Tipo de Entrada Tecnologia Poder - Máx Pacote de Dispositivo de Fornecedor Ficha de Dadas Status do rohs Nível de sensibilidade à Umidade (msl) Status de alcance Nomes de Ulros ECCN Htsus PACOTE PADROO Configuraça TIPO DE FET Condição de teste Ganho Escorra para um tensão de origem (VDSS) Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C Tensão de conduça (max rds on, min rds on) Rds em (max) @ id, vgs VGS (th) (max) @ id Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS VGs (Máximoo) CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Recurso FET DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) TIPO IGBT Tensão - Colapso do Emissor de Colecionador (Max) Corrente - Coletor (IC) (Max) Corrente - Coletor Pulsa (ICM) Vce (on) (max) @ vge, ic Troca de Energia Carga do Portão TD (Ligado/Desligado) A 25 ° C Tipo de transistor Ganho ATUAL DE CC (HFE) (min) @ IC, VCE Frequencia - Transmissão Figura de Ruído (dB typ @ f)
IRFHM8337TRPBF Infineon Technologies IRFHM8337TRPBF -
RFQ
 ECAD 5125 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-PowerTdfn MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 8-PQFN (3.3x3.3), Power33 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 4.000 N-canal 30 v 12a (ta) 4.5V, 10V 12.4mohm @ 12a, 10V 2.35V @ 25µA 8,1 nc @ 4,5 V ± 20V 755 pf @ 15 V - 2.8W (TA), 25W (TC)
IGP40N65H5XKSA1 Infineon Technologies IGP40N65H5XKSA1 3.3600
RFQ
 ECAD 450 0,00000000 Tecnologias Infineon Trenchstop® Tubo Ativo -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 IGP40N65 Padrão 255 w PG-PARA220-3-1 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 50 400V, 20A, 15OHM, 15V - 650 v 74 a 120 a 2.1V @ 15V, 40A 390µJ (ON), 120µJ (Off) 95 NC 22ns/165ns
IKP15N65H5XKSA1 Infineon Technologies Ikp15n65h5xksa1 3.2700
RFQ
 ECAD 3463 0,00000000 Tecnologias Infineon Trenchstop® Tubo Ativo -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 IKP15N65 Padrão 105 w PG-PARA220-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 50 400V, 7.5A, 39OHM, 15V 48 ns - 650 v 30 a 45 a 2.1V @ 15V, 15A 120µJ (ON), 50µJ (OFF) 38 NC 17ns/160ns
IKP40N65H5XKSA1 Infineon Technologies Ikp40n65h5xksa1 4.6200
RFQ
 ECAD 7444 0,00000000 Tecnologias Infineon Trenchstop® Tubo Ativo -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 IKP40N65 Padrão 255 w PG-PARA220-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 50 400V, 20A, 15OHM, 15V 62 ns - 650 v 74 a 120 a 2.1V @ 15V, 40A 390µJ (ON), 120µJ (Off) 95 NC 22ns/165ns
IKW40N65H5FKSA1 Infineon Technologies Ikw40n65h5fksa1 5.5400
RFQ
 ECAD 2877 0,00000000 Tecnologias Infineon Trenchstop® Tubo Ativo -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco To-247-3 IKW40N65 Padrão 255 w PG-A247-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 30 400V, 20A, 15OHM, 15V 62 ns - 650 v 74 a 120 a 2.1V @ 15V, 40A 390µJ (ON), 120µJ (Off) 95 NC 22ns/165ns
AUIRFP4409 Infineon Technologies AUIRFP4409 -
RFQ
 ECAD 9837 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco To-247-3 AUIRFP4409 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-247AC download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado SP001518024 Ear99 8541.29.0095 400 N-canal 300 v 38a (TC) 10V 69mohm @ 24a, 10V 5V A 250µA 125 nc @ 10 V ± 20V 5168 pf @ 50 V - 341W (TC)
AUIRFSL8409 Infineon Technologies AUIRFSL8409 -
RFQ
 ECAD 6004 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-262-3 leva Curtos, i²pak MOSFET (ÓXIDO DE METAL) To-262 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado SP001516096 Ear99 8541.29.0095 1.000 N-canal 40 v 195a (TC) 10V 1.2mohm @ 100a, 10V 3,9V a 250µA 450 nc @ 10 V ± 20V 14240 pf @ 25 V - 375W (TC)
IRGP4266D-EPBF Infineon Technologies IRGP4266D-EPBF -
RFQ
 ECAD 4468 0,00000000 Tecnologias Infineon - Tubo Obsoleto -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco To-247-3 Padrão 455 w TO-247AD download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 25 400V, 75A, 10OHM, 15V 170 ns - 650 v 140 a 300 a 2.1V @ 15V, 75A 2,5MJ (ON), 2,2MJ (Desligado) 210 NC 50ns/200ns
IRGP4266DPBF Infineon Technologies IRGP4266DPBF -
RFQ
 ECAD 9813 0,00000000 Tecnologias Infineon - Tubo Obsoleto -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco To-247-3 Padrão 455 w TO-247AC download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado SP001542370 Ear99 8541.29.0095 400 400V, 75A, 10OHM, 15V 170 ns - 650 v 140 a 300 a 2.1V @ 15V, 75A 2,5MJ (ON), 2,2MJ (Desligado) 210 NC 50ns/200ns
IRF3546MTRPBF Infineon Technologies IRF3546MTRPBF -
RFQ
 ECAD 8084 0,00000000 Tecnologias Infineon - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 41-powervfqfn IRF3546 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) - 41-PQFN (6x8) download 3 (168 Horas) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 3.000 4 n-canal 25V 16a (TC), 20A (TC) 3.9mohm @ 27a, 10V 2.1V @ 35µA 15NC @ 4.5V 1310pf @ 13V Portão de Nível Lógico
IRFH7084TRPBF Infineon Technologies IRFH7084TRPBF 2.1200
RFQ
 ECAD 429 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-PowerTdfn IRFH7084 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 8-pqfn (5x6) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 4.000 N-canal 40 v 100a (TC) 10V 1.25mohm @ 100a, 10V 3.9V A 150µA 190 nc @ 10 V ± 20V 6560 pf @ 25 V - 156W (TC)
IRFS4321TRL7PP Infineon Technologies IRFS4321trl7pp 2.8400
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tape & Reel (TR) Não é para desenhos para Novos -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-7, D²PAK (6 leads + guia) IRFS4321 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) D2PAK-7 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 800 N-canal 150 v 86a (TC) 10V 14.7mohm @ 34a, 10V 5V A 250µA 110 nc @ 10 V ± 30V 4460 pf @ 50 V - 350W (TC)
IRL6283MTRPBF Infineon Technologies IRL6283MTRPBF -
RFQ
 ECAD 1383 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET®, STROTLIRFET ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície DirectFet ™ MD ISOMÉTRICO MOSFET (ÓXIDO DE METAL) DirectFet ™ MD download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 4.800 N-canal 20 v 38a (ta), 211a (tc) 2.5V, 4.5V 0,75mohm @ 50a, 10V 1.1V @ 100µA 158 nc @ 4,5 V ± 12V 8292 pf @ 10 V - 2.1W (TA), 63W (TC)
IPB65R045C7ATMA1 Infineon Technologies IPB65R045C7ATMA1 -
RFQ
 ECAD 7609 0,00000000 Tecnologias Infineon Coolmos ™ C7 Tape & Reel (TR) Descontinuado no sic -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab IPB65R MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-PARA263-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 1.000 N-canal 650 v 46a (TC) 10V 45mohm @ 24.9a, 10V 4V A 1,25mA 93 NC @ 10 V ± 20V 4340 PF @ 400 V - 227W (TC)
IPB65R225C7ATMA1 Infineon Technologies IPB65R225C7ATMA1 -
RFQ
 ECAD 2290 0,00000000 Tecnologias Infineon Coolmos ™ C7 Tape & Reel (TR) Descontinuado no sic -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab IPB65R MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-PARA263-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 1.000 N-canal 650 v 11a (TC) 10V 225mohm @ 4.8a, 10V 4V @ 240µA 20 NC A 10 V ± 20V 996 PF @ 400 V - 63W (TC)
IPP65R045C7XKSA1 Infineon Technologies IPP65R045C7XKSA1 14.6900
RFQ
 ECAD 6498 0,00000000 Tecnologias Infineon Coolmos ™ C7 Tubo Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 IPP65R045 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-PARA220-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 50 N-canal 650 v 46a (TC) 10V 45mohm @ 24.9a, 10V 4V A 1,25mA 93 NC @ 10 V ± 20V 4340 PF @ 400 V - 227W (TC)
IPW65R045C7FKSA1 Infineon Technologies IPW65R045C7FKSA1 15.0100
RFQ
 ECAD 8515 0,00000000 Tecnologias Infineon Coolmos ™ C7 Tubo Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco To-247-3 IPW65R045 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-PARA247-3-1 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 30 N-canal 650 v 46a (TC) 10V 45mohm @ 24.9a, 10V 4V A 1,25mA 93 NC @ 10 V ± 20V 4340 PF @ 400 V - 227W (TC)
IRFR7446TRPBF Infineon Technologies IRFR7446TRPBF 1.3300
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET®, STROTLIRFET ™ Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 IRFR7446 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) D-Pak download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 2.000 N-canal 40 v 56a (TC) 6V, 10V 3.9mohm @ 56a, 10V 3.9V @ 100µA 130 nc @ 10 V ± 20V 3150 pf @ 25 V - 98W (TC)
IRFB7534PBF Infineon Technologies IRFB7534PBF 2.5400
RFQ
 ECAD 9 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET®, STROTLIRFET ™ Tubo Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 IRFB7534 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-220AB download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 50 N-canal 60 v 195a (TC) 6V, 10V 2.4mohm @ 100a, 10V 3.7V @ 250µA 279 NC @ 10 V ± 20V 10034 pf @ 25 V - 294W (TC)
IRFB7537PBF Infineon Technologies IRFB7537PBF 2.2100
RFQ
 ECAD 72 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET®, STROTLIRFET ™ Tubo Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 IRFB7537 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-220AB download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 50 N-canal 60 v 173a (TC) 6V, 10V 3.3mohm @ 100a, 10V 3.7V @ 150µA 210 nc @ 10 V ± 20V 7020 pf @ 25 V - 230W (TC)
IRFB7540PBF Infineon Technologies IRFB7540PBF 1.6900
RFQ
 ECAD 459 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET®, STROTLIRFET ™ Tubo Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 IRFB7540 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) To-220 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 50 N-canal 60 v 110A (TC) 6V, 10V 5.1mohm @ 65a, 10V 3.7V @ 100µA 130 nc @ 10 V ± 20V 4555 pf @ 25 V - 160W (TC)
IRFP7530PBF Infineon Technologies IRFP7530PBF 3.6100
RFQ
 ECAD 652 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET®, STROTLIRFET ™ Tubo Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco To-247-3 IRFP7530 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) To-247 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado SP001560520 Ear99 8541.29.0095 25 N-canal 60 v 195a (TC) 6V, 10V 2mohm @ 100a, 10V 3.7V @ 250µA 411 NC @ 10 V ± 20V 13703 pf @ 25 V - 341W (TC)
IRFS7530-7PPBF Infineon Technologies IRFS7530-7PPBF -
RFQ
 ECAD 9100 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET®, STROTLIRFET ™ Tubo Descontinuado no sic -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-7, D²PAK (6 leads + guia) MOSFET (ÓXIDO DE METAL) D2PAK (7 derivados) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado SP001565236 Ear99 8541.29.0095 50 N-canal 60 v 240a (TC) 6V, 10V 1.4mohm @ 100a, 10V 3.7V @ 250µA 354 nc @ 10 V ± 20V 12960 pf @ 25 V - 375W (TC)
IRFS7530PBF Infineon Technologies IRFS7530pbf -
RFQ
 ECAD 9253 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET®, STROTLIRFET ™ Tubo Descontinuado no sic -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab MOSFET (ÓXIDO DE METAL) D2PAK download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 50 N-canal 60 v 195a (TC) 6V, 10V 2mohm @ 100a, 10V 3.7V @ 250µA 411 NC @ 10 V ± 20V 13703 pf @ 25 V - 375W (TC)
IRFS7534-7PPBF Infineon Technologies IRFS7534-7ppbf -
RFQ
 ECAD 4688 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET®, STROTLIRFET ™ Tubo Descontinuado no sic -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-7, D²PAK (6 leads + guia) MOSFET (ÓXIDO DE METAL) D2PAK (7 derivados) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado SP001557490 Ear99 8541.29.0095 50 N-canal 60 v 240a (TC) 6V, 10V 1,95mohm @ 100a, 10V 3.7V @ 250µA 300 nc @ 10 V ± 20V 9990 PF @ 25 V - 290W (TC)
IRFS7534TRL7PP Infineon Technologies IRFS7534TRL7PP 3.3300
RFQ
 ECAD 845 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET®, STROTLIRFET ™ Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-7, D²PAK (6 leads + guia) IRFS7534 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) D2PAK (7 derivados) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 800 N-canal 60 v 240a (TC) 6V, 10V 1,95mohm @ 100a, 10V 3.7V @ 250µA 300 nc @ 10 V ± 20V 9990 PF @ 25 V - 290W (TC)
IRFS7537TRLPBF Infineon Technologies IRFS7537TRLPBF 2.3100
RFQ
 ECAD 4168 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET®, STROTLIRFET ™ Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab IRFS7537 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-PARA263-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 800 N-canal 60 v 173a (TC) 6V, 10V 3.3mohm @ 100a, 10V 3.7V @ 150µA 210 nc @ 10 V ± 20V 7020 pf @ 25 V - 230W (TC)
IRFS7540TRLPBF Infineon Technologies IRFS7540TRLPBF 2.3200
RFQ
 ECAD 240 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET®, STROTLIRFET ™ Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab IRFS7540 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-PARA263-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 800 N-canal 60 v 110A (TC) 6V, 10V 5.1mohm @ 65a, 10V 3.7V @ 100µA 130 nc @ 10 V ± 20V 4555 pf @ 25 V - 160W (TC)
SPP04N60C3XKSA1 Infineon Technologies Spp04n60c3xksa1 -
RFQ
 ECAD 3159 0,00000000 Tecnologias Infineon Coolmos ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 Spp04n60 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-PARA220-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 50 N-canal 600 v 4.5a (TC) 10V 950mohm @ 2.8a, 10V 3.9V @ 200µA 25 nc @ 10 V ± 20V 490 pf @ 25 V - 50W (TC)
BFP843FH6327XTSA1 Infineon Technologies BFP843FH6327XTSA1 0,5200
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Tecnologias Infineon - Tape & Reel (TR) Ativo 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 4-SMD, FIOS Planos BFP843 125mW PG-TSFP-4-1 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.21.0095 3.000 13.5dB ~ 25dB 2.25V 55mA Npn 150 @ 15MA, 1,8V - 0,8db ~ 1,7dB @ 450MHz ~ 10GHz
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