SIC
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Transistores (13833)

Imageem Número do Produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade Dispon Svel Peso (kg) Mfr Série Pacote Status do produto Tensão - Classificada Temperatura operacional Tipo de Montagem Pacote / Caso Número do Produto Base Freqüência Tecnologia Poder - Máx Entrada Pacote de Dispositivo de Fornecedor Ficha de Dadas Status do rohs Nível de sensibilidade à Umidade (msl) Status de alcance Nomes de Ulros ECCN Htsus PACOTE PADROO Configuraça TIPO DE FET Classificação ATUAL (Amplificadorores) ATUAL - TESTE POTÊNCIA - SAÍDA Ganho Escorra para um tensão de origem (VDSS) Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C Tensão de conduça (max rds on, min rds on) Rds em (max) @ id, vgs VGS (th) (max) @ id Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS VGs (Máximoo) CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Recurso FET DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) Figura de Ruído TIPO IGBT Tensão - Colapso do Emissor de Colecionador (Max) Corrente - Coletor (IC) (Max) Vce (on) (max) @ vge, ic Tensão - Teste Corrente - Corte de Colecionador (Max) Termistor NTC CapacitânCia de Entrada (CIES) @ VCE Tipo de transistor Vce saturação (max) @ ib, ic Ganho ATUAL DE CC (HFE) (min) @ IC, VCE Frequencia - Transmissão Resistor - Base (R1) Resistor - Base de Emissor (R2)
F3L150R12W2H3B11BPSA1 Infineon Technologies F3L150R12W2H3B11BPSA1 105.1700
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 ECAD 12 0,00000000 Tecnologias Infineon Easypack ™ Bandeja Ativo -40 ° C ~ 150 ° C. Montagem do chassi Módlo F3L150 500 w Padrão Módlo download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 15 Inversor Trifásico - 1200 v 75 a 1.75V @ 15V, 75A 1 MA Sim 8.7 NF @ 25 V
BSP373L6327 Infineon Technologies BSP373L6327 -
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 ECAD 8832 0,00000000 Tecnologias Infineon Sipmos® Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-261-4, TO-261AA MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-SOT223 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 1.000 N-canal 100 v 1.7a (ta) 10V 300mohm @ 1.7a, 10V 4V @ 1MA ± 20V 550 pf @ 25 V - 1.8W (TA)
IPI80N04S4L04AKSA1 Infineon Technologies IPI80N04S4L04AKSA1 -
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 ECAD 6247 0,00000000 Tecnologias Infineon Optimos ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco TO-262-3 Leitos Longos, i²pak, TO-262AA IPI80N MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-PARA262-3 download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 500 N-canal 40 v 80a (TC) 4.5V, 10V 4.3mohm @ 80a, 10V 2.2V @ 35µA 60 nc @ 10 V +20V, -16V 4690 PF @ 25 V - 71W (TC)
IRFC048N Infineon Technologies IRFC048N -
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 ECAD 2345 0,00000000 Tecnologias Infineon * Volume Obsoleto - ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado SP001577740 Obsoleto 1
BTS121ANKSA1 Infineon Technologies BTS121ANKSA1 -
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 ECAD 9095 0,00000000 Tecnologias Infineon Tempfet® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-PARA220-3 download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 500 N-canal 100 v 22a (TC) 4.5V 100mohm @ 9.5a, 4.5V 2.5V @ 1MA ± 10V 1500 pf @ 25 V - 95W (TC)
F4100R12KS4BOSA1 Infineon Technologies F4100R12KS4BOSA1 278.5000
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 ECAD 7881 0,00000000 Tecnologias Infineon - Bandeja Ativo -40 ° C ~ 125 ° C. Montagem do chassi Módlo F4100R 660 w Padrão Módlo download ROHS3 Compatível Não Aplicável Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 10 Inversor Trifásico - 1200 v 130 a 3.75V @ 15V, 100A 5 MA Sim 6,8 NF @ 25 V
IRFH5255TRPBF Infineon Technologies IRFH5255TRPBF -
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 ECAD 1081 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-powervdfn MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 8-pqfn (5x6) download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado SP001560380 Ear99 8541.29.0095 4.000 N-canal 25 v 15a (ta), 51a (tc) 4.5V, 10V 6mohm @ 15a, 10V 2.35V @ 25µA 14,5 nc @ 10 V ± 20V 988 pf @ 13 V - 3.6W (TA), 26W (TC)
BCX 71H E6327 Infineon Technologies BCX 71H E6327 0,0400
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 ECAD 30 0,00000000 Tecnologias Infineon - Volume Ativo 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 330 MW PG-SOT23 download Não Aplicável 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.21.0075 7.454 45 v 100 ma 20na (ICBO) Pnp 550mv a 1,25mA, 50mA 180 @ 2MA, 5V 250MHz
IRF6636TR1PBF Infineon Technologies IRF6636TR1PBF -
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 ECAD 8690 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície DirectFet ™ ISOMÉTRICO ST MOSFET (ÓXIDO DE METAL) DirectFet ™ st download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 1.000 N-canal 20 v 18a (ta), 81a (tc) 4.5V, 10V 4.5mohm @ 18a, 10V 2,45V a 250µA 27 NC a 4,5 V ± 20V 2420 pf @ 10 V - 2.2W (TA), 42W (TC)
BSP300 E6327 Infineon Technologies BSP300 E6327 -
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 ECAD 2487 0,00000000 Tecnologias Infineon Sipmos® Tape & Reel (TR) Descontinuado no sic -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-261-4, TO-261AA MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-SOT223-4-21 download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 1.000 N-canal 800 v 190mA (TA) 10V 20ohm @ 190ma, 10V 4V @ 1MA ± 20V 230 PF @ 25 V - 1.8W (TA)
IRF7473TRPBF Infineon Technologies IRF7473TRPBF 1.7100
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 ECAD 6 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) IRF7473 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 8-so download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 4.000 N-canal 100 v 6.9a (TA) 10V 26mohm @ 4.1a, 10V 5,5V A 250µA 61 nc @ 10 V ± 20V 3180 pf @ 25 V - 2.5W (TA)
FF33MR12W1M1HPB11BPSA1 Infineon Technologies FF33MR12W1M1HPB11BPSA1 90.3700
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 ECAD 30 0,00000000 Tecnologias Infineon - Bandeja Ativo FF33MR12 - - ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 30 -
IRLR3802TRPBF Infineon Technologies IRLR3802TRPBF -
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 ECAD 1703 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) D-Pak download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 2.000 N-canal 12 v 84a (TC) 2.8V, 4.5V 8.5mohm @ 15a, 4.5V 1.9V a 250µA 41 nc @ 5 V ± 12V 2490 pf @ 6 V - 88W (TC)
BCR 158F E6327 Infineon Technologies BCR 158F E6327 -
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 ECAD 1284 0,00000000 Tecnologias Infineon - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montagem na Superfície SOT-723 BCR 158 250 MW PG-TSFP-3 download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.21.0075 3.000 50 v 100 ma 100na (ICBO) PNP - Pré -tendencioso 300mv @ 500µA, 10MA 70 @ 5MA, 5V 200 MHz 2.2 Kohms 47 Kohms
BSO130P03SHXUMA1 Infineon Technologies BSO130P03SHXuma1 1.3300
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 ECAD 6663 0,00000000 Tecnologias Infineon Optimos ™ Tape & Reel (TR) Não é para desenhos para Novos -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) BSO130 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-DSO-8 download ROHS3 Compatível 3 (168 Horas) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 2.500 Canal P. 30 v 9.2a (TA) 10V 13mohm @ 11.7a, 10V 2.2V @ 140µA 81 nc @ 10 V ± 25V 3520 pf @ 25 V - 1.56W (TA)
AUIRFN8403TR Infineon Technologies AUIRFN8403TR -
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 ECAD 7640 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-PowerTdfn IRFN8403 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 8-pqfn (5x6) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 4.000 N-canal 40 v 95a (TC) 10V 3.3mohm @ 50a, 10V 3.9V @ 100µA 98 nc @ 10 V ± 20V 3174 pf @ 25 V - 4.3W (TA), 94W (TC)
IRFH7184ATRPBF Infineon Technologies IRFH7184ATRPBF -
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 ECAD 4985 0,00000000 Tecnologias Infineon * Tape & Reel (TR) Obsoleto - 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado SP001577910 Obsoleto 0000.00.0000 2.500
BSC886N03LSG Infineon Technologies BSC886N03LSG -
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 ECAD 6367 0,00000000 Tecnologias Infineon Optimos ™ 3 Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-PowerTdfn MOSFET (ÓXIDO DE METAL) Pg-tdson-8 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 5.000 N-canal 30 v 13a (ta), 65a (tc) 4.5V, 10V 6mohm @ 30a, 10V 2.2V A 250µA 26 NC A 10 V ± 20V 2100 pf @ 15 V - 2.5W (TA), 39W (TC)
BCX5516H6327XTSA1 Infineon Technologies BCX5516H6327XTSA1 0,1920
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 ECAD 3131 0,00000000 Tecnologias Infineon Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Última Vez compra 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-243AA BCX5516 2 w PG-SOT89 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0075 1.000 60 v 1 a 100na (ICBO) Npn 500mv @ 50Ma, 500mA 100 @ 150mA, 2V 100MHz
IPP60R385CPXKSA1 Infineon Technologies IPP60R385CPXKSA1 1.7599
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 ECAD 6666 0,00000000 Tecnologias Infineon Coolmos ™ Tubo Não é para desenhos para Novos -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 IPP60R385 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-PARA220-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 500 N-canal 650 v 9a (TC) 10V 385mohm @ 5.2a, 10V 3.5V @ 340µA 22 NC @ 10 V ± 20V 790 pf @ 100 V - 83W (TC)
BC847PNH6727XTSA1 Infineon Technologies BC847PNH6727XTSA1 0.1029
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 ECAD 2217 0,00000000 Tecnologias Infineon - Tape & Reel (TR) Última Vez compra 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 BC847 250mw PG-SOT363-PO download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.21.0075 3.000 45V 100mA 15na (ICBO) Npn, pnp 650mv @ 5Ma, 100mA 200 @ 2MA, 5V 250MHz
BCR08PNE6433HTMA1 Infineon Technologies BCR08PNE6433HTMA1 -
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 ECAD 2450 0,00000000 Tecnologias Infineon - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montagem na Superfície 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 BCR08 250mw PG-SOT363-PO download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.21.0095 10.000 50V 100mA - 1 npn, 1 pnp - pré -tendencioso (duplo) 300mv @ 500µA, 10MA 70 @ 5MA, 5V 170MHz 2.2kohms 47kohms
BSF024N03LT3GXUMA1 Infineon Technologies BSF024N03LT3GXUMA1 1.1500
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 ECAD 5 0,00000000 Tecnologias Infineon Optimos ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 3-wdson MOSFET (ÓXIDO DE METAL) MG-WDSON-2, CANPAK M ™ download 3 (168 Horas) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 5.000 N-canal 30 v 15a (ta), 106a (tc) 4.5V, 10V 2.4mohm @ 20a, 10V 2.2V A 250µA 71 nc @ 10 V ± 20V 5500 pf @ 15 V - 2.2W (TA), 42W (TC)
BCR108SE6433HTMA1 Infineon Technologies BCR108SE6433HTMA1 -
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 ECAD 3900 0,00000000 Tecnologias Infineon - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montagem na Superfície 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 BCR108 250mw PG-SOT363-PO download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.21.0095 10.000 50V 100mA - 2 npn - pré -tendencioso (duplo) 300mv @ 500µA, 10MA 70 @ 5MA, 5V 170MHz 2.2kohms 47kohms
IPB044N15N5ATMA1 Infineon Technologies IPB044N15N5ATMA1 8.8000
RFQ
 ECAD 11 0,00000000 Tecnologias Infineon Optimos ™ Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-7, D²PAK (6 leads + guia) IPB044 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-PARA263-7 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 1.000 N-canal 150 v 174a (TC) 8V, 10V 4.4mohm @ 87a, 10V 4.6V A 264µA 100 nc @ 10 V ± 20V 8000 pf @ 75 V - 300W (TC)
IPD50P04P413AUMA2 Infineon Technologies IPD50P04P413AUMA2 -
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 ECAD 9567 0,00000000 Tecnologias Infineon Optimos®-P2 Volume Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 IPD50 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-PARA252-3-313 - Obsoleto 1 Canal P. 40 v 50a (TC) 10V 12.6mohm @ 50a, 10V 4V @ 85µA 51 NC @ 10 V ± 20V 3670 pf @ 25 V - 58W (TC)
PTFA210601EV4XWSA1 Infineon Technologies PTFA210601EV4XWSA1 -
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 ECAD 1288 0,00000000 Tecnologias Infineon - Bandeja Obsoleto 65 v Montagem na Superfície H-36265-2 PTFA210601 2,14 GHz LDMOS H-36265-2 download 3 (168 Horas) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 50 10µA 550 Ma 12w 16dB - 28 v
IRLR3410TRRPBF Infineon Technologies IRLR3410TRRPBF 0,5621
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 ECAD 8679 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tape & Reel (TR) Não é para desenhos para Novos -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 IRLR3410 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) D-Pak download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 3.000 N-canal 100 v 17a (TC) 4V, 10V 105mohm @ 10a, 10V 2V A 250µA 34 NC @ 5 V ± 16V 800 pf @ 25 V - 79W (TC)
IPI051N15N5AKSA1 Infineon Technologies IPI051N15N5AKSA1 5.2101
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 ECAD 4677 0,00000000 Tecnologias Infineon Optimos ™ 5 Tubo Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco TO-262-3 Leitos Longos, i²pak, TO-262AA IPI051 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-PARA262-3-1 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 500 N-canal 150 v 120A (TC) 8V, 10V 5.1mohm @ 60a, 10V 4.6V A 264µA 100 nc @ 10 V ± 20V 7800 pf @ 75 V - 300W (TC)
IRFIB41N15DPBF Infineon Technologies IRFIB41N15DPBF -
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 ECAD 2698 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco Pacote completo parágrafo 220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) To-220ab pak cheio download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 2.000 N-canal 150 v 41a (TC) 10V 45mohm @ 25a, 10V 5,5V A 250µA 110 nc @ 10 V ± 20V 2520 pf @ 25 V - 48W (TC)
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