SIC
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Transistores (13833)

Imageem Número do Produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade Dispon Svel Peso (kg) Mfr Série Pacote Status do produto Tensão - Classificada Temperatura operacional Tipo de Montagem Pacote / Caso Número do Produto Base Tipo de Entrada Freqüência Tecnologia Poder - Máx Entrada Pacote de Dispositivo de Fornecedor Ficha de Dadas Status do rohs Nível de sensibilidade à Umidade (msl) Status de alcance Nomes de Ulros ECCN Htsus PACOTE PADROO Configuraça TIPO DE FET Classificação ATUAL (Amplificadorores) Condição de teste ATUAL - TESTE POTÊNCIA - SAÍDA Ganho Escorra para um tensão de origem (VDSS) Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C Tensão de conduça (max rds on, min rds on) Rds em (max) @ id, vgs VGS (th) (max) @ id Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS VGs (Máximoo) CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Recurso FET DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) Figura de Ruído TIPO IGBT Tensão - Colapso do Emissor de Colecionador (Max) Corrente - Coletor (IC) (Max) Corrente - Coletor Pulsa (ICM) Vce (on) (max) @ vge, ic Troca de Energia Carga do Portão TD (Ligado/Desligado) A 25 ° C Tensão - Teste Corrente - Corte de Colecionador (Max) Termistor NTC CapacitânCia de Entrada (CIES) @ VCE Tipo de transistor Vce saturação (max) @ ib, ic Ganho ATUAL DE CC (HFE) (min) @ IC, VCE Frequencia - Transmissão Resistor - Base (R1) Resistor - Base de Emissor (R2) Figura de Ruído (dB typ @ f)
IRGPS40B120UPBF Infineon Technologies IRGPS40B120UPBF -
RFQ
 ECAD 9642 0,00000000 Tecnologias Infineon - Bolsa Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-274AA Padrão 595 w Super-247 ™ (TO-274AA) download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 25 600V, 40A, 4.7OHM, 15V NPT 1200 v 80 a 160 a 3.71V @ 15V, 50A 1,4mj (on), 1,65mj (desligado) 340 NC -
IRG5K400HF06B Infineon Technologies IRG5K400HF06B -
RFQ
 ECAD 4090 0,00000000 Tecnologias Infineon - CAIXA Obsoleto -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem do chassi Módlo Powir® 62 1620 w Padrão Powir® 62 download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado SP001540486 Ear99 8541.29.0095 15 Meia Ponte - 600 v 670 a 2.1V @ 15V, 400A 2 MA Não 25 NF @ 25 V
IRG4BH20K-SPBF Infineon Technologies IRG4BH20K-SPBF -
RFQ
 ECAD 8802 0,00000000 Tecnologias Infineon - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab IRG4BH20 Padrão 60 w D2PAK download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 1.000 960V, 5A, 50OHM, 15V - 1200 v 11 a 22 a 4.3V @ 15V, 5A 450µJ (ON), 440µJ (Off) 28 NC 23ns/93ns
IPZ40N04S5L7R4ATMA1 Infineon Technologies IPZ40N04S5L7R4ATMA1 0,9500
RFQ
 ECAD 10 0,00000000 Tecnologias Infineon Automotivo, AEC -Q101, Optima ™ -5 Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-powervdfn IPZ40N04 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) Pg-tsdson-8 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 5.000 N-canal 40 v 40A (TC) 4.5V, 10V 7.4mohm @ 20a, 10V 2V @ 10µA 17 NC @ 10 V ± 16V 920 pf @ 25 V - 34W (TC)
BCR112WH6327XTSA1 Infineon Technologies BCR112WH6327XTSA1 0,0553
RFQ
 ECAD 5839 0,00000000 Tecnologias Infineon - Tape & Reel (TR) Última Vez compra Montagem na Superfície SC-70, SOT-323 BCR112 250 MW PG-SOT323 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.21.0075 3.000 50 v 100 ma 100na (ICBO) Npn - pré -tendencioso 300mv @ 500µA, 10MA 20 @ 5MA, 5V 140 MHz 4.7 Kohms 4.7 Kohms
AUIRFS4115 Infineon Technologies AUIRFS4115 -
RFQ
 ECAD 5324 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab AUIRFS4115 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) D2PAK download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado SP001520256 Ear99 8541.29.0095 1.000 N-canal 150 v 99a (TC) 10V 12.1mohm @ 62a, 10V 5V A 250µA 120 nc @ 10 V ± 20V 5270 pf @ 50 V - 375W (TC)
IRF7751 Infineon Technologies IRF7751 -
RFQ
 ECAD 3828 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm de largura) IRF775 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 1w 8-TSSOP download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 100 2 Canal P (Duplo) 30V 4.5a 35mohm @ 4.5a, 10V 2,5V a 250µA 44NC @ 10V 1464pf @ 25V Portão de Nível Lógico
IPB320N20N3GATMA1 Infineon Technologies IPB320N20N3GATMA1 3.6100
RFQ
 ECAD 13 0,00000000 Tecnologias Infineon Optimos ™ Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab IPB320 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-PARA263-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 1.000 N-canal 200 v 34a (TC) 10V 32mohm @ 34a, 10V 4V A 90µA 29 NC @ 10 V ± 20V 2350 pf @ 100 V - 136W (TC)
FP50R06KE3GBOSA1 Infineon Technologies FP50R06KE3GBOSA1 104.1200
RFQ
 ECAD 140 0,00000000 Tecnologias Infineon Econopim ™ 3 Volume Ativo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem do chassi Módlo 190 w Padrão AG-ECONO3-3-1 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 1 Inversor Trifásico Parada de Campo da Trinceira 600 v 60 a 1.9V @ 15V, 50A 1 MA Sim 3.1 NF @ 25 V
IPP08CN10N G Infineon Technologies IPP08CN10N G. -
RFQ
 ECAD 3446 0,00000000 Tecnologias Infineon Optimos ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 IPP08C MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-PARA220-3 download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 500 N-canal 100 v 95a (TC) 10V 8.5mohm @ 95a, 10V 4V A 130µA 100 nc @ 10 V ± 20V 6660 pf @ 50 V - 167W (TC)
BFR380TE6327 Infineon Technologies BFR380TE6327 0,0900
RFQ
 ECAD 158 0,00000000 Tecnologias Infineon - Volume Ativo 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície SC-75, SOT-416 380mw PG-SC-75 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.21.0075 3.000 12.5dB 9V 80mA Npn 60 @ 40mA, 3V 14GHz 1.1dB @ 1.8GHz
FP75R07N2E4BPSA1 Infineon Technologies FP75R07N2E4BPSA1 130.8400
RFQ
 ECAD 2561 0,00000000 Tecnologias Infineon Econopim ™ 2 Bandeja Ativo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem do chassi Módlo FP75R07 20 mw Retificador de Ponte Trifásica Ag-Econo2b download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 15 Inversor Trifásico Parada de Campo da Trinceira 650 v 95 a 1.95V @ 15V, 75A 1 MA Sim 4.6 NF @ 25 V
BSO615CGHUMA1 Infineon Technologies BSO615CGHuma1 -
RFQ
 ECAD 8940 0,00000000 Tecnologias Infineon Sipmos® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) BSO615 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 2W PG-DSO-8 download ROHS3 Compatível 3 (168 Horas) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 2.500 N E P-Canal 60V 3.1a, 2a 110mohm @ 3.1a, 10V 2V @ 20µA 22.5NC @ 10V 380pf @ 25V Portão de Nível Lógico
IPI147N12N3GAKSA1 Infineon Technologies IPI147N12N3GAKSA1 -
RFQ
 ECAD 9789 0,00000000 Tecnologias Infineon Optimos ™ Tubo Descontinuado no sic -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco TO-262-3 Leitos Longos, i²pak, TO-262AA IPI147 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-PARA262-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 500 N-canal 120 v 56a (TA) 10V 14.7mohm @ 56a, 10V 4V @ 61µA 49 NC @ 10 V ± 20V 3220 pf @ 60 V - 107W (TC)
PTFA072401ELV4R250XTMA1 Infineon Technologies PTFA072401ELV4R250XTMA1 -
RFQ
 ECAD 1710 0,00000000 Tecnologias Infineon - Tape & Reel (TR) Obsoleto 65 v Montagem do chassi H-33288-2 765MHz LDMOS H-33288-2 download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 5A991G 8541.21.0095 250 - 1.8 a 220W 19dB - 30 v
IGZ75N65H5XKSA1 Infineon Technologies IGZ75N65H5XKSA1 6.9500
RFQ
 ECAD 240 0,00000000 Tecnologias Infineon Trenchstop ™ 5 Tubo Ativo -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco To-247-4 IGZ75N65 Padrão 395 w PG-PARA247-4 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 240 400V, 37.5a, 10ohm, 15v Trincheira 650 v 119 a 300 a 2.1V @ 15V, 75A 680µJ (ON), 430µJ (Desligado) 166 NC 26ns/347ns
IPB200N25N3GATMA1 Infineon Technologies IPB200N25N3GATMA1 8.2000
RFQ
 ECAD 3565 0,00000000 Tecnologias Infineon Optimos ™ Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab IPB200 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-PARA263-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 1.000 N-canal 250 v 64a (TC) 10V 20mohm @ 64a, 10V 4V @ 270µA 86 nc @ 10 V ± 20V 7100 pf @ 100 V - 300W (TC)
BSD816SNL6327HTSA1 Infineon Technologies BSD816SNL6327HTSA1 -
RFQ
 ECAD 2703 0,00000000 Tecnologias Infineon Optimos ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-SOT363-PO download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.21.0095 3.000 N-canal 20 v 1.4a (ta) 1.8V, 2,5V 160mohm @ 1.4a, 2.5V 950mv @ 3.7µA 0,6 nc @ 2,5 V ± 8V 180 pf @ 10 V - 500mW (TA)
BSL296SNH6327XTSA1 Infineon Technologies BSL296SNH6327XTSA1 -
RFQ
 ECAD 2001 0,00000000 Tecnologias Infineon Optimos ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-TSOP6-6 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 3.000 N-canal 100 v 1.4a (ta) 4.5V, 10V 460mohm @ 1.26a, 10V 1.8V @ 100µA 4 nc @ 5 V ± 20V 152,7 pf @ 25 V - 2W (TA)
IRF7726TR Infineon Technologies IRF7726TR -
RFQ
 ECAD 5234 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-TSSOP, 8 msop (0,118 ", 3,00 mm de largura) MOSFET (ÓXIDO DE METAL) Micro8 ™ download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 4.000 Canal P. 30 v 7a (ta) 4.5V, 10V 26mohm @ 7a, 10V 2,5V a 250µA 69 NC @ 10 V ± 20V 2204 PF @ 25 V - 1.79W (TA)
IPS70R900P7SAKMA1 Infineon Technologies IPS70R900P7SAKMA1 0,8500
RFQ
 ECAD 964 0,00000000 Tecnologias Infineon Coolmos ™ P7 Tubo Ativo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-251-3 leva Curtos, Ipak, TO-251AA IPS70R900 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-A251-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 75 N-canal 700 v 6a (TC) 10V 900mohm @ 1.1a, 10V 3,5V a 60µA 6,8 nc @ 10 V ± 16V 211 pf @ 400 V - 30.5W (TC)
IRFP2907ZPBF Infineon Technologies IRFP2907ZPBF 4.4400
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco To-247-3 IRFP2907 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-247AC download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 400 N-canal 75 v 90A (TC) 10V 4.5mohm @ 90a, 10V 4V A 250µA 270 nc @ 10 V ± 20V 7500 pf @ 25 V - 310W (TC)
IRFR9024NTRLPBF Infineon Technologies IRFR9024NTRLPBF 1.1000
RFQ
 ECAD 13 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 IRFR9024 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) D-Pak download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 3.000 Canal P. 55 v 11a (TC) 10V 175mohm @ 6.6a, 10V 4V A 250µA 19 NC @ 10 V ± 20V 350 pf @ 25 V - 38W (TC)
IRFR2905ZTRRPBF Infineon Technologies IRFR2905ZTRRPBF -
RFQ
 ECAD 3401 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) D-Pak download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 3.000 N-canal 55 v 42a (TC) 10V 14.5mohm @ 36a, 10V 4V A 250µA 44 NC @ 10 V ± 20V 1380 pf @ 25 V - 110W (TC)
IRFS3006-7PPBF Infineon Technologies IRFS3006-7PPBF -
RFQ
 ECAD 7736 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tubo Descontinuado no sic -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-7, D²PAK (6 leads + guia), TO-263CB MOSFET (ÓXIDO DE METAL) D2PAK (7 derivados) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 3.000 N-canal 60 v 240a (TC) 10V 2.1mohm @ 168a, 10V 4V A 250µA 300 nc @ 10 V ± 20V 8850 pf @ 50 V - 375W (TC)
IPW65R018CFD7XKSA1 Infineon Technologies IPW65R018CFD7XKSA1 24.9500
RFQ
 ECAD 9651 0,00000000 Tecnologias Infineon Coolmos ™ CFD7 Tubo Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco To-247-3 IPW65R MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-A247-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 30 N-canal 650 v 106a (TC) 10V 18mohm @ 58.2a, 10V 4.5V @ 2.91MA 234 NC @ 10 V ± 20V 11659 pf @ 400 V - 446W (TC)
IPB65R190CFDATMA1 Infineon Technologies IPB65R190CFDATMA1 2.0368
RFQ
 ECAD 7727 0,00000000 Tecnologias Infineon Coolmos ™ Tape & Reel (TR) Última Vez compra -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab IPB65R190 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-PARA263-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 1.000 N-canal 650 v 17.5a (TC) 10V 190mohm @ 7.3a, 10V 4.5V a 730µA 68 nc @ 10 V ± 20V 1850 pf @ 100 V - 151W (TC)
SPS04N60C3BKMA1 Infineon Technologies SPS04N60C3BKMA1 -
RFQ
 ECAD 7002 0,00000000 Tecnologias Infineon Coolmos ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-251-3 Leads de Stub, Ipak SPS04N MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-PARA251-3-11 download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 1.500 N-canal 650 v 4.5a (TC) 10V 950mohm @ 2.8a, 10V 3.9V @ 200µA 25 nc @ 10 V ± 20V 490 pf @ 25 V - 50W (TC)
IRF7389TRPBF Infineon Technologies IRF7389TRPBF 1.3500
RFQ
 ECAD 25 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) IRF738 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 2.5W 8-so download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 4.000 N E P-Canal 30V - 29mohm @ 5.8a, 10V 1V a 250µA 33NC @ 10V 650pf @ 25V Portão de Nível Lógico
SPD04N80C3BTMA1 Infineon Technologies SPD04N80C3BTMA1 -
RFQ
 ECAD 8498 0,00000000 Tecnologias Infineon Coolmos ™ Tape & Reel (TR) Descontinuado no sic -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 SPD04N MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-PARA252-3-11 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 2.500 N-canal 800 v 4a (TC) 10V 1.3OHM @ 2.5A, 10V 3.9V @ 240µA 26 NC A 10 V ± 20V 570 pf @ 25 V - 63W (TC)
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