SIC
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Imageem Número do Produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade Dispon Svel Peso (kg) Mfr Série Pacote Status do produto Tensão - Classificada Temperatura operacional Tipo de Montagem Pacote / Caso Número do Produto Base Tipo de Entrada Freqüência Tecnologia Poder - Máx Entrada Pacote de Dispositivo de Fornecedor Ficha de Dadas Status do rohs Nível de sensibilidade à Umidade (msl) Status de alcance Nomes de Ulros ECCN Htsus PACOTE PADROO Configuraça TIPO DE FET Classificação ATUAL (Amplificadorores) Condição de teste ATUAL - TESTE POTÊNCIA - SAÍDA Ganho Escorra para um tensão de origem (VDSS) Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C Tensão de conduça (max rds on, min rds on) Rds em (max) @ id, vgs VGS (th) (max) @ id Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS VGs (Máximoo) CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Recurso FET DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) Figura de Ruído TIPO IGBT Tensão - Colapso do Emissor de Colecionador (Max) Corrente - Coletor (IC) (Max) Corrente - Coletor Pulsa (ICM) Vce (on) (max) @ vge, ic Troca de Energia Carga do Portão TD (Ligado/Desligado) A 25 ° C Tensão - Teste Corrente - Corte de Colecionador (Max) Termistor NTC CapacitânCia de Entrada (CIES) @ VCE Tipo de transistor Vce saturação (max) @ ib, ic Ganho ATUAL DE CC (HFE) (min) @ IC, VCE Frequencia - Transmissão
FS75R12KE3BOSA1 Infineon Technologies FS75R12KE3BOSA1 -
RFQ
ECAD 5014 0,00000000 Tecnologias Infineon - Volume Descontinuado no sic 150 ° C (TJ) Montagem do chassi Módlo FS75R12 350 w Padrão Módlo download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 10 Inversor Trifásico NPT 1200 v 105 a 2.15V @ 15V, 75A 5 MA Sim 5.3 NF @ 25 V
6MS30017E43W33015NOSA1 Infineon Technologies 6MS30017E43W33015NOSA1 -
RFQ
ECAD 9955 0,00000000 Tecnologias Infineon Modstack ™ HD Volume Obsoleto 150 ° C (TJ) Montagem do chassi Módlo Padrão - download Alcançar Não Afetado 448-6MS30017E43W33015NOSA1 Ear99 8541.29.0095 1 Inversor de Ponte Conclua - 1700 v 1800 a - Não
IRF2807ZSPBF Infineon Technologies IRF2807ZSPBF -
RFQ
ECAD 5895 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tubo Descontinuado no sic -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab MOSFET (ÓXIDO DE METAL) D2PAK download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 50 N-canal 75 v 75a (TC) 10V 9.4mohm @ 53a, 10V 4V A 250µA 110 nc @ 10 V ± 20V 3270 pf @ 25 V - 170W (TC)
IPP06CN10NGXKSA1 Infineon Technologies IPP06CN10NGXKSA1 -
RFQ
ECAD 1053 0,00000000 Tecnologias Infineon Optimos ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 IPP06C MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-PARA220-3 download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado SP000680822 Ear99 8541.29.0095 500 N-canal 100 v 100a (TC) 10V 6.5mohm @ 100a, 10V 4V @ 180µA 139 NC @ 10 V ± 20V 9200 pf @ 50 V - 214W (TC)
IRF8910PBF Infineon Technologies IRF8910PBF -
RFQ
ECAD 7359 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tubo Descontinuado no sic -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) IRF89 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 2W 8-so download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 3.800 2 canal n (Duplo) 20V 10a 13.4mohm @ 10a, 10V 2,55V a 250µA 11nc @ 4.5V 960pf @ 10V Portão de Nível Lógico
IGP30N65H5XKSA1 Infineon Technologies IGP30N65H5XKSA1 2.8100
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ECAD 2 0,00000000 Tecnologias Infineon Trenchstop ™ Tubo Ativo -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 IGP30N65 Padrão 188 w PG-PARA220-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 50 400V, 15A, 23OHM, 15V Trincheira 650 v 55 a 90 a 2.1V @ 15V, 30A 280µJ (ON), 100µJ (OFF) 70 NC 19ns/177ns
IRF7854TRPBF Infineon Technologies IRF7854TRPBF 1.6800
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ECAD 9 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) IRF7854 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 8-so download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 4.000 N-canal 80 v 10a (ta) 10V 13.4mohm @ 10a, 10V 4.9V @ 100µA 41 nc @ 10 V ± 20V 1620 pf @ 25 V - 2.5W (TA)
IPP80P04P405AKSA1 Infineon Technologies IPP80P04P405AKSA1 -
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ECAD 1111 0,00000000 Tecnologias Infineon Automotivo, AEC-Q101, Optimos ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 IPP80P MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-PARA220-3-1 download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado SP000652622 Ear99 8541.29.0095 500 Canal P. 40 v 80a (TC) 10V 5.2mohm @ 80a, 10V 4V A 250µA 151 nc @ 10 V ± 20V 10300 pf @ 25 V - 125W (TC)
IRL3303 Infineon Technologies IRL3303 -
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ECAD 9766 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-220AB download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado *IRL3303 Ear99 8541.29.0095 50 N-canal 30 v 38a (TC) 4.5V, 10V 26mohm @ 20a, 10V 1V a 250µA 26 NC a 4,5 V ± 16V 870 pf @ 25 V - 68W (TC)
PTFB082817FHV1XWSA1 Infineon Technologies PTFB082817FHV1XWSA1 -
RFQ
ECAD 9138 0,00000000 Tecnologias Infineon - Bandeja Obsoleto 65 v Montagem na Superfície 2-flatpack, Lidera de Barraca, Flangeada 821MHz LDMOS H-34288-4/2 download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado SP000891180 Obsoleto 0000.00.0000 35 - 2.15 a 60W 19.3db - 28 v
IRG4RC10KTRR Infineon Technologies IRG4RC10KTRR -
RFQ
ECAD 6736 0,00000000 Tecnologias Infineon - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 IRG4RC10K Padrão 38 w D-Pak download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 3.000 480V, 5A, 100OHM, 15V - 600 v 9 a 18 a 2.62V @ 15V, 5A 160µJ (ON), 100µJ (OFF) 19 NC 11ns/51ns
IPN60R2K1CE Infineon Technologies IPN60R2K1CE -
RFQ
ECAD 3514 0,00000000 Tecnologias Infineon Coolmos ™ Volume Obsoleto -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-261-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-SOT223-3-1 download Não Aplicável 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 3.000 N-canal 600 v 3.7a (TC) 10V 2.1OHM @ 800MA, 10V 3,5V a 60µA 6,7 nc @ 10 V ± 20V 140 pf @ 100 V - 5W (TC)
IPB35N10S3L26ATMA1 Infineon Technologies IPB35N10S3L26ATMA1 2.1500
RFQ
ECAD 8105 0,00000000 Tecnologias Infineon Automotivo, AEC-Q101, Optimos ™ Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab IPB35N10 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-PARA263-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 1.000 N-canal 100 v 35a (TC) 4.5V, 10V 26.3mohm @ 35a, 10V 2.4V @ 39µA 39 NC @ 10 V ± 20V 2700 pf @ 25 V - 71W (TC)
IRLZ24NSTRL Infineon Technologies Irlz24nstrl -
RFQ
ECAD 5494 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab MOSFET (ÓXIDO DE METAL) D2PAK download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 800 N-canal 55 v 18a (TC) 4V, 10V 60mohm @ 11a, 10V 2V A 250µA 15 nc @ 5 V ± 16V 480 pf @ 25 V - 3.8W (TA), 45W (TC)
IRF7233TR Infineon Technologies IRF7233TR -
RFQ
ECAD 6172 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 8-so download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 4.000 Canal P. 12 v 9.5a (TA) 2.5V, 4.5V 20mohm @ 9.5a, 4.5V 600mv @ 250µA (min) 74 NC @ 5 V ± 12V 6000 pf @ 10 V - 2.5W (TA)
IPP020N08N5AKSA1 Infineon Technologies IPP020N08N5AKSA1 6.2400
RFQ
ECAD 494 0,00000000 Tecnologias Infineon Optimos ™ Tubo Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 IPP020 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-PARA220-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 50 N-canal 80 v 120A (TC) 6V, 10V 2mohm @ 100a, 10V 3.8V @ 280µA 223 NC @ 10 V ± 20V 16900 pf @ 40 V - 375W (TC)
SMBT 3904U E6327 Infineon Technologies SMBT 3904U E6327 -
RFQ
ECAD 1353 0,00000000 Tecnologias Infineon - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície SC-74, SOT-457 SMBT 3904 330mw PG-SC74-6 download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.21.0075 3.000 40V 200Ma 50na (ICBO) 2 NPN (DUPLO) 300mv @ 5MA, 50MA 100 @ 10Ma, 1V 300MHz
IPB45N06S3-16 Infineon Technologies IPB45N06S3-16 -
RFQ
ECAD 5970 0,00000000 Tecnologias Infineon Optimos ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab IPB45N MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-PARA263-3-2 download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 1.000 N-canal 55 v 45a (TC) 10V 15.4mohm @ 23a, 10V 4V @ 30µA 57 nc @ 10 V ± 20V 2980 pf @ 25 V - 65W (TC)
SIGC57T120R3LEX1SA3 Infineon Technologies SIGC57T120R3LEX1SA3 -
RFQ
ECAD 9492 0,00000000 Tecnologias Infineon - Volume Ativo Montagem na Superfície Morrer SIGC57 Padrão Morrer download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 1 - Parada de Campo da Trinceira 1200 v 150 a 2.1V @ 15V, 50A - -
IRFR12N25D Infineon Technologies IRFR12N25D -
RFQ
ECAD 2882 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) D-Pak download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 75 N-canal 250 v 14a (TC) 10V 260mohm @ 8.4a, 10V 5V A 250µA 35 nc @ 10 V ± 30V 810 pf @ 25 V - 144W (TC)
IPP80N06S209AKSA2 Infineon Technologies IPP80N06S209AKSA2 -
RFQ
ECAD 1346 0,00000000 Tecnologias Infineon Optimos ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 IPP80N06 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-PARA220-3-1 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 500 N-canal 55 v 80a (TC) 10V 9.1mohm @ 50a, 10V 4V A 125µA 80 nc @ 10 V ± 20V 2360 pf @ 25 V - 190W (TC)
IRF5305L Infineon Technologies IRF5305L -
RFQ
ECAD 9509 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco TO-262-3 Leitos Longos, i²pak, TO-262AA MOSFET (ÓXIDO DE METAL) To-262 download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado *IRF5305L Ear99 8541.29.0095 50 Canal P. 55 v 31a (TC) 10V 60mohm @ 16a, 10V 4V A 250µA 63 nc @ 10 V ± 20V 1200 pf @ 25 V - 3.8W (TA), 110W (TC)
IPB65R110CFD7ATMA1 Infineon Technologies IPB65R110CFD7ATMA1 6.0500
RFQ
ECAD 5667 0,00000000 Tecnologias Infineon Coolmos ™ CFD7 Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab IPB65R MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-PARA263-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 1.000 N-canal 650 v 22a (TC) 10V 110mohm @ 9.7a, 10V 4.5V @ 480µA 41 nc @ 10 V ± 20V 1942 pf @ 400 v - 114W (TC)
BTS244Z E3062A Infineon Technologies BTS244Z E3062A -
RFQ
ECAD 7272 0,00000000 Tecnologias Infineon Tempfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-5, D²PAK (4 leads + guia), to-263bb MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-PARA220-5-62 download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 1.000 N-canal 55 v 35a (TC) 4.5V, 10V 13mohm @ 19a, 10V 2V @ 130µA 130 nc @ 10 V ± 20V 2660 pf @ 25 V Diodo de detecção de temperatura 170W (TC)
IRFP4568PBF Infineon Technologies IRFP4568PBF 8.2900
RFQ
ECAD 9820 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tubo Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco To-247-3 IRFP4568 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-247AC download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado SP001560548 Ear99 8541.29.0095 25 N-canal 150 v 171a (TC) 10V 5.9mohm @ 103a, 10V 5V A 250µA 227 NC @ 10 V ± 30V 10470 PF @ 50 V - 517W (TC)
BCX5310H6327XTSA1 Infineon Technologies BCX5310H6327XTSA1 0,1920
RFQ
ECAD 4952 0,00000000 Tecnologias Infineon Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Última Vez compra 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-243AA BCX5310 2 w PG-SOT89 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0075 1.000 80 v 1 a 100na (ICBO) Pnp 500mv @ 50Ma, 500mA 63 @ 150mA, 2V 125MHz
IPD19DP10NMATMA1 Infineon Technologies IPD19DP10NMATMA1 1.5900
RFQ
ECAD 2 0,00000000 Tecnologias Infineon Optimos ™ Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 IPD19D MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-A252-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 2.500 Canal P. 100 v 2.6a (ta), 13.7a (tc) 10V 186mohm @ 12a, 10V 4V @ 1.04MA 45 nc @ 10 V ± 20V 2000 pf @ 50 V - 3W (TA), 83W (TC)
IRL3302STRL Infineon Technologies IRL3302STRL -
RFQ
ECAD 8120 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab MOSFET (ÓXIDO DE METAL) D2PAK download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 800 N-canal 20 v 39a (TC) 4.5V, 7V 20mohm @ 23a, 7V 700mv @ 250µA (min) 31 NC a 4,5 V ± 10V 1300 pf @ 15 V - 57W (TC)
BSC200P03LSGAUMA1 Infineon Technologies BSC200P03LSgauma1 -
RFQ
ECAD 1921 0,00000000 Tecnologias Infineon Optimos ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-PowerTdfn MOSFET (ÓXIDO DE METAL) Pg-tdson-8-1 download 3 (168 Horas) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 5.000 Canal P. 30 v 9.9a (ta), 12.5a (TC) 10V 20mohm @ 12.5a, 10V 2.2V @ 100µA 48,5 nc @ 10 V ± 25V 2430 PF @ 15 V - 2.5W (TA), 63W (TC)
FZ1200R45HL3BPSA1 Infineon Technologies FZ1200R45HL3BPSA1 2.0000
RFQ
ECAD 1 0,00000000 Tecnologias Infineon IHM-B Bandeja Ativo -40 ° C ~ 150 ° C. Montagem do chassi Módlo FZ1200 15000 w Padrão Módlo download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 1 Switch Único Parada de Campo da Trinceira 4500 v 1200 a 2.8V @ 15V, 1200A 5 MA Não 280 NF @ 25 V
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume médio diário de RFQ

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Unidade de produto padrão

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes em todo o mundo

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Armazém em estoque