SIC
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Imageem Número do Produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade Dispon Svel Peso (kg) Mfr Série Pacote Status do produto Tensão - Classificada Temperatura operacional Tipo de Montagem Pacote / Caso Número do Produto Base Tipo de Entrada Freqüência Tecnologia Poder - Máx Entrada Pacote de Dispositivo de Fornecedor Ficha de Dadas Status do rohs Nível de sensibilidade à Umidade (msl) Status de alcance Nomes de Ulros ECCN Htsus PACOTE PADROO Configuraça TIPO DE FET Classificação ATUAL (Amplificadorores) Condição de teste ATUAL - TESTE POTÊNCIA - SAÍDA Ganho Escorra para um tensão de origem (VDSS) Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C Tensão de conduça (max rds on, min rds on) Rds em (max) @ id, vgs VGS (th) (max) @ id Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS VGs (Máximoo) CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Recurso FET DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) Figura de Ruído TIPO IGBT Tensão - Colapso do Emissor de Colecionador (Max) Corrente - Coletor (IC) (Max) Corrente - Coletor Pulsa (ICM) Vce (on) (max) @ vge, ic Troca de Energia Carga do Portão TD (Ligado/Desligado) A 25 ° C Tensão - Teste Corrente - Corte de Colecionador (Max) Termistor NTC CapacitânCia de Entrada (CIES) @ VCE Tipo de transistor Vce saturação (max) @ ib, ic Ganho ATUAL DE CC (HFE) (min) @ IC, VCE Frequencia - Transmissão
AUIRFR2407TRL Infineon Technologies AUIRFR2407TRL -
RFQ
ECAD 4734 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 AUIRFR2407 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) D-Pak (TO-252AA) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 3.000 N-canal 75 v 42a (TC) 26mohm @ 25a, 10V 4V A 250µA 110 nc @ 10 V 2400 pf @ 25 V - 110W (TC)
FF800R12KE7EHPSA1 Infineon Technologies FF800R12KE7EHPSA1 355.7000
RFQ
ECAD 4 0,00000000 Tecnologias Infineon Trenchstop ™ Bandeja Ativo -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem do chassi Módlo Padrão AG-62MMHB - ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 10 Inversor de meia ponte Parada de Campo da Trinceira 1200 v 800 a 1.75V @ 15V, 800A 100 µA Não 122 NF @ 25 V
BC856UE6327HTSA1 Infineon Technologies BC856UE6327HTSA1 0,1250
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ECAD 3350 0,00000000 Tecnologias Infineon - Tape & Reel (TR) Última Vez compra 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície SC-74, SOT-457 BC856 250mw PG-SC74-6 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.21.0075 3.000 65V 100mA 15na (ICBO) 2 PNP (DUPLO) 650mv @ 5Ma, 100mA 200 @ 2MA, 5V 250MHz
IRF6635TRPBF Infineon Technologies IRF6635TRPBF -
RFQ
ECAD 7644 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície DirectFET ™ isométrico MX MOSFET (ÓXIDO DE METAL) DirectFET ™ MX download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 4.800 N-canal 30 v 32A (TA), 180A (TC) 4.5V, 10V 1.8mohm @ 32a, 10V 2,35V a 250µA 71 nc @ 4,5 V ± 20V 5970 pf @ 15 V - 2.8W (TA), 89W (TC)
IRF6636 Infineon Technologies IRF6636 -
RFQ
ECAD 1093 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície DirectFet ™ ISOMÉTRICO ST MOSFET (ÓXIDO DE METAL) DirectFet ™ st download Rohs Não Compatível 3 (168 Horas) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 4.800 N-canal 20 v 18a (ta), 81a (tc) 4.5V, 10V 4.5mohm @ 18a, 10V 2,45V a 250µA 27 NC a 4,5 V ± 20V 2420 pf @ 10 V - 2.2W (TA), 42W (TC)
IPU10N03LA Infineon Technologies IPU10N03LA -
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ECAD 2304 0,00000000 Tecnologias Infineon Optimos ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco TO-251-3 leva Curtos, Ipak, TO-251AA IPU10N MOSFET (ÓXIDO DE METAL) P-PARA251-3-1 download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado SP000014984 Ear99 8541.29.0095 1.500 N-canal 25 v 30a (TC) 4.5V, 10V 10.4mohm @ 30a, 10V 2V @ 20µA 11 NC @ 5 V ± 20V 1358 pf @ 15 V - 52W (TC)
IRF7700TRPBF Infineon Technologies IRF7700TRPBF -
RFQ
ECAD 2913 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm de largura) MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 8-TSSOP download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 4.000 Canal P. 20 v 8.6a (TC) 2.5V, 4.5V 15mohm @ 8.6a, 4.5V 1.2V a 250µA 89 NC @ 5 V ± 12V 4300 pf @ 15 V - 1.5W (TC)
IRFH7932TRPBF Infineon Technologies IRFH7932TRPBF 1.2100
RFQ
ECAD 19 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tape & Reel (TR) Não é para desenhos para Novos -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-powervdfn IRFH7932 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) Pqfn (5x6) dado único download ROHS3 Compatível 2 (1 Ano) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 4.000 N-canal 30 v 24a (ta), 104a (tc) 4.5V, 10V 3.3mohm @ 25a, 10V 2.35V @ 100µA 51 nc @ 4,5 V ± 20V 4270 pf @ 15 V - 3.4W (TA)
IRFR024NTRLPBF Infineon Technologies IRFR024NTRLPBF 1.0200
RFQ
ECAD 5 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tape & Reel (TR) Não é para desenhos para Novos -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 IRFR024 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-A252-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 3.000 N-canal 55 v 17a (TC) 10V 75mohm @ 10a, 10V 4V A 250µA 20 NC A 10 V ± 20V 370 pf @ 25 V - 45W (TC)
SPB80N06S08ATMA1 Infineon Technologies SPB80N06S08ATMA1 -
RFQ
ECAD 7954 0,00000000 Tecnologias Infineon Sipmos® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab Spb80n MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-PARA263-3-2 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 1.000 N-canal 55 v 80a (TC) 10V 7.7mohm @ 80a, 10V 4V @ 240µA 187 NC @ 10 V ± 20V 3660 pf @ 25 V - 300W (TC)
IRG4BC30F-S Infineon Technologies IRG4BC30F-S -
RFQ
ECAD 8211 0,00000000 Tecnologias Infineon - Tubo Obsoleto - Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab Padrão 100 w D2PAK download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado *IRG4BC30F-S Ear99 8541.29.0095 50 480V, 17a, 23ohm, 15v - 600 v 31 a 120 a 1.8V @ 15V, 17a 230µJ (ON), 1,18MJ (OFF) 51 NC 21ns/200ns
FP40R12KE3BOSA1 Infineon Technologies FP40R12KE3BOSA1 -
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ECAD 5130 0,00000000 Tecnologias Infineon Econopim ™ 2 Volume Descontinuado no sic -40 ° C ~ 125 ° C. Montagem do chassi Módlo FP40R12 210 w Padrão Módlo download Não Aplicável Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 10 Inversor Trifásico Parada de Campo da Trinceira 1200 v 55 a 2.3V @ 15V, 40A 1 MA Sim 2.5 NF @ 25 V
IRF1010EZLPBF Infineon Technologies IRF1010EZLPBF -
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ECAD 3388 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco TO-262-3 Leitos Longos, i²pak, TO-262AA MOSFET (ÓXIDO DE METAL) To-262 download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 50 N-canal 60 v 75a (TC) 10V 8.5mohm @ 51a, 10V 4V @ 100µA 86 nc @ 10 V ± 20V 2810 pf @ 25 V - 140W (TC)
IRL3705NSTRR Infineon Technologies IRL3705NSTRR -
RFQ
ECAD 3435 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab MOSFET (ÓXIDO DE METAL) D2PAK download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 800 N-canal 55 v 89a (TC) 4V, 10V 10mohm @ 46a, 10V 2V A 250µA 98 NC @ 5 V ± 16V 3600 pf @ 25 V - 3.8W (TA), 170W (TC)
IPL65R099C7AUMA1 Infineon Technologies IPL65R099C7Auma1 7.1100
RFQ
ECAD 1 0,00000000 Tecnologias Infineon Coolmos ™ C7 Tape & Reel (TR) Ativo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 4-Powertsfn IPL65R099 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) Pg-vson-4 download ROHS3 Compatível 2a (4 semanas) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 3.000 N-canal 650 v 21a (TC) 10V 99mohm @ 5.9a, 10V 4V @ 590µA 45 nc @ 10 V ± 20V 2140 pf @ 400 V - 128W (TC)
AUIRLR2905ZTRL Infineon Technologies Auillr2905ztrl 1.2223
RFQ
ECAD 4745 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tape & Reel (TR) Não é para desenhos para Novos -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 Auillr2905 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) D-Pak download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado SP001519942 Ear99 8541.29.0095 3.000 N-canal 55 v 42a (TC) 13.5mohm @ 36a, 10V 3V A 250µA 35 nc @ 5 V 1570 pf @ 25 V - 110W (TC)
BSP296NL6327HTSA1 Infineon Technologies BSP296NL6327HTSA1 -
RFQ
ECAD 9860 0,00000000 Tecnologias Infineon Automotivo, AEC-Q101, Optimos ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-261-4, TO-261AA MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-SOT223-4 - 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado SP000942910 Ear99 8541.29.0095 1.000 N-canal 100 v 1.2a (ta) 4.5V, 10V 600mohm @ 1.2a, 10V 1.8V @ 100µA 6,7 nc @ 10 V ± 20V 152,7 pf @ 25 V - 1.8W (TA)
ISP650P06NMXTSA1 Infineon Technologies ISP650P06NMXTSA1 1.5500
RFQ
ECAD 3863 0,00000000 Tecnologias Infineon Optimos ™ Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-261-4, TO-261AA ISP650 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-SOT223-4 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 1.000 Canal P. 60 v 3.7a (ta) 10V 65mohm @ 3.7a, 10V 4V @ 1.037MA 39 NC @ 10 V ± 20V 1600 pf @ 30 V - 1.8W (TA), 4,2W (TC)
SIGC15T60SEX7SA1 Infineon Technologies SIGC15T60SEX7SA1 -
RFQ
ECAD 2648 0,00000000 Tecnologias Infineon Trenchstop ™ Volume Obsoleto -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície Morrer SIGC15 Padrão Morrer - ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 1 - Parada de Campo da Trinceira 600 v 30 a 90 a 2.05V @ 15V, 30A - -
BSZ009NE2LS5ATMA1 Infineon Technologies BSZ009NE2LS5ATMA1 2.9200
RFQ
ECAD 1139 0,00000000 Tecnologias Infineon Optimos ™ 5 Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-PowerTdfn BSZ009 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-TSDSON-8-FL download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 5.000 N-canal 25 v 39a (TA), 40A (TC) 4.5V, 10V 900MOHM @ 20A, 10V 2V A 250µA 124 nc @ 10 V ± 16V 5500 pf @ 12 V - 2.1W (TA), 69W (TC)
IPP80N04S303AKSA1 Infineon Technologies IPP80N04S303AKSA1 -
RFQ
ECAD 1922 0,00000000 Tecnologias Infineon Optimos ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 IPP80N MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-PARA220-3-1 download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 500 N-canal 40 v 80a (TC) 10V 3.5mohm @ 80a, 10V 4V A 120µA 110 nc @ 10 V ± 20V 7300 pf @ 25 V - 188W (TC)
BCW68GE6327HTSA1 Infineon Technologies BCW68GE6327HTSA1 0,0662
RFQ
ECAD 1983 0,00000000 Tecnologias Infineon - Tape & Reel (TR) Última Vez compra 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BCW68 330 MW PG-SOT23 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.21.0075 3.000 45 v 800 mA 20na (ICBO) Pnp 700mv @ 50Ma, 500mA 160 @ 100MA, 1V 200MHz
FP75R12N2T7B11BPSA2 Infineon Technologies FP75R12N2T7B11BPSA2 183.5400
RFQ
ECAD 7010 0,00000000 Tecnologias Infineon Econopim ™ 2 Bandeja Ativo -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem do chassi Módlo FP75R12 20 mw Retificador de Ponte Trifásica Ag-Econo2b download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 15 Inversor Trifásico Parada de Campo da Trinceira 1200 v 75 a 1.55V @ 15V, 75A 14 µA Sim 15.1 NF @ 25 V
PTFA210701EV4T500XWSA1 Infineon Technologies PTFA210701EV4T500XWSA1 -
RFQ
ECAD 2247 0,00000000 Tecnologias Infineon - Tape & Reel (TR) Obsoleto 65 v Montagem na Superfície H-36265-2 2,11 GHz ~ 2,17 GHz LDMOS H-36265-2 download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado SP000393362 Ear99 8541.29.0095 500 - 550 Ma 18W 16.5dB - 30 v
AUIRF7316Q Infineon Technologies AUIRF7316Q -
RFQ
ECAD 3189 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) AUIRF7316 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 2W 8-SOIC download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado SP001522678 Ear99 8541.29.0095 95 2 Canal P (Duplo) 30V - 58mohm @ 4.9a, 10V 3V A 250µA 34NC @ 10V 710pf @ 25V Portão de Nível Lógico
IKFW50N65DH5XKSA1 Infineon Technologies Ikfw50n65dh5xksa1 -
RFQ
ECAD 2623 0,00000000 Tecnologias Infineon * Volume Ativo download Fornecedor indefinido Alcançar Não Afetado 2156-IKFW50N65DH5XKSA1-448 1
IRLZ44NPBF Infineon Technologies IRLZ44NPBF 1.5900
RFQ
ECAD 20 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tubo Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 IRLZ44 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-220AB download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 50 N-canal 55 v 47a (TC) 4V, 10V 22mohm @ 25a, 10V 2V A 250µA 48 nc @ 5 V ± 16V 1700 pf @ 25 V - 3.8W (TA), 110W (TC)
IPD028N06NF2SATMA1 Infineon Technologies IPD028N06NF2SATMA1 1.5900
RFQ
ECAD 1 0,00000000 Tecnologias Infineon Strongirfet ™ 2 Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 IPD028 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-A252-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 2.000 N-canal 60 v 24a (ta), 139a (tc) 6V, 10V 2.85mohm @ 70a, 10V 3.3V a 80µA 102 NC @ 10 V ± 20V 4600 pf @ 30 V - 3W (TA), 150W (TC)
SPP07N65C3HKSA1 Infineon Technologies Spp07n65c3hksa1 -
RFQ
ECAD 5296 0,00000000 Tecnologias Infineon Coolmos ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 Spp07n MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-PARA220-3-1 download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 500 N-canal 650 v 7.3a (TC) 10V 600mohm @ 4.6a, 10V 3.9V A 350µA 27 NC @ 10 V ± 20V 790 pf @ 25 V - 83W (TC)
FS50R12W2T4B11BOMA1 Infineon Technologies FS50R12W2T4B11BOMA1 64.2600
RFQ
ECAD 15 0,00000000 Tecnologias Infineon Easypack ™ Bandeja Ativo -40 ° C ~ 150 ° C. Montagem do chassi Módlo FS50R12 335 w Padrão Módlo download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 15 Inversor Trifásico Parada de Campo da Trinceira 1200 v 83 a 2.15V @ 15V, 50A 1 MA Sim 2.8 NF @ 25 V
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume médio diário de RFQ

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Unidade de produto padrão

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes em todo o mundo

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Armazém em estoque