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Transistores (13833)
| Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Tensão - Classificada | Temperatura operacional | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tipo de Entrada | Freqüência | Tecnologia | Poder - Máx | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Configuraça | TIPO DE FET | Classificação ATUAL (Amplificadorores) | Condição de teste | ATUAL - TESTE | POTÊNCIA - SAÍDA | Ganho | Escorra para um tensão de origem (VDSS) | Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C | Tensão de conduça (max rds on, min rds on) | Rds em (max) @ id, vgs | VGS (th) (max) @ id | Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS | VGs (Máximoo) | CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Recurso FET | DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) | Figura de Ruído | Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) | TIPO IGBT | Tensão - Colapso do Emissor de Colecionador (Max) | Corrente - Coletor (IC) (Max) | Corrente - Coletor Pulsa (ICM) | Vce (on) (max) @ vge, ic | Troca de Energia | Carga do Portão | TD (Ligado/Desligado) A 25 ° C | Tensão - Teste | Corrente - Corte de Colecionador (Max) | Tipo de transistor | Vce saturação (max) @ ib, ic | Ganho ATUAL DE CC (HFE) (min) @ IC, VCE | Frequencia - Transmissão |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | AUIRFR3504Ztrl | 1.1429 |  | 9665 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | HEXFET® | Tape & Reel (TR) | Não é para desenhos para Novos | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | AUIRFR3504 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | D-Pak | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | SP001516690 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 40 v | 42a (TC) | 9mohm @ 42a, 10V | 4V A 250µA | 45 nc @ 10 V | 1510 pf @ 25 V | - | 90W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||
| IPD03N03LA g | 1.4900 | | 1 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | IPD03N | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PG-PARA252-3-11 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 25 v | 90A (TC) | 4.5V, 10V | 3.2mohm @ 60a, 10V | 2V @ 70µA | 41 nc @ 5 V | ± 20V | 5200 pf @ 15 V | - | 115W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||
 | IST011N06NM5Auma1 | 6.2100 | | 1 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | Optimos ™ 5 | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 5-POWERSFN | IST011N | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PG-HSOF-5-1 | download | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | N-canal | 60 v | 38a (ta), 399a (tc) | 6V, 10V | 1.1mohm @ 100a, 10V | 3.3V A 148µA | 154 nc @ 10 V | ± 20V | 8100 pf @ 30 V | - | 3.8W (TA), 313W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
 | BSS192PE6327T | - | | 1197 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | Sipmos® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-243AA | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PG-SOT89 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | Canal P. | 250 v | 190mA (TA) | 2.8V, 10V | 12OHM @ 190MA, 10V | 2V @ 130µA | 6.1 NC @ 10 V | ± 20V | 104 pf @ 25 V | - | 1W (TA) | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | Iky100n120ch7xksa1 | 16.4200 | | 190 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | Trenchstop ™ | Tubo | Ativo | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | To-247-4 | IKY100N120 | Padrão | 721 w | PG-PARA247-4-U10 | download | ROHS3 Compatível | Não Aplicável | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | - | 99 ns | Parada de Campo da Trinceira | 1200 v | 212 a | 400 a | 2.15V @ 15V, 100A | 2,37MJ (ON), 2,65MJ (Desligado) | 714 NC | 44NS/359NS | ||||||||||||||||||||||||||||
| IRFR3711TR | - | | 3650 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | HEXFET® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | D-Pak | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | N-canal | 20 v | 100a (TC) | 4.5V, 10V | 6.5mohm @ 15a, 10V | 3V A 250µA | 44 NC a 4,5 V | ± 20V | 2980 PF @ 10 V | - | 2.5W (TA), 120W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||
| IRLR8103TR | - | | 2710 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | HEXFET® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | D-Pak | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | N-canal | 30 v | 89a (TA) | 4.5V, 10V | 7mohm @ 15a, 10V | 2V @ 250µA (min) | 50 nc @ 5 V | ± 20V | - | 89W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | BSC020N03MSGATMA1 | 1.6600 | | 32 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-PowerTdfn | BSC020 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | Pg-tdson-8-1 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 5.000 | N-canal | 30 v | 25a (ta), 100a (tc) | 4.5V, 10V | 2mohm @ 30a, 10V | 2V A 250µA | 124 nc @ 10 V | ± 20V | 9600 pf @ 15 V | - | 2.5W (TA), 96W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
 | IRL3402SPBF | - | | 3947 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | HEXFET® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | D2PAK | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | SP001568332 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 20 v | 85a (TC) | 4.5V, 7V | 8mohm @ 51a, 7V | 700mv @ 250µA (min) | 78 NC @ 4,5 V | ± 10V | 3300 pf @ 15 V | - | 110W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||
 | IRFL1006TR | - | | 4911 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | HEXFET® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-261-4, TO-261AA | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | SOT-223 | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 60 v | 1.6a (ta) | 10V | 220mohm @ 1.6a, 10V | 4V A 250µA | 8 nc @ 10 V | ± 20V | 160 pf @ 25 V | - | 1W (TA) | |||||||||||||||||||||||||||||
 | IRF5800TRPBF | - | | 3140 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | HEXFET® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | Micro6 ™ (TSOP-6) | download | 2 (1 Ano) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P. | 30 v | 4a (ta) | 4.5V, 10V | 85mohm @ 4a, 10V | 1V a 250µA | 17 NC @ 10 V | ± 20V | 535 pf @ 25 V | - | 2W (TA) | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | IPI600N25N3GAKSA1 | - | | 4633 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | Optimos ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-262-3 Leitos Longos, i²pak, TO-262AA | IPI600 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PG-PARA262-3 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 250 v | 25a (TC) | 10V | 60mohm @ 25a, 10V | 4V A 90µA | 29 NC @ 10 V | ± 20V | 2350 pf @ 100 V | - | 136W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
| IPB100N06S3-03 | - | | 7513 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | IPB100N | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PG-PARA263-3-2 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-canal | 55 v | 100a (TC) | 10V | 3mohm @ 80a, 10V | 4V @ 230µA | 480 nc @ 10 V | ± 20V | 21620 pf @ 25 V | - | 300W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||
 | PTFA092201FV4XWSA1 | - | | 7866 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 65 v | Montagem na Superfície | 2-flatpack, Lidera de Barraca, Flangeada | PTFA092201 | 960MHz | LDMOS | H-37260-2 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 40 | 10µA | 1.85 a | 220W | 18.5dB | - | 30 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BSF134N10NJ3GXUMA1 | 2.3000 | | 5 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Ativo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 3-wdson | BSF134 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | MG-WDSON-2, CANPAK M ™ | download | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 5.000 | N-canal | 100 v | 9A (TA), 40A (TC) | 6V, 10V | 13.4mohm @ 30a, 10V | 3.5V @ 40µA | 30 NC a 10 V | ± 20V | 2300 pf @ 50 V | - | 2.2W (TA), 43W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
 | BSO303SPNTMA1 | - | | 7150 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PG-DSO-8 | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Canal P. | 30 v | 8.9a (ta) | 4.5V, 10V | 21mohm @ 8.9a, 10V | 2V @ 100µA | 69 NC @ 10 V | ± 20V | 1754 pf @ 25 V | - | 2.35W (TA) | |||||||||||||||||||||||||||||
| IRF7807 | - | | 6596 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | HEXFET® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 8-so | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 95 | N-canal | 30 v | 8.3a (ta) | 4.5V | 25mohm @ 7a, 4.5V | 1V a 250µA | 17 NC @ 5 V | ± 12V | - | 2.5W (TA) | ||||||||||||||||||||||||||||||
| IRF7807ZTR | - | | 5382 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | HEXFET® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 8-so | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | SP001572296 | Ear99 | 8541.29.0095 | 4.000 | N-canal | 30 v | 11a (ta) | 4.5V, 10V | 13.8mohm @ 11a, 10v | 2,25V a 250µA | 11 NC a 4,5 V | ± 20V | 770 pf @ 15 V | - | 2.5W (TA) | ||||||||||||||||||||||||||||
 | IRL530NPBF | - | | 5313 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | HEXFET® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | To-220-3 | IRL530 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-220AB | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 100 v | 17a (TC) | 4V, 10V | 100mohm @ 9a, 10V | 2V A 250µA | 34 NC @ 5 V | ± 16V | 800 pf @ 25 V | - | 79W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
 | IPU50R950Ceakma2 | - | | 9807 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | Coolmos ™ CE | Tubo | Descontinuado no sic | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-251-3 leva Curtos, Ipak, TO-251AA | IPU50R | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PG-A251-3 | download | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.500 | N-canal | 500 v | 4.3a (TC) | 13V | 950mohm @ 1.2a, 13V | 3.5V @ 100µA | 10,5 nc @ 10 V | ± 20V | 231 pf @ 100 V | - | 53W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
 | IPG20N06S415ATMA2 | 1.3800 | | 5402 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | Automotivo, AEC-Q101, Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-powervdfn | IPG20N | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 50W | Pg-tdson-8-4 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 5.000 | 2 canal n (Duplo) | 60V | 20a | 15.5mohm @ 17a, 10V | 4V @ 20µA | 29NC @ 10V | 2260pf @ 25V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | IPB160N04S203ATMA1 | - | | 5720 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Descontinuado no sic | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-263-7, D²PAK (6 leads + guia) | IPB160N | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PG-PARA263-7-3 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-canal | 40 v | 160A (TC) | 10V | 2.9mohm @ 60a, 10V | 4V A 250µA | 170 nc @ 10 V | ± 20V | 5300 pf @ 25 V | - | 300W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
 | BCW60BE6327HTSA1 | 0,0666 | | 48 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | - | Tape & Reel (TR) | Última Vez compra | 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BCW60 | 330 MW | PG-SOT23 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 32 v | 100 ma | 20na (ICBO) | Npn | 550mv a 1,25mA, 50mA | 180 @ 2MA, 5V | 250MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRFR1018ETRPBF | 1.6600 | | 36 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | HEXFET® | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | IRFR1018 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | D-Pak | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | N-canal | 60 v | 56a (TC) | 10V | 8.4mohm @ 47a, 10V | 4V @ 100µA | 69 NC @ 10 V | ± 20V | 2290 pf @ 50 V | - | 110W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
 | 64-2082pbf | - | | 5191 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | - | Tubo | Obsoleto | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Obsoleto | 1 | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BSC057N08NS3GATMA1 | 2.0800 | | 11 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-PowerTdfn | BSC057 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | Pg-tdson-8-5 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 5.000 | N-canal | 80 v | 16a (ta), 100a (tc) | 6V, 10V | 5.7mohm @ 50a, 10V | 3,5V A 73µA | 56 nc @ 10 V | ± 20V | 3900 pf @ 40 V | - | 2.5W (TA), 114W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
| IPB160N04S2L03ATMA1 | - | | 5621 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Descontinuado no sic | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-263-7, D²PAK (6 leads + guia) | IPB160N | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PG-PARA263-7-3 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-canal | 40 v | 160A (TC) | 4.5V, 10V | 2.7mohm @ 80a, 10V | 2V A 250µA | 230 NC @ 5 V | ± 20V | 6000 pf @ 15 V | - | 300W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
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| IRFR3410PBF | - | | 3977 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | HEXFET® | Tubo | Descontinuado no sic | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | D-Pak | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 75 | N-canal | 100 v | 31a (TC) | 10V | 39mohm @ 18a, 10V | 4V A 250µA | 56 nc @ 10 V | ± 20V | 1690 pf @ 25 V | - | 3W (TA), 110W (TC) |
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