SIC
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Imageem Número do Produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade Dispon Svel Peso (kg) Mfr Série Pacote Status do produto Temperatura operacional Tipo de Montagem Pacote / Caso Número do Produto Base Tipo de Entrada Tecnologia Poder - Máx Entrada Pacote de Dispositivo de Fornecedor Ficha de Dadas Status do rohs Nível de sensibilidade à Umidade (msl) Status de alcance Nomes de Ulros ECCN Htsus PACOTE PADROO Configuraça TIPO DE FET Condição de teste Escorra para um tensão de origem (VDSS) Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C Tensão de conduça (max rds on, min rds on) Rds em (max) @ id, vgs VGS (th) (max) @ id Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS VGs (Máximoo) CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Recurso FET DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) TIPO IGBT Tensão - Colapso do Emissor de Colecionador (Max) Corrente - Coletor (IC) (Max) Corrente - Coletor Pulsa (ICM) Vce (on) (max) @ vge, ic Troca de Energia Carga do Portão TD (Ligado/Desligado) A 25 ° C Corrente - Corte de Colecionador (Max) Termistor NTC CapacitânCia de Entrada (CIES) @ VCE Tipo de transistor Vce saturação (max) @ ib, ic Ganho ATUAL DE CC (HFE) (min) @ IC, VCE Frequencia - Transmissão
IMZA120R007M1HXKSA1 Infineon Technologies IMZA120R007M1HXKSA1 90.3000
RFQ
ECAD 2668 0,00000000 Tecnologias Infineon Coolsic ™ Tubo Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco To-247-4 Sicfet (Carboneto de Silício) PG-PARA247-4-8 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 30 N-canal 1200 v 225a (TC) 15V, 18V 9.9mohm @ 108a, 18V 5.2V @ 47MA 220 NC @ 18 V +20V, -5V 9170 NF @ 25 V - 750W (TC)
SPP11N60S5HKSA1 Infineon Technologies Spp11n60s5hksa1 -
RFQ
ECAD 3648 0,00000000 Tecnologias Infineon Coolmos ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 Spp11n MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-PARA220-3-1 download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 500 N-canal 650 v 11a (TC) 10V 380mohm @ 7a, 10v 5.5V @ 500µA 54 NC @ 10 V ± 20V 1460 pf @ 25 V - 125W (TC)
IPB70N04S406 Infineon Technologies IPB70N04S406 -
RFQ
ECAD 1202 0,00000000 Tecnologias Infineon Coolmos ™ Volume Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem NA Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-PARA263-3-2 download Não Aplicável 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 1 N-canal 40 v 70A (TC) 10V 6.2mohm @ 70a, 10V 4V @ 26µA 32 NC @ 10 V ± 20V 2550 pf @ 25 V - 58W (TC)
FS450R12KE3BOSA1 Infineon Technologies FS450R12KE3BOSA1 770.8400
RFQ
ECAD 1980 0,00000000 Tecnologias Infineon - Bandeja Não é para desenhos para Novos -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) Montagem do chassi Módlo FS450R12 2100 w Padrão Módlo download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 4 Inversor Trifásico Parada de Campo da Trinceira 1200 v 600 a 2.15V @ 15V, 450A 5 MA Sim 32 NF @ 25 V
IPP065N06LGAKSA1 Infineon Technologies IPP065N06LGAKSA1 -
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ECAD 4808 0,00000000 Tecnologias Infineon Optimos ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 IPP065N MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-PARA220-3-1 download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 500 N-canal 60 v 80a (TC) 4.5V, 10V 6.5mohm @ 80a, 10V 2V @ 180µA 157 nc @ 10 V ± 20V 5100 pf @ 30 V - 250W (TC)
IKN04N60RC2ATMA1 Infineon Technologies IKN04N60RC2ATMA1 0,9600
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ECAD 2 0,00000000 Tecnologias Infineon - Tape & Reel (TR) Ativo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem NA Superfície TO-261-4, TO-261AA Ikn04n Padrão 6,8 w PG-SOT223-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 448-IKN04N60RC2ATMA1DKR Ear99 8541.29.0095 3.000 400V, 4A, 49OHM, 15V 39 ns - 600 v 7.5 a 12 a 2.3V @ 15V, 4A 95µJ (ON), 62µJ (Desligado) 24 NC 8ns/126ns
IRFSL3307ZPBF Infineon Technologies IRFSL3307ZPBF -
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ECAD 9912 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco TO-262-3 Leitos Longos, i²pak, TO-262AA MOSFET (ÓXIDO DE METAL) To-262 download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 50 N-canal 75 v 120A (TC) 10V 5.8mohm @ 75a, 10V 4V A 150µA 110 nc @ 10 V ± 20V 4750 PF @ 50 V - 230W (TC)
FS770R08A6P2LBBPSA1 Infineon Technologies FS770R08A6P2LBBPSA1 511.1183
RFQ
ECAD 2751 0,00000000 Tecnologias Infineon Hybridpack ™ Bandeja Ativo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem do chassi Módlo FS770R08 654 w Padrão Ag-hybridd-1 download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 6 Inversor Trifásico Parada de Campo da Trinceira 750 v 450 a 1.35V @ 15V, 450A 1 MA Sim 80 nf @ 50 V
IRF3805STRLPBF Infineon Technologies IRF3805STRLPBF 4.4300
RFQ
ECAD 2 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem NA Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab IRF3805 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) D2PAK download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 800 N-canal 55 v 75a (TC) 10V 3.3mohm @ 75a, 10V 4V A 250µA 290 nc @ 10 V ± 20V 7960 pf @ 25 V - 300W (TC)
BCX5116H6327XTSA1 Infineon Technologies BCX5116H6327XTSA1 -
RFQ
ECAD 7007 0,00000000 Tecnologias Infineon Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Descontinuado no sic 150 ° C (TJ) Montagem NA Superfície TO-243AA BCX5116 2 w PG-SOT89 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0075 1.000 45 v 1 a 100na (ICBO) Pnp 500mv @ 50Ma, 500mA 100 @ 150mA, 2V 125MHz
BSZ040N06LS5ATMA1 Infineon Technologies BSZ040N06LS5ATMA1 1.6700
RFQ
ECAD 81 0,00000000 Tecnologias Infineon Optimos ™ Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem NA Superfície 8-PowerTdfn BSZ040 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-TSDSON-8-FL download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 5.000 N-canal 60 v 40A (TC) 4.5V, 10V 4mohm @ 20a, 10V 2.3V @ 36µA 6,6 nc a 4,5 V ± 20V 3100 pf @ 30 V Padrão 69W (TC)
IRF6645 Infineon Technologies IRF6645 -
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ECAD 3784 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tubo Obsoleto -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem NA Superfície DirectFet ™ SJ ISOMÉTRICO MOSFET (ÓXIDO DE METAL) DirectFet ™ SJ download Rohs Não Compatível 3 (168 Horas) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 4.800 N-canal 100 v 5.7a (ta), 25a (tc) 10V 35mohm @ 5.7a, 10V 4.9V @ 50µA 20 NC A 10 V ± 20V 890 pf @ 25 V - 3W (TA), 42W (TC)
AUIRFS8403TRL Infineon Technologies AUIRFS8403TRL -
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ECAD 7046 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem NA Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-PARA263-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 800 N-canal 40 v 123A (TC) 10V 3.3mohm @ 70a, 10V 3.9V @ 100µA 93 NC @ 10 V ± 20V 3183 pf @ 25 V - 99W (TC)
BSS87 E6433 Infineon Technologies BSS87 E6433 -
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ECAD 6510 0,00000000 Tecnologias Infineon Sipmos® Tape & Reel (TR) Descontinuado no sic -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem NA Superfície TO-243AA MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-SOT89 download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 4.000 N-canal 240 v 260mA (TA) 4.5V, 10V 6ohm @ 260mA, 10V 1.8V a 108µA 5,5 nc @ 10 V ± 20V 97 pf @ 25 V - 1W (TA)
IRLML6246TRPBF Infineon Technologies IRLML6246TRPBF 0,5000
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ECAD 201 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem NA Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 IRLML6246 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) Micro3 ™/SOT-23 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 3.000 N-canal 20 v 4.1a (ta) 2.5V, 4.5V 46mohm @ 4.1a, 4.5V 1.1V @ 5µA 3,5 NC a 4,5 V ± 12V 290 pf @ 16 V - 1.3W (TA)
FS15R06XE3BOMA1 Infineon Technologies FS15R06XE3BOMA1 -
RFQ
ECAD 4487 0,00000000 Tecnologias Infineon - Bandeja Obsoleto -40 ° C ~ 125 ° C. Montagem do chassi Módlo FS15R06 71,5 w Padrão Módlo - ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 20 Inversor de Ponte Conclua - 600 v 22 a 2V @ 15V, 15A 1 MA Sim 830 pf @ 25 V
SPP11N65C3 Infineon Technologies Spp11n65c3 -
RFQ
ECAD 6767 0,00000000 Tecnologias Infineon * Volume Ativo - ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 1
BCP5516H6327XTSA1 Infineon Technologies BCP5516H6327XTSA1 0,2968
RFQ
ECAD 6485 0,00000000 Tecnologias Infineon - Tape & Reel (TR) Última Vez compra 150 ° C (TJ) Montagem NA Superfície TO-261-4, TO-261AA BCP55 2 w PG-SOT223-4-10 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0075 1.000 60 v 1 a 100na (ICBO) Npn 500mv @ 50Ma, 500mA 100 @ 150mA, 2V 100MHz
FP35R12W2T4PB11BPSA1 Infineon Technologies FP35R12W2T4PB11BPSA1 73.8100
RFQ
ECAD 18 0,00000000 Tecnologias Infineon EASYPIM ™ 2B Bandeja Ativo -40 ° C ~ 150 ° C. Montagem do chassi Módlo Fp35r12 20 mw Retificador de Ponte Trifásica Módlo download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 18 Inversor Trifásico Parada de Campo da Trinceira 1200 v 70 a 2.2V @ 15V, 35a 1 MA Sim 2 NF @ 25 V
IRLH5036TRPBF Infineon Technologies IRLH5036TRPBF -
RFQ
ECAD 5135 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem NA Superfície 8-powervdfn MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 8-pqfn (5x6) download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 4.000 N-canal 60 v 20A (TA), 100A (TC) 4.5V, 10V 4.4mohm @ 50a, 10V 2,5V a 150µA 90 nc @ 10 V ± 16V 5360 pf @ 25 V - 3.6W (TA), 160W (TC)
BSL211SPL6327HTSA1 Infineon Technologies BSL211SPL6327HTSA1 -
RFQ
ECAD 3366 0,00000000 Tecnologias Infineon Optimos ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem NA Superfície SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-TSOP6-6 download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 3.000 Canal P. 20 v 4.7a (ta) 2.5V, 4.5V 67mohm @ 4.7a, 4.5V 1.2V @ 25µA 12,4 nc a 4,5 V ± 12V 654 pf @ 15 V - 2W (TA)
BC857SE6433HTMA1 Infineon Technologies BC857SE6433HTMA1 -
RFQ
ECAD 4552 0,00000000 Tecnologias Infineon - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montagem NA Superfície 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 BC857 250mw PG-SOT363-PO download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.21.0075 10.000 45V 100mA 15na (ICBO) 2 PNP (DUPLO) 650mv @ 5Ma, 100mA 200 @ 2MA, 5V 250MHz
BC817K-25WE6327 Infineon Technologies BC817K-25WE6327 -
RFQ
ECAD 9434 0,00000000 Tecnologias Infineon Automotivo, AEC-Q101 Volume Ativo 150 ° C (TJ) Montagem NA Superfície SC-70, SOT-323 BC817 500 MW PG-SOT323-3-1 download Não Aplicável 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.21.0075 3.000 45 v 500 MA 100na (ICBO) 700mv @ 50Ma, 500mA 160 @ 100MA, 1V 170MHz
SIGC14T60NCX7SA2 Infineon Technologies SIGC14T60NCX7SA2 -
RFQ
ECAD 7782 0,00000000 Tecnologias Infineon - Volume Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem NA Superfície Morrer SIGC14 Padrão Morrer - ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Obsoleto 1 300V, 15A, 18OHM, 15V NPT 600 v 15 a 45 a 2.5V @ 15V, 15A - 21ns/110ns
IQE022N06LM5CGSCATMA1 Infineon Technologies IQE022N06LM5CGSCATMA1 2.8500
RFQ
ECAD 5160 0,00000000 Tecnologias Infineon Optimos ™ 5 Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem NA Superfície 9-powerwdfn IQE022 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-WHTFN-9 - 1 (ilimito) Ear99 8541.29.0095 5.000 N-canal 60 v 24a (ta), 151a (tc) 4.5V, 10V 2.2mohm @ 20a, 10V 2.3V @ 48µA 53 nc @ 10 V ± 20V 4420 pf @ 30 V - 2.5W (TA), 100W (TC)
IRFB4228PBF Infineon Technologies IRFB4228PBF 4.4500
RFQ
ECAD 1 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tubo Ativo -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 IRFB4228 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-220AB download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 100 N-canal 150 v 83a (TC) 10V 15mohm @ 33a, 10V 5V A 250µA 107 NC @ 10 V ± 30V 4530 PF @ 25 V - 330W (TC)
SPP100N03S2-03 Infineon Technologies SPP100N03S2-03 -
RFQ
ECAD 1865 0,00000000 Tecnologias Infineon Optimos ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 Spp100n MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-PARA220-3-1 download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 500 N-canal 30 v 100a (TC) 10V 3.3mohm @ 80a, 10V 4V A 250µA 150 nc @ 10 V ± 20V 7020 pf @ 25 V - 300W (TC)
IPB100N04S204ATMA4 Infineon Technologies IPB100N04S204ATMA4 6.9700
RFQ
ECAD 1 0,00000000 Tecnologias Infineon Optimos ™ Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem NA Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab IPB100 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-PARA263-3-2 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 1.000 N-canal 40 v 100a (TC) 10V 3.3mohm @ 80a, 10V 4V A 250µA 172 NC @ 10 V ± 20V 5300 pf @ 25 V - 300W (TC)
IAUZ40N10S5N130ATMA1 Infineon Technologies IAUZ40N10S5N130ATMA1 1.7100
RFQ
ECAD 2 0,00000000 Tecnologias Infineon Automotivo, AEC -Q101, Optima ™ -5 Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem NA Superfície 8-PowerTdfn Iauz40 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) Pg-tsdson-8-33 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 5.000 N-canal 100 v 40A (TC) 6V, 10V 13mohm @ 20a, 10V 3.8V @ 27µA 24 nc @ 10 V ± 20V 1525 pf @ 50 V - 68W (TC)
IPAN60R125PFD7SXKSA1 Infineon Technologies Ipan60r125pfd7sxksa1 2.8800
RFQ
ECAD 2 0,00000000 Tecnologias Infineon Coolmos ™ PFD7 Tubo Ativo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco Pacote completo parágrafo 220-3 Ipan60 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-A220-FP download ROHS3 Compatível Não Aplicável Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 50 N-canal 650 v 25a (TC) 10V 125mohm @ 7.8a, 10V 4.5V @ 390µA 36 nc @ 10 V ± 20V 1503 pf @ 400 V - 32W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume médio diário de RFQ

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    30.000.000

    Unidade de produto padrão

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

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