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Transistores (13833)

Imageem Número do Produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade Dispon Svel Peso (kg) Mfr Série Pacote Status do produto Tensão - Classificada Temperatura operacional Tipo de Montagem Pacote / Caso Número do Produto Base Tipo de Entrada Freqüência Tecnologia Poder - Máx Entrada Pacote de Dispositivo de Fornecedor Ficha de Dadas Status do rohs Nível de sensibilidade à Umidade (msl) Status de alcance Nomes de Ulros ECCN Htsus PACOTE PADROO Configuraça TIPO DE FET Classificação ATUAL (Amplificadorores) Condição de teste ATUAL - TESTE POTÊNCIA - SAÍDA Ganho Escorra para um tensão de origem (VDSS) Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C Tensão de conduça (max rds on, min rds on) Rds em (max) @ id, vgs VGS (th) (max) @ id Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS VGs (Máximoo) CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Recurso FET DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) Figura de Ruído Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) TIPO IGBT Tensão - Colapso do Emissor de Colecionador (Max) Corrente - Coletor (IC) (Max) Corrente - Coletor Pulsa (ICM) Vce (on) (max) @ vge, ic Troca de Energia Carga do Portão TD (Ligado/Desligado) A 25 ° C Tensão - Teste Corrente - Corte de Colecionador (Max) Termistor NTC CapacitânCia de Entrada (CIES) @ VCE Tipo de transistor Vce saturação (max) @ ib, ic Ganho ATUAL DE CC (HFE) (min) @ IC, VCE Frequencia - Transmissão Resistor - Base (R1) Resistor - Base de Emissor (R2) Figura de Ruído (dB typ @ f)
IRGB6B60KDPBF Infineon Technologies IRGB6B60KDPBF -
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 ECAD 1052 0,00000000 Tecnologias Infineon - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 Padrão 90 w TO-220AB download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 1.000 400V, 5A, 100OHM, 15V 70 ns NPT 600 v 13 a 26 a 2.2V @ 15V, 5A 110µJ (ON), 135µJ (Off) 18.2 NC 25ns/215ns
IRL3714ZSTRRPBF Infineon Technologies IRL3714ZSTRRPBF -
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 ECAD 6827 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem NA Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab MOSFET (ÓXIDO DE METAL) D2PAK download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 800 N-canal 20 v 36a (TC) 4.5V, 10V 16mohm @ 15a, 10V 2,55V a 250µA 7,2 nc @ 4,5 V ± 20V 550 pf @ 10 V - 35W (TC)
IRLR7807ZTRRPBF Infineon Technologies IRLR7807ZTRRPBF -
RFQ
 ECAD 7573 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem NA Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) D-Pak download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 3.000 N-canal 30 v 43a (TC) 4.5V, 10V 13.8mohm @ 15a, 10V 2,25V a 250µA 11 NC a 4,5 V ± 20V 780 pf @ 15 V - 40W (TC)
IRLR8113TRPBF Infineon Technologies IRLR8113TRPBF -
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 ECAD 8614 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem NA Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) D-Pak download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 2.000 N-canal 30 v 94A (TC) 4.5V, 10V 6mohm @ 15a, 10V 2,25V a 250µA 32 NC a 4,5 V ± 20V 2920 PF @ 15 V - 89W (TC)
IRGC4275B Infineon Technologies IRGC4275B -
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 ECAD 9442 0,00000000 Tecnologias Infineon - Volume Obsoleto -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem NA Superfície Morrer Padrão Morrer download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Obsoleto 1 400V, 200A, 5OHM, 15V - 650 v 1.9V @ 15V, 200a - 380 NC 130ns/280ns
FZ1600R17KE3B2NOSA1 Infineon Technologies FZ1600R17KE3B2NOSA1 -
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 ECAD 3038 0,00000000 Tecnologias Infineon IHM-B Bandeja Obsoleto -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) Montagem do chassi Módlo 10500 w Padrão A-IHV130-3 download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 2 Switch Único - 1700 v 2400 a 2.45V @ 15V, 1.6Ka 5 MA Não 145 NF @ 25 V
BCR 142F E6327 Infineon Technologies BCR 142F E6327 -
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 ECAD 8942 0,00000000 Tecnologias Infineon - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montagem NA Superfície SOT-723 BCR 142 250 MW PG-TSFP-3 download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.21.0075 3.000 50 v 100 ma 100na (ICBO) Npn - pré -tendencioso 300mv @ 500µA, 10MA 70 @ 5MA, 5V 150 MHz 22 Kohms 47 Kohms
IRG6I330U-110P Infineon Technologies IRG6I330U-110P -
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 ECAD 8234 0,00000000 Tecnologias Infineon - Tubo Obsoleto - Através do buraco To-220-3 IRG6I330U Padrão 43 w TO-220AB download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 50 - - 330 v 28 a 1.55V @ 15V, 28a - 39ns/120ns
FP50R12KT4PB11BPSA1 Infineon Technologies FP50R12KT4PB11BPSA1 155.0500
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 ECAD 5070 0,00000000 Tecnologias Infineon Econopim ™ 2 Bandeja Ativo FP50R12 - ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 0000.00.0000 10
BSM100GD120DLCBOSA1 Infineon Technologies BSM100GD120DLCBOSA1 332.1020
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 ECAD 8391 0,00000000 Tecnologias Infineon - Bandeja Última Vez compra -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem do chassi Módlo BSM100 Padrão Módlo - ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 0000.00.0000 10 Solteiro NPT 1200 v 100 a 2.6V @ 15V, 100A 12,2 µA Não 6,5 NF @ 25 V
IPDQ60R010S7XTMA1 Infineon Technologies IPDQ60R010S7XTMA1 29.6300
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 ECAD 4315 0,00000000 Tecnologias Infineon Coolmos ™ Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem NA Superfície Módulo 22-powerBsop IPDQ60R MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-HDDDSOP-22-1 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 750 N-canal 600 v 50a (TC) 12V 10mohm @ 50a, 12v 4.5V @ 3.08Ma 318 NC @ 12 V ± 20V 11987 PF @ 300 V - 694W (TC)
IRFP4410ZPBF Infineon Technologies IRFP4410ZPBF -
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 ECAD 8246 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Bolsa Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco To-247-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-247AC download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado SP001566138 Ear99 8541.29.0095 400 N-canal 100 v 97a (TC) 10V 9mohm @ 58a, 10V 4V A 150µA 120 nc @ 10 V ± 20V 4820 pf @ 50 V - 230W (TC)
BFP 620F E7764 Infineon Technologies BFP 620F E7764 -
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 ECAD 8847 0,00000000 Tecnologias Infineon - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montagem NA Superfície 4-SMD, FIOS Planos BFP 620 185MW 4-tsfp download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.21.0075 3.000 21dB 2.8V 80mA Npn 110 @ 50MA, 1,5V 65 GHz 0,7dB ~ 1,3dB a 1,8 GHz ~ 6GHz
BSM100GD60DLCBOSA1 Infineon Technologies BSM100GD60DLCBOSA1 -
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 ECAD 8395 0,00000000 Tecnologias Infineon - Bandeja Obsoleto -40 ° C ~ 125 ° C. Montagem do chassi Módlo BSM100 430 w Padrão Módlo - ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 10 PONTE CONCLUTA - 600 v 130 a 2.45V @ 15V, 100A 500 µA Não 4.3 NF @ 25 V
IFS150B17N3E4PB11BPSA1 Infineon Technologies IFS150B17N3E4PB11BPSA1 367.4650
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 ECAD 3064 0,00000000 Tecnologias Infineon MIPAQ ™ Bandeja Ativo -40 ° C ~ 150 ° C. Montagem do chassi Módlo IFS150 20 mw Padrão Módlo download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 6 PONTE CONCLUTA Parada de Campo da Trinceira 1700 v 300 a 2.3V @ 15V, 150a 1 MA Sim 13.5 NF @ 25 V
IRG8CH20K10D Infineon Technologies IRG8CH20K10D -
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 ECAD 1429 0,00000000 Tecnologias Infineon - Volume Obsoleto IRG8CH download Não Aplicável Alcançar Não Afetado Obsoleto 0000.00.0000 1
BSP612PH6327XTSA1 Infineon Technologies BSP612PH6327XTSA1 -
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 ECAD 6324 0,00000000 Tecnologias Infineon Automotivo, AEC-Q101, Optimos ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto - - - download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado SP001098612 Ear99 8541.29.0095 1.000 3a (ta)
BSS119L6327HTSA1 Infineon Technologies BSS119L6327HTSA1 -
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 ECAD 7520 0,00000000 Tecnologias Infineon Sipmos® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem NA Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-SOT23 download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.21.0095 3.000 N-canal 100 v 170mA (TA) 4.5V, 10V 6ohm a 170mA, 10V 2.3V @ 50µA 2,5 nc @ 10 V ± 20V 78 pf @ 25 V - 360MW (TA)
BSM200GA120DN2HOSA1 Infineon Technologies BSM200GA120DN2HOSA1 175.8420
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 ECAD 4246 0,00000000 Tecnologias Infineon - Bandeja Última Vez compra 150 ° C (TJ) Montagem do chassi Módlo BSM200 1550 w Padrão Módlo - ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 10 Switch Único - 1200 v 300 a 3V @ 15V, 200a 4 MA Não 13 NF @ 25 V
DF80R07W1H5FPB11BPSA1 Infineon Technologies DF80R07W1H5FPB11BPSA1 59.2000
RFQ
 ECAD 30 0,00000000 Tecnologias Infineon Easypack ™ Bandeja Ativo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem do chassi Módlo DF80R07 20 mw Padrão Ag-Easy1b-2 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 30 2 Independente Parada de Campo da Trinceira 650 v 40 a 1.72V @ 15V, 20A 12 µA Sim 2 NF @ 25 V
IKQB120N75CP2AKSA1 Infineon Technologies IKQB120N75CP2AKSA1 15.8800
RFQ
 ECAD 230 0,00000000 Tecnologias Infineon - Tubo Ativo - ROHS3 Compatível Não Aplicável Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 30
AUXAKF1405ZS-7P Infineon Technologies AUXAKF1405ZS-7P -
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 ECAD 2794 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem NA Superfície TO-263-7, D²PAK (6 leads + guia), TO-263CB MOSFET (ÓXIDO DE METAL) D2PAK (7 derivados) download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 50 N-canal 55 v 120A (TC) 10V 4.9mohm @ 88a, 10V 4V A 150µA 230 NC @ 10 V ± 20V 5360 pf @ 25 V - 230W (TC)
IRF6610TR1 Infineon Technologies IRF6610TR1 -
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 ECAD 5039 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem NA Superfície DirectFet ™ SQ Isométrico MOSFET (ÓXIDO DE METAL) DirectFET ™ SQ download Rohs Não Compatível 3 (168 Horas) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 1.000 N-canal 20 v 15a (ta), 66a (tc) 4.5V, 10V 6.8mohm @ 15a, 10V 2,55V a 250µA 17 NC @ 4,5 V ± 20V 1520 pf @ 10 V - 2.2W (TA), 42W (TC)
BG3123E6327HTSA1 Infineon Technologies BG3123E6327HTSA1 -
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 ECAD 5544 0,00000000 Tecnologias Infineon - Tape & Reel (TR) Obsoleto 8 v Montagem NA Superfície 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 BG3123 800MHz MOSFET PG-SOT363-PO download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.21.0095 3.000 2 canal n (Duplo) 25mA, 20mA 14 MA - 25dB 1.8dB 5 v
MMBT3906LT1HTSA1 Infineon Technologies MMBT3906LT1HTSA1 0,3900
RFQ
 ECAD 57 0,00000000 Tecnologias Infineon - Tape & Reel (TR) Última Vez compra 150 ° C (TJ) Montagem NA Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBT3906 330 MW PG-SOT23 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.21.0075 3.000 40 v 200 MA 50na (ICBO) Pnp 400mV @ 5MA, 50MA 100 @ 10Ma, 1V 250MHz
IKW20N60TAFKSA1 Infineon Technologies IKW20N60TAFKSA1 -
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 ECAD 4622 0,00000000 Tecnologias Infineon Trenchstop® Tubo Obsoleto - Através do buraco To-247-3 IKW20N60 Padrão 166 w PG-PARA247-3-1 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 240 400V, 20A, 12OHM, 15V 41 ns Parada de Campo da Trinceira 600 v 40 a 60 a 2.05V @ 15V, 20A 770µJ 120 NC 18ns/199ns
IRFB59N10DPBF Infineon Technologies IRFB59N10DPBF -
RFQ
 ECAD 5928 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-220AB download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 1.000 N-canal 100 v 59a (TC) 10V 25mohm @ 35.4a, 10V 5,5V A 250µA 114 NC @ 10 V ± 30V 2450 pf @ 25 V - 3.8W (TA), 200W (TC)
BC817K16E6327HTSA1 Infineon Technologies BC817K16E6327HTSA1 0,3700
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 ECAD 84 0,00000000 Tecnologias Infineon - Tape & Reel (TR) Última Vez compra 150 ° C (TJ) Montagem NA Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BC817 500 MW PG-SOT23 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.21.0075 3.000 45 v 500 MA 100na (ICBO) Npn 700mv @ 50Ma, 500mA 100 @ 100mA, 1V 170MHz
IPN65R1K5CE Infineon Technologies IPN65R1K5CE -
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 ECAD 8287 0,00000000 Tecnologias Infineon Coolmos ™ CE Volume Ativo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem NA Superfície TO-261-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-SOT223 download 0000.00.0000 857 N-canal 650 v 5.2a (TC) 10V 1.5OHM @ 1A, 10V 3.5V @ 100µA 10,5 nc @ 10 V ± 20V 225 pf @ 100 V - 5W (TC)
BFR183WH6327XTSA1 Infineon Technologies BFR183WH6327XTSA1 -
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 ECAD 2651 0,00000000 Tecnologias Infineon - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montagem NA Superfície SC-70, SOT-323 BFR183 450mw PG-SOT323 download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.21.0075 3.000 18.5dB 12V 65mA Npn 70 @ 15MA, 8V 8GHz 0,9dB ~ 1,4dB @ 900MHz ~ 1,8 GHz
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