SIC
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Transistores (13833)

Imageem Número do Produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade Dispon Svel Peso (kg) Mfr Série Pacote Status do produto Tensão - Classificada Temperatura operacional Tipo de Montagem Pacote / Caso Número do Produto Base Tipo de Entrada Freqüência Tecnologia Poder - Máx Entrada Pacote de Dispositivo de Fornecedor Ficha de Dadas Status do rohs Nível de sensibilidade à Umidade (msl) Status de alcance Nomes de Ulros ECCN Htsus PACOTE PADROO Configuraça TIPO DE FET Classificação ATUAL (Amplificadorores) Condição de teste ATUAL - TESTE POTÊNCIA - SAÍDA Ganho Escorra para um tensão de origem (VDSS) Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C Tensão de conduça (max rds on, min rds on) Rds em (max) @ id, vgs VGS (th) (max) @ id Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS VGs (Máximoo) CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Recurso FET DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) Figura de Ruído Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) TIPO IGBT Tensão - Colapso do Emissor de Colecionador (Max) Corrente - Coletor (IC) (Max) Corrente - Coletor Pulsa (ICM) Vce (on) (max) @ vge, ic Troca de Energia Carga do Portão TD (Ligado/Desligado) A 25 ° C Tensão - Teste Corrente - Corte de Colecionador (Max) Termistor NTC CapacitânCia de Entrada (CIES) @ VCE
IRL3715TR Infineon Technologies IRL3715TR -
RFQ
 ECAD 8766 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tape & Reel (TR) Obsoleto Através do buraco To-220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-220AB download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 2.000 N-canal 20 v 54a (TC) 4.5V, 10V 14mohm @ 26a, 10V 3V A 250µA 17 NC @ 4,5 V ± 20V 1060 pf @ 10 V - 3.8W (TA), 71W (TC)
IPB80N06S2L06ATMA1 Infineon Technologies IPB80N06S2L06ATMA1 -
RFQ
 ECAD 1493 0,00000000 Tecnologias Infineon Optimos ™ Tape & Reel (TR) Descontinuado no sic -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab IPB80N MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-PARA263-3-2 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 1.000 N-canal 55 v 80a (TC) 4.5V, 10V 6mohm @ 69a, 10V 2V @ 180µA 150 nc @ 10 V ± 20V 3800 pf @ 25 V - 250W (TC)
AUIRF7478QTR Infineon Technologies AUIRF7478QTR -
RFQ
 ECAD 5248 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 8-so download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado SP001522778 Ear99 8541.29.0095 4.000 N-canal 60 v 7a (ta) 4.5V, 10V 26mohm @ 4.2a, 10V 3V A 250µA 31 NC a 4,5 V ± 20V 1740 pf @ 25 V - 2.5W (TA)
SPD04N60S5BTMA1 Infineon Technologies SPD04N60S5BTMA1 -
RFQ
 ECAD 6862 0,00000000 Tecnologias Infineon Coolmos ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 SPD04N MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-A252-3 download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado SP000313946 Ear99 8541.29.0095 2.500 N-canal 600 v 4.5a (TC) 10V 950mohm @ 2.8a, 10V 5.5V @ 200µA 22,9 nc @ 10 V ± 20V 580 pf @ 25 V - 50W (TC)
BSL716SNH6327XTSA1 Infineon Technologies BSL716SNH6327XTSA1 -
RFQ
 ECAD 8200 0,00000000 Tecnologias Infineon Optimos ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-TSOP6-6 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 3.000 N-canal 75 v 2.5a (ta) 4.5V, 10V 150mohm @ 2.5a, 10V 1,8V A 218µA 13,1 nc @ 10 V ± 20V 315 pf @ 25 V - 2W (TA)
FP10R06W1E3B11BOMA1 Infineon Technologies FP10R06W1E3B11BOMA1 39.4800
RFQ
 ECAD 24 0,00000000 Tecnologias Infineon EASYPIM ™ Bandeja Ativo -40 ° C ~ 150 ° C. Montagem do chassi Módlo FP10R06 68 w Padrão Módlo download ROHS3 Compatível Não Aplicável Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 24 Inversor Trifásico Parada de Campo da Trinceira 600 v 16 a 2V @ 15V, 10A 1 MA Sim 550 pf @ 25 V
IRF6635TRPBF Infineon Technologies IRF6635TRPBF -
RFQ
 ECAD 7644 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície DirectFET ™ isométrico MX MOSFET (ÓXIDO DE METAL) DirectFET ™ MX download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 4.800 N-canal 30 v 32A (TA), 180A (TC) 4.5V, 10V 1.8mohm @ 32a, 10V 2,35V a 250µA 71 nc @ 4,5 V ± 20V 5970 pf @ 15 V - 2.8W (TA), 89W (TC)
IPB47N10SL26ATMA1 Infineon Technologies IPB47N10SL26ATMA1 -
RFQ
 ECAD 2155 0,00000000 Tecnologias Infineon Sipmos® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab IPB47N MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-PARA263-3-2 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 1.000 N-canal 100 v 47a (TC) 4.5V, 10V 26mohm @ 33a, 10V 2V @ 2Ma 135 NC @ 10 V ± 20V 2500 pf @ 25 V - 175W (TC)
IKY100N120CH7XKSA1 Infineon Technologies Iky100n120ch7xksa1 16.4200
RFQ
 ECAD 190 0,00000000 Tecnologias Infineon Trenchstop ™ Tubo Ativo -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco To-247-4 IKY100N120 Padrão 721 w PG-PARA247-4-U10 download ROHS3 Compatível Não Aplicável Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 30 - 99 ns Parada de Campo da Trinceira 1200 v 212 a 400 a 2.15V @ 15V, 100A 2,37MJ (ON), 2,65MJ (Desligado) 714 NC 44NS/359NS
AUIRFR3504ZTRL Infineon Technologies AUIRFR3504Ztrl 1.1429
RFQ
 ECAD 9665 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tape & Reel (TR) Não é para desenhos para Novos -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 AUIRFR3504 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) D-Pak download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado SP001516690 Ear99 8541.29.0095 3.000 N-canal 40 v 42a (TC) 9mohm @ 42a, 10V 4V A 250µA 45 nc @ 10 V 1510 pf @ 25 V - 90W (TC)
PTFA092201FV4XWSA1 Infineon Technologies PTFA092201FV4XWSA1 -
RFQ
 ECAD 7866 0,00000000 Tecnologias Infineon - Tape & Reel (TR) Obsoleto 65 v Montagem na Superfície 2-flatpack, Lidera de Barraca, Flangeada PTFA092201 960MHz LDMOS H-37260-2 download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 40 10µA 1.85 a 220W 18.5dB - 30 v
IRFR3711TR Infineon Technologies IRFR3711TR -
RFQ
 ECAD 3650 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) D-Pak download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 2.000 N-canal 20 v 100a (TC) 4.5V, 10V 6.5mohm @ 15a, 10V 3V A 250µA 44 NC a 4,5 V ± 20V 2980 PF @ 10 V - 2.5W (TA), 120W (TC)
IRLR8103TR Infineon Technologies IRLR8103TR -
RFQ
 ECAD 2710 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) D-Pak download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 2.000 N-canal 30 v 89a (TA) 4.5V, 10V 7mohm @ 15a, 10V 2V @ 250µA (min) 50 nc @ 5 V ± 20V - 89W (TC)
FF4MR12W2M1HB11BPSA1 Infineon Technologies FF4MR12W2M1HB11BPSA1 263.3300
RFQ
 ECAD 1912 0,00000000 Tecnologias Infineon Coolsic ™ Bandeja Ativo -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem do chassi Módlo FF4MR12 Carboneto de Silício (sic) 20mw Módlo - ROHS3 Compatível 448-FF4MR12W2M1HB11BPSA1 Ear99 8542.39.0001 15 2 canal n (Meia Ponte) 1200V 170A (TJ) 4mohm @ 200a, 18V 5.15V @ 80MA 594NC @ 18V 17600pf @ 800V Carboneto de Silício (sic)
IRF5800TRPBF Infineon Technologies IRF5800TRPBF -
RFQ
 ECAD 3140 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) Micro6 ™ (TSOP-6) download 2 (1 Ano) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 3.000 Canal P. 30 v 4a (ta) 4.5V, 10V 85mohm @ 4a, 10V 1V a 250µA 17 NC @ 10 V ± 20V 535 pf @ 25 V - 2W (TA)
IPD03N03LA G Infineon Technologies IPD03N03LA g 1.4900
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Tecnologias Infineon Optimos ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 IPD03N MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-PARA252-3-11 download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 2.500 N-canal 25 v 90A (TC) 4.5V, 10V 3.2mohm @ 60a, 10V 2V @ 70µA 41 nc @ 5 V ± 20V 5200 pf @ 15 V - 115W (TC)
IST011N06NM5AUMA1 Infineon Technologies IST011N06NM5Auma1 6.2100
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Tecnologias Infineon Optimos ™ 5 Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície 5-POWERSFN IST011N MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-HSOF-5-1 download ROHS3 Compatível 3 (168 Horas) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 2.000 N-canal 60 v 38a (ta), 399a (tc) 6V, 10V 1.1mohm @ 100a, 10V 3.3V A 148µA 154 nc @ 10 V ± 20V 8100 pf @ 30 V - 3.8W (TA), 313W (TC)
IRF5810TRPBF Infineon Technologies IRF5810TRPBF -
RFQ
 ECAD 9604 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 IRF58 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 960MW 6-TSOP download 2 (1 Ano) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.21.0095 3.000 2 Canal P (Duplo) 20V 2.9a 90mohm @ 2.9a, 4.5V 1.2V a 250µA 9.6NC @ 4.5V 650pf @ 16V Portão de Nível Lógico
BSF134N10NJ3GXUMA1 Infineon Technologies BSF134N10NJ3GXUMA1 2.3000
RFQ
 ECAD 5 0,00000000 Tecnologias Infineon Optimos ™ Tape & Reel (TR) Ativo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 3-wdson BSF134 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) MG-WDSON-2, CANPAK M ™ download ROHS3 Compatível 3 (168 Horas) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 5.000 N-canal 100 v 9A (TA), 40A (TC) 6V, 10V 13.4mohm @ 30a, 10V 3.5V @ 40µA 30 NC a 10 V ± 20V 2300 pf @ 50 V - 2.2W (TA), 43W (TC)
IPDD60R102G7XTMA1 Infineon Technologies IPDD60R102G7XTMA1 6.8200
RFQ
 ECAD 9520 0,00000000 Tecnologias Infineon Coolmos ™ G7 Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície Módlo de 10 Pópitos IPDD60 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-HDDDSOP-10-1 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 1.700 N-canal 600 v 23a (TC) 10V 102mohm @ 7.8a, 10V 4V @ 390µA 34 NC @ 10 V ± 20V 1320 pf @ 400 V - 139W (TC)
IRF7807 Infineon Technologies IRF7807 -
RFQ
 ECAD 6596 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 8-so download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 95 N-canal 30 v 8.3a (ta) 4.5V 25mohm @ 7a, 4.5V 1V a 250µA 17 NC @ 5 V ± 12V - 2.5W (TA)
IPB100N06S3-03 Infineon Technologies IPB100N06S3-03 -
RFQ
 ECAD 7513 0,00000000 Tecnologias Infineon Optimos ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab IPB100N MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-PARA263-3-2 download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 1.000 N-canal 55 v 100a (TC) 10V 3mohm @ 80a, 10V 4V @ 230µA 480 nc @ 10 V ± 20V 21620 pf @ 25 V - 300W (TC)
IRL3402SPBF Infineon Technologies IRL3402SPBF -
RFQ
 ECAD 3947 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab MOSFET (ÓXIDO DE METAL) D2PAK download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado SP001568332 Ear99 8541.29.0095 50 N-canal 20 v 85a (TC) 4.5V, 7V 8mohm @ 51a, 7V 700mv @ 250µA (min) 78 NC @ 4,5 V ± 10V 3300 pf @ 15 V - 110W (TC)
IRFL1006TR Infineon Technologies IRFL1006TR -
RFQ
 ECAD 4911 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-261-4, TO-261AA MOSFET (ÓXIDO DE METAL) SOT-223 download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 2.500 N-canal 60 v 1.6a (ta) 10V 220mohm @ 1.6a, 10V 4V A 250µA 8 nc @ 10 V ± 20V 160 pf @ 25 V - 1W (TA)
IRF7103QTRPBF Infineon Technologies IRF7103QTRPBF -
RFQ
 ECAD 6027 0,00000000 Tecnologias Infineon - Fita de Corte (CT) Obsoleto Montagem na Superfície 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) IRF71 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 2.4W 8-so download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 4.000 2 canal n (Duplo) 50V 3a 130mohm @ 3a, 10V 3V A 250µA 15NC @ 10V 255pf @ 25V -
IPI600N25N3GAKSA1 Infineon Technologies IPI600N25N3GAKSA1 -
RFQ
 ECAD 4633 0,00000000 Tecnologias Infineon Optimos ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco TO-262-3 Leitos Longos, i²pak, TO-262AA IPI600 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-PARA262-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 500 N-canal 250 v 25a (TC) 10V 60mohm @ 25a, 10V 4V A 90µA 29 NC @ 10 V ± 20V 2350 pf @ 100 V - 136W (TC)
IRF7809AV Infineon Technologies IRF7809AV -
RFQ
 ECAD 6530 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 8-so download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado *IRF7809AV Ear99 8541.29.0095 95 N-canal 30 v 13.3a (TA) 4.5V 9mohm @ 15a, 4.5V 1V a 250µA 62 NC @ 5 V ± 12V 3780 pf @ 16 V - 2.5W (TA)
BSC020N03MSGATMA1 Infineon Technologies BSC020N03MSGATMA1 1.6600
RFQ
 ECAD 32 0,00000000 Tecnologias Infineon Optimos ™ Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-PowerTdfn BSC020 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) Pg-tdson-8-1 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 5.000 N-canal 30 v 25a (ta), 100a (tc) 4.5V, 10V 2mohm @ 30a, 10V 2V A 250µA 124 nc @ 10 V ± 20V 9600 pf @ 15 V - 2.5W (TA), 96W (TC)
IRF7807ZTR Infineon Technologies IRF7807ZTR -
RFQ
 ECAD 5382 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 8-so download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado SP001572296 Ear99 8541.29.0095 4.000 N-canal 30 v 11a (ta) 4.5V, 10V 13.8mohm @ 11a, 10v 2,25V a 250µA 11 NC a 4,5 V ± 20V 770 pf @ 15 V - 2.5W (TA)
IRL530NPBF Infineon Technologies IRL530NPBF -
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 ECAD 5313 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 IRL530 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-220AB download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 50 N-canal 100 v 17a (TC) 4V, 10V 100mohm @ 9a, 10V 2V A 250µA 34 NC @ 5 V ± 16V 800 pf @ 25 V - 79W (TC)
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