SIC
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Transistores (13833)

Imageem Número do Produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade Dispon Svel Peso (kg) Mfr Série Pacote Status do produto Temperatura operacional Tipo de Montagem Pacote / Caso Número do Produto Base Tipo de Entrada Tecnologia Poder - Máx Pacote de Dispositivo de Fornecedor Ficha de Dadas Status do rohs Nível de sensibilidade à Umidade (msl) Status de alcance Nomes de Ulros ECCN Htsus PACOTE PADROO Configuraça TIPO DE FET Condição de teste Ganho Escorra para um tensão de origem (VDSS) Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C Tensão de conduça (max rds on, min rds on) Rds em (max) @ id, vgs VGS (th) (max) @ id Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS VGs (Máximoo) CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Recurso FET DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) TIPO IGBT Tensão - Colapso do Emissor de Colecionador (Max) Corrente - Coletor (IC) (Max) Corrente - Coletor Pulsa (ICM) Vce (on) (max) @ vge, ic Troca de Energia Carga do Portão TD (Ligado/Desligado) A 25 ° C Corrente - Corte de Colecionador (Max) Tipo de transistor Vce saturação (max) @ ib, ic Ganho ATUAL DE CC (HFE) (min) @ IC, VCE Frequencia - Transmissão Resistor - Base (R1) Resistor - Base de Emissor (R2) Figura de Ruído (dB typ @ f)
AUIRFS3307Z Infineon Technologies AUIRFS3307Z -
RFQ
 ECAD 1679 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-PARA263-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado SP001519782 Ear99 8541.29.0095 50 N-canal 75 v 120A (TC) 10V 5.8mohm @ 75a, 10V 4V A 150µA 110 nc @ 10 V ± 20V 4750 PF @ 50 V - 230W (TC)
IPB040N08NF2SATMA1 Infineon Technologies IPB040N08NF2SATMA1 2.9800
RFQ
 ECAD 800 0,00000000 Tecnologias Infineon Strongirfet ™ 2 Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab IPB040N MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-PARA263-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 448-IPB040N08NF2SATMA1DKR Ear99 8541.29.0095 800 N-canal 50 v 107a (TC) 6V, 10V 4mohm @ 80a, 10V 3,8V a 85µA 81 nc @ 10 V ± 20V 3800 pf @ 40 V - 150W (TC)
BSL302SNL6327HTSA1 Infineon Technologies BSL302SNL6327HTSA1 -
RFQ
 ECAD 5720 0,00000000 Tecnologias Infineon Optimos ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 BSL302 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-TSOP6-6 download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 3.000 N-canal 30 v 7.1a (ta) 4.5V, 10V 25mohm @ 7.1a, 10V 2V @ 30µA 6,6 nc @ 5 V ± 20V 750 pf @ 15 V - 2W (TA)
IPB80N06S2L-H5 Infineon Technologies IPB80N06S2L-H5 -
RFQ
 ECAD 5213 0,00000000 Tecnologias Infineon Optimos ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab IPB80N MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-PARA263-3-2 download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 1.000 N-canal 55 v 80a (TC) 4.5V, 10V 4.7mohm @ 80a, 10V 2V A 250µA 190 nc @ 10 V ± 20V 5000 pf @ 25 V - 300W (TC)
IKW75N65EL5XKSA1 Infineon Technologies Ikw75n65el5xksa1 9.2400
RFQ
 ECAD 1735 0,00000000 Tecnologias Infineon Trenchstop ™ 5 Tubo Ativo -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco To-247-3 IKW75N65 Padrão 536 w PG-A247-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 30 400V, 75A, 4OHM, 15V 114 ns - 650 v 80 a 300 a 1.35V @ 15V, 75A 1,61MJ (ON), 3,2MJ (Desligado) 436 NC 40ns/275ns
BFP520H6327XTSA1 Infineon Technologies BFP520H6327XTSA1 0,5800
RFQ
 ECAD 8 0,00000000 Tecnologias Infineon - Tape & Reel (TR) Ativo 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície SC-82A, SOT-343 BFP520 100mW PG-SOT343-3D download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.21.0075 3.000 22.5dB 3.5V 40mA Npn 70 @ 20MA, 2V 45 GHz 0,95dB A 1,8 GHz
IPF10N03LA Infineon Technologies IPF10N03LA -
RFQ
 ECAD 7372 0,00000000 Tecnologias Infineon Optimos ™ Tape & Reel (TR) Descontinuado no sic -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 IPF10N MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-PARA252-3-23 download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 2.500 N-canal 25 v 30a (TC) 4.5V, 10V 10.4mohm @ 30a, 10V 2V @ 20µA 11 NC @ 5 V ± 20V 1358 pf @ 15 V - 52W (TC)
IRLR6225PBF Infineon Technologies IRLR6225pbf -
RFQ
 ECAD 6717 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tubo Descontinuado no sic -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) DPAK download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado SP001578814 Ear99 8541.29.0095 75 N-canal 20 v 100a (TC) 2.5V, 4.5V 4mohm @ 21a, 4.5V 1.1V @ 50µA 72 NC @ 4,5 V ± 12V 3770 PF @ 10 V - 63W (TC)
IRL3705Z Infineon Technologies IRL3705Z -
RFQ
 ECAD 8148 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-220AB download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado *IRL3705Z Ear99 8541.29.0095 50 N-canal 55 v 75a (TC) 4.5V, 10V 8mohm @ 52a, 10V 3V A 250µA 60 nc @ 5 V ± 16V 2880 pf @ 25 V - 130W (TC)
BCR 116L3 E6327 Infineon Technologies BCR 116L3 E6327 -
RFQ
 ECAD 5614 0,00000000 Tecnologias Infineon - Tape & Reel (TR) Descontinuado no sic Montagem na Superfície SC-101, SOT-883 BCR 116 250 MW PG-TSLP-3-4 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.21.0075 15.000 50 v 100 ma 100na (ICBO) Npn - pré -tendencioso 300mv @ 500µA, 10MA 70 @ 5MA, 5V 150 MHz 4.7 Kohms 47 Kohms
BF888H6327XTSA1 Infineon Technologies BF888H6327XTSA1 0,2385
RFQ
 ECAD 8925 0,00000000 Tecnologias Infineon - Tape & Reel (TR) Ativo 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície SC-82A, SOT-343 BF888 160mW PG-SOT343-4-2 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.21.0075 3.000 27dB 4V 30Ma Npn 250 @ 25A, 3V 47 GHz 0,5dB ~ 0,85dB A 1,8 GHz ~ 6GHz
IRF9520NSTRL Infineon Technologies IRF9520NSTRL -
RFQ
 ECAD 4603 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab MOSFET (ÓXIDO DE METAL) D2PAK download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 800 Canal P. 100 v 6.8a (TC) 10V 480mohm @ 4a, 10v 4V A 250µA 27 NC @ 10 V ± 20V 350 pf @ 25 V - 3.8W (TA), 48W (TC)
IRLU9343 Infineon Technologies IRLU9343 -
RFQ
 ECAD 9774 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tubo Obsoleto -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco TO-251-3 leva Curtos, Ipak, TO-251AA MOSFET (ÓXIDO DE METAL) I-Pak download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado *IRLU9343 Ear99 8541.29.0095 75 Canal P. 55 v 20a (TC) 4.5V, 10V 105mohm @ 3.4a, 10V 1V a 250µA 47 nc @ 10 V ± 20V 660 pf @ 50 V - 79W (TC)
BFP460H6327XTSA1 Infineon Technologies BFP460H6327XTSA1 0,5900
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Tecnologias Infineon - Tape & Reel (TR) Ativo 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície SC-82A, SOT-343 BFP460 230mw PG-SOT343-3D download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.21.0075 3.000 12.5dB ~ 26,5dB 5.8V 70mA Npn 90 @ 20MA, 3V 22GHz 0,7db ~ 1,2dB @ 100MHz ~ 3GHz
BFP420FH6327XTSA1 Infineon Technologies BFP420FH6327XTSA1 0,4400
RFQ
 ECAD 15 0,00000000 Tecnologias Infineon - Tape & Reel (TR) Ativo 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 4-SMD, FIOS Planos BFP420 160mW 4-tsfp download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.21.0075 3.000 19.5dB 5.5V 35mA Npn 60 @ 5MA, 4V 25GHz 1.1dB @ 1.8GHz
BFP 405 H6433 Infineon Technologies BFP 405 H6433 -
RFQ
 ECAD 1840 0,00000000 Tecnologias Infineon - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície SC-82A, SOT-343 BFP 405 75mw PG-SOT343-3D download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.21.0075 10.000 23dB 5V 25Ma Npn 60 @ 5MA, 4V 25GHz 1,25dB a 1,8 GHz
IPB030N08N3GATMA1 Infineon Technologies IPB030N08N3GATMA1 4.1700
RFQ
 ECAD 752 0,00000000 Tecnologias Infineon Optimos ™ Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-7, D²PAK (6 leads + guia) IPB030 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-PARA263-7 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 1.000 N-canal 80 v 160A (TC) 6V, 10V 3mohm @ 100a, 10V 3,5V A 155µA 117 nc @ 10 V ± 20V 8110 pf @ 40 V - 214W (TC)
IRL520NSTRR Infineon Technologies IRL520NSTRR -
RFQ
 ECAD 6939 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab MOSFET (ÓXIDO DE METAL) D2PAK download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 800 N-canal 100 v 10a (TC) 4V, 10V 180mohm @ 6a, 10V 2V A 250µA 20 NC @ 5 V ± 16V 440 pf @ 25 V - 3.8W (TA), 48W (TC)
IRF1407L Infineon Technologies IRF1407L -
RFQ
 ECAD 6962 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco TO-262-3 Leitos Longos, i²pak, TO-262AA MOSFET (ÓXIDO DE METAL) To-262 download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado *IRF1407L Ear99 8541.29.0095 50 N-canal 75 v 100a (TC) 10V 7.8mohm @ 78a, 10V 4V A 250µA 250 nc @ 10 V ± 20V 5600 pf @ 25 V - 3.8W (TA), 200W (TC)
IRF7453 Infineon Technologies IRF7453 -
RFQ
 ECAD 6612 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 8-so download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado *IRF7453 Ear99 8541.29.0095 95 N-canal 250 v 2.2a (ta) 10V 230mohm @ 1.3a, 10V 5,5V A 250µA 38 nc @ 10 V ± 30V 930 PF @ 25 V - 2.5W (TA)
SPU03N60S5BKMA1 Infineon Technologies SPU03N60S5BKMA1 -
RFQ
 ECAD 2859 0,00000000 Tecnologias Infineon Coolmos ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-251-3 leva Curtos, Ipak, TO-251AA SPU03N MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-A251-3-21 download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 1.500 N-canal 600 v 3.2a (TC) 10V 1.4OHM @ 2A, 10V 5,5V A 135µA 16 nc @ 10 V ± 20V 420 pf @ 25 V - 38W (TC)
IRG7PH46UPBF Infineon Technologies IRG7PH46UPBF -
RFQ
 ECAD 2174 0,00000000 Tecnologias Infineon - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco To-247-3 IRG7PH Padrão 469 w TO-247AC download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 25 600V, 40A, 10OHM, 15V Trincheira 1200 v 130 a 160 a 2V @ 15V, 40A 2,56MJ (ON), 1,78MJ (Desligado) 220 NC 45ns/410ns
IPA50R350CPXKSA1 Infineon Technologies IPA50R350CPXKSA1 1.5494
RFQ
 ECAD 4098 0,00000000 Tecnologias Infineon Coolmos ™ Tubo Não é para desenhos para Novos -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco Pacote completo parágrafo 220-3 IPA50R350 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-PARA220-3-31 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 500 N-canal 500 v 10a (TC) 10V 350mohm @ 5.6a, 10V 3.5V @ 370µA 25 nc @ 10 V ± 20V 1020 pf @ 100 V - 32W (TC)
IRF630NL Infineon Technologies IRF630NL -
RFQ
 ECAD 9121 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco TO-262-3 Leitos Longos, i²pak, TO-262AA MOSFET (ÓXIDO DE METAL) To-262 download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado *Irf630nl Ear99 8541.29.0095 50 N-canal 200 v 9.3a (TC) 10V 300mohm @ 5.4a, 10V 4V A 250µA 35 nc @ 10 V ± 20V 575 pf @ 25 V - 82W (TC)
AUIRF7342Q Infineon Technologies AUIRF7342Q -
RFQ
 ECAD 6069 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) AUIRF7342 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 2W 8-SOIC download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado SP001515748 Ear99 8541.29.0095 95 2 Canal P (Duplo) 55V 3.4a 105mohm @ 3.4a, 10V 3V A 250µA 38NC @ 10V 690pf @ 25V Portão de Nível Lógico
AUIRFZ24NS Infineon Technologies Auirfz24ns -
RFQ
 ECAD 7214 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 Auirfz24 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) D-Pak (TO-252AA) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 50 N-canal 55 v 17a (TC) 10V 70mohm @ 10a, 10V 4V A 250µA 20 NC A 10 V ± 20V 370 pf @ 25 V - 3.8W (TA), 45W (TC)
IRF7701TR Infineon Technologies IRF7701TR -
RFQ
 ECAD 8482 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm de largura) MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 8-TSSOP download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado SP001575290 Ear99 8541.29.0095 4.000 Canal P. 12 v 10a (TC) 1.8V, 4.5V 11mohm @ 10a, 4.5V 1.2V a 250µA 100 NC a 4,5 V ± 8V 5050 pf @ 10 V - 1.5W (TA)
IRLI540NPBF Infineon Technologies IRLI540NPBF -
RFQ
 ECAD 2626 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco Pacote completo parágrafo 220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) To-220ab pak cheio download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 2.000 N-canal 100 v 23a (TC) 4V, 10V 44mohm @ 12a, 10V 2V A 250µA 74 NC @ 5 V ± 16V 1800 pf @ 25 V - 54W (TC)
AIKW50N60CTXKSA1 Infineon Technologies AIKW50N60CTXKSA1 10.2500
RFQ
 ECAD 9147 0,00000000 Tecnologias Infineon Automotivo, AEC-Q101, Trenchstop ™ Tubo Ativo -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco To-247-3 AIKW50 Padrão 333 w PG-PARA247-3-41 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 30 400V, 50A, 7OHM, 15V Parada de Campo da Trinceira 600 v 80 a 150 a 2V @ 15V, 50A 1,2MJ (ON), 1,4MJ (Desligado) 310 NC 26ns/299ns
IPI90N04S402AKSA1 Infineon Technologies IPI90N04S402AKSA1 3.1900
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 ECAD 500 0,00000000 Tecnologias Infineon Optimos ™ Tubo Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco TO-262-3 Leitos Longos, i²pak, TO-262AA IPI90N04 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-PARA262-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 50 N-canal 40 v 90A (TC) 10V 2.5mohm @ 90a, 10V 4V @ 95µA 118 nc @ 10 V ± 20V 9430 PF @ 25 V - 150W (TC)
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