SIC
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Transistores (13833)

Imageem Número do Produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade Dispon Svel Peso (kg) Mfr Série Pacote Status do produto Temperatura operacional Tipo de Montagem Pacote / Caso Número do Produto Base Tipo de Entrada Tecnologia Poder - Máx Entrada Pacote de Dispositivo de Fornecedor Ficha de Dadas Status do rohs Nível de sensibilidade à Umidade (msl) Status de alcance Nomes de Ulros ECCN Htsus PACOTE PADROO Configuraça TIPO DE FET Condição de teste Ganho Escorra para um tensão de origem (VDSS) Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C Tensão de conduça (max rds on, min rds on) Rds em (max) @ id, vgs VGS (th) (max) @ id Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS VGs (Máximoo) CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Recurso FET DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) TIPO IGBT Tensão - Colapso do Emissor de Colecionador (Max) Corrente - Coletor (IC) (Max) Corrente - Coletor Pulsa (ICM) Vce (on) (max) @ vge, ic Troca de Energia Carga do Portão TD (Ligado/Desligado) A 25 ° C Corrente - Corte de Colecionador (Max) Termistor NTC CapacitânCia de Entrada (CIES) @ VCE Tipo de transistor Vce saturação (max) @ ib, ic Ganho ATUAL DE CC (HFE) (min) @ IC, VCE Frequencia - Transmissão Figura de Ruído (dB typ @ f)
BSP373L6327HTSA1 Infineon Technologies BSP373L6327HTSA1 -
RFQ
 ECAD 6233 0,00000000 Tecnologias Infineon Sipmos® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-261-4, TO-261AA MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-SOT223-4 download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 1.000 N-canal 100 v 1.7a (ta) 10V 300mohm @ 1.7a, 10V 4V @ 1MA ± 20V 550 pf @ 25 V - 1.8W (TA)
IRF6604TR1 Infineon Technologies IRF6604TR1 -
RFQ
 ECAD 4463 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície DirectFET ™ MQ ISOMÉTRICO MOSFET (ÓXIDO DE METAL) DirectFET ™ MQ download 3 (168 Horas) Alcançar Não Afetado SP001525412 Ear99 8541.29.0095 1.000 N-canal 30 v 12a (ta), 49a (tc) 4.5V, 7V 11.5mohm @ 12a, 7v 2.1V @ 250µA 26 NC a 4,5 V ± 12V 2270 pf @ 15 V - 2.3W (TA), 42W (TC)
IRF7416TRPBF Infineon Technologies IRF7416TRPBF 1.2100
RFQ
 ECAD 28 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) IRF7416 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 8-so download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 4.000 Canal P. 30 v 10a (ta) 4.5V, 10V 20mohm @ 5.6a, 10V 1V a 250µA 92 NC @ 10 V ± 20V 1700 pf @ 25 V - 2.5W (TA)
IRF6601 Infineon Technologies IRF6601 -
RFQ
 ECAD 4777 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tape & Reel (TR) Obsoleto Montagem na Superfície DirectFET ™ ISOMETRIC MT MOSFET (ÓXIDO DE METAL) DirectFet ™ MT download Rohs Não Compatível 3 (168 Horas) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 4.800 N-canal 20 v 26a (ta), 85a (tc) 4.5V, 10V 3.8mohm @ 26a, 10V 2.2V A 250µA 45 nc @ 4,5 V ± 20V 3440 pf @ 15 V - 3.6W (TA), 42W (TC)
BSS126 E6906 Infineon Technologies BSS126 E6906 -
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 ECAD 4081 0,00000000 Tecnologias Infineon Sipmos® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-SOT23 download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.21.0095 3.000 N-canal 600 v 21Ma (ta) 0V, 10V 500OHM @ 16MA, 10V 1.6V @ 8µA 2.1 NC @ 5 V ± 20V 28 pf @ 25 V Modo de Esgotamento 500mW (TA)
BFN38E6327HTSA1 Infineon Technologies BFN38E6327HTSA1 -
RFQ
 ECAD 8719 0,00000000 Tecnologias Infineon - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-261-4, TO-261AA 1,5 w PG-SOT223-4 download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0075 1.000 300 v 200 MA 100na (ICBO) Npn 500MV @ 2MA, 20MA 30 @ 30MA, 10V 70MHz
AUIRF7416QTR Infineon Technologies AUIRF7416QTR -
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 ECAD 8954 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 8-so download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 4.000 Canal P. 30 v 10a (ta) 4.5V, 10V 20mohm @ 5.6a, 10V 2.04V A 250µA 92 NC @ 10 V ± 20V 1700 pf @ 25 V - 2.5W (TA)
IPA65R190C6XKSA1 Infineon Technologies IPA65R190C6XKSA1 -
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 ECAD 3325 0,00000000 Tecnologias Infineon Coolmos ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco Pacote completo parágrafo 220-3 IPA65R MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-PARA220-3-111 download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 500 N-canal 650 v 20.2a (TC) 10V 190mohm @ 7.3a, 10V 3,5V a 730µA 73 NC @ 10 V ± 20V 1620 PF @ 100 V - 34W (TC)
IRF9410 Infineon Technologies IRF9410 -
RFQ
 ECAD 7452 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 8-so download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado *IRF9410 Ear99 8541.29.0095 95 N-canal 30 v 7a (ta) 4.5V, 10V 30mohm @ 7a, 10V 1V a 250µA 27 NC @ 10 V ± 20V 550 pf @ 25 V - 2.5W (TA)
IPD22N08S2L50ATMA1 Infineon Technologies IPD22N08S2L50ATMA1 1.3000
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 ECAD 5376 0,00000000 Tecnologias Infineon Optimos ™ Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 IPD22N08 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-PARA252-3-11 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 2.500 N-canal 75 v 27a (TC) 5V, 10V 50mohm @ 50a, 10V 2V @ 31µA 33 nc @ 10 V ± 20V 630 PF @ 25 V - 75W (TC)
IRF6631TR1PBF Infineon Technologies IRF6631TR1PBF -
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 ECAD 6794 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície DirectFet ™ SQ Isométrico MOSFET (ÓXIDO DE METAL) DirectFET ™ SQ download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 1.000 N-canal 30 v 13a (ta), 57a (tc) 4.5V, 10V 7.8mohm @ 13a, 10V 2.35V @ 25µA 18 NC a 4,5 V ± 20V 1450 PF @ 15 V - 2.2W (TA), 42W (TC)
BSS119NH6327XTSA1 Infineon Technologies BSS119NH6327XTSA1 0,4200
RFQ
 ECAD 61 0,00000000 Tecnologias Infineon Optimos ™ Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BSS119 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-SOT23 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.21.0095 3.000 N-canal 100 v 190mA (TA) 4.5V, 10V 6ohm @ 190ma, 10V 2.3V @ 13µA 0,6 nc @ 10 V ± 20V 20,9 pf @ 25 V - 500mW (TA)
IRG4IBC30KDPBF Infineon Technologies IRG4IBC30KDPBF -
RFQ
 ECAD 8225 0,00000000 Tecnologias Infineon - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco Pacote completo parágrafo 220-3 Padrão 45 w To-220ab pak cheio download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 2.000 480V, 16A, 23OHM, 15V 42 ns - 600 v 17 a 34 a 2.7V @ 15V, 16A 600µJ (ON), 580µJ (Off) 67 NC 60ns/160ns
BSP88H6327XTSA1 Infineon Technologies BSP88H6327XTSA1 0,6200
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 ECAD 39 0,00000000 Tecnologias Infineon Sipmos® Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-261-4, TO-261AA BSP88H6327 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-SOT223-4 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 1.000 N-canal 240 v 350mA (TA) 2.8V, 10V 6ohm a 350mA, 10V 1.4V a 108µA 6,8 nc @ 10 V ± 20V 95 pf @ 25 V - 1.8W (TA)
IRG4PC40UDPBF Infineon Technologies IRG4PC40UDPBF -
RFQ
 ECAD 9586 0,00000000 Tecnologias Infineon - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco To-247-3 Padrão 160 w TO-247AC download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 400 480V, 20A, 10OHM, 15V 42 ns - 600 v 40 a 160 a 2.1V @ 15V, 20A 710µJ (ON), 350µJ (Desligado) 100 nc 54NS/110NS
IKB40N65EF5ATMA1 Infineon Technologies IKB40N65EF5ATMA1 5.0200
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 ECAD 8020 0,00000000 Tecnologias Infineon Trenchstop ™ 5 Tape & Reel (TR) Ativo -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab IKB40N65 Padrão 250 w PG-PARA263-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 1.000 400V, 40A, 15OHM, 15V 83 ns Parada de Campo da Trinceira 650 v 74 a 160 a 2.1V @ 15V, 40A 420µJ (ON), 100µJ (OFF) 95 NC 22ns/160ns
BCV62BE6327HTSA1 Infineon Technologies BCV62BE6327HTSA1 0,4400
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 ECAD 19 0,00000000 Tecnologias Infineon - Tape & Reel (TR) Última Vez compra 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-253-4, TO-253AA BCV62 300mw PG-SOT-143-3D download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.21.0075 3.000 30V 100mA 15na (ICBO) 2 PNP (DUPLO) 650mv @ 5Ma, 100mA 220 @ 2MA, 5V 250MHz
IRF7413PBF Infineon Technologies IRF7413PBF -
RFQ
 ECAD 3364 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tubo Descontinuado no sic -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 8-so download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 95 N-canal 30 v 13A (TA) 4.5V, 10V 11mohm @ 7.3a, 10V 3V A 250µA 79 NC @ 10 V ± 20V 1800 pf @ 25 V - 2.5W (TA)
BSM35GP120BOSA1 Infineon Technologies BSM35GP120BOSA1 -
RFQ
 ECAD 9347 0,00000000 Tecnologias Infineon - Volume Descontinuado no sic 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície Módlo BSM35GP120 230 w - Módlo download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 10 Inversor Trifásico NPT 1200 v 45 a 500 µA Sim 1.5 NF @ 25 V
IPP22N03S4L15AKSA1 Infineon Technologies IPP22N03S4L15AKSA1 -
RFQ
 ECAD 4293 0,00000000 Tecnologias Infineon Optimos ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 Ipp22n MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-PARA220-3-1 download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 500 N-canal 30 v 22a (TC) 4.5V, 10V 14.9mohm @ 22a, 10V 2.2V @ 10µA 14 nc @ 10 V ± 16V 980 pf @ 25 V - 31W (TC)
IRF7103PBF Infineon Technologies IRF7103PBF -
RFQ
 ECAD 9067 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tubo Descontinuado no sic -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) IRF71 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 2W 8-so download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 95 2 canal n (Duplo) 50V 3a 130mohm @ 3a, 10V 3V A 250µA 30NC @ 10V 290pf @ 25V -
BC846SH6327XTSA1 Infineon Technologies BC846SH6327XTSA1 0,4000
RFQ
 ECAD 8910 0,00000000 Tecnologias Infineon - Tape & Reel (TR) Última Vez compra 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 BC846S 250mw PG-SOT363-PO download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.21.0075 3.000 65V 100mA 15na (ICBO) 2 NPN (DUPLO) 600mV @ 5Ma, 100mA 200 @ 2MA, 5V 250MHz
SPD14N06S2-80 Infineon Technologies SPD14N06S2-80 -
RFQ
 ECAD 1611 0,00000000 Tecnologias Infineon Optimos ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 SPD14N MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-PARA252-3-11 download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 2.500 N-canal 55 v 17a (TC) 10V 80mohm @ 7a, 10V 4V @ 14µA 10 nc @ 10 V ± 20V 400 pf @ 25 V - 30W (TC)
IRF7606TRPBF Infineon Technologies IRF7606TRPBF 0,9600
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-TSSOP, 8 msop (0,118 ", 3,00 mm de largura) IRF7606 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) Micro8 ™ download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 4.000 Canal P. 30 v 3.6a (ta) 4.5V, 10V 90mohm @ 2.4a, 10V 1V a 250µA 30 NC a 10 V ± 20V 520 pf @ 25 V - 1.8W (TA)
IPD034N06N3GATMA1 Infineon Technologies IPD034N06N3GATMA1 1.8300
RFQ
 ECAD 6 0,00000000 Tecnologias Infineon Optimos ™ Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 IPD034 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-A252-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 2.500 N-canal 60 v 100a (TC) 10V 3.4mohm @ 100a, 10V 4V @ 93µA 130 nc @ 10 V ± 20V 11000 pf @ 30 V - 167W (TC)
BSP372 E6327 Infineon Technologies BSP372 E6327 -
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 ECAD 4674 0,00000000 Tecnologias Infineon Sipmos® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-261-4, TO-261AA MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-SOT223-4 download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 1.000 N-canal 100 v 1.7a (ta) 5V 310mohm @ 1.7a, 5v 2V @ 1MA ± 14V 520 pf @ 25 V - 1.8W (TA)
IRF9358PBF Infineon Technologies IRF9358pbf -
RFQ
 ECAD 4534 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tubo Descontinuado no sic -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) IRF9358 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 2W 8-so download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 95 2 Canal P (Duplo) 30V 9.2a 16.3mohm @ 9.2a, 10V 2.4V @ 25µA 38NC @ 10V 1740pf @ 25V Portão de Nível Lógico
BFR360FH6765XTSA1 Infineon Technologies BFR360FH6765XTSA1 0,5000
RFQ
 ECAD 7 0,00000000 Tecnologias Infineon - Tape & Reel (TR) Ativo 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície SOT-723 BFR360 210MW PG-TSFP-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.21.0075 3.000 15.5dB 9V 35mA Npn 90 @ 15MA, 3V 14GHz 1db @ 1.8GHz
BSC025N03MSGATMA1 Infineon Technologies BSC025N03MSGATMA1 1.4100
RFQ
 ECAD 7472 0,00000000 Tecnologias Infineon Optimos ™ Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-PowerTdfn BSC025 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) Pg-tdson-8-1 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 5.000 N-canal 30 v 23A (TA). 100a (TC) 4.5V, 10V 2.5mohm @ 30a, 10V 2V A 250µA 98 nc @ 10 V ± 20V 7600 pf @ 15 V - 2.5W (TA), 83W (TC)
IPP80N06S2LH5AKSA2 Infineon Technologies IPP80N06S2LH5AKSA2 -
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 ECAD 5452 0,00000000 Tecnologias Infineon Optimos ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 IPP80N MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-PARA220-3-1 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 500 N-canal 55 v 80a (TC) 4.5V, 10V 5mohm @ 80a, 10V 2V A 250µA 190 nc @ 10 V ± 20V 5000 pf @ 25 V - 300W (TC)
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