SIC
close

Transistores (13833)

Imageem Número do Produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade Dispon Svel Peso (kg) Mfr Série Pacote Status do produto Temperatura operacional Tipo de Montagem Pacote / Caso Número do Produto Base Tipo de Entrada Tecnologia Poder - Máx Entrada Pacote de Dispositivo de Fornecedor Ficha de Dadas Status do rohs Nível de sensibilidade à Umidade (msl) Status de alcance Nomes de Ulros ECCN Htsus PACOTE PADROO Configuraça TIPO DE FET Condição de teste Escorra para um tensão de origem (VDSS) Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C Tensão de conduça (max rds on, min rds on) Rds em (max) @ id, vgs VGS (th) (max) @ id Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS VGs (Máximoo) CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Recurso FET DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) TIPO IGBT Tensão - Colapso do Emissor de Colecionador (Max) Corrente - Coletor (IC) (Max) Corrente - Coletor Pulsa (ICM) Vce (on) (max) @ vge, ic Troca de Energia Carga do Portão TD (Ligado/Desligado) A 25 ° C Corrente - Corte de Colecionador (Max) Termistor NTC CapacitânCia de Entrada (CIES) @ VCE Tipo de transistor Vce saturação (max) @ ib, ic Ganho ATUAL DE CC (HFE) (min) @ IC, VCE Frequencia - Transmissão Resistor - Base (R1)
SIGC121T60NR2CX1SA3 Infineon Technologies SIGC121T60NR2CX1SA3 -
RFQ
 ECAD 4538 0,00000000 Tecnologias Infineon - Volume Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície Morrer SIGC121 Padrão Morrer download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Obsoleto 1 300V, 150A, 1,5OHM, 15V NPT 600 v 150 a 450 a 2.5V @ 15V, 150A - 125ns/225ns
BUZ73LHXKSA1 Infineon Technologies Buz73lHxksa1 -
RFQ
 ECAD 3660 0,00000000 Tecnologias Infineon Sipmos® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-PARA220-3 download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 500 N-canal 200 v 7a (TC) 5V 400mohm @ 3.5a, 5V 2V @ 1MA ± 20V 840 pf @ 25 V - 40W (TC)
IRF540ZS Infineon Technologies IRF540ZS -
RFQ
 ECAD 7899 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab MOSFET (ÓXIDO DE METAL) D2PAK download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado *IRF540ZS Ear99 8541.29.0095 50 N-canal 100 v 36a (TC) 10V 26.5mohm @ 22a, 10V 4V A 250µA 63 nc @ 10 V ± 20V 1770 pf @ 25 V - 92W (TC)
DF600R12IP4DVBOSA1 Infineon Technologies DF600R12IP4DVBOSA1 583.4867
RFQ
 ECAD 3912 0,00000000 Tecnologias Infineon Primepack ™ 2 Bandeja Não é para desenhos para Novos DF600R12 - ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 3
IRG8P75N65UD1PBF Infineon Technologies IRG8P75N65UD1PBF -
RFQ
 ECAD 2351 0,00000000 Tecnologias Infineon - Tubo Obsoleto IRG8P download Não Aplicável Alcançar Não Afetado Obsoleto 0000.00.0000 25
IRF7853PBF Infineon Technologies IRF7853pbf -
RFQ
 ECAD 2408 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tubo Descontinuado no sic -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 8-so download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado SP001566352 Ear99 8541.29.0095 95 N-canal 100 v 8.3a (ta) 10V 18mohm @ 8.3a, 10V 4.9V @ 100µA 39 NC @ 10 V ± 20V 1640 pf @ 25 V - 2.5W (TA)
IRGC50B60PB Infineon Technologies IRGC50B60PB -
RFQ
 ECAD 1472 0,00000000 Tecnologias Infineon - Volume Obsoleto - Montagem na Superfície Morrer Padrão Morrer download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Obsoleto 1 - NPT 600 v 1.65V @ 15V, 10A - -
IPN70R1K4P7SATMA1 Infineon Technologies IPN70R1K4P7SATMA1 0,6900
RFQ
 ECAD 5 0,00000000 Tecnologias Infineon Coolmos ™ P7 Tape & Reel (TR) Ativo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-261-4, TO-261AA IPN70R1 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-SOT223 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 3.000 N-canal 700 v 4a (TC) 10V 1.4OHM @ 700MA, 10V 3.5V @ 40µA 4,7 nc @ 10 V ± 16V 158 pf @ 400 V - 6.2W (TC)
DF16MR12W1M1HFB67BPSA1 Infineon Technologies DF16MR12W1M1HFB67BPSA1 103.5300
RFQ
 ECAD 9529 0,00000000 Tecnologias Infineon Easypack ™, Coolsic ™ Bandeja Ativo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem do chassi DF16MR12 - - - ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 24 2 n-canal 1200V 25a 32.3mohm @ 25a, 18V 5.15V @ 10Ma 74NC @ 18V 2200pf @ 800V -
IRLR2705PBF Infineon Technologies IRLR2705pbf -
RFQ
 ECAD 8713 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tubo Descontinuado no sic -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) D-Pak download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado SP001577018 Ear99 8541.29.0095 75 N-canal 55 v 28a (TC) 4V, 10V 40mohm @ 17a, 10V 2V A 250µA 25 NC @ 5 V ± 16V 880 pf @ 25 V - 68W (TC)
IPA60R600C6XKSA1 Infineon Technologies IPA60R600C6XKSA1 1.1203
RFQ
 ECAD 6754 0,00000000 Tecnologias Infineon Coolmos ™ Tubo Não é para desenhos para Novos -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco Pacote completo parágrafo 220-3 IPA60R600 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-A220-FP download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 500 N-canal 600 v 7.3a (TC) 10V 600mohm @ 2.4a, 10V 3.5V @ 200µA 20,5 nc @ 10 V ± 20V 440 PF @ 100 V - 28W (TC)
BC817K25E6327HTSA1 Infineon Technologies BC817K25E6327HTSA1 0,3700
RFQ
 ECAD 89 0,00000000 Tecnologias Infineon - Tape & Reel (TR) Última Vez compra 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BC817 500 MW PG-SOT23 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.21.0075 3.000 45 v 500 MA 100na (ICBO) Npn 700mv @ 50Ma, 500mA 160 @ 100MA, 1V 170MHz
IRFR7746PBF Infineon Technologies IRFR7746PBF -
RFQ
 ECAD 4518 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tubo Descontinuado no sic -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) D-Pak (TO-252AA) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado SP001576124 Ear99 8541.29.0095 75 N-canal 75 v 56a (TC) 6V, 10V 11.2mohm @ 35a, 10V 3.7V @ 100µA 89 NC @ 10 V ± 20V 3107 PF @ 25 V - 99W (TC)
SIGC121T60NR2CX7SA1 Infineon Technologies SIGC121T60NR2CX7SA1 -
RFQ
 ECAD 2285 0,00000000 Tecnologias Infineon - Volume Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície Morrer SIGC121 Padrão Morrer - ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Obsoleto 1 300V, 150A, 1,5OHM, 15V NPT 600 v 150 a 450 a 2.5V @ 15V, 150A - 125ns/225ns
IKU04N60RBKMA1 Infineon Technologies IKU04N60RBKMA1 -
RFQ
 ECAD 3020 0,00000000 Tecnologias Infineon Trenchstop® Tubo Obsoleto -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco TO-251-3 leva Curtos, Ipak, TO-251AA KU04N Padrão 75 w PG-A251-3 download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 1.500 400V, 4A, 43OHM, 15V 43 ns Trincheira 600 v 8 a 12 a 2.1V @ 15V, 4A 240µJ 27 NC 14ns/146ns
IPDD60R190G7XTMA1 Infineon Technologies IPDD60R190G7XTMA1 3.2900
RFQ
 ECAD 167 0,00000000 Tecnologias Infineon Coolmos ™ G7 Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície Módlo de 10 Pópitos IPDD60 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-HDDDSOP-10-1 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 1.700 N-canal 600 v 13a (TC) 10V 190mohm @ 4.2a, 10V 4V A 210µA 18 NC @ 10 V ± 20V 718 pf @ 400 V - 76W (TC)
FF400R12KT3HOSA1 Infineon Technologies FF400R12KT3HOSA1 260.4400
RFQ
 ECAD 9177 0,00000000 Tecnologias Infineon C Bandeja Não é para desenhos para Novos -40 ° C ~ 125 ° C. Montagem do chassi Módlo FF400R12 2000 w Padrão Módlo download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 10 2 Independente Parada de Campo da Trinceira 1200 v 580 a 2.15V @ 15V, 400A 5 MA Não 28 NF @ 25 V
IRLR7807ZCTRRP Infineon Technologies IRLR7807ZCTRRP -
RFQ
 ECAD 4811 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) D-Pak download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 3.000 N-canal 30 v 43a (TC) 4.5V, 10V 13.8mohm @ 15a, 10V 2,25V a 250µA 11 NC a 4,5 V ± 20V 780 pf @ 15 V - 40W (TC)
SPP47N10 Infineon Technologies Spp47n10 -
RFQ
 ECAD 7807 0,00000000 Tecnologias Infineon Sipmos® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 Spp47n MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-PARA220-3-1 download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado SP000012415 Ear99 8541.29.0095 500 N-canal 100 v 47a (TC) 10V 33mohm @ 33a, 10V 4V @ 2MA 105 nc @ 10 V ± 20V 2500 pf @ 25 V - 175W (TC)
IRL3714ZSTRR Infineon Technologies IRL3714ZSTRR -
RFQ
 ECAD 6280 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab MOSFET (ÓXIDO DE METAL) D2PAK download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 800 N-canal 20 v 36a (TC) 4.5V, 10V 16mohm @ 15a, 10V 2,55V a 250µA 7,2 nc @ 4,5 V ± 20V 550 pf @ 10 V - 35W (TC)
IPD60R600P6 Infineon Technologies IPD60R600P6 -
RFQ
 ECAD 5090 0,00000000 Tecnologias Infineon Coolmos ™ P6 Tape & Reel (TR) Descontinuado no sic -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 IPD60R MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-A252-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 2.500 N-canal 600 v 7.3a (TC) 10V 600mohm @ 2.4a, 10V - 12 nc @ 10 V ± 20V 557 pf @ 100 V - 63W (TC)
IRLU2703PBF Infineon Technologies IRLU2703pbf -
RFQ
 ECAD 8324 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco TO-251-3 leva Curtos, Ipak, TO-251AA MOSFET (ÓXIDO DE METAL) IPAK (TO-251AA) download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 75 N-canal 30 v 23a (TC) 4.5V, 10V 45mohm @ 14a, 10v 1V a 250µA 15 NC a 4,5 V ± 16V 450 pf @ 25 V - 45W (TC)
IPD50R280CEATMA1 Infineon Technologies IPD50R280CEATMA1 -
RFQ
 ECAD 4453 0,00000000 Tecnologias Infineon Coolmos ™ CE Tape & Reel (TR) Descontinuado no sic -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 IPD50R MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-A252-3 download ROHS3 Compatível 3 (168 Horas) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 2.500 N-canal 500 v 13a (TC) 13V 280mohm @ 4.2a, 13V 3,5V A 350µA 32,6 nc @ 10 V ± 20V 773 pf @ 100 V - 119W (TC)
AUIRFR1010Z Infineon Technologies AUIRFR1010Z -
RFQ
 ECAD 4580 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Volume Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) D-Pak (TO-252AA) download Fornecedor indefinido ALCANCE AFETADO 2156-AAUIRFR1010Z-448 Ear99 0000.00.0000 1 N-canal 55 v 42a (TC) 7.5mohm @ 42a, 10V 4V @ 100µA 95 NC @ 10 V 2840 pf @ 25 V - 140W (TC)
BSC900N20NS3GATMA1 Infineon Technologies BSC900N20NS3GATMA1 2.0600
RFQ
 ECAD 4721 0,00000000 Tecnologias Infineon Optimos ™ Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-PowerTdfn BSC900 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) Pg-tdson-8-5 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 5.000 N-canal 200 v 15.2a (TC) 10V 90mohm @ 7.6a, 10V 4V @ 30µA 11,6 nc @ 10 V ± 20V 920 pf @ 100 V - 62.5W (TC)
F3L150R07W2E3B11BOMA1 Infineon Technologies F3L150R07W2E3B11BOMA1 92.2100
RFQ
 ECAD 6 0,00000000 Tecnologias Infineon Easypack ™ Bandeja Ativo -40 ° C ~ 150 ° C. Montagem do chassi Módlo F3L150 335 w Padrão Módlo download ROHS3 Compatível Não Aplicável Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 15 Inversor Trifásico Parada de Campo da Trinceira 650 v 150 a 1.9V @ 15V, 150A 1 MA Sim 9.3 NF @ 25 V
IPB021N06N3GATMA1 Infineon Technologies IPB021N06N3GATMA1 -
RFQ
 ECAD 9226 0,00000000 Tecnologias Infineon Optimos ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab IPB021N MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-PARA263-3 download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 1.000 N-canal 60 v 120A (TC) 10V 2.1mohm @ 100a, 10V 4V @ 196µA 275 NC @ 10 V ± 20V 23000 pf @ 30 V - 250W (TC)
IPD90P03P404ATMA1 Infineon Technologies IPD90P03P404ATMA1 1.2576
RFQ
 ECAD 5894 0,00000000 Tecnologias Infineon Optimos ™ Tape & Reel (TR) Não é para desenhos para Novos -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 IPD90 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-PARA252-3-11 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 2.500 Canal P. 30 v 90A (TC) 10V 4.5mohm @ 90a, 10V 4V @ 253µA 130 nc @ 10 V ± 20V 10300 pf @ 25 V - 137W (TC)
BCR 129L3 E6327 Infineon Technologies BCR 129L3 E6327 -
RFQ
 ECAD 9483 0,00000000 Tecnologias Infineon - Tape & Reel (TR) Descontinuado no sic Montagem na Superfície SC-101, SOT-883 BCR 129 250 MW PG-TSLP-3-4 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.21.0075 15.000 50 v 100 ma 100na (ICBO) Npn - pré -tendencioso 300mv @ 500µA, 10MA 120 @ 5MA, 5V 150 MHz 10 Kohms
IPF09N03LA Infineon Technologies IPF09N03LA -
RFQ
 ECAD 3633 0,00000000 Tecnologias Infineon Optimos ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 IPF09N MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-PARA252-3-23 download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 2.500 N-canal 25 v 50a (TC) 4.5V, 10V 8.6mohm @ 30a, 10V 2V @ 20µA 13 NC @ 5 V ± 20V 1642 pf @ 15 V - 63W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume médio diário de RFQ

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Unidade de produto padrão

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes em todo o mundo

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Armazém em estoque

Lista de RFQ (0 itens)
Lista de carrinhos (0 itens)
WishlistLista de desejos (0 itens)
SIC
AD9208BBPZ-3000

Pad exposto de 196-LFBGA

Quantidade: 1

Lista de comparação (0 itens)
Bata Enter para pesquisar ou ESC para fechar