SIC
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Imagem Número do produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade disponível Peso (Kg) Fabricante Série Pacote Estado do produto Tensão - Nominal Temperatura operacional Tipo de montagem Pacote/Caixa Número básico do produto Tipo de entrada Frequência Tecnologia Potência - Máx. Entrada Pacote de dispositivos do fornecedor Ficha de dados Estado RoHS Nível de sensibilidade à umidade (MSL) Estado do REACH Outros nomes ECCN HTSU Pacote Padrão Configuração Tipo FET Classificação atual (amperes) Condição de teste Atual - Teste Potência - Saída Ganho Dreno para Tensão de Fonte (Vdss) Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado) Rds ativadas (máx.) @ ID, Vgs Vgs(th) (máx.) @ ID Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs Vgs (máx.) Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds Recurso FET Dissipação de energia (máx.) Figura de ruído Tempo de recuperação reversa (trr) Tipo IGBT Tensão - Quebra do Emissor do Coletor (Máx.) Atual - Coletor (Ic) (Máx.) Corrente - Coletor Pulsado (Icm) Vce(ligado) (Máx.) @ Vge, Ic Trocando Energia Taxa de portão Td (ligado/desligado) @ 25°C Tensão - Teste Atual - Corte do Coletor (Máx.) Termistor NTC Tipo de transistor Saturação Vce (Máx.) @ Ib, Ic Ganho de corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce Frequência - Transição
IPI037N06L3GHKSA1 Infineon Technologies IPI037N06L3GHKSA1 -
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ECAD 9773 0,00000000 Tecnologias Infineon OptiMOS™ Tubo Obsoleto -55°C ~ 175°C (TJ) Através do furo TO-262-3 Cabos Longos, I²Pak, TO-262AA IPI037N MOSFET (óxido metálico) PG-TO262-3 download 1 (ilimitado) REACH não afetado EAR99 8541.29.0095 500 Canal N 60 V 90A (Tc) 10V 3,7mOhm a 90A, 10V 2,2 V a 93 µA 79 nC @ 4,5 V ±20V 13.000 pF a 30 V - 167W (Tc)
IRFR220NTRR Infineon Technologies IRFR220NTRR -
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ECAD 5433 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Fita e Carretel (TR) Obsoleto -55°C ~ 175°C (TJ) Montagem em superfície TO-252-3, DPak (2 derivações + guia), SC-63 IRFR220 MOSFET (óxido metálico) D-Pak download RoHS não compatível 1 (ilimitado) REACH não afetado EAR99 8541.29.0095 3.000 Canal N 200 V 5A (Tc) 10V 600mOhm @ 2,9A, 10V 4 V a 250 µA 23 nC @ 10 V ±20V 300 pF a 25 V - 43W (Tc)
IRFH7185TRPBF Infineon Technologies IRFH7185TRPBF -
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ECAD 4201 0,00000000 Tecnologias Infineon FASTIRFET™, HEXFET® Fita e Carretel (TR) Obsoleto -55°C ~ 150°C (TJ) Montagem em superfície 8-PowerTDFN IRFH7185 MOSFET (óxido metálico) 8-PQFN (5x6) download 1 (ilimitado) REACH não afetado EAR99 8541.29.0095 4.000 Canal N 100 V 19A (Ta) 10V 5,2mOhm a 50A, 10V 3,6 V a 150 µA 54 nC @ 10 V ±20V 2320 pF a 50 V - 3,6 W (Ta), 160 W (Tc)
IRFS4610PBF Infineon Technologies IRFS4610PBF -
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ECAD 2252 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tubo Obsoleto -55°C ~ 175°C (TJ) Montagem em superfície TO-263-3, D²Pak (2 derivações + guia), TO-263AB MOSFET (óxido metálico) D2PAK download 1 (ilimitado) REACH não afetado EAR99 8541.29.0095 50 Canal N 100 V 73A (Tc) 10V 14mOhm @ 44A, 10V 4 V a 100 µA 140 nC @ 10 V ±20V 3550 pF a 50 V - 190W (Tc)
IPP08CNE8N G Infineon Technologies IPP08CNE8N G -
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ECAD 5788 0,00000000 Tecnologias Infineon OptiMOS™ Tubo Obsoleto -55°C ~ 175°C (TJ) Através do furo PARA-220-3 IPP08C MOSFET (óxido metálico) PG-TO220-3 download 3 (168 horas) REACH não afetado EAR99 8541.29.0095 500 Canal N 85V 95A (Tc) 10V 6,4mOhm a 95A, 10V 4 V a 130 µA 99 nC @ 10 V ±20V 6690 pF a 40 V - 167W (Tc)
IRL3202PBF Infineon Technologies IRL3202PBF -
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ECAD 3653 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tubo Obsoleto -55°C ~ 150°C (TJ) Através do furo PARA-220-3 MOSFET (óxido metálico) PARA-220AB download 1 (ilimitado) REACH não afetado EAR99 8541.29.0095 50 Canal N 20 V 48A (Tc) 4,5V, 7V 16mOhm @ 29A, 7V 700mV a 250µA (mín.) 43 nC @ 4,5 V ±10V 2.000 pF a 15 V - 69W (Tc)
IRLR024NTRLPBF Infineon Technologies IRLR024NTRLPBF 1.0000
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ECAD 5821 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Fita e Carretel (TR) Não para novos designs -55°C ~ 175°C (TJ) Montagem em superfície TO-252-3, DPak (2 derivações + guia), SC-63 IRLR024 MOSFET (óxido metálico) D-Pak download Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) REACH não afetado EAR99 8541.29.0095 3.000 Canal N 55 V 17A (Tc) 4V, 10V 65mOhm @ 10A, 10V 2V @ 250µA 15 nC @ 5 V ±16V 480 pF a 25 V - 45W (Tc)
IRFU3410 Infineon Technologies IRFU3410 -
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ECAD 5022 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tubo Obsoleto -55°C ~ 175°C (TJ) Através do furo TO-251-3 Cabos Curtos, IPak, TO-251AA MOSFET (óxido metálico) IPAK (TO-251AA) download RoHS não compatível 1 (ilimitado) REACH não afetado EAR99 8541.29.0095 75 Canal N 100 V 31A (Tc) 10V 39mOhm @ 18A, 10V 4 V a 250 µA 56 nC @ 10 V ±20V 1690 pF a 25 V - 3W (Ta), 110W (Tc)
IPP80N06S407AKSA2 Infineon Technologies IPP80N06S407AKSA2 -
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ECAD 1223 0,00000000 Tecnologias Infineon Automotivo, AEC-Q101, OptiMOS™ Tubo Obsoleto -55°C ~ 175°C (TJ) Através do furo PARA-220-3 IPP80N06 MOSFET (óxido metálico) PG-TO220-3-1 download Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) REACH não afetado EAR99 8541.29.0095 500 Canal N 60 V 80A (Tc) 10V 7,4mOhm a 80A, 10V 4V @ 40µA 56 nC @ 10 V ±20V 4500 pF a 25 V - 79W (Tc)
IPD042P03L3GATMA1 Infineon Technologies IPD042P03L3GATMA1 2.1300
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ECAD 19 0,00000000 Tecnologias Infineon OptiMOS™ Fita e Carretel (TR) Ativo -55°C ~ 175°C (TJ) Montagem em superfície TO-252-3, DPak (2 derivações + guia), SC-63 IPD042 MOSFET (óxido metálico) PG-TO252-3 download Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) REACH não afetado EAR99 8541.29.0095 2.500 Canal P 30 V 70A (Tc) 4,5V, 10V 4,2mOhm a 70A, 10V 2V @ 270µA 175 nC @ 10 V ±20V 12.400 pF a 15 V - 150W (Tc)
AUIRFB3806 Infineon Technologies AUIRFB3806 -
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ECAD 6780 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tubo Obsoleto -55°C ~ 175°C (TJ) Através do furo PARA-220-3 MOSFET (óxido metálico) PARA-220AB download 1 (ilimitado) REACH não afetado EAR99 8541.29.0095 1.000 Canal N 60 V 43A (Tc) 10V 15,8mOhm a 25A, 10V 4V @ 50µA 30 nC @ 10 V ±20V 1150 pF a 50 V - 71W (Tc)
BSL205NL6327HTSA1 Infineon Technologies BSL205NL6327HTSA1 -
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ECAD 7332 0,00000000 Tecnologias Infineon OptiMOS™ Fita e Carretel (TR) Obsoleto -55°C ~ 150°C (TJ) Montagem em superfície SOT-23-6 Fino, TSOT-23-6 BSL205 MOSFET (óxido metálico) 500mW PG-TSOP6-6 download 1 (ilimitado) REACH não afetado EAR99 8541.21.0095 3.000 2 canais N (duplo) 20V 2,5A 50 mOhm @ 2,5 A, 4,5 V 1,2 V a 11 µA 3,2nC a 4,5V 419pF a 10V Portão de nível lógico
IRF3710ZSPBF Infineon Technologies IRF3710ZSPBF -
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ECAD 4856 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tubo Descontinuado na SIC -55°C ~ 175°C (TJ) Montagem em superfície TO-263-3, D²Pak (2 derivações + guia), TO-263AB MOSFET (óxido metálico) D2PAK download Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) REACH não afetado EAR99 8541.29.0095 50 Canal N 100 V 59A (Tc) 10V 18mOhm a 35A, 10V 4 V a 250 µA 120 nC @ 10 V ±20V 2.900 pF a 25 V - 160W (Tc)
IRLZ44ZS Infineon Technologies IRLZ44ZS -
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ECAD 4375 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tubo Obsoleto -55°C ~ 175°C (TJ) Montagem em superfície TO-263-3, D²Pak (2 derivações + guia), TO-263AB MOSFET (óxido metálico) D2PAK download RoHS não compatível 1 (ilimitado) REACH não afetado *IRLZ44ZS EAR99 8541.29.0095 50 Canal N 55 V 51A (Tc) 4,5V, 10V 13,5mOhm a 31A, 10V 3 V a 250 µA 36 nC @ 5 V ±16V 1620 pF a 25 V - 80W (Tc)
BSC091N03MSCGATMA1 Infineon Technologies BSC091N03MSCGATMA1 0,2700
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ECAD 24 0,00000000 Tecnologias Infineon SIPMOS® Volume Ativo -55°C ~ 150°C (TJ) Montagem em superfície 8-PowerTDFN MOSFET (óxido metálico) PG-TDSON-8-6 download EAR99 8541.29.0095 1 Canal N 30 V 12A (Ta), 44A (Tc) 4,5V, 10V 9,1mOhm a 30A, 10V 2V @ 250µA 20 nC @ 10 V ±20V 1500 pF a 15 V - 2,5W (Ta), 28W (Tc)
BSL215PL6327HTSA1 Infineon Technologies BSL215PL6327HTSA1 -
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ECAD 2887 0,00000000 Tecnologias Infineon OptiMOS™ Fita e Carretel (TR) Obsoleto -55°C ~ 150°C (TJ) Montagem em superfície SOT-23-6 Fino, TSOT-23-6 BSL215 MOSFET (óxido metálico) 500mW PG-TSOP6-6 download 1 (ilimitado) REACH não afetado EAR99 8541.21.0095 3.000 2 canais P (duplo) 20V 1,5A 150mOhm a 1,5A, 4,5V 1,2 V a 11 µA 3,55nC a 4,5V 346pF a 15V Portão de nível lógico
PTFA191001EV4R250XTMA1 Infineon Technologies PTFA191001EV4R250XTMA1 -
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ECAD 4687 0,00000000 Tecnologias Infineon - Fita e Carretel (TR) Obsoleto 65V Montagem em superfície 2-Flatpack, Fin Leads PTFA191001 1,96GHz LDMOS H-36248-2 download 1 (ilimitado) REACH não afetado EAR99 8541.29.0095 250 10µA 900 mA 44dBm 17dB - 30 V
IRLR014NTR Infineon Technologies IRLR014NTR -
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ECAD 4360 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Fita e Carretel (TR) Obsoleto -55°C ~ 175°C (TJ) Montagem em superfície TO-252-3, DPak (2 derivações + guia), SC-63 MOSFET (óxido metálico) D-Pak download RoHS não compatível 1 (ilimitado) REACH não afetado EAR99 8541.29.0095 2.000 Canal N 55 V 10A (Tc) 4,5V, 10V 140mOhm @ 6A, 10V 1V @ 250µA 7,9 nC a 5 V ±16V 265 pF a 25 V - 28W (Tc)
IPTG029N13NM6ATMA1 Infineon Technologies IPTG029N13NM6ATMA1 3.3296
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ECAD 4620 0,00000000 Tecnologias Infineon * Fita e Carretel (TR) Ativo - Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) REACH não afetado 448-IPTG029N13NM6ATMA1TR 1.800
FP75R12N2T4BOSA1 Infineon Technologies FP75R12N2T4BOSA1 188.0800
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ECAD 9 0,00000000 Tecnologias Infineon EconoPIM™2 Bandeja Descontinuado na SIC - - - FP75R12 - - - Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) REACH não afetado EAR99 8541.29.0095 10 - - -
IPL60R285P7AUMA1 Infineon Technologies IPL60R285P7AUMA1 3.0200
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ECAD 9416 0,00000000 Tecnologias Infineon CoolMOS™ P7 Fita e Carretel (TR) Ativo -40°C ~ 150°C (TJ) Montagem em superfície 4-PowerTSFN IPL60R285 MOSFET (óxido metálico) PG-VSON-4 download Compatível com ROHS3 3 (168 horas) REACH não afetado EAR99 8541.29.0095 3.000 Canal N 600 V 13A (Tc) 10V 285mOhm @ 3,8A, 10V 4 V a 190 µA 18 nC @ 10 V ±20V 761 pF a 400 V - 59W (Tc)
ICA37V01X1SA1 Infineon Technologies ICA37V01X1SA1 -
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ECAD 6347 0,00000000 Tecnologias Infineon * Volume Obsoleto download 1 (ilimitado) REACH não afetado SP001346206 OBSOLETO 0000.00.0000 1
IPP47N10SL26AKSA1 Infineon Technologies IPP47N10SL26AKSA1 -
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ECAD 9339 0,00000000 Tecnologias Infineon SIPMOS® Tubo Obsoleto -55°C ~ 175°C (TJ) Através do furo PARA-220-3 IPP47N MOSFET (óxido metálico) PG-TO220-3-1 download 1 (ilimitado) REACH não afetado EAR99 8541.29.0095 500 Canal N 100 V 47A (Tc) 4,5V, 10V 26mOhm @ 33A, 10V 2V @ 2mA 135 nC @ 10 V ±20V 2500 pF a 25 V - 175W (Tc)
FS820R08A6P2LBBPSA1 Infineon Technologies FS820R08A6P2LBBPSA1 693.0000
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ECAD 3 0,00000000 Tecnologias Infineon HybridPACK™ Bandeja Ativo 175°C (TJ) Montagem em chassi Módulo FS820R08 padrão Módulo download Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) REACH não afetado EAR99 8541.29.0095 6 Inversor Trifásico Parada de campo de trincheira 820A - Não
IRF7304PBF Infineon Technologies IRF7304PBF -
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ECAD 3122 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tubo Descontinuado na SIC -55°C ~ 150°C (TJ) Montagem em superfície 8-SOIC (0,154", 3,90 mm de largura) IRF73 MOSFET (óxido metálico) 2W 8-SO download Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) REACH não afetado SP001561936 EAR99 8541.29.0095 95 2 canais P (duplo) 20V 4.3A 90mOhm @ 2,2A, 4,5V 700mV @ 250µA 22nC a 4,5V 610pF a 15V Portão de nível lógico
IRFZ48ZS Infineon Technologies IRFZ48ZS -
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ECAD 1603 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tubo Obsoleto -55°C ~ 175°C (TJ) Montagem em superfície TO-263-3, D²Pak (2 derivações + guia), TO-263AB MOSFET (óxido metálico) D2PAK download RoHS não compatível 1 (ilimitado) REACH não afetado *IRFZ48ZS EAR99 8541.29.0095 50 Canal N 55 V 61A (Tc) 10V 11mOhm a 37A, 10V 4 V a 250 µA 64 nC @ 10 V ±20V 1720 pF a 25 V - 91W (Tc)
IRLZ44NL Infineon Technologies IRLZ44NL -
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ECAD 9966 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tubo Obsoleto -55°C ~ 175°C (TJ) Através do furo TO-262-3 Cabos Longos, I²Pak, TO-262AA MOSFET (óxido metálico) PARA-262 download RoHS não compatível 1 (ilimitado) REACH não afetado *IRLZ44NL EAR99 8541.29.0095 50 Canal N 55 V 47A (Tc) 4V, 10V 22mOhm @ 25A, 10V 2V @ 250µA 48 nC @ 5 V ±16V 1700 pF a 25 V - 3,8 W (Ta), 110 W (Tc)
IRGR4607DTRLPBF Infineon Technologies IRGR4607DTRLPBF -
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ECAD 5889 0,00000000 Tecnologias Infineon - Fita e Carretel (TR) Obsoleto -40°C ~ 175°C (TJ) Montagem em superfície TO-252-3, DPak (2 derivações + guia), SC-63 padrão 58 W D-Pak download 1 (ilimitado) REACH não afetado SP001549718 EAR99 8541.29.0095 3.000 400V, 4A, 100Ohm, 15V 48 ns - 600 V 11A 12A 2,05V a 15V, 4A 140 µJ (ligado), 62 µJ (desligado) 9nC 27ns/120ns
BC 807-25 E6433 Infineon Technologies 807-25 CA E6433 -
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ECAD 8373 0,00000000 Tecnologias Infineon - Fita e Carretel (TR) Obsoleto 150°C (TJ) Montagem em superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 807 aC 330 mW PG-SOT23 download 1 (ilimitado) REACH não afetado EAR99 8541.21.0075 10.000 45V 500 mA 100nA (ICBO) PNP 700mV a 50mA, 500mA 160 @ 100mA, 1V 200MHz
IRLML2803TR Infineon Technologies IRLML2803TR -
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ECAD 8686 0,00000000 Tecnologias Infineon - Fita Cortada (CT) Obsoleto Montagem em superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (óxido metálico) Micro3™/SOT-23 download RoHS não compatível 1 (ilimitado) REACH não afetado EAR99 8541.29.0095 3.000 Canal N 30 V 1,2A (Ta) 250mOhm @ 910mA, 10V 1V @ 250µA 5 nC @ 10 V 85 pF a 25 V -
  • Daily average RFQ Volume

    Mais de 2.000

    Volume médio diário de RFQ

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Unidade de produto padrão

  • Worldwide Manufacturers

    2.800+

    Fabricantes mundiais

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Armazém em estoque