SIC
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Imageem Número do Produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade Dispon Svel Peso (kg) Mfr Série Pacote Status do produto Tensão - Classificada Temperatura operacional Tipo de Montagem Pacote / Caso Número do Produto Base Tipo de Entrada Freqüência Tecnologia Poder - Máx Entrada Pacote de Dispositivo de Fornecedor Ficha de Dadas Status do rohs Nível de sensibilidade à Umidade (msl) Status de alcance Nomes de Ulros ECCN Htsus PACOTE PADROO Configuraça TIPO DE FET Classificação ATUAL (Amplificadorores) Condição de teste ATUAL - TESTE POTÊNCIA - SAÍDA Ganho Escorra para um tensão de origem (VDSS) Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C Tensão de conduça (max rds on, min rds on) Rds em (max) @ id, vgs VGS (th) (max) @ id Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS VGs (Máximoo) CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Recurso FET DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) Figura de Ruído Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) TIPO IGBT Tensão - Colapso do Emissor de Colecionador (Max) Corrente - Coletor (IC) (Max) Corrente - Coletor Pulsa (ICM) Vce (on) (max) @ vge, ic Troca de Energia Carga do Portão TD (Ligado/Desligado) A 25 ° C Tensão - Teste Corrente - Corte de Colecionador (Max) Termistor NTC CapacitânCia de Entrada (CIES) @ VCE Tipo de transistor Vce saturação (max) @ ib, ic Ganho ATUAL DE CC (HFE) (min) @ IC, VCE Frequencia - Transmissão Resistor - Base (R1) Resistor - Base de Emissor (R2)
IRF7306TR Infineon Technologies IRF7306TR -
RFQ
ECAD 2490 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem NA Superfície 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) IRF73 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 2W 8-so download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado SP001551228 Ear99 8541.29.0095 4.000 2 Canal P (Duplo) 30V 3.6a 100mohm @ 1.8a, 10V 1V a 250µA 25NC @ 10V 440pf @ 25V Portão de Nível Lógico
IRFR120NCTRLPBF Infineon Technologies IRFR120NCTRLPBF -
RFQ
ECAD 1553 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem NA Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) D-Pak download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 3.000 N-canal 100 v 9.4a (ta) 10V 210mohm @ 5.6a, 10V 4V A 250µA 25 nc @ 10 V ± 20V 330 pf @ 25 V - 48W (TC)
AUIRFR540ZTRL Infineon Technologies AUIRFR540ZTRL 2.8700
RFQ
ECAD 651 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem NA Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 AUIRFR540 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) DPAK download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 3.000 N-canal 100 v 35a (TC) 10V 28.5mohm @ 21a, 10V 4V @ 50µA 59 NC @ 10 V ± 20V 1690 pf @ 25 V - 91W (TC)
IRF7607TRPBF Infineon Technologies IRF7607TRPBF -
RFQ
ECAD 6153 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem NA Superfície 8-TSSOP, 8 msop (0,118 ", 3,00 mm de largura) IRF7607 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) Micro8 ™ download ROHS3 Compatível 2 (1 Ano) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 4.000 N-canal 20 v 6.5a (ta) 2.5V, 4.5V 30mohm @ 6.5a, 4.5V 1.2V a 250µA 22 NC @ 5 V ± 12V 1310 pf @ 15 V - 1.8W (TA)
IRGC10B60KB Infineon Technologies IRGC10B60KB -
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ECAD 9725 0,00000000 Tecnologias Infineon - Volume Obsoleto - Montagem NA Superfície Morrer Padrão Morrer download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Obsoleto 1 - NPT 600 v 10 a 1.3V @ 15V, 2A - -
IRF7379TR Infineon Technologies IRF7379TR -
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ECAD 8800 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem NA Superfície 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) IRF737 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 2.5W 8-so download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 4.000 N E P-Canal 30V 5.8a, 4.3a 45mohm @ 5.8a, 10V 1V a 250µA 25NC @ 10V 520pf @ 25V -
PTFA261301F V1 Infineon Technologies PTFA261301F V1 -
RFQ
ECAD 6289 0,00000000 Tecnologias Infineon Goldmos® Bandeja Obsoleto 65 v Montagem NA Superfície 2-flatpack, Lidera de Barraca, Flangeada 2,68 GHz LDMOS H-31260-2 download 3 (168 Horas) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 1 10µA 1.4 a 130W 13.5dB - 28 v
IRFS7787PBF Infineon Technologies IRFS7787pbf -
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ECAD 1883 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tubo Descontinuado no sic -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem NA Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab MOSFET (ÓXIDO DE METAL) D²PAK (TO-263AB) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 50 N-canal 75 v 76a (TC) 6V, 10V 8.4mohm @ 46a, 10V 3.7V @ 100µA 109 NC @ 10 V ± 20V 4020 pf @ 25 V - 125W (TC)
IRG4BC40UPBF Infineon Technologies IRG4BC40UPBF -
RFQ
ECAD 8163 0,00000000 Tecnologias Infineon - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 IRG4BC40 Padrão 160 w TO-220AB download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 1.000 480V, 20A, 10OHM, 15V - 600 v 40 a 160 a 2.1V @ 15V, 20A 320µJ (ON), 350µJ (Off) 100 nc 34ns/110ns
IKW30N65H5XKSA1 Infineon Technologies IKW30N65H5XKSA1 5.1100
RFQ
ECAD 83 0,00000000 Tecnologias Infineon Trenchstop ™ Tubo Ativo -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco To-247-3 IKW30N65 Padrão 188 w PG-A247-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 30 400V, 15A, 23OHM, 15V 70 ns Trincheira 650 v 55 a 90 a 2.1V @ 15V, 30A 280µJ (ON), 100µJ (OFF) 70 NC 20ns/190ns
94-2436 Infineon Technologies 94-2436 -
RFQ
ECAD 5890 0,00000000 Tecnologias Infineon - Tubo Ativo - ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 0000.00.0000 1 -
IRFB5615PBFXKMA1 Infineon Technologies IRFB5615PBFXKMA1 -
RFQ
ECAD 5367 0,00000000 Tecnologias Infineon - Tubo Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-220AB - ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 448-IRFB5615PBFXKMA1 Ear99 8541.29.0095 1 N-canal 150 v 35a (TC) 10V 39mohm @ 21a, 10V 5V @ 100µA 40 nc @ 10 V ± 20V 1750 PF @ 50 V - 144W (TC)
IPS09N03LA G Infineon Technologies Ips09n03la g -
RFQ
ECAD 6451 0,00000000 Tecnologias Infineon Optimos ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco TO-251-3 Leads de Stub, Ipak IPS09N MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-PARA251-3-11 download 3 (168 Horas) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 1.500 N-canal 25 v 50a (TC) 4.5V, 10V 8.8mohm @ 30a, 10V 2V @ 20µA 13 NC @ 5 V ± 20V 1642 pf @ 15 V - 63W (TC)
IPP80N06S208AKSA2 Infineon Technologies IPP80N06S208AKSA2 -
RFQ
ECAD 9147 0,00000000 Tecnologias Infineon Optimos ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 IPP80N06 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-PARA220-3-1 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 500 N-canal 55 v 80a (TC) 10V 8mohm @ 58a, 10V 4V A 150µA 96 nc @ 10 V ± 20V 2860 pf @ 25 V - 215W (TC)
SGP20N60XKSA1 Infineon Technologies SGP20N60XKSA1 -
RFQ
ECAD 8646 0,00000000 Tecnologias Infineon - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 SGP20N Padrão 179 w PG-PARA220-3-1 download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 500 400V, 20A, 16OHM, 15V NPT 600 v 40 a 80 a 2.4V @ 15V, 20A 440µJ (ON), 330µJ (Off) 100 nc 36ns/225ns
FF450R12KT4PHOSA1 Infineon Technologies FF450R12KT4PHOSA1 264.3550
RFQ
ECAD 7292 0,00000000 Tecnologias Infineon C Bandeja Ativo -40 ° C ~ 150 ° C. Montagem do chassi Módlo FF450R12 Padrão Módlo download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 8 Meia Ponte Parada de Campo da Trinceira 1200 v 450 a 2.15V @ 15V, 450A 5 MA Não 28 NF @ 25 V
IRFH5302DTR2PBF Infineon Technologies IRFH5302DTR2PBF -
RFQ
ECAD 3611 0,00000000 Tecnologias Infineon - Fita de Corte (CT) Obsoleto Montagem NA Superfície 8-powervdfn MOSFET (ÓXIDO DE METAL) Pqfn (5x6) dado único download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 400 N-canal 30 v 29a (ta), 100a (tc) 2.5mohm @ 50a, 10V 2.35V @ 100µA 55 nc @ 10 V 3635 pf @ 25 V -
BUZ73L Infineon Technologies Buz73l -
RFQ
ECAD 2486 0,00000000 Tecnologias Infineon Sipmos® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-PARA220-3 download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 500 N-canal 200 v 7a (TC) 5V 400mohm @ 3.5a, 5V 2V @ 1MA ± 20V 840 pf @ 25 V - 40W (TC)
IPT039N15N5XTMA1 Infineon Technologies IPT039N15N5XTMA1 -
RFQ
ECAD 5212 0,00000000 Tecnologias Infineon Optimos ™ Tape & Reel (TR) Descontinuado no sic -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem NA Superfície 8-POWERSFN IPT039N MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-HSOF-8 - Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 2.000 N-canal 150 v 190a (TC) 8V, 10V 3.9mohm @ 50a, 10V 4.6V @ 257µA 98 nc @ 10 V ± 20V 7700 pf @ 75 V - 319W (TC)
BSC007N04LS6ATMA1 Infineon Technologies BSC007N04LS6ATMA1 3.3700
RFQ
ECAD 1 0,00000000 Tecnologias Infineon Optimos ™ Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem NA Superfície 8-PowerTdfn BSC007 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) Pg-tdson-8-6 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 5.000 N-canal 40 v 381a (TC) 4.5V, 10V 0,7mohm @ 50a, 10V 2.3V A 250µA 94 NC @ 4,5 V ± 20V 8400 pf @ 20 V - 188W
BC847BE6433HTMA1 Infineon Technologies BC847BE6433HTMA1 0,0418
RFQ
ECAD 5482 0,00000000 Tecnologias Infineon - Tape & Reel (TR) Última Vez compra 150 ° C (TJ) Montagem NA Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BC847 330 MW PG-SOT23 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.21.0075 10.000 45 v 100 ma 15na (ICBO) Npn 600mV @ 5Ma, 100mA 200 @ 2MA, 5V 250MHz
BC849CE6327HTSA1 Infineon Technologies BC849CE6327HTSA1 0,0418
RFQ
ECAD 2427 0,00000000 Tecnologias Infineon - Tape & Reel (TR) Última Vez compra 150 ° C (TJ) Montagem NA Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BC849 330 MW PG-SOT23 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.21.0075 3.000 30 v 100 ma 15na (ICBO) Npn 600mV @ 5Ma, 100mA 420 @ 2MA, 5V 250MHz
IRLB3813PBF Infineon Technologies IRLB3813PBF 1.8700
RFQ
ECAD 6 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tubo Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 IRLB3813 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-220AB download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 50 N-canal 30 v 260a (TC) 4.5V, 10V 1,95mohm @ 60a, 10V 2,35V a 150µA 86 nc @ 4,5 V ± 20V 8420 pf @ 15 V - 230W (TC)
IPI90N06S404AKSA2 Infineon Technologies IPI90N06S404AKSA2 -
RFQ
ECAD 8299 0,00000000 Tecnologias Infineon Automotivo, AEC-Q101, Optimos ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco TO-262-3 Leitos Longos, i²pak, TO-262AA IPI90N MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-PARA262-3-1 download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 500 N-canal 60 v 90A (TC) 10V 4mohm @ 90a, 10V 4V A 90µA 128 nc @ 10 V ± 20V 10400 pf @ 25 V - 150W (TC)
IRF6702M2DTR1PBF Infineon Technologies IRF6702M2DTR1PBF -
RFQ
ECAD 9694 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem NA Superfície DirectFET ™ ISOMETRIC MA IRF6702 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 2.7W DirectFet ™ MA download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 1.000 2 canal n (Duplo) 30V 15a 6.6mohm @ 15a, 10V 2.35V @ 25µA 14NC @ 4.5V 1380pf @ 15V Portão de Nível Lógico
BSC016N06NSATMA1 Infineon Technologies BSC016N06NSATMA1 2.7600
RFQ
ECAD 1 0,00000000 Tecnologias Infineon Optimos ™ Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem NA Superfície 8-PowerTdfn BSC016 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) Pg-tdson-8 fl download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 5.000 N-canal 60 v 30a (ta), 100a (tc) 6V, 10V 1.6mohm @ 50a, 10V 2,8V a 95µA 71 nc @ 10 V ± 20V 5200 pf @ 30 V - 2.5W (TA), 139W (TC)
IRF7316GTRPBF Infineon Technologies IRF7316GTRPBF 0,6700
RFQ
ECAD 2 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem NA Superfície 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) IRF731 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 2W 8-so download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 4.000 2 Canal P (Duplo) 30V 4.9a 58mohm @ 4.9a, 10V 1V a 250µA 34NC @ 10V 710pf @ 25V Portão de Nível Lógico
IRF9321PBF Infineon Technologies IRF9321pbf -
RFQ
ECAD 8428 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tubo Descontinuado no sic -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem NA Superfície 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 8-so download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado SP001551656 Ear99 8541.29.0095 95 Canal P. 30 v 15a (ta) 4.5V, 10V 7.2mohm @ 15a, 10V 2.4V @ 50µA 98 nc @ 10 V ± 20V 2590 pf @ 25 V - 2.5W (TA)
IRFS7762PBF Infineon Technologies IRFS7762pbf -
RFQ
ECAD 5475 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tubo Descontinuado no sic -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem NA Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab MOSFET (ÓXIDO DE METAL) D²PAK (TO-263AB) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 50 N-canal 75 v 85a (TC) 6V, 10V 6.7mohm @ 51a, 10V 3.7V @ 100µA 130 nc @ 10 V ± 20V 4440 PF @ 25 V - 140W (TC)
BCR 135T E6327 Infineon Technologies BCR 135T E6327 -
RFQ
ECAD 9142 0,00000000 Tecnologias Infineon - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montagem NA Superfície SC-75, SOT-416 BCR 135 250 MW PG-SC-75 download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.21.0075 3.000 50 v 100 ma 100na (ICBO) Npn - pré -tendencioso 300mv @ 500µA, 10MA 70 @ 5MA, 5V 150 MHz 10 Kohms 47 Kohms
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume médio diário de RFQ

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Unidade de produto padrão

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes em todo o mundo

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Armazém em estoque