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| Imagem | Número do produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade disponível | Peso (Kg) | Fabricante | Série | Pacote | Estado do produto | Tensão - Nominal | Temperatura operacional | Tipo de montagem | Pacote/Caixa | Número básico do produto | Tipo de entrada | Frequência | Tecnologia | Potência - Máx. | Entrada | Pacote de dispositivos do fornecedor | Ficha de dados | Estado RoHS | Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | Estado do REACH | Outros nomes | ECCN | HTSU | Pacote Padrão | Configuração | Tipo FET | Classificação atual (amperes) | Condição de teste | Atual - Teste | Potência - Saída | Ganho | Dreno para Tensão de Fonte (Vdss) | Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado) | Rds ativadas (máx.) @ ID, Vgs | Vgs(th) (máx.) @ ID | Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs | Vgs (máx.) | Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | Recurso FET | Dissipação de energia (máx.) | Figura de ruído | Tempo de recuperação reversa (trr) | Tipo IGBT | Tensão - Quebra do Emissor do Coletor (Máx.) | Atual - Coletor (Ic) (Máx.) | Corrente - Coletor Pulsado (Icm) | Vce(ligado) (Máx.) @ Vge, Ic | Trocando Energia | Taxa de portão | Td (ligado/desligado) @ 25°C | Tensão - Teste | Atual - Corte do Coletor (Máx.) | Termistor NTC | Tipo de transistor | Saturação Vce (Máx.) @ Ib, Ic | Ganho de corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | Frequência - Transição |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IPI037N06L3GHKSA1 | - | ![]() | 9773 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | OptiMOS™ | Tubo | Obsoleto | -55°C ~ 175°C (TJ) | Através do furo | TO-262-3 Cabos Longos, I²Pak, TO-262AA | IPI037N | MOSFET (óxido metálico) | PG-TO262-3 | download | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | Canal N | 60 V | 90A (Tc) | 10V | 3,7mOhm a 90A, 10V | 2,2 V a 93 µA | 79 nC @ 4,5 V | ±20V | 13.000 pF a 30 V | - | 167W (Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRFR220NTRR | - | ![]() | 5433 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | HEXFET® | Fita e Carretel (TR) | Obsoleto | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montagem em superfície | TO-252-3, DPak (2 derivações + guia), SC-63 | IRFR220 | MOSFET (óxido metálico) | D-Pak | download | RoHS não compatível | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal N | 200 V | 5A (Tc) | 10V | 600mOhm @ 2,9A, 10V | 4 V a 250 µA | 23 nC @ 10 V | ±20V | 300 pF a 25 V | - | 43W (Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRFH7185TRPBF | - | ![]() | 4201 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | FASTIRFET™, HEXFET® | Fita e Carretel (TR) | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | 8-PowerTDFN | IRFH7185 | MOSFET (óxido metálico) | 8-PQFN (5x6) | download | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 4.000 | Canal N | 100 V | 19A (Ta) | 10V | 5,2mOhm a 50A, 10V | 3,6 V a 150 µA | 54 nC @ 10 V | ±20V | 2320 pF a 50 V | - | 3,6 W (Ta), 160 W (Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRFS4610PBF | - | ![]() | 2252 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | HEXFET® | Tubo | Obsoleto | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montagem em superfície | TO-263-3, D²Pak (2 derivações + guia), TO-263AB | MOSFET (óxido metálico) | D2PAK | download | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal N | 100 V | 73A (Tc) | 10V | 14mOhm @ 44A, 10V | 4 V a 100 µA | 140 nC @ 10 V | ±20V | 3550 pF a 50 V | - | 190W (Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPP08CNE8N G | - | ![]() | 5788 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | OptiMOS™ | Tubo | Obsoleto | -55°C ~ 175°C (TJ) | Através do furo | PARA-220-3 | IPP08C | MOSFET (óxido metálico) | PG-TO220-3 | download | 3 (168 horas) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | Canal N | 85V | 95A (Tc) | 10V | 6,4mOhm a 95A, 10V | 4 V a 130 µA | 99 nC @ 10 V | ±20V | 6690 pF a 40 V | - | 167W (Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRL3202PBF | - | ![]() | 3653 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | HEXFET® | Tubo | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Através do furo | PARA-220-3 | MOSFET (óxido metálico) | PARA-220AB | download | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal N | 20 V | 48A (Tc) | 4,5V, 7V | 16mOhm @ 29A, 7V | 700mV a 250µA (mín.) | 43 nC @ 4,5 V | ±10V | 2.000 pF a 15 V | - | 69W (Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRLR024NTRLPBF | 1.0000 | ![]() | 5821 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | HEXFET® | Fita e Carretel (TR) | Não para novos designs | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montagem em superfície | TO-252-3, DPak (2 derivações + guia), SC-63 | IRLR024 | MOSFET (óxido metálico) | D-Pak | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal N | 55 V | 17A (Tc) | 4V, 10V | 65mOhm @ 10A, 10V | 2V @ 250µA | 15 nC @ 5 V | ±16V | 480 pF a 25 V | - | 45W (Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRFU3410 | - | ![]() | 5022 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | HEXFET® | Tubo | Obsoleto | -55°C ~ 175°C (TJ) | Através do furo | TO-251-3 Cabos Curtos, IPak, TO-251AA | MOSFET (óxido metálico) | IPAK (TO-251AA) | download | RoHS não compatível | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | Canal N | 100 V | 31A (Tc) | 10V | 39mOhm @ 18A, 10V | 4 V a 250 µA | 56 nC @ 10 V | ±20V | 1690 pF a 25 V | - | 3W (Ta), 110W (Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPP80N06S407AKSA2 | - | ![]() | 1223 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | Automotivo, AEC-Q101, OptiMOS™ | Tubo | Obsoleto | -55°C ~ 175°C (TJ) | Através do furo | PARA-220-3 | IPP80N06 | MOSFET (óxido metálico) | PG-TO220-3-1 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | Canal N | 60 V | 80A (Tc) | 10V | 7,4mOhm a 80A, 10V | 4V @ 40µA | 56 nC @ 10 V | ±20V | 4500 pF a 25 V | - | 79W (Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPD042P03L3GATMA1 | 2.1300 | ![]() | 19 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | OptiMOS™ | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montagem em superfície | TO-252-3, DPak (2 derivações + guia), SC-63 | IPD042 | MOSFET (óxido metálico) | PG-TO252-3 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Canal P | 30 V | 70A (Tc) | 4,5V, 10V | 4,2mOhm a 70A, 10V | 2V @ 270µA | 175 nC @ 10 V | ±20V | 12.400 pF a 15 V | - | 150W (Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | AUIRFB3806 | - | ![]() | 6780 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | HEXFET® | Tubo | Obsoleto | -55°C ~ 175°C (TJ) | Através do furo | PARA-220-3 | MOSFET (óxido metálico) | PARA-220AB | download | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1.000 | Canal N | 60 V | 43A (Tc) | 10V | 15,8mOhm a 25A, 10V | 4V @ 50µA | 30 nC @ 10 V | ±20V | 1150 pF a 50 V | - | 71W (Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BSL205NL6327HTSA1 | - | ![]() | 7332 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | OptiMOS™ | Fita e Carretel (TR) | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | SOT-23-6 Fino, TSOT-23-6 | BSL205 | MOSFET (óxido metálico) | 500mW | PG-TSOP6-6 | download | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 canais N (duplo) | 20V | 2,5A | 50 mOhm @ 2,5 A, 4,5 V | 1,2 V a 11 µA | 3,2nC a 4,5V | 419pF a 10V | Portão de nível lógico | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRF3710ZSPBF | - | ![]() | 4856 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | HEXFET® | Tubo | Descontinuado na SIC | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montagem em superfície | TO-263-3, D²Pak (2 derivações + guia), TO-263AB | MOSFET (óxido metálico) | D2PAK | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal N | 100 V | 59A (Tc) | 10V | 18mOhm a 35A, 10V | 4 V a 250 µA | 120 nC @ 10 V | ±20V | 2.900 pF a 25 V | - | 160W (Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRLZ44ZS | - | ![]() | 4375 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | HEXFET® | Tubo | Obsoleto | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montagem em superfície | TO-263-3, D²Pak (2 derivações + guia), TO-263AB | MOSFET (óxido metálico) | D2PAK | download | RoHS não compatível | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | *IRLZ44ZS | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal N | 55 V | 51A (Tc) | 4,5V, 10V | 13,5mOhm a 31A, 10V | 3 V a 250 µA | 36 nC @ 5 V | ±16V | 1620 pF a 25 V | - | 80W (Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BSC091N03MSCGATMA1 | 0,2700 | ![]() | 24 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | SIPMOS® | Volume | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | 8-PowerTDFN | MOSFET (óxido metálico) | PG-TDSON-8-6 | download | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal N | 30 V | 12A (Ta), 44A (Tc) | 4,5V, 10V | 9,1mOhm a 30A, 10V | 2V @ 250µA | 20 nC @ 10 V | ±20V | 1500 pF a 15 V | - | 2,5W (Ta), 28W (Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BSL215PL6327HTSA1 | - | ![]() | 2887 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | OptiMOS™ | Fita e Carretel (TR) | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | SOT-23-6 Fino, TSOT-23-6 | BSL215 | MOSFET (óxido metálico) | 500mW | PG-TSOP6-6 | download | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 canais P (duplo) | 20V | 1,5A | 150mOhm a 1,5A, 4,5V | 1,2 V a 11 µA | 3,55nC a 4,5V | 346pF a 15V | Portão de nível lógico | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PTFA191001EV4R250XTMA1 | - | ![]() | 4687 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | - | Fita e Carretel (TR) | Obsoleto | 65V | Montagem em superfície | 2-Flatpack, Fin Leads | PTFA191001 | 1,96GHz | LDMOS | H-36248-2 | download | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 250 | 10µA | 900 mA | 44dBm | 17dB | - | 30 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRLR014NTR | - | ![]() | 4360 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | HEXFET® | Fita e Carretel (TR) | Obsoleto | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montagem em superfície | TO-252-3, DPak (2 derivações + guia), SC-63 | MOSFET (óxido metálico) | D-Pak | download | RoHS não compatível | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.000 | Canal N | 55 V | 10A (Tc) | 4,5V, 10V | 140mOhm @ 6A, 10V | 1V @ 250µA | 7,9 nC a 5 V | ±16V | 265 pF a 25 V | - | 28W (Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPTG029N13NM6ATMA1 | 3.3296 | ![]() | 4620 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | * | Fita e Carretel (TR) | Ativo | - | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | 448-IPTG029N13NM6ATMA1TR | 1.800 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FP75R12N2T4BOSA1 | 188.0800 | ![]() | 9 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | EconoPIM™2 | Bandeja | Descontinuado na SIC | - | - | - | FP75R12 | - | - | - | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 10 | - | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPL60R285P7AUMA1 | 3.0200 | ![]() | 9416 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | CoolMOS™ P7 | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -40°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | 4-PowerTSFN | IPL60R285 | MOSFET (óxido metálico) | PG-VSON-4 | download | Compatível com ROHS3 | 3 (168 horas) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal N | 600 V | 13A (Tc) | 10V | 285mOhm @ 3,8A, 10V | 4 V a 190 µA | 18 nC @ 10 V | ±20V | 761 pF a 400 V | - | 59W (Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ICA37V01X1SA1 | - | ![]() | 6347 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | * | Volume | Obsoleto | download | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | SP001346206 | OBSOLETO | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPP47N10SL26AKSA1 | - | ![]() | 9339 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | SIPMOS® | Tubo | Obsoleto | -55°C ~ 175°C (TJ) | Através do furo | PARA-220-3 | IPP47N | MOSFET (óxido metálico) | PG-TO220-3-1 | download | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | Canal N | 100 V | 47A (Tc) | 4,5V, 10V | 26mOhm @ 33A, 10V | 2V @ 2mA | 135 nC @ 10 V | ±20V | 2500 pF a 25 V | - | 175W (Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FS820R08A6P2LBBPSA1 | 693.0000 | ![]() | 3 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | HybridPACK™ | Bandeja | Ativo | 175°C (TJ) | Montagem em chassi | Módulo | FS820R08 | padrão | Módulo | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 6 | Inversor Trifásico | Parada de campo de trincheira | 820A | - | Não | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRF7304PBF | - | ![]() | 3122 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | HEXFET® | Tubo | Descontinuado na SIC | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | 8-SOIC (0,154", 3,90 mm de largura) | IRF73 | MOSFET (óxido metálico) | 2W | 8-SO | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | SP001561936 | EAR99 | 8541.29.0095 | 95 | 2 canais P (duplo) | 20V | 4.3A | 90mOhm @ 2,2A, 4,5V | 700mV @ 250µA | 22nC a 4,5V | 610pF a 15V | Portão de nível lógico | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRFZ48ZS | - | ![]() | 1603 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | HEXFET® | Tubo | Obsoleto | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montagem em superfície | TO-263-3, D²Pak (2 derivações + guia), TO-263AB | MOSFET (óxido metálico) | D2PAK | download | RoHS não compatível | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | *IRFZ48ZS | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal N | 55 V | 61A (Tc) | 10V | 11mOhm a 37A, 10V | 4 V a 250 µA | 64 nC @ 10 V | ±20V | 1720 pF a 25 V | - | 91W (Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRLZ44NL | - | ![]() | 9966 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | HEXFET® | Tubo | Obsoleto | -55°C ~ 175°C (TJ) | Através do furo | TO-262-3 Cabos Longos, I²Pak, TO-262AA | MOSFET (óxido metálico) | PARA-262 | download | RoHS não compatível | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | *IRLZ44NL | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal N | 55 V | 47A (Tc) | 4V, 10V | 22mOhm @ 25A, 10V | 2V @ 250µA | 48 nC @ 5 V | ±16V | 1700 pF a 25 V | - | 3,8 W (Ta), 110 W (Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRGR4607DTRLPBF | - | ![]() | 5889 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | - | Fita e Carretel (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 175°C (TJ) | Montagem em superfície | TO-252-3, DPak (2 derivações + guia), SC-63 | padrão | 58 W | D-Pak | download | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | SP001549718 | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 400V, 4A, 100Ohm, 15V | 48 ns | - | 600 V | 11A | 12A | 2,05V a 15V, 4A | 140 µJ (ligado), 62 µJ (desligado) | 9nC | 27ns/120ns | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 807-25 CA E6433 | - | ![]() | 8373 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | - | Fita e Carretel (TR) | Obsoleto | 150°C (TJ) | Montagem em superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 807 aC | 330 mW | PG-SOT23 | download | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.21.0075 | 10.000 | 45V | 500 mA | 100nA (ICBO) | PNP | 700mV a 50mA, 500mA | 160 @ 100mA, 1V | 200MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRLML2803TR | - | ![]() | 8686 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | - | Fita Cortada (CT) | Obsoleto | Montagem em superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET (óxido metálico) | Micro3™/SOT-23 | download | RoHS não compatível | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal N | 30 V | 1,2A (Ta) | 250mOhm @ 910mA, 10V | 1V @ 250µA | 5 nC @ 10 V | 85 pF a 25 V | - |

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