SIC
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Transistores (13833)

Imageem Número do Produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade Dispon Svel Peso (kg) Mfr Série Pacote Status do produto Tensão - Classificada Temperatura operacional Aplicações Tipo de Montagem Pacote / Caso Número do Produto Base Tipo de Entrada Tecnologia Poder - Máx Entrada Pacote de Dispositivo de Fornecedor Ficha de Dadas Status do rohs Nível de sensibilidade à Umidade (msl) Status de alcance Nomes de Ulros ECCN Htsus PACOTE PADROO Configuraça TIPO DE FET Classificação ATUAL (Amplificadorores) Condição de teste Ganho Escorra para um tensão de origem (VDSS) Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C Tensão de conduça (max rds on, min rds on) Rds em (max) @ id, vgs VGS (th) (max) @ id Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS VGs (Máximoo) CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Recurso FET DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) TIPO IGBT Tensão - Colapso do Emissor de Colecionador (Max) Corrente - Coletor (IC) (Max) Corrente - Coletor Pulsa (ICM) Vce (on) (max) @ vge, ic Troca de Energia Carga do Portão TD (Ligado/Desligado) A 25 ° C Corrente - Corte de Colecionador (Max) Termistor NTC Tipo de transistor Vce saturação (max) @ ib, ic Ganho ATUAL DE CC (HFE) (min) @ IC, VCE Frequencia - Transmissão Resistor - Base (R1) Resistor - Base de Emissor (R2) Figura de Ruído (dB typ @ f)
IRL7833S Infineon Technologies IRL7833S -
RFQ
 ECAD 1890 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab MOSFET (ÓXIDO DE METAL) D2PAK download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado *IRL7833S Ear99 8541.29.0095 50 N-canal 30 v 150a (TC) 4.5V, 10V 3.8mohm @ 38a, 10V 2.3V A 250µA 47 NC @ 4,5 V ± 20V 4170 pf @ 15 V - 140W (TC)
BSS138N E6908 Infineon Technologies BSS138N E6908 -
RFQ
 ECAD 3481 0,00000000 Tecnologias Infineon Sipmos® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-SOT23 download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.21.0095 10.000 N-canal 60 v 230mA (TA) 4.5V, 10V 3.5OHM @ 230MA, 10V 1.4V A 250µA 1,4 nc @ 10 V ± 20V 41 pf @ 25 V - 360MW (TA)
IRG7CH73UEF-R Infineon Technologies IRG7CH73UEF-R -
RFQ
 ECAD 9622 0,00000000 Tecnologias Infineon - Volume Obsoleto -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície Morrer IRG7CH Padrão Morrer download Não Aplicável Alcançar Não Afetado SP001533780 Obsoleto 0000.00.0000 1 600V, 75A, 5OHM, 15V - 1200 v 2V @ 15V, 75A - 540 NC 90NS/580NS
SPP80N06S2L-H5 Infineon Technologies SPP80N06S2L-H5 -
RFQ
 ECAD 7989 0,00000000 Tecnologias Infineon Optimos ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 Spp80n MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-PARA220-3-1 download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 500 N-canal 55 v 80a (TC) 4.5V, 10V 5mohm @ 80a, 10V 2V @ 230µA 190 nc @ 10 V ± 20V 6640 pf @ 25 V - 300W (TC)
IRL3715ZSTRRPBF Infineon Technologies IRL3715ZSTRRPBF -
RFQ
 ECAD 5710 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab MOSFET (ÓXIDO DE METAL) D2PAK download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 800 N-canal 20 v 50a (TC) 4.5V, 10V 11mohm @ 15a, 10V 2,55V a 250µA 11 NC a 4,5 V ± 20V 870 pf @ 10 V - 45W (TC)
IRFB11N50APBF Infineon Technologies IRFB11N50APBF -
RFQ
 ECAD 9991 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-220AB - ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 1.000 N-canal 500 v 11a (TC) 10V 520mohm @ 6.6a, 10V 4V A 250µA 52 NC @ 10 V ± 30V 1423 pf @ 25 V - 170W (TC)
IRG4RC20FTRLPBF Infineon Technologies IRG4RC20FTRLPBF -
RFQ
 ECAD 3548 0,00000000 Tecnologias Infineon - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 IRG4RC20F Padrão 66 w D-Pak download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 3.000 480V, 12A, 50OHM, 15V - 600 v 22 a 44 a 2.1V @ 15V, 12a 190µJ (ON), 920µJ (OFF) 27 NC 26ns/194ns
BC846AE6433 Infineon Technologies BC846AE6433 0,0200
RFQ
 ECAD 330 0,00000000 Tecnologias Infineon - Volume Ativo 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 330 MW PG-SOT23 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.21.0075 10.000 45 v 100 ma 15na (ICBO) Npn 600mV @ 5Ma, 100mA 110 @ 2MA, 5V 250MHz
IRLL2703PBF Infineon Technologies IRLL2703pbf -
RFQ
 ECAD 4768 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tubo Descontinuado no sic -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-261-4, TO-261AA MOSFET (ÓXIDO DE METAL) SOT-223 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 1.760 N-canal 30 v 3.9a (ta) 4V, 10V 45mohm @ 3.9a, 10V 2.4V a 250µA 14 NC @ 5 V ± 16V 530 pf @ 25 V - 1W (TA)
IM241S6S1JAUMA1 Infineon Technologies IM241S6S1jauma1 10.3800
RFQ
 ECAD 341 0,00000000 Tecnologias Infineon IM241, CIPOS ™ Tape & Reel (TR) Ativo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície Módlo 23-Powersmd, Asa de Gaivota IM241S6 9 w Padrão 23-sop download ROHS3 Compatível 3 (168 Horas) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 500 Inversor Trifásico - 600 v 1.78V @ 15V, 500mA Sim
IRFS7734TRLPBF Infineon Technologies IRFS7734TRLPBF 3.0400
RFQ
 ECAD 797 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET®, STROTLIRFET ™ Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab IRFS7734 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-PARA263-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 800 N-canal 75 v 183a (TC) 6V, 10V 3.5mohm @ 100a, 10V 3.7V @ 250µA 270 nc @ 10 V ± 20V 10150 pf @ 25 V - 290W (TC)
BCV 61A E6327 Infineon Technologies BCV 61A E6327 -
RFQ
 ECAD 5930 0,00000000 Tecnologias Infineon - Tape & Reel (TR) Descontinuado no sic 30V Espelho atual Montagem na Superfície TO-253-4, TO-253AA BCV 61 PG-SOT-143-3D download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.21.0095 3.000 100mA 2 NPN, Junção de Colecionador Base
SPP06N80C3XK Infineon Technologies Spp06n80c3xk -
RFQ
 ECAD 8833 0,00000000 Tecnologias Infineon Coolmos ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 Spp06n MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-PARA220-3 - 3 (168 Horas) Alcançar Não Afetado SP000013366 Ear99 8541.29.0095 1.000 N-canal 800 v 6a (TC) 10V 900mohm @ 3.8a, 10V 3,9V a 250µA 41 nc @ 10 V ± 20V 785 pf @ 100 V - 83W (TC)
IKZA40N120CS7XKSA1 Infineon Technologies Ikza40n120cs7xksa1 11.4000
RFQ
 ECAD 240 0,00000000 Tecnologias Infineon - Tubo Ativo Ikza40 - ROHS3 Compatível Não Aplicável Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 30
BCW60FN Infineon Technologies BCW60FN -
RFQ
 ECAD 1988 0,00000000 Tecnologias Infineon - Volume Ativo 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 330 MW PG-SOT23-3-1 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.21.0075 3.000 32 v 100 ma 20na (ICBO) Npn 550mv a 1,25mA, 50mA 250 @ 2MA, 5V 250MHz
IRFS4115TRL7PP Infineon Technologies IRFS4115trl7pp 4.0300
RFQ
 ECAD 21 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-7, D²PAK (6 leads + guia), TO-263CB IRFS4115 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) D2PAK (7 derivados) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 800 N-canal 150 v 105a (TC) 10V 11.8mohm @ 63a, 10V 5V A 250µA 110 nc @ 10 V ± 20V 5320 pf @ 50 V - 380W (TC)
BFP540FESDH6327XTSA1 Infineon Technologies BFP540FESDH6327XTSA1 0,7400
RFQ
 ECAD 8 0,00000000 Tecnologias Infineon - Tape & Reel (TR) Ativo 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 4-SMD, FIOS Planos BFP540 250mw 4-tsfp download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.21.0075 3.000 20dB 5V 80mA Npn 50 @ 20MA, 3,5V 30 GHz 0,9dB ~ 1,4dB A 1,8 GHz
IPA60R600CPXKSA1 Infineon Technologies IPA60R600CPXKSA1 -
RFQ
 ECAD 4185 0,00000000 Tecnologias Infineon Coolmos ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco Pacote completo parágrafo 220-3 IPA60R MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-PARA220-3-31 download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 500 N-canal 600 v 6.1a (TC) 10V 600mohm @ 3.3a, 10V 3,5V A 220µA 27 NC @ 10 V ± 20V 550 pf @ 100 V - 28W (TC)
BCR148E6433HTMA1 Infineon Technologies BCR148E6433HTMA1 -
RFQ
 ECAD 7689 0,00000000 Tecnologias Infineon - Tape & Reel (TR) Descontinuado no sic Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BCR148 200 MW PG-SOT23 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.21.0075 10.000 50 v 100 ma 100na (ICBO) Npn - pré -tendencioso 300mv @ 500µA, 10MA 70 @ 5MA, 5V 100 MHz 47 Kohms 47 Kohms
SKW07N120FKSA1 Infineon Technologies SKW07N120FKSA1 -
RFQ
 ECAD 3870 0,00000000 Tecnologias Infineon - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco To-247-3 SKW07N Padrão 125 w PG-PARA247-3-1 download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 240 800V, 8A, 47OHM, 15V 60 ns NPT 1200 v 16.5 a 27 a 3.6V @ 15V, 8a 1mj 70 NC 27ns/440ns
IQE008N03LM5ATMA1 Infineon Technologies IQE008N03LM5ATMA1 2.6800
RFQ
 ECAD 7 0,00000000 Tecnologias Infineon Optimos ™ Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-PowerTdfn IQE008N MOSFET (ÓXIDO DE METAL) Pg-tson-8-4 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 5.000 N-canal 30 v 27a (ta), 253a (tc) 4.5V, 10V 0,85mohm @ 20a, 10V 2V A 250µA 64 nc @ 10 V ± 16V 5700 pf @ 15 V - 2.1W (TA), 89W (TC)
BSC120N12LSGATMA1 Infineon Technologies BSC120N12LSGATMA1 2.0200
RFQ
 ECAD 8233 0,00000000 Tecnologias Infineon Optimos ™ Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-PowerTdfn MOSFET (ÓXIDO DE METAL) Pg-tdson-8 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 5.000 N-canal 120 v 10a (ta), 68a (tc) 4.5V, 10V 12mohm @ 34a, 10V 2.4V @ 72µA 51 NC @ 10 V ± 20V 4900 pf @ 60 V - 114W (TC)
IPI80404S3-03 Infineon Technologies IPI80404S3-03 -
RFQ
 ECAD 1404 0,00000000 Tecnologias Infineon * Volume Ativo - Não Aplicável 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.29.0095 1
IPS60R650CEAKMA1 Infineon Technologies IPS60R650Ceakma1 -
RFQ
 ECAD 9236 0,00000000 Tecnologias Infineon Coolmos ™ Tubo Obsoleto -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-251-3 leva Curtos, Ipak, TO-251AA IPS60R650 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-A251-3 download ROHS3 Compatível 3 (168 Horas) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 1.500 N-canal 600 v 9.9a (TJ) 10V 650mohm @ 2.4a, 10V 3.5V @ 200µA 20,5 nc @ 10 V ± 20V 440 PF @ 100 V - 82W (TC)
BSM100GB120DN2FE325HOSA1 Infineon Technologies BSM100GB120DN2FE325HOSA1 72.8000
RFQ
 ECAD 110 0,00000000 Tecnologias Infineon * Volume Ativo BSM100 download Fornecedor indefinido Alcançar Não Afetado 2156-BSM100GB120DN2FE325HOSA1-448 1
IPB08CNE8N G Infineon Technologies Ipb08cne8n g -
RFQ
 ECAD 3845 0,00000000 Tecnologias Infineon Optimos ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab IPB08C MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-PARA263-3 download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 1.000 N-canal 85 v 95a (TC) 10V 8.2mohm @ 95a, 10V 4V A 130µA 99 NC @ 10 V ± 20V 6690 pf @ 40 V - 167W (TC)
BFS 483 E6327 Infineon Technologies BFS 483 E6327 -
RFQ
 ECAD 1632 0,00000000 Tecnologias Infineon - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 BFS 483 450mw PG-SOT363-PO download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.21.0075 3.000 19dB 12V 65mA 2 NPN (DUPLO) 70 @ 15MA, 8V 8GHz 0,9dB ~ 1,4dB @ 900MHz ~ 1,8 GHz
IRFR3711Z Infineon Technologies IRFR3711Z -
RFQ
 ECAD 7482 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) D-Pak download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado *IRFR3711Z Ear99 8541.29.0095 75 N-canal 20 v 93A (TC) 4.5V, 10V 5.7mohm @ 15a, 10V 2,45V a 250µA 27 NC a 4,5 V ± 20V 2160 pf @ 10 V - 79W (TC)
IRLR8113TRLPBF Infineon Technologies IRLR8113TRLPBF -
RFQ
 ECAD 8422 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) D-Pak download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado SP001578796 Ear99 8541.29.0095 3.000 N-canal 30 v 94A (TC) 4.5V, 10V 6mohm @ 15a, 10V 2,25V a 250µA 32 NC a 4,5 V ± 20V 2920 PF @ 15 V - 89W (TC)
IRG4IBC10UDPBF Infineon Technologies IRG4IBC10UDPBF -
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 ECAD 1401 0,00000000 Tecnologias Infineon - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco Pacote completo parágrafo 220-3 IRG4IBC Padrão 25 w To-220ab pak cheio download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 2.000 480V, 5A, 100OHM, 15V 28 ns - 600 v 6.8 a 27 a 2.6V @ 15V, 5A 140µJ (ON), 120µJ (Off) 15 NC 40ns/87ns
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    Unidade de produto padrão

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