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Transistores (13833)

Imageem Número do Produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade Dispon Svel Peso (kg) Mfr Série Pacote Status do produto Tensão - Classificada Temperatura operacional Tipo de Montagem Pacote / Caso Número do Produto Base Tipo de Entrada Freqüência Tecnologia Poder - Máx Entrada Pacote de Dispositivo de Fornecedor Ficha de Dadas Status do rohs Nível de sensibilidade à Umidade (msl) Status de alcance Nomes de Ulros ECCN Htsus PACOTE PADROO Configuraça TIPO DE FET Classificação ATUAL (Amplificadorores) Condição de teste ATUAL - TESTE POTÊNCIA - SAÍDA Ganho Escorra para um tensão de origem (VDSS) Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C Tensão de conduça (max rds on, min rds on) Rds em (max) @ id, vgs VGS (th) (max) @ id Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS VGs (Máximoo) CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Recurso FET DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) Figura de Ruído Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) TIPO IGBT Tensão - Colapso do Emissor de Colecionador (Max) Corrente - Coletor (IC) (Max) Corrente - Coletor Pulsa (ICM) Vce (on) (max) @ vge, ic Troca de Energia Carga do Portão TD (Ligado/Desligado) A 25 ° C Tensão - Teste Corrente - Corte de Colecionador (Max) Termistor NTC CapacitânCia de Entrada (CIES) @ VCE Tipo de transistor Vce saturação (max) @ ib, ic Ganho ATUAL DE CC (HFE) (min) @ IC, VCE Frequencia - Transmissão Resistor - Base (R1) Resistor - Base de Emissor (R2)
IPP120P04P4L03AKSA2 Infineon Technologies IPP120P04P4L03AKSA2 3.4900
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 ECAD 80 0,00000000 Tecnologias Infineon Optimos®-P2 Tubo Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 IPP120 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-PARA220-3-1 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 50 Canal P. 40 v 120A (TC) 4.5V, 10V 3.4mohm @ 100a, 10V 2.2V @ 340µA 234 NC @ 10 V +5V, -16V 15000 pf @ 25 V - 136W (TC)
FP25R12KT4_B15 Infineon Technologies FP25R12KT4_B15 54.3200
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 ECAD 150 0,00000000 Tecnologias Infineon Econopim ™ 2 Volume Ativo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem do chassi Módlo FP25R12 160 w Retificador de Ponte Trifásica AG-ECONO2-5-1 download Ear99 8542.39.0001 1 Inversor Trifásico Parada de Campo da Trinceira 1200 v 28 a 2.25V @ 15V, 25A 1 MA Sim 1.45 NF @ 25 V
BCR198WH6327 Infineon Technologies BCR198WH6327 -
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 ECAD 6658 0,00000000 Tecnologias Infineon Automotivo, AEC-Q101 Volume Ativo Montagem na Superfície SC-70, SOT-323 BCR198 250 MW PG-SOT323-3-1 download Não Aplicável 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.21.0075 7.123 50 v 100 ma 100na (ICBO) PNP - Pré -tendencioso 300mv @ 500µA, 10MA 70 @ 5MA, 5V 190 MHz 47 Kohms 47 Kohms
IPU60R2K0C6BKMA1 Infineon Technologies IPU60R2K0C6BKMA1 -
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 ECAD 7215 0,00000000 Tecnologias Infineon Coolmos ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-251-3 leva Curtos, Ipak, TO-251AA IPU60R MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-A251-3 download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 75 N-canal 600 v 2.4a (TC) 10V 2OHM @ 760MA, 10V 3,5V a 60µA 6,7 nc @ 10 V ± 20V 140 pf @ 100 V - 22.3W (TC)
P2000D45X168HPSA1 Infineon Technologies P2000D45X168HPSA1 -
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 ECAD 5906 0,00000000 Tecnologias Infineon - Bandeja Obsoleto - - - P2000D Padrão - - ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 1 Solteiro - - Não
IPG20N04S4L11ATMA1 Infineon Technologies IPG20N04S4L11ATMA1 1.5300
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 ECAD 18 0,00000000 Tecnologias Infineon Automotivo, AEC-Q101, Optimos ™ Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-powervdfn IPG20N MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 41W Pg-tdson-8-4 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 5.000 2 canal n (Duplo) 40V 20a 11.6mohm @ 17a, 10V 2.2V @ 15µA 26NC @ 10V 1990pf @ 25V Portão de Nível Lógico
SKW30N60HSFKSA1 Infineon Technologies Skw30n60hsfksa1 -
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 ECAD 4759 0,00000000 Tecnologias Infineon - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco To-247-3 Skw30n Padrão 250 w PG-PARA247-3-1 download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 240 400V, 30a, 11ohm, 15V 125 ns NPT 600 v 41 a 112 a 3.15V @ 15V, 30A 1.15mj 141 NC 20ns/250ns
ISC080N10NM6ATMA1 Infineon Technologies ISC080N10NM6ATMA1 1.7800
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 ECAD 2 0,00000000 Tecnologias Infineon Optimos ™ 6 Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-PowerTdfn ISC080N MOSFET (ÓXIDO DE METAL) Pg-tdson-8 fl download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 5.000 N-canal 100 v 13a (ta), 75a (tc) 8V, 10V 8.05mohm @ 20a, 10V 3.3V @ 36µA 24 nc @ 10 V ± 20V 1800 pf @ 50 V - 3W (TA), 100W (TC)
BSO330N02KG Infineon Technologies BSO330N02KG 0,2300
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 ECAD 1 0,00000000 Tecnologias Infineon Optimos ™ Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) BSO330N02 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 1.4W PG-DSO-8 download ROHS3 Compatível 3 (168 Horas) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 2.500 2 canal n (Duplo) 20V 5.4a 30mohm @ 6.5a, 4.5V 1.2V @ 20µA 4.9NC @ 4.5V 730pf @ 10V Portão de Nível Lógico
BCR 158T E6327 Infineon Technologies BCR 158T E6327 -
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 ECAD 4802 0,00000000 Tecnologias Infineon - Tape & Reel (TR) Descontinuado no sic Montagem na Superfície SC-75, SOT-416 BCR 158 250 MW PG-SC-75 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.21.0075 3.000 50 v 100 ma 100na (ICBO) PNP - Pré -tendencioso 300mv @ 500µA, 10MA 70 @ 5MA, 5V 200 MHz 2.2 Kohms 47 Kohms
PTVA127002EVV1R0XTMA1 Infineon Technologies PTVA127002EVV1R0XTMA1 712.1100
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 ECAD 20 0,00000000 Tecnologias Infineon - Volume Ativo 105 v H-36275-4 1,2 GHz ~ 1,4 GHz LDMOS H-36275-4 - Ear99 8541.29.0075 1 10µA 300 mA 700W 16dB - 50 v
AUIRGS30B60KTRL Infineon Technologies AUIRGS30B60KTRL -
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 ECAD 5001 0,00000000 Tecnologias Infineon - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab Auirgs30 Padrão 370 w D2PAK download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado SP001511192 Ear99 8541.29.0095 800 400V, 30A, 10OHM, 15V NPT 600 v 78 a 120 a 2.35V @ 15V, 30A 350µJ (ON), 825µJ (Desligado) 102 NC 46ns/185ns
94-4737 Infineon Technologies 94-4737 -
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 ECAD 2760 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 IRFR3303 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) D-Pak download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 75 N-canal 30 v 33a (TC) 10V 31mohm @ 18a, 10V 4V A 250µA 29 NC @ 10 V ± 20V 750 pf @ 25 V - 57W (TC)
SPB80N03S2L05T Infineon Technologies SPB80N03S2L05T -
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 ECAD 1397 0,00000000 Tecnologias Infineon Optimos ™ Tape & Reel (TR) Descontinuado no sic -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab Spb80n MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-PARA263-3-2 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado SP000016255 Ear99 8541.29.0095 1.000 N-canal 30 v 80a (TC) 4.5V, 10V 4.9mohm @ 55a, 10V 2V @ 110µA 89,7 nc @ 10 V ± 20V 3320 pf @ 25 V - 167W (TC)
IRG4BC20MDPBF Infineon Technologies IRG4BC20MDPBF -
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 ECAD 5715 0,00000000 Tecnologias Infineon - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 Padrão 60 w TO-220AB download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 50 480V, 11a, 50ohm, 15v 37 ns - 600 v 18 a 36 a 2.1V @ 15V, 11a 410µJ (ON), 2,03MJ (Desligado) 39 NC 21ns/463ns
BUZ32 H Infineon Technologies Buz32 h -
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 ECAD 9257 0,00000000 Tecnologias Infineon Sipmos® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-PARA220-3 download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 50 N-canal 200 v 9.5a (TC) 10V 400mohm @ 6a, 10V 4V @ 1MA ± 20V 530 pf @ 25 V - 75W (TC)
IKP08N65F5XKSA1 Infineon Technologies Ikp08n65f5xksa1 2.1600
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 ECAD 7 0,00000000 Tecnologias Infineon Trenchstop® Tubo Ativo -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco Pacote completo parágrafo 220-3 IKP08N65 Padrão 70 w PG-PARA220-3-111 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado SP000973408 Ear99 8541.29.0095 500 400V, 4A, 48OHM, 15V 41 ns - 650 v 18 a 24 a 2.1V @ 15V, 8a 70µJ (ON), 20µJ (Off) 22 NC 10ns/116ns
IPB22N03S4L15ATMA1 Infineon Technologies IPB22N03S4L15ATMA1 -
RFQ
 ECAD 3362 0,00000000 Tecnologias Infineon Optimos ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab IPB22N03 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-PARA263-3-2 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 1.000 N-canal 30 v 22a (TC) 4.5V, 10V 14.6mohm @ 22a, 10V 2.2V @ 10µA 14 nc @ 10 V ± 16V 980 pf @ 25 V - 31W (TC)
IRGP4069DPBF Infineon Technologies IRGP4069DPBF -
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 ECAD 9108 0,00000000 Tecnologias Infineon - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco To-247-3 IRGP4069 Padrão 268 w TO-247AC download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 25 400V, 35A, 10OHM, 15V 120 ns Trincheira 600 v 76 a 105 a 1.85V @ 15V, 35A 390µJ (ON), 632µJ (Desligado) 69 NC 46ns/105ns
IRFR3704TRRPBF Infineon Technologies IRFR3704TRRPBF -
RFQ
 ECAD 4721 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) D-Pak download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 3.000 N-canal 20 v 75a (TC) 10V 9.5mohm @ 15a, 10V 3V A 250µA 19 NC @ 4,5 V ± 20V 1996 pf @ 10 V - 90W (TC)
IPW60R120P7 Infineon Technologies IPW60R120P7 -
RFQ
 ECAD 7406 0,00000000 Tecnologias Infineon Coolmos ™ Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco To-247-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-A247-3 download Não Aplicável 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 1 N-canal 600 v 26a (TC) 10V 120mohm @ 8.2a, 10V 4V A 410µA 36 nc @ 10 V ± 20V 1544 PF @ 400 V - 95W (TC)
IPL60R115CFD7AUMA1 Infineon Technologies IPL60R115CFD7AUMA1 5.2400
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 ECAD 3371 0,00000000 Tecnologias Infineon - Tape & Reel (TR) Ativo - - - IPL60R - - download ROHS3 Compatível 2a (4 semanas) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 3.000 - 22a (TC) - - - - - -
FF1000R17IE4BOSA1 Infineon Technologies FF1000R17IE4BOSA1 679.1500
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 ECAD 2 0,00000000 Tecnologias Infineon Primepack ™ 3 Bandeja Ativo -40 ° C ~ 150 ° C. Montagem do chassi Módlo FF1000 6250 w Padrão Módlo download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 2 2 Independente - 1700 v 2.45V @ 15V, 1000A 5 MA Sim 81 NF @ 25 V
BCR112WH6327 Infineon Technologies BCR112WH6327 -
RFQ
 ECAD 3006 0,00000000 Tecnologias Infineon Automotivo, AEC-Q101 Volume Ativo Montagem na Superfície SC-70, SOT-323 BCR112 250 MW PG-SOT323-3-1 download Não Aplicável 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.21.0075 7.123 50 v 100 ma 100na (ICBO) Npn - pré -tendencioso 300mv @ 500µA, 10MA 20 @ 5MA, 5V 140 MHz 4.7 Kohms 4.7 Kohms
BSC016N03LSG Infineon Technologies BSC016N03LSG -
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 ECAD 1443 0,00000000 Tecnologias Infineon Optimos ™ 3 Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-PowerTdfn MOSFET (ÓXIDO DE METAL) Pg-tdson-8-1 download Ear99 8541.29.0095 1 N-canal 30 v 32a (ta), 100a (tc) 4.5V, 10V 1.6mohm @ 30a, 10V 2.2V A 250µA 131 nc @ 10 V ± 20V 10000 pf @ 15 V - 2.5W (TA), 125W (TC)
IRG7PH42UD2-EP Infineon Technologies IRG7PH42UD2-EP -
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 ECAD 3818 0,00000000 Tecnologias Infineon - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco To-247-3 IRG7PH42 Padrão 321 w TO-247AD download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 25 600V, 30A, 10OHM, 15V Trincheira 1200 v 60 a 90 a 2.02V @ 15V, 30A 1,32MJ (Desligado) 234 NC -/233ns
IPI100N08S207AKSA1 Infineon Technologies IPI100N08S207AKSA1 -
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 ECAD 2418 0,00000000 Tecnologias Infineon Optimos ™ Tubo Descontinuado no sic -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco TO-262-3 Leitos Longos, i²pak, TO-262AA IPI100N MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-PARA262-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 500 N-canal 75 v 100a (TC) 10V 7.1mohm @ 80a, 10V 4V A 250µA 200 nc @ 10 V ± 20V 4700 pf @ 25 V - 300W (TC)
IRF7504TR Infineon Technologies IRF7504TR -
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 ECAD 7810 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-TSSOP, 8 msop (0,118 ", 3,00 mm de largura) IRF7504 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 1.25W Micro8 ™ download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 4.000 2 Canal P (Duplo) 20V 1.7a 270mohm @ 1.2a, 4.5V 700MV A 250µA 8.2nc @ 4.5V 240pf @ 15V Portão de Nível Lógico
BC850BE6327 Infineon Technologies BC850BE6327 0,0400
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 ECAD 35 0,00000000 Tecnologias Infineon - Volume Ativo 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 330 MW PG-SOT23 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.21.0075 7.397 45 v 100 ma 15na (ICBO) Npn 600mV @ 5Ma, 100mA 200 @ 2MA, 5V 250MHz
IPS050N03LG Infineon Technologies IPS050N03LG 0,2300
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 ECAD 1 0,00000000 Tecnologias Infineon Optimos® Volume Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-A252-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 1 N-canal 30 v 50a (TC) 4.5V, 10V 5mohm @ 30a, 10V 2.2V A 250µA 31 NC @ 10 V ± 20V 3200 pf @ 15 V - 68W (TC)
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