SIC
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Transistores (13833)

Imageem Número do Produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade Dispon Svel Peso (kg) Mfr Série Pacote Status do produto Tensão - Classificada Temperatura operacional Tipo de Montagem Pacote / Caso Número do Produto Base Tipo de Entrada Freqüência Tecnologia Poder - Máx Entrada Pacote de Dispositivo de Fornecedor Ficha de Dadas Status do rohs Nível de sensibilidade à Umidade (msl) Status de alcance Nomes de Ulros ECCN Htsus PACOTE PADROO Configuraça TIPO DE FET Classificação ATUAL (Amplificadorores) Condição de teste ATUAL - TESTE POTÊNCIA - SAÍDA Ganho Escorra para um tensão de origem (VDSS) Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C Tensão de conduça (max rds on, min rds on) Rds em (max) @ id, vgs VGS (th) (max) @ id Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS VGs (Máximoo) CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Recurso FET DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) Figura de Ruído Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) TIPO IGBT Tensão - Colapso do Emissor de Colecionador (Max) Corrente - Coletor (IC) (Max) Corrente - Coletor Pulsa (ICM) Vce (on) (max) @ vge, ic Troca de Energia Carga do Portão TD (Ligado/Desligado) A 25 ° C Tensão - Teste Corrente - Corte de Colecionador (Max) Termistor NTC CapacitânCia de Entrada (CIES) @ VCE Tipo de transistor Vce saturação (max) @ ib, ic Ganho ATUAL DE CC (HFE) (min) @ IC, VCE Frequencia - Transmissão
PTVA127002EVV1R0XTMA1 Infineon Technologies PTVA127002EVV1R0XTMA1 712.1100
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 ECAD 20 0,00000000 Tecnologias Infineon - Volume Ativo 105 v H-36275-4 1,2 GHz ~ 1,4 GHz LDMOS H-36275-4 - Ear99 8541.29.0075 1 10µA 300 mA 700W 16dB - 50 v
AUXHAF2805STRR Infineon Technologies AUXHAF2805STRR -
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 ECAD 7418 0,00000000 Tecnologias Infineon - Tape & Reel (TR) Obsoleto - - - ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 1.000 - - - - - - - -
IRF9Z24NL Infineon Technologies Irf9z24nl -
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 ECAD 7103 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco TO-262-3 Leitos Longos, i²pak, TO-262AA MOSFET (ÓXIDO DE METAL) To-262 download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado *Irf9z24nl Ear99 8541.29.0095 50 Canal P. 55 v 12a (TC) 10V 175mohm @ 7.2a, 10V 4V A 250µA 19 NC @ 10 V ± 20V 350 pf @ 25 V - 3.8W (TA), 45W (TC)
IRG4PH20KPBF Infineon Technologies IRG4PH20KPBF -
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 ECAD 6000 0,00000000 Tecnologias Infineon - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco To-247-3 IRG4PH20 Padrão 60 w TO-247AC download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 400 960V, 5A, 50OHM, 15V - 1200 v 11 a 22 a 4.3V @ 15V, 5A 450µJ (ON), 440µJ (Off) 28 NC 23ns/93ns
BC 846B B5003 Infineon Technologies BC 846B B5003 -
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 ECAD 3585 0,00000000 Tecnologias Infineon - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BC 846 330 MW PG-SOT23 download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.21.0075 3.000 65 v 100 ma 15na (ICBO) Npn 600mV @ 5Ma, 100mA 200 @ 2MA, 5V 250MHz
IRGC50B120UB Infineon Technologies IRGC50B120UB -
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 ECAD 1732 0,00000000 Tecnologias Infineon - Volume Obsoleto - Montagem na Superfície Morrer Padrão Morrer download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Obsoleto 1 - NPT 1200 v 50 a 3.5V @ 15V, 50A - -
IRG7PH42UD2-EP Infineon Technologies IRG7PH42UD2-EP -
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 ECAD 3818 0,00000000 Tecnologias Infineon - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco To-247-3 IRG7PH42 Padrão 321 w TO-247AD download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 25 600V, 30A, 10OHM, 15V Trincheira 1200 v 60 a 90 a 2.02V @ 15V, 30A 1,32MJ (Desligado) 234 NC -/233ns
IPI100N08S207AKSA1 Infineon Technologies IPI100N08S207AKSA1 -
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 ECAD 2418 0,00000000 Tecnologias Infineon Optimos ™ Tubo Descontinuado no sic -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco TO-262-3 Leitos Longos, i²pak, TO-262AA IPI100N MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-PARA262-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 500 N-canal 75 v 100a (TC) 10V 7.1mohm @ 80a, 10V 4V A 250µA 200 nc @ 10 V ± 20V 4700 pf @ 25 V - 300W (TC)
IRFI1310N Infineon Technologies IRFI1310N -
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 ECAD 7393 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco Pacote completo parágrafo 220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-A220-FP download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado *IRFI1310N Ear99 8541.29.0095 50 N-canal 100 v 24a (TC) 10V 36mohm @ 13a, 10V 4V A 250µA 120 nc @ 10 V ± 20V 1900 pf @ 25 V - 56W (TC)
IPP120P04P4L03AKSA2 Infineon Technologies IPP120P04P4L03AKSA2 3.4900
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 ECAD 80 0,00000000 Tecnologias Infineon Optimos®-P2 Tubo Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 IPP120 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-PARA220-3-1 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 50 Canal P. 40 v 120A (TC) 4.5V, 10V 3.4mohm @ 100a, 10V 2.2V @ 340µA 234 NC @ 10 V +5V, -16V 15000 pf @ 25 V - 136W (TC)
IKQ50N120CH7XKSA1 Infineon Technologies IKQ50N120CH7XKSA1 11.8200
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 ECAD 220 0,00000000 Tecnologias Infineon Trenchstop ™ Tubo Ativo -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco To-247-3 IKQ50N120 Padrão 398 w PG-PARA247-3-U01 download ROHS3 Compatível Não Aplicável Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 30 - 133 ns Parada de Campo da Trinceira 1200 v 71 a 200 a 2.15V @ 15V, 50A 2,61MJ (ON), 1,1MJ (Desligado) 366 nc 40ns/323ns
IRF7504TR Infineon Technologies IRF7504TR -
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 ECAD 7810 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-TSSOP, 8 msop (0,118 ", 3,00 mm de largura) IRF7504 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 1.25W Micro8 ™ download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 4.000 2 Canal P (Duplo) 20V 1.7a 270mohm @ 1.2a, 4.5V 700MV A 250µA 8.2nc @ 4.5V 240pf @ 15V Portão de Nível Lógico
FP25R12KT4_B15 Infineon Technologies FP25R12KT4_B15 54.3200
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 ECAD 150 0,00000000 Tecnologias Infineon Econopim ™ 2 Volume Ativo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem do chassi Módlo FP25R12 160 w Retificador de Ponte Trifásica AG-ECONO2-5-1 download Ear99 8542.39.0001 1 Inversor Trifásico Parada de Campo da Trinceira 1200 v 28 a 2.25V @ 15V, 25A 1 MA Sim 1.45 NF @ 25 V
F3L200R12W2H3BOMA1 Infineon Technologies F3L200R12W2H3BOMA1 81.1300
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 ECAD 1 0,00000000 Tecnologias Infineon - Volume Obsoleto - Rohs Não Compatível Alcançar Não Afetado 2156-F3L200R12W2H3BOMA1 Ear99 8541.29.0095 1
FS50R06KE3BPSA1 Infineon Technologies FS50R06KE3BPSA1 94.6000
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 ECAD 5078 0,00000000 Tecnologias Infineon Econopack ™ 3 Bandeja Ativo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem do chassi Módlo FS50R06 190 w Padrão Ag-Econo2b download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 15 Inversor de Ponte Conclua Parada de Campo da Trinceira 600 v 70 a 1.9V @ 15V, 50A 1 MA Sim 3.1 NF @ 25 V
BSC082N10LSGATMA1 Infineon Technologies BSC082N10LSGATMA1 2.8800
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 ECAD 1858 0,00000000 Tecnologias Infineon Optimos ™ Tape & Reel (TR) Não é para desenhos para Novos -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-PowerTdfn BSC082 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) Pg-tdson-8-1 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 5.000 N-canal 100 v 13.8a (ta), 100a (tc) 4.5V, 10V 8.2mohm @ 100a, 10V 2.4V A 110µA 104 NC @ 10 V ± 20V 7400 pf @ 50 V - 156W (TC)
IRGC75B60UB Infineon Technologies IRGC75B60UB -
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 ECAD 8671 0,00000000 Tecnologias Infineon - Volume Obsoleto - Montagem na Superfície Morrer Padrão Morrer download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Obsoleto 1 - NPT 600 v 75 a 2.9V @ 15V, 75A - -
FP100R12N2T7BPSA2 Infineon Technologies FP100R12N2T7BPSA2 230.2800
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 ECAD 2049 0,00000000 Tecnologias Infineon - Bandeja Ativo -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem do chassi Módlo FP100R12 20 mw Retificador de Ponte Trifásica Ag-Econo2b download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 15 Inversor Trifásico Parada de Campo da Trinceira 1200 v 100 a 1.5V @ 15V, 100A 10 µA Sim 21.7 NF @ 25 V
IPW60R099C7XKSA1 Infineon Technologies IPW60R099C7XKSA1 6.8500
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 ECAD 7716 0,00000000 Tecnologias Infineon Coolmos ™ C7 Tubo Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco To-247-3 IPW60R099 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-A247-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 30 N-canal 600 v 14a (TC) 10V 99mohm @ 9.7a, 10V 4V @ 490µA 42 NC @ 10 V ± 20V 1819 PF @ 400 V - 110W (TC)
IPB95R130PFD7ATMA1 Infineon Technologies IPB95R130PFD7ATMA1 4.5503
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 ECAD 5463 0,00000000 Tecnologias Infineon Coolmos ™ Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-PARA263-3-2 download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 1.000 N-canal 950 v 36.5a (TC) 10V 130mohm @ 25.1a, 10V 3.5V A 1,25mA 141 NC @ 10 V ± 20V 4170 PF @ 400 V - 227W (TC)
IRF3711ZCSTRLP Infineon Technologies IRF3711ZCSTRLP -
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 ECAD 4551 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab MOSFET (ÓXIDO DE METAL) D2PAK download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 800 N-canal 20 v 92A (TC) 4.5V, 10V 6mohm @ 15a, 10V 2,45V a 250µA 24 NC a 4,5 V ± 20V 2150 pf @ 10 V - 79W (TC)
IRL3103D2PBF Infineon Technologies IRL3103D2PBF -
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 ECAD 6344 0,00000000 Tecnologias Infineon Fetky ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-220AB download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado *IRL3103D2PBF Ear99 8541.29.0095 50 N-canal 30 v 54a (TC) 4.5V, 10V 14mohm @ 32a, 10V 1V a 250µA 44 NC a 4,5 V ± 16V 2300 pf @ 25 V - 2W (TA), 70W (TC)
BSB028N06NN3GXUMA1 Infineon Technologies BSB028N06NN3GXUMA1 2.9400
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 ECAD 1276 0,00000000 Tecnologias Infineon Optimos ™ Tape & Reel (TR) Ativo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 3-wdson BSB028 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) MG-WDSON-2, CANPAK M ™ download ROHS3 Compatível 3 (168 Horas) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 5.000 N-canal 60 v 22a (TA), 90A (TC) 10V 2.8mohm @ 30a, 10V 4V A 102µA 143 NC @ 10 V ± 20V 12000 pf @ 30 V - 2.2W (TA), 78W (TC)
FS600R07A2E3B32BOSA1 Infineon Technologies FS600R07A2E3B32BOSA1 -
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 ECAD 5547 0,00000000 Tecnologias Infineon * Bandeja Obsoleto download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8542.39.0001 3
IRFS7534PBF Infineon Technologies IRFS7534pbf -
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 ECAD 2180 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET®, STROTLIRFET ™ Tubo Descontinuado no sic -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab MOSFET (ÓXIDO DE METAL) D2PAK download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 50 N-canal 60 v 195a (TC) 6V, 10V 2.4mohm @ 100a, 10V 3.7V @ 250µA 279 NC @ 10 V ± 20V 10034 pf @ 25 V - 294W (TC)
SGW15N120 Infineon Technologies SGW15N120 -
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 ECAD 8311 0,00000000 Tecnologias Infineon - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco To-247-3 SGW15N Padrão 198 w PG-PARA247-3-1 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 1 800V, 15A, 33OHM, 15V NPT 1200 v 30 a 52 a 3.6V @ 15V, 15A 1,9mj 130 NC 18ns/580ns
IPS135N03LG Infineon Technologies IPS135N03LG 0,1600
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Tecnologias Infineon - Volume Ativo download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 1
IRFR220NCPBF Infineon Technologies IRFR220NCPBF -
RFQ
 ECAD 9657 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 IRFR220 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) D-Pak download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 75 N-canal 200 v 5a (ta) 10V 600mohm @ 2.9a, 10V 4V A 250µA 23 NC @ 10 V ± 20V 300 pf @ 25 V - 43W (TC)
ISZ520N20NM6ATMA1 Infineon Technologies ISZ520N20NM6ATMA1 0,8000
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 ECAD 4969 0,00000000 Tecnologias Infineon - Tape & Reel (TR) Ativo - ROHS3 Compatível 5.000
FS800R07A2E3B31BOSA1 Infineon Technologies FS800R07A2E3B31BOSA1 -
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 ECAD 3881 0,00000000 Tecnologias Infineon * Bandeja Obsoleto FS800R07 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 3
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