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Transistores (13833)

Imageem Número do Produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade Dispon Svel Peso (kg) Mfr Série Pacote Status do produto Temperatura operacional Tipo de Montagem Pacote / Caso Número do Produto Base Tipo de Entrada Tecnologia Poder - Máx Entrada Pacote de Dispositivo de Fornecedor Ficha de Dadas Status do rohs Nível de sensibilidade à Umidade (msl) Status de alcance Nomes de Ulros ECCN Htsus PACOTE PADROO Configuraça TIPO DE FET Condição de teste Ganho Escorra para um tensão de origem (VDSS) Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C Tensão de conduça (max rds on, min rds on) Rds em (max) @ id, vgs VGS (th) (max) @ id Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS VGs (Máximoo) CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Recurso FET DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) TIPO IGBT Tensão - Colapso do Emissor de Colecionador (Max) Corrente - Coletor (IC) (Max) Corrente - Coletor Pulsa (ICM) Vce (on) (max) @ vge, ic Troca de Energia Carga do Portão TD (Ligado/Desligado) A 25 ° C Corrente - Corte de Colecionador (Max) Termistor NTC CapacitânCia de Entrada (CIES) @ VCE Tipo de transistor Vce saturação (max) @ ib, ic Ganho ATUAL DE CC (HFE) (min) @ IC, VCE Frequencia - Transmissão Figura de Ruído (dB typ @ f)
IGW30N60TPXKSA1 Infineon Technologies IGW30N60TPXKSA1 2.5600
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Tecnologias Infineon Trenchstop ™ Tubo Não é para desenhos para Novos -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco To-247-3 IGW30N60 Padrão 200 w PG-A247-3 download ROHS3 Compatível Não Aplicável Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 30 400V, 30A, 10.5OHM, 15V Parada de Campo da Trinceira 600 v 53 a 90 a 1.8V @ 15V, 30A 710µJ (ON), 420µJ (Off) 130 NC 15ns/179ns
IRFU3709 Infineon Technologies IRFU3709 -
RFQ
 ECAD 8044 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-251-3 leva Curtos, Ipak, TO-251AA MOSFET (ÓXIDO DE METAL) IPAK (TO-251AA) download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado *IRFU3709 Ear99 8541.29.0095 75 N-canal 30 v 90A (TC) 4.5V, 10V 9mohm @ 15a, 10V 3V A 250µA 41 nc @ 4,5 V ± 20V 2672 pf @ 16 V - 120W (TC)
BC848BW Infineon Technologies BC848BW 1.0000
RFQ
 ECAD 5993 0,00000000 Tecnologias Infineon - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem NA Superfície SC-70, SOT-323 200 MW SOT-323 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.21.0075 1 30 v 100 ma 15na (ICBO) Npn 600mV @ 5Ma, 100mA 200 @ 2MA, 5V 100MHz
BC817K-16E6327 Infineon Technologies BC817K-16E6327 0,0400
RFQ
 ECAD 15 0,00000000 Tecnologias Infineon Automotivo, AEC-Q101 Volume Ativo 150 ° C (TJ) Montagem NA Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BC817 500 MW PG-SOT23 download Não Aplicável 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.21.0075 8.219 45 v 500 MA 100na (ICBO) 700mv @ 50Ma, 500mA 100 @ 100mA, 1V 170MHz
IRF8707TRPBF-1 Infineon Technologies IRF8707TRPBF-1 -
RFQ
 ECAD 9826 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem NA Superfície 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 8-SOIC download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 4.000 N-canal 30 v 11a (ta) 4.5V, 10V 11.9mohm @ 11a, 10v 2.35V @ 25µA 9,3 nc a 4,5 V ± 20V 760 pf @ 15 V - 2.5W (TA)
IKFW60N60EH3XKSA1 Infineon Technologies Ikfw60n60eh3xksa1 6.8580
RFQ
 ECAD 7990 0,00000000 Tecnologias Infineon - Tubo Ativo - - - Ikfw60 - - download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 240 - - - - -
BFP740FESDH6327 Infineon Technologies BFP740FESDH6327 0,1700
RFQ
 ECAD 142 0,00000000 Tecnologias Infineon - Volume Ativo 150 ° C (TJ) Montagem NA Superfície 4-SMD, FIOS Planos 160mW 4-tsfp download Não Aplicável 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.21.0075 3.000 39dB 4.2V 45mA Npn 160 @ 25MA, 3V 47 GHz 0,5dB ~ 1,45dB @ 150MHz ~ 10GHz
FZ800R12KS4B2NOSA1 Infineon Technologies FZ800R12KS4B2NOSA1 -
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 ECAD 6628 0,00000000 Tecnologias Infineon - Bandeja Obsoleto -40 ° C ~ 125 ° C. Montagem do chassi Módlo FZ800R12 7600 w Padrão Módlo download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 2 Solteiro - 1200 v 1200 a 3.7V @ 15V, 800A 5 MA Não 52 NF @ 25 V
BCP5416E6327HTSA1 Infineon Technologies BCP5416E6327HTSA1 0,1200
RFQ
 ECAD 4 0,00000000 Tecnologias Infineon Automotivo, AEC-Q101 Volume Ativo 150 ° C (TJ) Montagem NA Superfície TO-261-4, TO-261AA 2 w PG-SOT223-4 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0075 1.000 45 v 1 a 100na (ICBO) 500mv @ 50Ma, 500mA 100 @ 150mA, 2V 100MHz
FD400R12KE3HOSA1 Infineon Technologies FD400R12KE3HOSA1 223.5100
RFQ
 ECAD 10 0,00000000 Tecnologias Infineon C Bandeja Ativo -40 ° C ~ 125 ° C. Montagem do chassi Módlo FD400R12 2000 w Padrão Módlo download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 10 Helicóptero único Parada de Campo da Trinceira 1200 v 580 a 2.15V @ 15V, 400A 5 MA Não 28 NF @ 25 V
IRFB4020PBF Infineon Technologies IRFB4020PBF 1.8600
RFQ
 ECAD 18 0,00000000 Tecnologias Infineon - Tubo Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 IRFB4020 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-220AB download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 50 N-canal 200 v 18a (TC) 10V 100mohm @ 11a, 10V 4.9V @ 100µA 29 NC @ 10 V ± 20V 1200 pf @ 50 V - 100w (TC)
IRF540NSTRLPBF Infineon Technologies IRF540NSTRLPBF 1.6700
RFQ
 ECAD 29 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem NA Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab IRF540 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) D2PAK download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 800 N-canal 100 v 33a (TC) 10V 44mohm @ 16a, 10v 4V A 250µA 71 nc @ 10 V ± 20V 1960 pf @ 25 V - 130W (TC)
IPA50R299CPXKSA1079 Infineon Technologies IPA50R299CPXKSA1079 -
RFQ
 ECAD 1497 0,00000000 Tecnologias Infineon Coolmos ™ Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco Pacote completo parágrafo 220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-PARA220-3-31 download Ear99 8541.29.0095 1 N-canal 500 v 12a (TC) 10V 299mohm @ 6.6a, 10V 3.5V @ 440µA 31 NC @ 10 V ± 20V 1190 pf @ 100 V - 104W (TC)
IAUC100N04S6N028ATMA1 Infineon Technologies IAUC100N04S6N028ATMA1 1.1700
RFQ
 ECAD 17 0,00000000 Tecnologias Infineon Automotivo, AEC-Q101, Optimos ™ Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem NA Superfície 8-PowerTdfn IAUC100 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) Pg-tdson-8 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 5.000 N-canal 40 v 100a (TC) 7V, 10V 2.86mohm @ 50a, 10V 3V @ 24µA 29 NC @ 10 V ± 20V 1781 pf @ 25 V - 62W (TC)
IPB60R060C7ATMA1 Infineon Technologies IPB60R060C7ATMA1 9.5100
RFQ
 ECAD 999 0,00000000 Tecnologias Infineon Coolmos ™ C7 Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem NA Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab IPB60R060 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) D2PAK (TO-263) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 1.000 N-canal 600 v 35a (TC) 10V 60mohm @ 15.9a, 10V 4V A 800µA 68 nc @ 10 V ± 20V 2850 PF @ 400 V - 162W (TC)
IPD60R1K0PFD7SAUMA1 Infineon Technologies IPD60R1K0PFD7SAUMA1 0,8900
RFQ
 ECAD 568 0,00000000 Tecnologias Infineon Coolmos ™ PFD7 Tape & Reel (TR) Ativo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem NA Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 IPD60R MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-A252-3 download ROHS3 Compatível 3 (168 Horas) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 2.500 N-canal 600 v 4.7a (TC) 10V 1OHM @ 1A, 10V 4.5V @ 50µA 6 nc @ 10 V ± 20V 230 PF @ 400 V - 26W (TC)
IPU50R2K0CEAKMA1 Infineon Technologies IPU50R2K0Ceakma1 -
RFQ
 ECAD 9185 0,00000000 Tecnologias Infineon Coolmos ™ CE Tubo Descontinuado no sic -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-251-3 leva Curtos, Ipak, TO-251AA IPU50R MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-A251-3 download ROHS3 Compatível 3 (168 Horas) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 1.500 N-canal 500 v 2.4a (TC) 13V 2OHM @ 600MA, 13V 3.5V @ 50µA 6 nc @ 10 V ± 20V 124 pf @ 100 V - 33W (TC)
IPA65R1K5CEXKSA1 Infineon Technologies IPA65R1K5CEXKSA1 1.1500
RFQ
 ECAD 500 0,00000000 Tecnologias Infineon Coolmos ™ Tubo Não é para desenhos para Novos -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco Pacote completo parágrafo 220-3 IPA65R1 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-A220-FP download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 500 N-canal 650 v 5.2a (TC) 10V 1.5OHM @ 1A, 10V 3,5V A 130µA 10,5 nc @ 10 V ± 20V 225 pf @ 100 V - 30W (TC)
SGW10N60AFKSA1 Infineon Technologies SGW10N60AFKSA1 -
RFQ
 ECAD 5466 0,00000000 Tecnologias Infineon - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco To-247-3 SGW10N Padrão 92 w PG-PARA247-3-1 download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 240 400V, 10A, 25OHM, 15V NPT 600 v 20 a 40 a 2.4V @ 15V, 10A 320µJ 52 NC 28ns/178ns
IRLL024NPBF Infineon Technologies IRLL024NPBF -
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 ECAD 2926 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tubo Descontinuado no sic -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem NA Superfície TO-261-4, TO-261AA MOSFET (ÓXIDO DE METAL) SOT-223 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado SP001550452 Ear99 8541.29.0095 80 N-canal 55 v 3.1a (ta) 4V, 10V 65mohm @ 3.1a, 10V 2V A 250µA 15,6 nc @ 5 V ± 16V 510 pf @ 25 V - 1W (TA)
IRFI1310N Infineon Technologies IRFI1310N -
RFQ
 ECAD 7393 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco Pacote completo parágrafo 220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-A220-FP download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado *IRFI1310N Ear99 8541.29.0095 50 N-canal 100 v 24a (TC) 10V 36mohm @ 13a, 10V 4V A 250µA 120 nc @ 10 V ± 20V 1900 pf @ 25 V - 56W (TC)
SIGC25T60UNX1SA3 Infineon Technologies SIGC25T60UNX1SA3 -
RFQ
 ECAD 5325 0,00000000 Tecnologias Infineon - Volume Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem NA Superfície Morrer SIGC25 Padrão Morrer download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Obsoleto 1 400V, 30A, 1,8OHM, 15V NPT 600 v 30 a 90 a 3.15V @ 15V, 30A - 16ns/122ns
IRG4PH20KPBF Infineon Technologies IRG4PH20KPBF -
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 ECAD 6000 0,00000000 Tecnologias Infineon - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco To-247-3 IRG4PH20 Padrão 60 w TO-247AC download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 400 960V, 5A, 50OHM, 15V - 1200 v 11 a 22 a 4.3V @ 15V, 5A 450µJ (ON), 440µJ (Off) 28 NC 23ns/93ns
IPI50R399CPXKSA1 Infineon Technologies IPI50R399CPXKSA1 -
RFQ
 ECAD 8852 0,00000000 Tecnologias Infineon Coolmos ™ Tubo Descontinuado no sic -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-262-3 Leitos Longos, i²pak, TO-262AA IPI50R399 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-PARA262-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado SP000680738 Ear99 8541.29.0095 500 N-canal 500 v 9a (TC) 10V 399mohm @ 4.9a, 10V 3,5V a 330µA 23 NC @ 10 V ± 20V 890 pf @ 100 V - 83W (TC)
FP30R06W1E3B11BOMA1 Infineon Technologies FP30R06W1E3B11BOMA1 45.2600
RFQ
 ECAD 24 0,00000000 Tecnologias Infineon EASYPIM ™ Bandeja Ativo -40 ° C ~ 150 ° C. Montagem do chassi Módlo FP30R06 115 w Padrão Módlo download ROHS3 Compatível Não Aplicável Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 24 Inversor Trifásico Parada de Campo da Trinceira 600 v 37 a 2V @ 15V, 30A 1 MA Sim 1,65 NF @ 25 V
BSC0500NSIATMA1 Infineon Technologies BSC0500nsiatma1 2.2100
RFQ
 ECAD 6311 0,00000000 Tecnologias Infineon Optimos ™ Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem NA Superfície 8-PowerTdfn BSC0500 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) Pg-tdson-8-6 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 5.000 N-canal 30 v 35A (TA), 100A (TC) 4.5V, 10V 1.3mohm @ 30a, 10V 2V A 250µA 52 NC @ 10 V ± 20V 3300 pf @ 15 V - 2.5W (TA), 69W (TC)
BCP69-25E6327 Infineon Technologies BCP69-25E6327 0,1600
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Tecnologias Infineon Automotivo, AEC-Q101 Volume Ativo 150 ° C (TJ) Montagem NA Superfície TO-261-4, TO-261AA 3 w PG-SOT223-4 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.29.0075 1.000 20 v 1 a 100na (ICBO) 500mv @ 100ma, 1a 160 @ 500mA, 1V 100MHz
IKQ50N120CH7XKSA1 Infineon Technologies IKQ50N120CH7XKSA1 11.8200
RFQ
 ECAD 220 0,00000000 Tecnologias Infineon Trenchstop ™ Tubo Ativo -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco To-247-3 IKQ50N120 Padrão 398 w PG-PARA247-3-U01 download ROHS3 Compatível Não Aplicável Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 30 - 133 ns Parada de Campo da Trinceira 1200 v 71 a 200 a 2.15V @ 15V, 50A 2,61MJ (ON), 1,1MJ (Desligado) 366 nc 40ns/323ns
IRFB7530PBF Infineon Technologies IRFB7530PBF 3.3800
RFQ
 ECAD 10 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET®, STROTLIRFET ™ Tubo Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 IRFB7530 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-220AB download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 50 N-canal 60 v 195a (TC) 6V, 10V 2mohm @ 100a, 10V 3.7V @ 250µA 411 NC @ 10 V ± 20V 13703 pf @ 25 V - 375W (TC)
FP100R06KE3B16BOSA1 Infineon Technologies FP100R06KE3B16BOSA1 1.0000
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 ECAD 1486 0,00000000 Tecnologias Infineon * Volume Ativo - Não Aplicável 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.29.0095 1
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    Volume médio diário de RFQ

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    Unidade de produto padrão

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