SIC
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Imageem Número do Produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade Dispon Svel Peso (kg) Mfr Série Pacote Status do produto Temperatura operacional Tipo de Montagem Pacote / Caso Número do Produto Base Tipo de Entrada Tecnologia Poder - Máx Pacote de Dispositivo de Fornecedor Ficha de Dadas Status do rohs Nível de sensibilidade à Umidade (msl) Status de alcance Nomes de Ulros ECCN Htsus PACOTE PADROO Configuraça TIPO DE FET Condição de teste Ganho Escorra para um tensão de origem (VDSS) Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C Tensão de conduça (max rds on, min rds on) Rds em (max) @ id, vgs VGS (th) (max) @ id Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS VGs (Máximoo) CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Recurso FET DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) TIPO IGBT Tensão - Colapso do Emissor de Colecionador (Max) Corrente - Coletor (IC) (Max) Corrente - Coletor Pulsa (ICM) Vce (on) (max) @ vge, ic Troca de Energia Carga do Portão TD (Ligado/Desligado) A 25 ° C Corrente - Corte de Colecionador (Max) Tipo de transistor Vce saturação (max) @ ib, ic Ganho ATUAL DE CC (HFE) (min) @ IC, VCE Frequencia - Transmissão Resistor - Base (R1) Resistor - Base de Emissor (R2) Figura de Ruído (dB typ @ f)
IRFH7882TRPBF Infineon Technologies IRFH7882TRPBF -
RFQ
ECAD 8566 0,00000000 Tecnologias Infineon FastIrfet ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem NA Superfície 8-VQFN MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 8-pqfn (5x6) download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 4.000 N-canal 80 v 26a (TA) 10V 3.1mohm @ 50a, 10V 3,6V a 250µA 74 NC @ 10 V ± 20V 3186 pf @ 40 V - 4W (TA), 195W (TC)
IRF7828TRPBF Infineon Technologies IRF7828TRPBF -
RFQ
ECAD 2271 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem NA Superfície 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 8-so download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 4.000 N-canal 30 v 13.6a (TA) 4.5V 12.5mohm @ 10a, 4.5V 1V a 250µA 14 NC @ 5 V ± 20V 1010 pf @ 15 V - 2.5W (TA)
IPA50R190CEXKSA2 Infineon Technologies IPA50R190CEXKSA2 2.3700
RFQ
ECAD 490 0,00000000 Tecnologias Infineon Coolmos ™ CE Tubo Ativo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco Pacote completo parágrafo 220-3 IPA50R190 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-A220-FP download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 50 N-canal 500 v 18.5a (TC) 13V 190mohm @ 6.2a, 13V 3,5V a 510µA 47,2 nc @ 10 V ± 20V 1137 pf @ 100 V - 32W (TC)
IRGR4607DTRLPBF Infineon Technologies Irgr4607dtrlpbf -
RFQ
ECAD 5889 0,00000000 Tecnologias Infineon - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem NA Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 Padrão 58 w D-Pak download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado SP001549718 Ear99 8541.29.0095 3.000 400V, 4A, 100OHM, 15V 48 ns - 600 v 11 a 12 a 2.05V @ 15V, 4A 140µJ (ON), 62µJ (Off) 9 NC 27ns/120ns
BF886H6327XTSA1 Infineon Technologies BF886H6327XTSA1 -
RFQ
ECAD 6811 0,00000000 Tecnologias Infineon - Tape & Reel (TR) Ativo 150 ° C (TJ) Montagem NA Superfície SC-82A, SOT-343 BF886 100mW PG-SOT343 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado SP000834798 0000.00.0000 3.000 19dB 4V 25Ma Npn - 45 GHz 0,5dB ~ 0,7dB A 1,9 GHz ~ 5,5 GHz
BSZ033NE2LS5ATMA1 Infineon Technologies BSZ033NE2LS5ATMA1 1.2600
RFQ
ECAD 4 0,00000000 Tecnologias Infineon Optimos ™ Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem NA Superfície 8-PowerTdfn BSZ033 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-TSDSON-8-FL download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 5.000 N-canal 25 v 18a (TA), 40A (TC) 4.5V, 10V 3.3mohm @ 20a, 10V 2V A 250µA 18,3 nc @ 10 V ± 16V 1230 pf @ 12 V - 2.1W (TA), 30W (TC)
IPP06CN10LG Infineon Technologies IPP06CN10LG 1.4500
RFQ
ECAD 490 0,00000000 Tecnologias Infineon Optimos ™ 2 Volume Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-PARA220-3-1 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 1 N-canal 100 v 100a (TC) 4.5V, 10V 6.2mohm @ 100a, 10V 2.4V @ 180µA 124 nc @ 10 V ± 20V 11900 pf @ 50 V - 214W (TC)
IPP50R199CPXK Infineon Technologies IPP50R199CPXK -
RFQ
ECAD 9555 0,00000000 Tecnologias Infineon Coolmos ™ Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-PARA220-3-1 download Não Aplicável 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.29.0095 1 N-canal 500 v 17a (TC) 10V 199mohm @ 9.9a, 10V 3,5V A 660µA 45 nc @ 10 V ± 20V 1800 pf @ 100 V - 139W (TC)
IAUZ40N06S5N105ATMA1 Infineon Technologies IAUZ40N06S5N105ATMA1 0,3473
RFQ
ECAD 8566 0,00000000 Tecnologias Infineon Automotivo, AEC -Q101, Optima ™ -5 Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem NA Superfície 8-PowerTdfn MOSFET (ÓXIDO DE METAL) Pg-tsdson-8-32 download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 5.000 N-canal 60 v 40A (TJ) 7V, 10V 10.5mohm @ 20a, 10V 3.4V @ 13µA 16,3 nc @ 10 V ± 20V 1099 pf @ 30 V - 42W (TC)
IPP60R600C6 Infineon Technologies IPP60R600C6 -
RFQ
ECAD 9047 0,00000000 Tecnologias Infineon Coolmos ™ Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-PARA220-3-1 download 0000.00.0000 1 N-canal 600 v 7.3a (TC) 10V 600mohm @ 2.4a, 10V 3.5V @ 200µA 20,5 nc @ 10 V ± 20V 440 PF @ 100 V - 63W (TC)
BC817K40E6327HTSA1 Infineon Technologies BC817K40E6327HTSA1 0,3700
RFQ
ECAD 117 0,00000000 Tecnologias Infineon - Tape & Reel (TR) Última Vez compra 150 ° C (TJ) Montagem NA Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BC817 500 MW PG-SOT23 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.21.0075 3.000 45 v 500 MA 100na (ICBO) Npn 700mv @ 50Ma, 500mA 250 @ 100mA, 1V 170MHz
IPP60R280P6XKSA1 Infineon Technologies IPP60R280P6XKSA1 2.8900
RFQ
ECAD 3127 0,00000000 Tecnologias Infineon Coolmos ™ Tubo Não é para desenhos para Novos -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 IPP60R280 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-PARA220-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 50 N-canal 600 v 13.8a (TC) 10V 280mohm @ 6.5a, 10V 3,5V a 430µA 43 nc @ 10 V ± 20V 950 pf @ 100 V - 104W (TC)
AUIRL1404STRL Infineon Technologies Auill1404Strl -
RFQ
ECAD 3677 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem NA Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) D-Pak (TO-252AA) download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado SP001522830 Ear99 8541.29.0095 800 N-canal 40 v 160A (TC) 4.3V, 10V 4mohm @ 95a, 10V 3V A 250µA 140 nc @ 5 V ± 20V 6600 pf @ 25 V - 3.8W (TA), 200W (TC)
IPD30N06S2L13ATMA1 Infineon Technologies IPD30N06S2L13ATMA1 -
RFQ
ECAD 2127 0,00000000 Tecnologias Infineon Optimos ™ Volume Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem NA Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-PARA252-3-11 download Ear99 8542.39.0001 1 N-canal 55 v 30a (TC) 4.5V, 10V 13mohm @ 30a, 10V 2V @ 80µA 69 NC @ 10 V ± 20V 1800 pf @ 25 V - 136W (TC)
IGP06N60TXKSA1 Infineon Technologies IGP06N60TXKSA1 1.6000
RFQ
ECAD 493 0,00000000 Tecnologias Infineon Trenchstop® Tubo Ativo -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 IGP06N60 Padrão 88 w PG-PARA220-3-1 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 500 400V, 6A, 23OHM, 15V Parada de Campo da Trinceira 600 v 12 a 18 a 2.05V @ 15V, 6a 200µJ 42 NC 9ns/130ns
BCR148E6327HTSA1 Infineon Technologies BCR148E6327HTSA1 0,3800
RFQ
ECAD 350 0,00000000 Tecnologias Infineon - Tape & Reel (TR) Última Vez compra Montagem NA Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BCR148 200 MW PG-SOT23 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.21.0075 3.000 50 v 100 ma 100na (ICBO) Npn - pré -tendencioso 300mv @ 500µA, 10MA 70 @ 5MA, 5V 100 MHz 47 Kohms 47 Kohms
IRLZ44Z Infineon Technologies IRLZ44Z -
RFQ
ECAD 6541 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-220AB download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado *IRLZ44Z Ear99 8541.29.0095 50 N-canal 55 v 51a (TC) 4.5V, 10V 13.5mohm @ 31a, 10v 3V A 250µA 36 NC @ 5 V ± 16V 1620 pf @ 25 V - 80W (TC)
BCR 139L3 E6327 Infineon Technologies BCR 139L3 E6327 -
RFQ
ECAD 8107 0,00000000 Tecnologias Infineon - Tape & Reel (TR) Descontinuado no sic Montagem NA Superfície SC-101, SOT-883 BCR 139 250 MW PG-TSLP-3-4 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.21.0075 15.000 50 v 100 ma 100na (ICBO) Npn - pré -tendencioso 300mv @ 500µA, 10MA 120 @ 5MA, 5V 150 MHz 22 Kohms
BSG0810NDIATMA1 Infineon Technologies BSG0810ndiatma1 3.2500
RFQ
ECAD 3148 0,00000000 Tecnologias Infineon Optimos ™ Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 155 ° C (TJ) Montagem NA Superfície 8-PowerTdfn BSG0810 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 2.5W Pg-tison-8 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 5.000 2 canal n (Duplo) Assimético 25V 19a, 39a 3mohm @ 20a, 10V 2V A 250µA 8.4nc @ 4.5V 1040pf @ 12V Portão de Nível Lógico, Unidade de 4.5V
IPD135N03LGATMA1 Infineon Technologies IPD135N03LGATMA1 0,8700
RFQ
ECAD 8 0,00000000 Tecnologias Infineon Optimos ™ Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem NA Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 IPD135 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-A252-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 2.500 N-canal 30 v 30a (TC) 4.5V, 10V 13.5mohm @ 30a, 10V 2.2V A 250µA 10 nc @ 10 V ± 20V 1000 pf @ 15 V - 31W (TC)
BCR 569 E6327 Infineon Technologies BCR 569 E6327 -
RFQ
ECAD 8026 0,00000000 Tecnologias Infineon - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montagem NA Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BCR 569 330 MW PG-SOT23 download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.21.0075 3.000 50 v 500 MA 100na (ICBO) PNP - Pré -tendencioso 300mv @ 2.5mA, 50mA 120 @ 50MA, 5V 150 MHz 4.7 Kohms
BCX5610H6327XTSA1 Infineon Technologies BCX5610H6327XTSA1 -
RFQ
ECAD 3382 0,00000000 Tecnologias Infineon Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Descontinuado no sic 150 ° C (TJ) Montagem NA Superfície TO-243AA BCX5610 2 w PG-SOT89 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0075 1.000 80 v 1 a 100na (ICBO) Npn 500mv @ 50Ma, 500mA 63 @ 150mA, 2V 100MHz
BCP 55-16 E6327 Infineon Technologies BCP 55-16 E6327 -
RFQ
ECAD 3269 0,00000000 Tecnologias Infineon - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montagem NA Superfície TO-261-4, TO-261AA BCP 55 2 w PG-SOT223-4 download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0075 1.000 60 v 1 a 100na (ICBO) Npn 500mv @ 50Ma, 500mA 100 @ 150mA, 2V 100MHz
BFP420H6740 Infineon Technologies BFP420H6740 0,2200
RFQ
ECAD 455 0,00000000 Tecnologias Infineon - Volume Ativo 150 ° C (TJ) Montagem NA Superfície SC-82A, SOT-343 210MW PG-SOT343-4-2 download Não Aplicável 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.21.0075 3.000 21dB 4.5V 60mA Npn 60 @ 20MA, 4V 25GHz 1.1dB @ 1.8GHz
BCR198SE6327BTSA1 Infineon Technologies BCR198SE6327BTSA1 -
RFQ
ECAD 9016 0,00000000 Tecnologias Infineon - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montagem NA Superfície 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 BCR198 250mw PG-SOT363-PO download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.21.0095 3.000 50V 100mA - 2 PNP - Pré -tendencioso (Duplo) 300mv @ 500µA, 10MA 70 @ 5MA, 5V 190MHz 47kohms 47kohms
IRFB7740PBF Infineon Technologies IRFB7740pbf 1.5100
RFQ
ECAD 1 0,00000000 Tecnologias Infineon Strongirfet ™ Tubo Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 IRFB7740 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-220AB download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 50 N-canal 75 v 87a (TC) 6V, 10V 7.3mohm @ 52a, 10V 3.7V @ 100µA 122 NC @ 10 V ± 20V 4650 PF @ 25 V - 143W (TC)
IPP057N08N3GXKSA1 Infineon Technologies IPP057N08N3GXKSA1 2.5300
RFQ
ECAD 9573 0,00000000 Tecnologias Infineon Optimos ™ Tubo Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 IPP057 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-PARA220-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 50 N-canal 80 v 80a (TC) 6V, 10V 5.7mohm @ 80a, 10V 3,5V a 90µA 69 NC @ 10 V ± 20V 4750 PF @ 40 V - 150W (TC)
SIPC05N60C3X1SA1 Infineon Technologies SIPC05N60C3X1SA1 -
RFQ
ECAD 9020 0,00000000 Tecnologias Infineon - Volume Ativo SIPC05 - ROHS3 Compatível 2 (1 Ano) Alcançar Não Afetado SP000957012 0000.00.0000 1 -
IPN95R2K0P7ATMA1 Infineon Technologies IPN95R2K0P7ATMA1 1.2700
RFQ
ECAD 3 0,00000000 Tecnologias Infineon Coolmos ™ P7 Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem NA Superfície TO-261-4, TO-261AA IPN95R2 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-SOT223 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 3.000 N-canal 950 v 4a (TC) 10V 2ohm @ 1.7a, 10V 3,5V a 80µA 10 nc @ 10 V ± 20V 330 pf @ 400 V - 7W (TC)
BUZ73AH3046 Infineon Technologies Buz73ah3046 0,4300
RFQ
ECAD 12 0,00000000 Tecnologias Infineon Sipmos® Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-PARA220-3-1 download Não Aplicável 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 1 N-canal 200 v 5.5a (TC) 10V 600mohm @ 4.5a, 10V 4V @ 1MA ± 20V 530 pf @ 25 V - 40W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume médio diário de RFQ

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Unidade de produto padrão

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes em todo o mundo

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Armazém em estoque