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Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Temperatura operacional | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tipo de Entrada | Tecnologia | Poder - Máx | Entrada | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Configuraça | TIPO DE FET | Condição de teste | Ganho | Escorra para um tensão de origem (VDSS) | Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C | Tensão de conduça (max rds on, min rds on) | Rds em (max) @ id, vgs | VGS (th) (max) @ id | Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS | VGs (Máximoo) | CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Recurso FET | DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) | Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) | TIPO IGBT | Tensão - Colapso do Emissor de Colecionador (Max) | Corrente - Coletor (IC) (Max) | Corrente - Coletor Pulsa (ICM) | Vce (on) (max) @ vge, ic | Troca de Energia | Carga do Portão | TD (Ligado/Desligado) A 25 ° C | Corrente - Corte de Colecionador (Max) | Termistor NTC | CapacitânCia de Entrada (CIES) @ VCE | Tipo de transistor | Vce saturação (max) @ ib, ic | Ganho ATUAL DE CC (HFE) (min) @ IC, VCE | Frequencia - Transmissão | Resistor - Base (R1) | Resistor - Base de Emissor (R2) | Figura de Ruído (dB typ @ f) |
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![]() | Ikfw60n60eh3xksa1 | 6.8580 | ![]() | 7990 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | - | Tubo | Ativo | - | - | - | Ikfw60 | - | - | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 240 | - | - | - | - | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BFP740FESDH6327 | 0,1700 | ![]() | 142 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | - | Volume | Ativo | 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 4-SMD, FIOS Planos | 160mW | 4-tsfp | download | Não Aplicável | 1 (ilimito) | Fornecedor indefinido | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 39dB | 4.2V | 45mA | Npn | 160 @ 25MA, 3V | 47 GHz | 0,5dB ~ 1,45dB @ 150MHz ~ 10GHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FZ800R12KS4B2NOSA1 | - | ![]() | 6628 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | - | Bandeja | Obsoleto | -40 ° C ~ 125 ° C. | Montagem do chassi | Módlo | FZ800R12 | 7600 w | Padrão | Módlo | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 2 | Solteiro | - | 1200 v | 1200 a | 3.7V @ 15V, 800A | 5 MA | Não | 52 NF @ 25 V | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BCP5416E6327HTSA1 | 0,1200 | ![]() | 4 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | Automotivo, AEC-Q101 | Volume | Ativo | 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-261-4, TO-261AA | 2 w | PG-SOT223-4 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0075 | 1.000 | 45 v | 1 a | 100na (ICBO) | 500mv @ 50Ma, 500mA | 100 @ 150mA, 2V | 100MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FD400R12KE3HOSA1 | 223.5100 | ![]() | 10 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | C | Bandeja | Ativo | -40 ° C ~ 125 ° C. | Montagem do chassi | Módlo | FD400R12 | 2000 w | Padrão | Módlo | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 10 | Helicóptero único | Parada de Campo da Trinceira | 1200 v | 580 a | 2.15V @ 15V, 400A | 5 MA | Não | 28 NF @ 25 V | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRFB4020PBF | 1.8600 | ![]() | 18 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | - | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | To-220-3 | IRFB4020 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-220AB | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 200 v | 18a (TC) | 10V | 100mohm @ 11a, 10V | 4.9V @ 100µA | 29 NC @ 10 V | ± 20V | 1200 pf @ 50 V | - | 100w (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRF540NSTRLPBF | 1.6700 | ![]() | 29 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | HEXFET® | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | IRF540 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | D2PAK | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 100 v | 33a (TC) | 10V | 44mohm @ 16a, 10v | 4V A 250µA | 71 nc @ 10 V | ± 20V | 1960 pf @ 25 V | - | 130W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPA50R299CPXKSA1079 | - | ![]() | 1497 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | Coolmos ™ | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | Pacote completo parágrafo 220-3 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PG-PARA220-3-31 | download | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 500 v | 12a (TC) | 10V | 299mohm @ 6.6a, 10V | 3.5V @ 440µA | 31 NC @ 10 V | ± 20V | 1190 pf @ 100 V | - | 104W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IAUC100N04S6N028ATMA1 | 1.1700 | ![]() | 17 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | Automotivo, AEC-Q101, Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-PowerTdfn | IAUC100 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | Pg-tdson-8 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 5.000 | N-canal | 40 v | 100a (TC) | 7V, 10V | 2.86mohm @ 50a, 10V | 3V @ 24µA | 29 NC @ 10 V | ± 20V | 1781 pf @ 25 V | - | 62W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPB60R060C7ATMA1 | 9.5100 | ![]() | 999 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | Coolmos ™ C7 | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | IPB60R060 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | D2PAK (TO-263) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-canal | 600 v | 35a (TC) | 10V | 60mohm @ 15.9a, 10V | 4V A 800µA | 68 nc @ 10 V | ± 20V | 2850 PF @ 400 V | - | 162W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPD60R1K0PFD7SAUMA1 | 0,8900 | ![]() | 568 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | Coolmos ™ PFD7 | Tape & Reel (TR) | Ativo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | IPD60R | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PG-A252-3 | download | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 600 v | 4.7a (TC) | 10V | 1OHM @ 1A, 10V | 4.5V @ 50µA | 6 nc @ 10 V | ± 20V | 230 PF @ 400 V | - | 26W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPU50R2K0Ceakma1 | - | ![]() | 9185 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | Coolmos ™ CE | Tubo | Descontinuado no sic | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-251-3 leva Curtos, Ipak, TO-251AA | IPU50R | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PG-A251-3 | download | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.500 | N-canal | 500 v | 2.4a (TC) | 13V | 2OHM @ 600MA, 13V | 3.5V @ 50µA | 6 nc @ 10 V | ± 20V | 124 pf @ 100 V | - | 33W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPA65R1K5CEXKSA1 | 1.1500 | ![]() | 500 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | Coolmos ™ | Tubo | Não é para desenhos para Novos | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | Pacote completo parágrafo 220-3 | IPA65R1 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PG-A220-FP | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 650 v | 5.2a (TC) | 10V | 1.5OHM @ 1A, 10V | 3,5V A 130µA | 10,5 nc @ 10 V | ± 20V | 225 pf @ 100 V | - | 30W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | SGW10N60AFKSA1 | - | ![]() | 5466 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | To-247-3 | SGW10N | Padrão | 92 w | PG-PARA247-3-1 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 240 | 400V, 10A, 25OHM, 15V | NPT | 600 v | 20 a | 40 a | 2.4V @ 15V, 10A | 320µJ | 52 NC | 28ns/178ns | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRLL024NPBF | - | ![]() | 2926 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | HEXFET® | Tubo | Descontinuado no sic | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-261-4, TO-261AA | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | SOT-223 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | SP001550452 | Ear99 | 8541.29.0095 | 80 | N-canal | 55 v | 3.1a (ta) | 4V, 10V | 65mohm @ 3.1a, 10V | 2V A 250µA | 15,6 nc @ 5 V | ± 16V | 510 pf @ 25 V | - | 1W (TA) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRFI1310N | - | ![]() | 7393 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | HEXFET® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | Pacote completo parágrafo 220-3 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PG-A220-FP | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | *IRFI1310N | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 100 v | 24a (TC) | 10V | 36mohm @ 13a, 10V | 4V A 250µA | 120 nc @ 10 V | ± 20V | 1900 pf @ 25 V | - | 56W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | SIGC25T60UNX1SA3 | - | ![]() | 5325 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | - | Volume | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | Morrer | SIGC25 | Padrão | Morrer | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Obsoleto | 1 | 400V, 30A, 1,8OHM, 15V | NPT | 600 v | 30 a | 90 a | 3.15V @ 15V, 30A | - | 16ns/122ns | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPI50R399CPXKSA1 | - | ![]() | 8852 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | Coolmos ™ | Tubo | Descontinuado no sic | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-262-3 Leitos Longos, i²pak, TO-262AA | IPI50R399 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PG-PARA262-3 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | SP000680738 | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 500 v | 9a (TC) | 10V | 399mohm @ 4.9a, 10V | 3,5V a 330µA | 23 NC @ 10 V | ± 20V | 890 pf @ 100 V | - | 83W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | FP30R06W1E3B11BOMA1 | 45.2600 | ![]() | 24 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | EASYPIM ™ | Bandeja | Ativo | -40 ° C ~ 150 ° C. | Montagem do chassi | Módlo | FP30R06 | 115 w | Padrão | Módlo | download | ROHS3 Compatível | Não Aplicável | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 24 | Inversor Trifásico | Parada de Campo da Trinceira | 600 v | 37 a | 2V @ 15V, 30A | 1 MA | Sim | 1,65 NF @ 25 V | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BCP69-25E6327 | 0,1600 | ![]() | 3 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | Automotivo, AEC-Q101 | Volume | Ativo | 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-261-4, TO-261AA | 3 w | PG-SOT223-4 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Fornecedor indefinido | Ear99 | 8541.29.0075 | 1.000 | 20 v | 1 a | 100na (ICBO) | 500mv @ 100ma, 1a | 160 @ 500mA, 1V | 100MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IKQ50N120CH7XKSA1 | 11.8200 | ![]() | 220 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | Trenchstop ™ | Tubo | Ativo | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | To-247-3 | IKQ50N120 | Padrão | 398 w | PG-PARA247-3-U01 | download | ROHS3 Compatível | Não Aplicável | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | - | 133 ns | Parada de Campo da Trinceira | 1200 v | 71 a | 200 a | 2.15V @ 15V, 50A | 2,61MJ (ON), 1,1MJ (Desligado) | 366 nc | 40ns/323ns | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRFB7530PBF | 3.3800 | ![]() | 10 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | HEXFET®, STROTLIRFET ™ | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | To-220-3 | IRFB7530 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-220AB | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 60 v | 195a (TC) | 6V, 10V | 2mohm @ 100a, 10V | 3.7V @ 250µA | 411 NC @ 10 V | ± 20V | 13703 pf @ 25 V | - | 375W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
FP100R06KE3B16BOSA1 | 1.0000 | ![]() | 1486 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | * | Volume | Ativo | - | Não Aplicável | 1 (ilimito) | Fornecedor indefinido | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRGS6B60KDTRLP | - | ![]() | 7807 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | IRGS6B60 | Padrão | 90 w | D2PAK | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | 400V, 5A, 100OHM, 15V | 70 ns | NPT | 600 v | 13 a | 26 a | 2.2V @ 15V, 5A | 110µJ (ON), 135µJ (Off) | 18.2 NC | 25ns/215ns | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | FP10R12W1T7PB3BPSA1 | 37.0777 | ![]() | 7332 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | EASYPIM ™ | Bandeja | Ativo | - | FP10R12 | - | - | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 2156-FP10R12W1T7PB3BPSA1-448 | 30 | - | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRGC14C40LD | - | ![]() | 9019 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | - | Volume | Obsoleto | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | Morrer | Lógica | Morrer | - | Não Aplicável | Alcançar Não Afetado | SP001542232 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | - | - | 430 v | 14 a | 2,65V a 4,5V, 10a | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SIGC12T60NCX1SA3 | - | ![]() | 3182 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | - | Volume | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | Morrer | SIGC12 | Padrão | Morrer | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Obsoleto | 1 | 300V, 10A, 27OHM, 15V | NPT | 600 v | 10 a | 30 a | 2.5V @ 15V, 10A | - | 21ns/110ns | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRG4CC40FB | - | ![]() | 5486 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | - | Volume | Obsoleto | - | Montagem na Superfície | Morrer | IRG4CC | Padrão | Morrer | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Obsoleto | 1 | - | - | 600 v | 1.6V @ 15V, 10A | - | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRG4BC30F-SPBF | - | ![]() | 2890 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | IRG4BC30F-SPBF | Padrão | 100 w | D2PAK | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | 480V, 17a, 23ohm, 15v | - | 600 v | 31 a | 120 a | 1.8V @ 15V, 17a | 230µJ (ON), 1,18MJ (OFF) | 51 NC | 21ns/200ns | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BCR135E6359HTMA1 | - | ![]() | 2054 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Última Vez compra | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BCR135 | 200 MW | PG-SOT23 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 100na (ICBO) | Npn - pré -tendencioso | 300mv @ 500µA, 10MA | 70 @ 5MA, 5V | 150 MHz | 10 Kohms | 47 Kohms |
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