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Transistores (13833)

Imageem Número do Produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade Dispon Svel Peso (kg) Mfr Série Pacote Status do produto Temperatura operacional Tipo de Montagem Pacote / Caso Número do Produto Base Tipo de Entrada Tecnologia Poder - Máx Entrada Pacote de Dispositivo de Fornecedor Ficha de Dadas Status do rohs Nível de sensibilidade à Umidade (msl) Status de alcance Nomes de Ulros ECCN Htsus PACOTE PADROO Configuraça TIPO DE FET Condição de teste Ganho Escorra para um tensão de origem (VDSS) Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C Tensão de conduça (max rds on, min rds on) Rds em (max) @ id, vgs VGS (th) (max) @ id Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS VGs (Máximoo) CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Recurso FET DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) TIPO IGBT Tensão - Colapso do Emissor de Colecionador (Max) Corrente - Coletor (IC) (Max) Corrente - Coletor Pulsa (ICM) Vce (on) (max) @ vge, ic Troca de Energia Carga do Portão TD (Ligado/Desligado) A 25 ° C Corrente - Corte de Colecionador (Max) Termistor NTC CapacitânCia de Entrada (CIES) @ VCE Tipo de transistor Vce saturação (max) @ ib, ic Ganho ATUAL DE CC (HFE) (min) @ IC, VCE Frequencia - Transmissão Resistor - Base (R1) Resistor - Base de Emissor (R2) Figura de Ruído (dB typ @ f)
BSC097N06NSTATMA1 Infineon Technologies BSC097N06NSTATMA1 1.2400
RFQ
 ECAD 5 0,00000000 Tecnologias Infineon Optimos ™ Tape & Reel (TR) Não é para desenhos para Novos -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem NA Superfície 8-PowerTdfn BSC097 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) Pg-tdson-8-1 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 5.000 N-canal 60 v 13a (ta), 48a (tc) 6V, 10V 9.7mohm @ 40a, 10V 3.3V @ 14µA 15 nc @ 10 V ± 20V 1075 pf @ 30 V - 3W (TA), 43W (TC)
IRFZ44VZL Infineon Technologies Irfz44vzl -
RFQ
 ECAD 5062 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco TO-262-3 Leitos Longos, i²pak, TO-262AA MOSFET (ÓXIDO DE METAL) To-262 download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado *Irfz44vzl Ear99 8541.29.0095 50 N-canal 60 v 57a (TC) 10V 12mohm @ 34a, 10V 4V A 250µA 65 nc @ 10 V ± 20V 1690 pf @ 25 V - 92W (TC)
FZ2400R12KE3NOSA1 Infineon Technologies FZ2400R12KE3NOSA1 943.0000
RFQ
 ECAD 66 0,00000000 Tecnologias Infineon - Volume Ativo -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) Montagem do chassi Módlo 10000 w Padrão AG-IHM130-2-1 download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 1 Switch Único - 1200 v 3460 a 2.05V @ 15V, 2.4ka 5 MA Não 150 NF @ 25 V
BCR129E6327 Infineon Technologies BCR129E6327 0,0400
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 ECAD 3185 0,00000000 Tecnologias Infineon - Volume Ativo Montagem NA Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BCR129 200 MW PG-SOT23-3-11 download Ear99 8541.29.0075 6.000 50 v 100 ma 100na (ICBO) Npn - pré -tendencioso 300mv @ 500µA, 10MA 120 @ 5MA, 5V 150 MHz 10 Kohms
BCR 158 B6327 Infineon Technologies BCR 158 B6327 -
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 ECAD 6174 0,00000000 Tecnologias Infineon - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montagem NA Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BCR 158 200 MW PG-SOT23 download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.21.0075 30.000 50 v 100 ma 100na (ICBO) PNP - Pré -tendencioso 300mv @ 500µA, 10MA 70 @ 5MA, 5V 200 MHz 2.2 Kohms 47 Kohms
IRLZ44NL Infineon Technologies Irlz44nl -
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 ECAD 9966 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco TO-262-3 Leitos Longos, i²pak, TO-262AA MOSFET (ÓXIDO DE METAL) To-262 download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado *Irlz44nl Ear99 8541.29.0095 50 N-canal 55 v 47a (TC) 4V, 10V 22mohm @ 25a, 10V 2V A 250µA 48 nc @ 5 V ± 16V 1700 pf @ 25 V - 3.8W (TA), 110W (TC)
FS225R17KE3BOSA1 Infineon Technologies FS225R17KE3BOSA1 831.6875
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 ECAD 8856 0,00000000 Tecnologias Infineon Econopack ™+ Bandeja Não é para desenhos para Novos -40 ° C ~ 125 ° C. Montagem do chassi Módlo FS225R17 1400 w Padrão Módlo download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 4 Inversor Trifásico Parada de Campo da Trinceira 1700 v 340 a 2.45V @ 15V, 225a 3 MA Sim 20,5 NF @ 25 V
64-2042 Infineon Technologies 64-2042 -
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 ECAD 7675 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco TO-262-3 Leitos Longos, i²pak, TO-262AA IRF1404 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) To-262 download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 50 N-canal 40 v 75a (TC) 10V 3.7mohm @ 75a, 10V 4V A 250µA 150 nc @ 10 V ± 20V 4340 PF @ 25 V - 220W (TC)
IPG20N06S4L26AATMA1 Infineon Technologies IPG20N06S4L26AATMA1 1.1700
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 ECAD 5277 0,00000000 Tecnologias Infineon Automotivo, AEC-Q101, Optimos ™ Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem NA Superfície, Flanco Molhado 8-powervdfn IPG20N MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 33W PG-TDSON-8-10 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 5.000 2 canal n (Duplo) 60V 20a 26mohm @ 17a, 10V 2.2V @ 10µA 20NC @ 10V 1430pf @ 25V Portão de Nível Lógico
IRLR2705TRPBF Infineon Technologies IRLR2705TRPBF 0,9700
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 ECAD 16 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem NA Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 IRLR2705 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) D-Pak download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 2.000 N-canal 55 v 28a (TC) 4V, 10V 40mohm @ 17a, 10V 2V A 250µA 25 NC @ 5 V ± 16V 880 pf @ 25 V - 68W (TC)
64-4095PBF Infineon Technologies 64-4095pbf -
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 ECAD 9281 0,00000000 Tecnologias Infineon - Tubo Obsoleto - - - - - - ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Obsoleto 1 - - - - - - - -
IHW30N160R5XKSA1 Infineon Technologies IHW30N160R5XKSA1 5.7700
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 ECAD 240 0,00000000 Tecnologias Infineon Trenchstop ™ Tubo Ativo -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco To-247-3 IHW30N160 Padrão 263 w PG-A247-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 30 600V, 30A, 10OHM, 15V Parada de Campo da Trinceira 1600 v 60 a 90 a 2.15V @ 15V, 30A 2MJ (Desligado) 205 NC -/290ns
BC 847CW B6327 Infineon Technologies BC 847CW B6327 -
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 ECAD 4451 0,00000000 Tecnologias Infineon - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montagem NA Superfície SC-70, SOT-323 BC 847 250 MW PG-SOT323 download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.21.0075 30.000 45 v 100 ma 15na (ICBO) Npn 600mV @ 5Ma, 100mA 420 @ 2MA, 5V 250MHz
BC817K40WH6327XTSA1 Infineon Technologies BC817K40WH6327XTSA1 0,0634
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 ECAD 4975 0,00000000 Tecnologias Infineon - Tape & Reel (TR) Última Vez compra 150 ° C (TJ) Montagem NA Superfície SC-70, SOT-323 BC817 250 MW PG-SOT323 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.21.0075 3.000 45 v 500 MA 100na (ICBO) Npn 700mv @ 50Ma, 500mA 100 @ 100mA, 1V 170MHz
IPD220N06L3GBTMA1 Infineon Technologies IPD220N06L3GBTMA1 -
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 ECAD 1293 0,00000000 Tecnologias Infineon Optimos ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem NA Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 IPD220 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-A252-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 2.500 N-canal 60 v 30a (TC) 4.5V, 10V 22mohm @ 30a, 10V 2.2V @ 11µA 10 nc @ 4,5 V ± 20V 1600 pf @ 30 V - 36W (TC)
BFP 740FESD E6327 Infineon Technologies BFP 740FESD E6327 -
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 ECAD 7764 0,00000000 Tecnologias Infineon - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montagem NA Superfície 4-SMD, FIOS Planos BFP 740 160mW 4-tsfp download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.21.0075 3.000 9db ~ 31db 4.7V 45mA Npn 160 @ 25MA, 3V 47 GHz 0,5dB ~ 1,45dB @ 150MHz ~ 10GHz
IRFS3107TRL7PP Infineon Technologies IRFS3107TRL7PP 5.0200
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 ECAD 14 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem NA Superfície TO-263-7, D²PAK (6 leads + guia), TO-263CB IRFS3107 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) D2PAK (7 derivados) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 800 N-canal 75 v 240a (TC) 10V 2.6mohm @ 160a, 10V 4V A 250µA 240 nc @ 10 V ± 20V 9200 pf @ 50 V - 370W (TC)
IRFP460APBFXKMA1 Infineon Technologies IRFP460APBFXKMA1 4.6820
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 ECAD 9539 0,00000000 Tecnologias Infineon - Tubo Não é para desenhos para Novos - IRFP460 - - Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 400 - - - - - - - -
BCP5610H6327XTSA1 Infineon Technologies BCP5610H6327XTSA1 0,2968
RFQ
 ECAD 7884 0,00000000 Tecnologias Infineon - Tape & Reel (TR) Última Vez compra 150 ° C (TJ) Montagem NA Superfície TO-261-4, TO-261AA BCP56 2 w PG-SOT223-4-10 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0075 1.000 80 v 1 a 100na (ICBO) Npn 500mv @ 50Ma, 500mA 63 @ 150mA, 2V 100MHz
BCX6816H6327XTSA1 Infineon Technologies BCX6816H6327XTSA1 0,2970
RFQ
 ECAD 8121 0,00000000 Tecnologias Infineon Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Última Vez compra 150 ° C (TJ) Montagem NA Superfície TO-243AA BCX6816 3 w PG-SOT89 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0075 1.000 20 v 1 a 100na (ICBO) Npn 500mv @ 100ma, 1a 100 @ 500mA, 1V 100MHz
IRLU024ZPBF Infineon Technologies IRLU024ZPBF -
RFQ
 ECAD 6051 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco TO-251-3 leva Curtos, Ipak, TO-251AA MOSFET (ÓXIDO DE METAL) I-Pak download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 75 N-canal 55 v 16a (TC) 4.5V, 10V 58mohm @ 9.6a, 10V 3V A 250µA 9,9 nc @ 5 V ± 16V 380 pf @ 25 V - 35W (TC)
BFQ 19S E6327 Infineon Technologies BFQ 19S E6327 -
RFQ
 ECAD 5609 0,00000000 Tecnologias Infineon - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montagem NA Superfície TO-243AA BFQ 19 1w PG-SOT89 download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.21.0075 1.000 7dB ~ 11,5dB 15V 210mA Npn 70 @ 70mA, 8V 5,5 GHz 1.8db ~ 3db @ 900MHz ~ 1,8 GHz
IRFS4010TRRPBF Infineon Technologies IRFS4010TRRPBF -
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 ECAD 9317 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tape & Reel (TR) Descontinuado no sic -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem NA Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab MOSFET (ÓXIDO DE METAL) D2PAK download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado SP001576222 Ear99 8541.29.0095 800 N-canal 100 v 180A (TC) 10V 4.7mohm @ 106a, 10V 4V A 250µA 215 NC @ 10 V ± 20V 9575 PF @ 50 V - 375W (TC)
BSS127L6327HTSA1 Infineon Technologies BSS127L6327HTSA1 -
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 ECAD 6409 0,00000000 Tecnologias Infineon Sipmos® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem NA Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-SOT23 download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.21.0095 3.000 N-canal 600 v 21Ma (ta) 4.5V, 10V 500OHM @ 16MA, 10V 2.6V @ 8µA 1 nc @ 10 V ± 20V 28 pf @ 25 V - 500mW (TA)
BCX71JE6433HTMA1 Infineon Technologies BCX71JE6433HTMA1 0,0529
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 ECAD 1592 0,00000000 Tecnologias Infineon - Tape & Reel (TR) Última Vez compra 150 ° C (TJ) Montagem NA Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BCX71 330 MW PG-SOT23 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.21.0075 10.000 45 v 100 ma 20na (ICBO) Pnp 550mv a 1,25mA, 50mA 250 @ 2MA, 5V 250MHz
BC846UPNE6327HTSA1 Infineon Technologies BC846UPNE6327HTSA1 0,1260
RFQ
 ECAD 2055 0,00000000 Tecnologias Infineon - Tape & Reel (TR) Última Vez compra 150 ° C (TJ) Montagem NA Superfície SC-74, SOT-457 BC846 250mw PG-SC74-6 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.21.0075 3.000 65V 100mA 15na (ICBO) Npn, pnp 650mv @ 5Ma, 100mA 200 @ 2MA, 5V 250MHz
IRFR3504TRRPBF Infineon Technologies IRFR3504TRRPBF -
RFQ
 ECAD 1055 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem NA Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) D-Pak download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 3.000 N-canal 40 v 30a (TC) 10V 9.2mohm @ 30a, 10V 4V A 250µA 71 nc @ 10 V ± 20V 2150 pf @ 25 V - 140W (TC)
IPU039N03LGXK Infineon Technologies IPU039N03LGXK -
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 ECAD 8915 0,00000000 Tecnologias Infineon Optimos ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco TO-251-3 leva Curtos, Ipak, TO-251AA IPU039N MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-A251-3-21 download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 1.500 N-canal 30 v 50a (TC) 4.5V, 10V 3.9mohm @ 30a, 10V 2.2V A 250µA 51 NC @ 10 V ± 20V 5300 pf @ 15 V - 94W (TC)
SPP02N60C3 Infineon Technologies SPP02N60C3 0,4800
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 ECAD 74 0,00000000 Tecnologias Infineon Coolmos ™ Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-PARA220-3-1 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 1 N-canal 600 v 1.8a (TC) 10V 3ohm @ 1.1a, 10V 3.9V @ 80µA 12,5 nc @ 10 V ± 20V 200 pf @ 25 V - 25W (TC)
SMBT3906E6327HTSA1 Infineon Technologies SMBT3906E6327HTSA1 0,3700
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 ECAD 68 0,00000000 Tecnologias Infineon - Tape & Reel (TR) Última Vez compra 150 ° C (TJ) Montagem NA Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MBT3906 330 MW PG-SOT23 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.21.0075 3.000 40 v 200 MA 50na (ICBO) Pnp 400mV @ 5MA, 50MA 100 @ 10Ma, 1V 250MHz
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