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Transistores (13833)

Imageem Número do Produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade Dispon Svel Peso (kg) Mfr Série Pacote Status do produto Tensão - Classificada Temperatura operacional Tipo de Montagem Pacote / Caso Número do Produto Base Tipo de Entrada Freqüência Tecnologia Poder - Máx Entrada Pacote de Dispositivo de Fornecedor Ficha de Dadas Status do rohs Nível de sensibilidade à Umidade (msl) Status de alcance Nomes de Ulros ECCN Htsus PACOTE PADROO Configuraça TIPO DE FET Classificação ATUAL (Amplificadorores) Condição de teste ATUAL - TESTE POTÊNCIA - SAÍDA Ganho Escorra para um tensão de origem (VDSS) Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C Tensão de conduça (max rds on, min rds on) Rds em (max) @ id, vgs VGS (th) (max) @ id Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS VGs (Máximoo) CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Recurso FET DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) Figura de Ruído Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) TIPO IGBT Tensão - Colapso do Emissor de Colecionador (Max) Corrente - Coletor (IC) (Max) Corrente - Coletor Pulsa (ICM) Vce (on) (max) @ vge, ic Troca de Energia Carga do Portão TD (Ligado/Desligado) A 25 ° C Tensão - Teste Corrente - Corte de Colecionador (Max) Termistor NTC CapacitânCia de Entrada (CIES) @ VCE Tipo de transistor Vce saturação (max) @ ib, ic Ganho ATUAL DE CC (HFE) (min) @ IC, VCE Frequencia - Transmissão
PTFB093608FVV2S250XTMA1 Infineon Technologies PTFB093608FVV2S250XTMA1 -
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 ECAD 6077 0,00000000 Tecnologias Infineon - Tape & Reel (TR) Obsoleto 65 v Montagem do chassi H-36260-2 960MHz LDMOS H-36260-2 download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado SP001199696 Obsoleto 0000.00.0000 1 - 2.8 a 112W 19dB - 28 v
BCR116E6393HTSA1 Infineon Technologies BCR116E6393HTSA1 -
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 ECAD 1521 0,00000000 Tecnologias Infineon Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Última Vez compra 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 200 MW PG-SOT23 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado SP000010750 Ear99 8541.21.0075 3.000 50 v 100 ma 100na (ICBO) Npn 300mv @ 500µA, 10MA 70 @ 5MA, 5V 150MHz
IPU60R2K1CEAKMA1 Infineon Technologies IPU60R2K1Ceakma1 0,6300
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 ECAD 5249 0,00000000 Tecnologias Infineon Coolmos ™ Tubo Ativo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-251-3 leva Curtos, Ipak, TO-251AA IPU60R2 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-A251-3 download ROHS3 Compatível 3 (168 Horas) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 75 N-canal 600 v 3.7a (TC) 10V 2.1ohm @ 760mA, 10V 3,5V a 60µA 6,7 nc @ 10 V ± 20V 140 pf @ 100 V - 38W (TC)
IRLR4343TRL Infineon Technologies IRLR4343TRL -
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 ECAD 4877 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) D-Pak download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 3.000 N-canal 55 v 26a (TC) 4.5V, 10V 50mohm @ 4.7a, 10V 1V a 250µA 42 NC @ 10 V ± 20V 740 pf @ 50 V - 79W (TC)
FZ1600R12KF4S1NOSA1 Infineon Technologies FZ1600R12KF4S1NOSA1 -
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 ECAD 7386 0,00000000 Tecnologias Infineon - Bandeja Obsoleto - - - FZ1500 - - - 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado SP000100529 Obsoleto 0000.00.0000 1 - - -
IPD250N06N3GBTMA1 Infineon Technologies IPD250N06N3GBTMA1 -
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 ECAD 8402 0,00000000 Tecnologias Infineon Optimos ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 IPD250N MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-A252-3 download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 2.500 N-canal 60 v 28a (TC) 10V 25mohm @ 28a, 10V 4V @ 11µA 15 nc @ 10 V ± 20V 1200 pf @ 30 V - 36W (TC)
PTFB211803FLV2R250XTMA1 Infineon Technologies PTFB211803FLV2R250XTMA1 -
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 ECAD 1826 0,00000000 Tecnologias Infineon - Tape & Reel (TR) Obsoleto 65 v Montagem na Superfície 2-flatpack, Lidera de Barraca, Flangeada 2.17 GHz LDMOS H-34288-4/2 download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado SP000865676 Ear99 8541.29.0095 250 - 1.3 a 40W 17.5dB - 30 v
BSP60H6327XTSA1 Infineon Technologies BSP60H6327XTSA1 0,2819
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 ECAD 3792 0,00000000 Tecnologias Infineon - Tape & Reel (TR) Última Vez compra 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-261-4, TO-261AA BSP60 1,5 w PG-SOT223-4 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0075 1.000 45 v 1 a 10µA PNP - Darlington 1.8V @ 1MA, 1A 2000 @ 500MA, 10V 200MHz
BG5120KE6327 Infineon Technologies BG5120KE6327 0,0900
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 ECAD 879 0,00000000 Tecnologias Infineon Automotivo, AEC-Q101 Volume Ativo 8 v Montagem na Superfície 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 - MOSFET SOT-363 download Não Aplicável 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.21.0095 3.000 2 canal n (Duplo) 10µA 10 MA - 30dB 1.1dB 5 v
IRF630NSTRLPBF Infineon Technologies IRF630NSTRLPBF 1.6400
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 ECAD 2675 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tape & Reel (TR) Não é para desenhos para Novos -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab IRF630 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) D2PAK download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 800 N-canal 200 v 9.3a (TC) 10V 300mohm @ 5.4a, 10V 4V A 250µA 35 nc @ 10 V ± 20V 575 pf @ 25 V - 82W (TC)
FF225R65T3E3P4BPMA1 Infineon Technologies FF225R65T3E3P4BPMA1 1.0000
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 ECAD 7371 0,00000000 Tecnologias Infineon XHP ™ 3 Bandeja Ativo 125 ° C (TJ) Montagem do chassi Módlo FF225R65 1000 w Padrão AG-XHP3K65 download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 4 2 Independente Parada de Campo da Trinceira 5900 v 225 a 3.4V @ 15V, 225a 5 MA Não 65,6 NF @ 25 V
IPW60R041C6FKSA1 Infineon Technologies IPW60R041C6FKSA1 17.1000
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 ECAD 624 0,00000000 Tecnologias Infineon Coolmos ™ Tubo Não é para desenhos para Novos -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco To-247-3 IPW60R041 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-PARA247-3-1 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 30 N-canal 600 v 77.5a (TC) 10V 41mohm @ 44.4a, 10V 3.5V @ 2.96MA 290 nc @ 10 V ± 20V 6530 pf @ 10 V - 481W (TC)
IPL60R285P7AUMA1 Infineon Technologies IPL60R285P7Auma1 3.0200
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 ECAD 9416 0,00000000 Tecnologias Infineon Coolmos ™ P7 Tape & Reel (TR) Ativo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 4-Powertsfn IPL60R285 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) Pg-vson-4 download ROHS3 Compatível 3 (168 Horas) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 3.000 N-canal 600 v 13a (TC) 10V 285mohm @ 3.8a, 10V 4V @ 190µA 18 NC @ 10 V ± 20V 761 pf @ 400 V - 59W (TC)
IRF100B201 Infineon Technologies IRF100B201 2.9700
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 ECAD 3540 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET®, STROTLIRFET ™ Tubo Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 IRF100 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-220AB download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 50 N-canal 100 v 192a (TC) 10V 4.2mohm @ 115a, 10V 4V A 250µA 255 nc @ 10 V ± 20V 9500 pf @ 50 V - 441W (TC)
IRFR120NCTRLPBF Infineon Technologies IRFR120NCTRLPBF -
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 ECAD 1553 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) D-Pak download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 3.000 N-canal 100 v 9.4a (ta) 10V 210mohm @ 5.6a, 10V 4V A 250µA 25 nc @ 10 V ± 20V 330 pf @ 25 V - 48W (TC)
AUIRFR540ZTRL Infineon Technologies AUIRFR540ZTRL 2.8700
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 ECAD 651 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 AUIRFR540 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) DPAK download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 3.000 N-canal 100 v 35a (TC) 10V 28.5mohm @ 21a, 10V 4V @ 50µA 59 NC @ 10 V ± 20V 1690 pf @ 25 V - 91W (TC)
IRF7607TRPBF Infineon Technologies IRF7607TRPBF -
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 ECAD 6153 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-TSSOP, 8 msop (0,118 ", 3,00 mm de largura) IRF7607 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) Micro8 ™ download ROHS3 Compatível 2 (1 Ano) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 4.000 N-canal 20 v 6.5a (ta) 2.5V, 4.5V 30mohm @ 6.5a, 4.5V 1.2V a 250µA 22 NC @ 5 V ± 12V 1310 pf @ 15 V - 1.8W (TA)
IRGC10B60KB Infineon Technologies IRGC10B60KB -
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 ECAD 9725 0,00000000 Tecnologias Infineon - Volume Obsoleto - Montagem na Superfície Morrer Padrão Morrer download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Obsoleto 1 - NPT 600 v 10 a 1.3V @ 15V, 2A - -
IRF7379TR Infineon Technologies IRF7379TR -
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 ECAD 8800 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) IRF737 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 2.5W 8-so download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 4.000 N E P-Canal 30V 5.8a, 4.3a 45mohm @ 5.8a, 10V 1V a 250µA 25NC @ 10V 520pf @ 25V -
IRFS7787PBF Infineon Technologies IRFS7787pbf -
RFQ
 ECAD 1883 0,00000000 Tecnologias Infineon HEXFET® Tubo Descontinuado no sic -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab MOSFET (ÓXIDO DE METAL) D²PAK (TO-263AB) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 50 N-canal 75 v 76a (TC) 6V, 10V 8.4mohm @ 46a, 10V 3.7V @ 100µA 109 NC @ 10 V ± 20V 4020 pf @ 25 V - 125W (TC)
IRG4BC40UPBF Infineon Technologies IRG4BC40UPBF -
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 ECAD 8163 0,00000000 Tecnologias Infineon - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 IRG4BC40 Padrão 160 w TO-220AB download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 1.000 480V, 20A, 10OHM, 15V - 600 v 40 a 160 a 2.1V @ 15V, 20A 320µJ (ON), 350µJ (Off) 100 nc 34ns/110ns
IKW30N65H5XKSA1 Infineon Technologies IKW30N65H5XKSA1 5.1100
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 ECAD 83 0,00000000 Tecnologias Infineon Trenchstop ™ Tubo Ativo -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco To-247-3 IKW30N65 Padrão 188 w PG-A247-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 30 400V, 15A, 23OHM, 15V 70 ns Trincheira 650 v 55 a 90 a 2.1V @ 15V, 30A 280µJ (ON), 100µJ (OFF) 70 NC 20ns/190ns
94-2436 Infineon Technologies 94-2436 -
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 ECAD 5890 0,00000000 Tecnologias Infineon - Tubo Ativo - ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 0000.00.0000 1 -
IRFB5615PBFXKMA1 Infineon Technologies IRFB5615PBFXKMA1 -
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 ECAD 5367 0,00000000 Tecnologias Infineon - Tubo Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-220AB - ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 448-IRFB5615PBFXKMA1 Ear99 8541.29.0095 1 N-canal 150 v 35a (TC) 10V 39mohm @ 21a, 10V 5V @ 100µA 40 nc @ 10 V ± 20V 1750 PF @ 50 V - 144W (TC)
IPS09N03LA G Infineon Technologies Ips09n03la g -
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 ECAD 6451 0,00000000 Tecnologias Infineon Optimos ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco TO-251-3 Leads de Stub, Ipak IPS09N MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-PARA251-3-11 download 3 (168 Horas) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 1.500 N-canal 25 v 50a (TC) 4.5V, 10V 8.8mohm @ 30a, 10V 2V @ 20µA 13 NC @ 5 V ± 20V 1642 pf @ 15 V - 63W (TC)
IPP80N06S208AKSA2 Infineon Technologies IPP80N06S208AKSA2 -
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 ECAD 9147 0,00000000 Tecnologias Infineon Optimos ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 IPP80N06 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-PARA220-3-1 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 500 N-canal 55 v 80a (TC) 10V 8mohm @ 58a, 10V 4V A 150µA 96 nc @ 10 V ± 20V 2860 pf @ 25 V - 215W (TC)
SGP20N60XKSA1 Infineon Technologies SGP20N60XKSA1 -
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 ECAD 8646 0,00000000 Tecnologias Infineon - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 SGP20N Padrão 179 w PG-PARA220-3-1 download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 500 400V, 20A, 16OHM, 15V NPT 600 v 40 a 80 a 2.4V @ 15V, 20A 440µJ (ON), 330µJ (Off) 100 nc 36ns/225ns
BUZ73L Infineon Technologies Buz73l -
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 ECAD 2486 0,00000000 Tecnologias Infineon Sipmos® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-PARA220-3 download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 500 N-canal 200 v 7a (TC) 5V 400mohm @ 3.5a, 5V 2V @ 1MA ± 20V 840 pf @ 25 V - 40W (TC)
IPT039N15N5XTMA1 Infineon Technologies IPT039N15N5XTMA1 -
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 ECAD 5212 0,00000000 Tecnologias Infineon Optimos ™ Tape & Reel (TR) Descontinuado no sic -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-POWERSFN IPT039N MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PG-HSOF-8 - Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 2.000 N-canal 150 v 190a (TC) 8V, 10V 3.9mohm @ 50a, 10V 4.6V @ 257µA 98 nc @ 10 V ± 20V 7700 pf @ 75 V - 319W (TC)
BSC007N04LS6ATMA1 Infineon Technologies BSC007N04LS6ATMA1 3.3700
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 ECAD 1 0,00000000 Tecnologias Infineon Optimos ™ Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-PowerTdfn BSC007 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) Pg-tdson-8-6 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 5.000 N-canal 40 v 381a (TC) 4.5V, 10V 0,7mohm @ 50a, 10V 2.3V A 250µA 94 NC @ 4,5 V ± 20V 8400 pf @ 20 V - 188W
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